像素電極結構及使用其的顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明是有關于一種像素電極結構，包括：至少一掃描線，設置于一襯底上；至少一數(shù)據(jù)線，設置于襯底上，且掃描線及數(shù)據(jù)線相互交叉排列，以定義出一像素區(qū)域；一像素電極，設置于像素區(qū)域中；一有源元件，具有一柵極、一源極及一漏極，其中柵極電性連接掃描線，源極電性連接數(shù)據(jù)線，漏極電性連接像素電極；一遮蔽電極，重疊該掃描線的一側并以一第一連接部電性連接該像素電極，其中，遮蔽電極具有鋸齒狀結構(jag)，而第一連接部設置于鋸齒狀結構的鋸齒不同突出方向的交界處。
【專利說明】像素電極結構及使用其的顯示面板
【技術領域】
[0001]本發(fā)明是關于一種用于液晶顯示器的像素結構，尤其是具有提高開口率并避免掃描線漏光的一種用于液晶顯示器的像素結構。
【背景技術】
[0002]顯示器的發(fā)展已由陰極射線管發(fā)展成晶體管液晶顯示器，目前液晶顯示器分成扭轉(zhuǎn)向列型液晶顯示器(Twist Nematic LCD)、超扭轉(zhuǎn)向列型液晶顯示器(Super TwistNematic LCD)、薄膜晶體管液晶顯示器(Thin FilmTransistor LCD)以及低溫多晶娃液晶顯示器(Low Temperature Poly SiliconLCD),其中，全彩液晶顯示器、筆記本電腦、液晶電視使用薄膜晶體管液晶顯示器以及低溫多晶硅液晶顯示器，由于此液晶顯示器具有大尺寸、高對比度及使用壽命長等優(yōu)點，因此目前以液晶顯示器為主流。一般市售的液晶顯示器普遍上都會發(fā)生漏光的問題，其主要因素之一在于像素電極與掃描線間有電場引致此區(qū)的液晶導向異常進而產(chǎn)生漏光，雖然目前有許多技術對此漏光問題進行改善，然而顯少技術針對掃描線漏光情形而加以有效改善。
[0003]此外，一般技術在解決液晶顯不器漏光時，會同時使像素開口率(apertureratio)降低，由于像素開口率與亮度及背光光源利用率成正比關系，因此，像素開口率小的同時，液晶顯示器會有耗能的現(xiàn)象。
[0004]有鑒于此，尋找改善液晶顯示器掃描線漏光問題的解決方法并同時增加其開口率為目前提升液晶顯示器質(zhì)量的重要研究方向。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的主要目的在于提供一種像素結構，以能具有避免掃描線漏光及提高開口率的功效。
[0006]本發(fā)明的另一目的在于提供一種包含有上述像素結構的顯示面板，以能提升顯示面板的顯示質(zhì)量。
[0007]為達成上述目的，本發(fā)明提供了一種像素電極結構，其包括:至少一掃描線，設置于一襯底上；至少一數(shù)據(jù)線，設置于襯底上，且掃描線及數(shù)據(jù)線相互交叉排列，以定義出一像素區(qū)域；一像素電極，設置于上述定義的像素區(qū)域中；一有源元件，具有一柵極、一源極及一漏極，其中柵極電性連接掃描線，源極電性連接數(shù)據(jù)線，漏極電性連接像素電極；以及一遮蔽電極，重疊掃描線的一側并可通過一第一連接部電性連接像素電極，其中，此遮蔽電極具有鋸齒狀結構(jag)，而第一連接部的設置位置位于鋸齒狀結構中的鋸齒不同突出方向的交界處，借此不影響像素內(nèi)液晶的傾倒方向，以避免產(chǎn)生暗紋。
[0008]由于上述的遮蔽電極可選擇性的通過第一連接部與像素電極電性連接，因此，當本發(fā)明的像素電極結構在包含有第一連接部情況下，則此第一連接部會將遮蔽電極與像素電極進行電性連接；而當本發(fā)明的像素電極結構不包含第一連接部情況下，則遮蔽電極的設置可有兩種形式，其中一形式是遮蔽電極會與像素電極結構中的儲存電容的共享電極連接，故遮蔽電極具有共享電位；另一形式是使遮蔽電極浮接(floating)，以單純用于遮蔽柵極電場。
[0009]在本發(fā)明的像素電極結構中，遮蔽電極的至少一側可呈現(xiàn)鋸齒狀結構(jag);或者，遮蔽電極的兩側都呈現(xiàn)鋸齒狀結構。
[0010]關于鋸齒狀結構，其主要包含與掃描線平行的主軸以及多個的鋸齒，其中本發(fā)明所述的鋸齒狀結構可具有多個的由一主軸突出30-60°夾角的鋸齒，優(yōu)選是由主軸突出35-55°夾角的鋸齒，更佳是由主軸突出45°夾角的鋸齒。除此之外，于本發(fā)明像素電極結構中，若遮蔽電極兩側都呈現(xiàn)鋸齒狀結構，則其兩側的鋸齒排列方式無特別限制，優(yōu)選為相互對稱或交錯排列，更佳為交錯排列。
[0011]另外，在上述本發(fā)明像素電極結構的遮蔽電極中，其還包含一第一遮蔽部以及一第二遮蔽部，第一遮蔽部重疊該掃描線的一側并以第一連接部電性連接像素電極，而第二遮蔽部重疊掃描線的另一側，在實施形式中，第二遮蔽部的設置可為浮接(floating)或另接于共享電極，當?shù)诙诒尾窟B接于共享電極時，則此第二遮蔽部會具有共享電位，而當?shù)诙诒尾渴歉〗訒r，則其功能是單純用于遮蔽柵極電場。
[0012]在上述遮蔽電極中，第一遮蔽部與第二遮蔽部間也可包含一第二連接部，以將第一遮蔽部與第二遮蔽部連接，使遮蔽電極形成「工」字型。
[0013]此外，當本發(fā)明遮蔽電極通過第一連接部與像素電極電性連接，則遮蔽電極與第一連接部的材料可與像素電極材料相同，且本發(fā)明中的遮蔽電極可為透明電極。
[0014]本發(fā)明的像素電極除了上述形式外，另提供一種形式。本發(fā)明另提供的像素電極包括:多條的數(shù)據(jù)線，平行設置于一襯底上，其中一像素區(qū)域是由相鄰的該些數(shù)據(jù)線所定義；一像素電極，設置于上述像素區(qū)域中；一掃描線，設置于襯底并與數(shù)據(jù)線交叉排列，此掃描線橫跨像素電極或設置于相鄰像素電極間；一有源元件，設置于像素區(qū)域，且此有源元件具有一柵極、一源極及一漏極，其中柵極電性連接掃描線，源極電性連接數(shù)據(jù)線，而漏極電性連接像素電極；以及一遮蔽電極，此遮蔽電極以一第一連接部電性連接像素電極，且此第一連接部設置于像素內(nèi)不同液晶傾倒方向的交界處，借此不影響像素內(nèi)液晶的傾倒方向，以避免產(chǎn)生暗紋，其中上述的遮蔽電極可包含有一第一遮蔽部以及一第二遮蔽部，第一遮蔽部重疊該掃描線的一側，第二遮蔽部重疊掃描線的另一側。同上所述，在實施形式中，第二遮蔽部的設置可為浮接(floating)或另接于共享電極，當?shù)诙诒尾窟B接于共享電極時，則此第二遮蔽部會具有共享電位，而當?shù)诙诒尾渴歉〗訒r，則其功能是單純用于遮蔽柵極電場。此外，第一遮蔽部與第二遮蔽部間也可包含一第二連接部，以將第一遮蔽部與第二遮蔽部連接，使遮蔽電極形成「工」字型。
[0015]在本發(fā)明另提供的像素電極形式中，當掃描線是橫跨像素電極時，此像素電極可定義出一第一像素電極部及一第二像素電極部，其中第一遮蔽部重疊掃描線的一側并通過上述的第一連接部與第一像素電極部電性連接，第二遮蔽部重疊掃描線的另一側，當?shù)谝徽诒尾考暗诙诒尾块g具有一第二連接部時，則第二遮蔽部能通過此第二連接部與第一遮蔽部連接。
[0016]在上述本發(fā)明另提供的像素電極形式中，第一遮蔽部或第二遮蔽部的至少一側可呈現(xiàn)鋸齒狀結構(jag);或者，第一遮蔽部或第二遮蔽部的兩側都呈現(xiàn)鋸齒狀結構(jag)。關于此形式的鋸齒狀結構，其主要包含與掃描線平行的一主軸以及多個的鋸齒，其中本發(fā)明所述的鋸齒狀結構可具有多個的由主軸突出30-60°夾角的鋸齒，優(yōu)選是由主軸突出35-55°夾角的鋸齒，更佳是由主軸突出45°夾角的鋸齒。除此之外，在本發(fā)明另提供的像素電極結構形式中，若第一遮蔽部或第二遮蔽部兩側都呈現(xiàn)鋸齒狀結構時，則其兩側的鋸齒排列方式無特別限制，優(yōu)選為相互對稱或交錯排列，更佳為交錯排列。
[0017]在本發(fā)明另提供的形式中，遮蔽電極的材料與該像素電極的材料相同，且遮蔽電極可為透明電極。
[0018]本發(fā)明更提供一種顯示面板，其包含上述本發(fā)明的像素電極結構，其中此像素電極結構包括:至少一掃描線，設置于一襯底上；至少一數(shù)據(jù)線，設置于襯底上，且掃描線及數(shù)據(jù)線相互交叉排列，以定義出一像素區(qū)域；一像素電極，設置于上述像素區(qū)域中；一有源元件，具有一柵極、一源極及一漏極，其中柵極電性連接掃描線，源極電性連接數(shù)據(jù)線，漏極電性連接像素電極；以及一遮蔽電極，重疊掃描線的一側并以一第一連接部電性連接像素電極，其中，此遮蔽電極的至少一側可具有鋸齒狀結構(jag)，而第一連接部的設置位置位于鋸齒狀結構中的鋸齒不同突出方向的交界處，借此不影響像素內(nèi)液晶的傾倒方向，以避免產(chǎn)生暗紋。
[0019]在此，上述的遮蔽電極兩側可都呈現(xiàn)鋸齒狀結構，且兩側鋸齒狀結構的鋸齒相互對稱或交錯排列，此外，鋸齒狀結構可具有由主軸突出30-60°夾角的鋸齒，優(yōu)選是由主軸突出35-55°夾角的鋸齒，更佳是由主軸突出45°夾角的鋸齒。
[0020]本發(fā)明提供的顯示面板中，遮蔽電極還可包含一第一遮蔽部以及一第二遮蔽部，此第一遮蔽部重疊掃描線的一側并以第一延伸部電性連接像素電極，第二遮蔽部重疊掃描線的另一側，在實施形式中， 第二遮蔽部的設置可為浮接(floating)或另接于共享電極，當?shù)诙诒尾窟B接于共享電極時，則此第二遮蔽部會具有共享電位，而當?shù)诙诒尾渴歉〗訒r，則其功能是單純用于遮蔽柵極電場。除此之外，在前述遮蔽電極中，第一遮蔽部與第二遮蔽部間也可包含一第二連接部，以將第一遮蔽部與第二遮蔽部連接，并使遮蔽電極形成「工」字型。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明實施例1的像素電極結構示意圖。
[0022]圖2為本發(fā)明實施例2的像素電極結構示意圖。
[0023]圖3為本發(fā)明實施例3的像素電極結構示意圖。
[0024]圖4為本發(fā)明實施例4的像素電極結構示意圖。
[0025]圖5為本發(fā)明實施例5的像素電極結構示意圖。
[0026]圖6為本發(fā)明實施例6的像素電極結構示意圖。
[0027]圖7為本發(fā)明實施例7的像素電極結構示意圖。
[0028]圖8為本發(fā)明實施例8的像素電極結構示意圖。
[0029]圖9為本發(fā)明實施例9的顯示面板示意圖。
[0030]【主要元件符號說明】
[0031]1-掃描線；
[0032]2-數(shù)據(jù)線；
[0033]3-像素區(qū)域；31-像素電極；311-第一像素電極部；[0034]312-第二像素電極部；32-第一連接部；
[0035]4-有源元件；41-漏極；42-源極；
[0036]5-遮蔽電極；51-第一遮蔽部；52-第二遮蔽部；
[0037]53-第二連接部；54-主軸；55-鋸齒；
[0038]6-第一襯底層；7-像素層；8-液晶層；
[0039]9-電極層；10-濾光層；11-第二襯底層。
【具體實施方式】
[0040]以下通過具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。此外，本發(fā)明也可通過其他不同具體實施例加以施行或應用，在不悖離本發(fā)明的精神下進行各種修改與變更。
[0041]實施例1
[0042]請參考圖1，圖1為本發(fā)明實施例1的像素電極結構示意圖，其包括至少一掃描線1，設置于一襯底上；至少一數(shù)據(jù)線2，設置于襯底上，且掃描線1及數(shù)據(jù)線2相互交叉排列，其交叉的方式可為垂直也可不為垂直，并定義出一像素區(qū)域3 ;—像素電極31，設置于像素區(qū)域3中，其中，像素電極具有「米」字型紋路；一有源元件4，具有一柵極(圖未示)、一源極42及一漏極41，其中柵極(圖未示)電性連接掃描線1，源極42電性連接數(shù)據(jù)線2，漏極41電性連接像素電極31 ;以及一遮蔽電極5,重疊掃描線1的一側并以一第一連接部32電性連接像素電極31，其中，此遮蔽電極5僅一側具鋸齒狀結構，包含有與掃描線1平行的主軸54以及多個的鋸齒55，其中，鋸齒55具有由主軸54突出45°的夾角，而第一連接部32的設置位置位于此鋸齒狀結構中的鋸齒55不同突出方向的交界處，借此不影響像素內(nèi)液晶的傾倒方向，以避免產(chǎn)生暗紋`。
[0043]本實施例的遮蔽電極5、第一連接部32及像素電極31的材料是氧化銦錫透明電極，且遮蔽電極5與掃描線1重疊，以遮擋掃描線1的電場。
[0044]將本發(fā)明像素電極結構與現(xiàn)有像素電極結構進行漏光觀察，可明顯發(fā)現(xiàn)像素邊緣無漏光情形，且開口率明顯提高。
[0045]實施例2
[0046]請參考圖2，圖2為本發(fā)明實施例2的像素電極結構示意圖。本實施例的像素電極結構與實施例1大致相同，差別僅在于本實施例的遮蔽電極5兩側都呈現(xiàn)鋸齒狀結構，且該鋸齒狀結構具有由主軸54突出45°的夾角的鋸齒55。
[0047]將本實施例的像素電極結構進行漏光檢測，同樣可明顯發(fā)現(xiàn)像素邊緣無漏光情形，且開口率明顯提高。
[0048]實施例3
[0049]請參考圖3，圖3為本發(fā)明實施例3的像素電極結構示意圖。本實施例的像素電極結構與實施例1大致相同，差別在于本實施例的像素電極31「米」字型紋路與實施例1不同，且遮蔽電極5具有齒狀結構，然而其鋸齒55結構與系對應像素電極31紋路，與實施例1不同。除此之外，本實施例的第一連接部32位于遮蔽電極5鋸齒狀結構的鋸齒55不同突出方向的交界處，借此不影響像素內(nèi)液晶的傾倒方向，以避免產(chǎn)生暗紋。
[0050]將本實施例的像素電極結構進行漏光檢測，同樣可明顯發(fā)現(xiàn)像素邊緣無漏光情形，且開口率明顯提高。
[0051]實施例4
[0052]請參考圖4，圖4為本發(fā)明實施例4的像素電極結構示意圖。本實施例與實施例3大致相同，差別在于像素電極31的「米」字型紋路與實施例3不同，且遮蔽電極5所具有的齒狀55結構與像素電極3對稱，而第一連接部32則位于遮蔽電極5鋸齒狀結構的鋸齒55不同突出方向的交界處，借此不影響像素內(nèi)液晶的傾倒方向，以避免產(chǎn)生暗紋。
[0053]將本實施例的像素電極結構進行漏光檢測，同樣可明顯發(fā)現(xiàn)像素邊緣無漏光情形，且開口率明顯提高。
[0054]實施例5
[0055]請參考圖5，圖5為本發(fā)明實施例5的像素電極結構示意圖。本實施例的像素電極結構與前述實施例差別在于本實施例的掃描線1橫跨一像素電極結構，以使像素電極31分為一第一像素電極部311以及一第二像素電極部312。另外，于本實施例中，遮蔽電極5包含一第一遮蔽部51、一第二遮蔽部52以及一第二連接部53，第一遮蔽部51重疊該掃描線1的一側，第二遮蔽部52重疊掃描線1的另一側且通過第二連接部53與第一遮蔽部51連接，以使遮蔽電極呈現(xiàn)「工」字型形狀，且此「工」字型遮蔽電極5具有鋸齒狀結構，在此，鋸齒狀特征可與上述實施例1及2相同。再則，本實施例的第一連接部32電性連接第二像素電極部312以及該遮蔽電極5，其中此第一連接部32的設置位置位于鋸齒狀結構中的鋸齒突出至不同方向的交界處，借此不影響像素內(nèi)液晶的傾倒方向，以避免產(chǎn)生暗紋。于本實施例中，遮蔽電極的鋸齒狀結構特征都與實施例1相同。
[0056]將本實施例的像素電極結構進行漏光檢測，同樣可明顯發(fā)現(xiàn)像素邊緣無漏光情形，且開口率明顯提高。
[0057]實施例6
[0058]請參考圖6，圖6為本發(fā)明實施例6的像素電極結構示意圖。本實施例所提供的像素結構包括:多條的數(shù)據(jù)線2，平行設置于一襯底上，其中一像素區(qū)域3由相鄰的數(shù)據(jù)線2所定義；一像素電極31，設置于上述像素區(qū)域3中；一掃描線1，設置于襯底并與數(shù)據(jù)線2交叉，此掃描線1橫跨像素電極31并將其定義出一第一像素電極部311以及一第二像素電極部312 ;—有源元件4，設置于像素區(qū)域3，且此有源元件具有一柵極、一源極及一漏極，其中柵極電性連接掃描線1，源極電性連接數(shù)據(jù)線2，而漏極電性連接像素電極31 ;以及一遮蔽電極5，本實施例的遮蔽電極5以一第一連接部32電性連接第二像素電極部312，且第一連接部32的設置位置位于不影響液晶的傾倒方向處，即像素內(nèi)不同液晶傾倒方向的交界處。本實施例的遮蔽電極5包含一第一遮蔽部51、一第二遮蔽部52以及一第二連接部53，其中，第一遮蔽部51重疊該掃描線1的一側，第二遮蔽部52重疊掃描線1的另一側且通過第二連接部53與第一遮蔽部連接51，借此以使遮蔽電極5形成「工」字型。
[0059]將本實施例的像素電極進行漏光檢測，同樣可明顯發(fā)現(xiàn)像素邊緣無漏光情形，且開口率明顯提聞。
[0060]實施例7
[0061]請參考圖7，圖7為本發(fā)明實施例7的像素電極結構示意圖。本實施例的像素電極結構與實施例6相同，差別在于本實施例的第一遮蔽部51具有鋸齒狀結構，且此遮蔽電極5的鋸齒狀結構同實施例1具有由主軸突出45°的夾角的鋸齒。此外，本實施例的第一連接部32電性連接第二像素電極部312與第二遮蔽部52。
[0062]而將本實施例的像素電極進行相同的漏光檢測，可明顯發(fā)現(xiàn)像素邊緣也無漏光情形，且開口率可明顯提聞。
[0063]實施例8
[0064]請參考圖8，圖8為本發(fā)明實施例8的像素電極結構示意圖。本實施例的像素電極結構與實施例7相同，差別在于本實施例的遮蔽電極5的第一遮蔽部51兩側具有鋸齒狀結構，且兩側鋸齒狀結構相互對稱設計。
[0065]將本實施例的像素電極進行相同的漏光檢測，也可明顯發(fā)現(xiàn)像素邊緣也無漏光情形，且開口率可明顯提聞。
[0066]實施例9
[0067]請參考圖9，圖9為本發(fā)明實施例9的顯示面板示意圖。本實施例的顯示面板架構包括一第一襯底層6、一像素層7、一液晶層8、一電極層9、一濾光層10以及一第二襯底層11，其中，本實施例的像素層7包含有本發(fā)明的像素電極結構，且可包含實施例1-8像素電極結構的任一型態(tài)。
[0068]通過本發(fā)明像素電極的使用，可降低顯示面板的漏光現(xiàn)象，除此之外，更能增加像素開口率，以提升背光光源利用率，增加顯示面板亮度，更能達到節(jié)省能源的優(yōu)點。
[0069]上述實施例僅是為了方便說明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權利范圍自應以權利要求所述為準，而非僅限于上述實施例。
【權利要求】
1.一種像素電極結構，其特征在于，包括:至少一掃描線，設置于一襯底上；至少一數(shù)據(jù)線，設置于該襯底上，且該掃描線及該數(shù)據(jù)線相互交叉排列，以定義出一像素區(qū)域；一像素電極，設置于該像素區(qū)域中；一有源元件，具有一柵極、一源極及一漏極，其中該柵極電性連接該掃描線，該源極電性連接該數(shù)據(jù)線，該漏極電性連接該像素電極；以及一遮蔽電極，重疊該掃描線的一側并以一第一連接部電性連接該像素電極，其中，該遮蔽電極具有鋸齒狀結構，而該第一連接部設置于該鋸齒狀結構中的鋸齒不同突出方向的交界處。
2.根據(jù)權利要求1所述的像素電極結構，其特征在于，該遮蔽電極的至少一側呈現(xiàn)鋸齒狀結構。
3.根據(jù)權利要求1所述的像素電極結構，其特征在于，該遮蔽電極的兩側都呈現(xiàn)鋸齒狀結構。
4.根據(jù)權利要求1所述的像素電極結構，其特征在于，該鋸齒狀結構具有多個的由一主軸突出30-60°夾角的鋸齒。
5.根據(jù)權利要求3所述的像素電極結構，其特征在于，該遮蔽電極兩側鋸齒狀結構的鋸齒相互對稱或交錯排列。
6.根據(jù)權利要求1所述的像素電極結構，其特征在于，該遮蔽電極還包含一第一遮蔽部以及一第二遮蔽部，該第一遮蔽部重疊該掃描線的一側并以該第一連接部電性連接該像素電極，該第二遮蔽部重疊該掃描線的另一側。
7.根據(jù)權利要求1的像素電極結構，其特征在于，該遮蔽電極的材料與該像素電極的材料相同。
8.一種像素電極結構，其特征在于，包括:多條的數(shù)據(jù)線，平行設置于一襯底上，其中一像素區(qū)域由相鄰的該些數(shù)據(jù)線所定義；一像素電極，設置于該像素區(qū)域中；一掃描線，設置于該襯底并與該數(shù)據(jù)線交叉排列，該掃描線橫跨該像素電極或設置于相鄰像素電極間；一有源元件，設置于該像素區(qū)域，且該有源元件具有一柵極、一源極及一漏極，其中該柵極電性連接該掃描線，該源極電性連接該數(shù)據(jù)線，該漏極電性連接該像素電極；以及一遮蔽電極，該遮蔽電極以一第一連接部電性連接該像素電極，且該第一連接部設置于像素內(nèi)不同液晶傾倒方向的交界處，其中該遮蔽電極包含一第一遮蔽部以及一第二遮蔽部，該第一遮蔽部重疊該掃描線的一側，該第二遮蔽部重疊該掃描線的另一側。
9.根據(jù)權利要求8的像素電極結構，其特征在于，該第一遮蔽部或該第二遮蔽部的至少一側呈現(xiàn)鋸齒狀結構。
10.一種顯示面板，其特征在于，包含一像素電極結構，其中該像素電極結構包括:至少一掃描線，設置于一襯底上；至少一數(shù)據(jù)線，設置于該襯底上，且該掃描線及該數(shù)據(jù)線相互交叉排列，以定義出一像素區(qū)域；一像素電極，設置于該像素區(qū)域中；一有源元件，具有一柵極、一源極及一漏極，其中該柵極電性連接該掃描線，該源極電性連接該數(shù)據(jù)線，該漏極電性連接該像素電極；以及一遮蔽電極，重疊該掃描線的一側并以一第一連接部電性連接該像素電極，其中，該遮蔽電極的至少一側具有鋸齒狀結構，而該第一連接部的設置位置位于該鋸齒狀結構中的鋸齒不同突出方向的交界處。
【文檔編號】G02F1/1368GK103728790SQ201210384212
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2012年10月11日 優(yōu)先權日:2012年10月11日
【發(fā)明者】何宇勝, 陳英仁, 楊清喆 申請人:群康科技(深圳)有限公司, 奇美電子股份有限公司