專利名稱：電場方向平行于液晶層的光學(xué)器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及了液晶顯示領(lǐng)域，特別涉及電場方向平行于液晶層的光學(xué)器件。同時涉及了應(yīng)用于IPS模式的液晶組合物，特別涉及了應(yīng)用于IPS模式的添加手性劑的液晶介質(zhì)。
背景技術(shù)：
近年來科研人員開發(fā)出了不同的液晶顯示模式。其中，最重要的液晶顯示模式是TN (扭曲向列)模式、STN (超扭曲向列)模式、IPS (面內(nèi)轉(zhuǎn)換)模式、OCB (光控雙折射)模式和TOLC (聚合分散式液晶)模式等。所有的這些模式都使用電場，其中，TN (扭曲向列)、STN (超扭曲向列)和OCB (光控雙折射)電場基本上垂直于基板，或者是垂直于液晶層，除 這些模式外，也存在采用基本上平行于基板，或者是液晶層的電場的電光學(xué)模式，如IPS(面 內(nèi)轉(zhuǎn)換)模式。傳統(tǒng)的液晶分子是以垂直和水平角度切換作為背光通過的方式，IPS (面內(nèi)轉(zhuǎn)換)模式則將液晶分子改為水平旋轉(zhuǎn)切換作為背光通過的方式。不需要額外加補償膜，顯示視覺上對比度也很高。IPS (面內(nèi)轉(zhuǎn)換)模式的最大特點就是它的電極都在同一平面上，而不像其他液晶模式的電極是在上下兩面。因為只有這樣，才能營造一個平面電場以驅(qū)使液晶分子橫向運動。這種電極結(jié)構(gòu)對顯示效果有負(fù)面影響，當(dāng)把電壓加到電極上后，靠近電極的液晶分子獲得較大的動力，迅速扭轉(zhuǎn)90°是沒有問題的。但是遠(yuǎn)離電極的上層液晶分子就無法獲得一樣的動力，運動較慢。只有增加驅(qū)動電壓才能讓遠(yuǎn)離電極的液晶分子也獲得不小的動力。因此，IPS的驅(qū)動電壓較高，并且響應(yīng)速度慢。因此,在液晶顯示領(lǐng)域,急需要解決IPS模式驅(qū)動電壓較高,響應(yīng)速度慢的問題。從而，提供一種電場方向平行于液晶層的光學(xué)器件來解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決IPS模式驅(qū)動電壓較高，響應(yīng)速度慢的問題。本發(fā)明提供了一種電場方向平行于液晶層的光學(xué)器件，其中，所述電場方向平行于液晶層的光學(xué)器件包括上基板；下基板，所述下基板在所述上基板下方；以及液晶層，所述液晶層在所述上基板和所述下基板之間，其中所述液晶層包括一種正性或負(fù)性液晶介質(zhì)，所述液晶介質(zhì)包括至少一種光學(xué)活性成分。所述液晶介質(zhì)至少包括一種通式I的光學(xué)活性物質(zhì)。
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Rf—{ A \~~Ζιτ\ B V-Z士乂 C
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\ X J其中，R1和R2彼此獨立的是F、Cl、Br、CN、SCN、SF5、1-30個碳原子的手性或非手性基團(tuán)，其中，所述1-30個碳原子的手性或非手性基團(tuán)可以是未經(jīng)取代或被F、Cl、Br或CN單取代或多取代，所述1-30個碳原子的手性或非手性基團(tuán)中的一個或多個不相鄰的-CH2-可以獨立地被-O-、-S-、-NH-、-N (CH3) -、-CO-、-COO-、-0C0-、-0C0-0-、-S-CO-、-CO-S-、-CH=CH-或-C = C-取代，其前提是氧原子不直接相連，所述1-30個碳原子的手性或非手性基團(tuán)可以是含有一個或多個芳香環(huán)或脂肪環(huán)的手性基團(tuán)，所述含有一個或多個芳香環(huán)或脂肪環(huán)的手性基團(tuán)可以包括稠環(huán)或螺環(huán)，并且可以含有一個或多個雜原子或可聚合的手性基團(tuán)；ZpZ2 彼此獨立的是-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-'-CH2CH2-'-CF2CH2-'-CH2CF2-、-CF2CF2-,-CF=CH-,-CH=CF-,-CF=CF-,-0-,-S-,-C0-,-C00-,-0C0-,-0C00-,-C0-N (R3)-^-N (R3)-CO-、-CH2-, -OCH2-, -SCH2-, -CH2S-, -CH=CH-, -CF=CF-, -C = C-、-CH=CH-COO-, -OCO-CH=CH -或單鍵，其中，R3是H或1-4個碳原子的烷基；)(是-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2'-CH2CH2' -CF2CH2' -CH2CF2-、-CF2CF2-、-O-、-CH2-> -CO-、-CF=CF-或單鍵；環(huán)
權(quán)利要求
1.一種電場方向平行于液晶層的光學(xué)器件，其中，所述電場方向平行于液晶層的光學(xué)器件包括 上基板； 下基板，所述下基板在所述上基板下方；以及 液晶層，所述液晶層在所述上基板和所述下基板之間，其中所述液晶層包括一種正性或負(fù)性液晶介質(zhì)，所述液晶介質(zhì)包括至少一種光學(xué)活性成分。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電場方向平行于液晶層的光學(xué)器件，其中，所述液晶介質(zhì)至少包括一種通式I的光學(xué)活性物質(zhì)，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電場方向平行于液晶層的光學(xué)器件，其中，所述通式(I )的化合物選自由如下化合物組成的組中的一種或多種化合物
4.根據(jù)權(quán)利要求2、3所述的電場方向平行于液晶層的光學(xué)器件，其中，所述光學(xué)活性物質(zhì)在所述液晶介質(zhì)中的含量為O. 01-7%。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電場方向平行于液晶層的光學(xué)器件，其中，所述光學(xué)活性物質(zhì)在所述液晶介質(zhì)中的含量為O. 05-5%。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電場方向平行于液晶層的光學(xué)器件，其中，所述液晶介質(zhì)的手性螺距P (Pitch)為20 μ m彡P(guān)彡1200 μ m。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電場方向平行于液晶層的光學(xué)器件，其中，所述液晶介質(zhì)的手性螺距P (Pitch)為50 μ m彡P(guān)彡1000 μ m。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-3、5-7所述的電場方向平行于液晶層的光學(xué)器件，其中，所述上基板和所述下基板之間的間隙G和所述液晶介質(zhì)的手性螺距P (Pitch)的比值G/P為O.004 ( G/P ( O. 15。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電場方向平行于液晶層的光學(xué)器件，其中，所述上基板和所述下基板之間的間隙G和所述液晶介質(zhì)的手性螺距P(Pitch)的比值G/P為O. 01 < G/P^O. 12。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種電場方向平行于液晶層的光學(xué)器件。所述電場方向平行于液晶層的光學(xué)器件包括上基板、下基板，所述下基板在所述上基板下方；以及液晶層，所述液晶層在所述上基板和所述下基板之間，其中所述液晶層包括一種正性或負(fù)性液晶介質(zhì)，所述液晶介質(zhì)包括至少一種光學(xué)活性成分。本發(fā)明使用較低的驅(qū)動電壓就能夠使得在電場內(nèi)的液晶分子獲得較大的動力，迅速扭轉(zhuǎn)90°，能滿足顯示器對低的驅(qū)動電壓的使用要求，且使上基板、下基板之間液晶組合物具有較低的粘度和較高的清亮點。
文檔編號G02F1/1333GK102890354SQ20121038864
公開日2013年1月23日 申請日期2012年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月13日
發(fā)明者宋曉龍, 陳昭遠(yuǎn) 申請人:江蘇和成顯示科技股份有限公司