專利名稱：顯示裝置、透反式薄膜晶體管陣列基板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種顯示裝置、透反式薄膜晶體管陣列基板及其制作方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,簡(jiǎn)稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)占了主導(dǎo)地位。當(dāng)前制作透反式薄膜晶體管液晶顯示面板的過程中，陣列基板中的反射電極是與像素電極在同一次構(gòu)圖工藝中一起形成的，這樣的顯示面板，會(huì)出現(xiàn)強(qiáng)光下的顯示效果差，反射區(qū)和透射區(qū)亮度不均的現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種顯示裝置、透反式薄膜晶體管陣列基板及其制作方法，可以避免強(qiáng)光下的顯示效果差，反射區(qū)和透射區(qū)亮度不均的現(xiàn)象。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種透反式薄膜晶體管陣列基板的制作方法，包括以下步驟SI I，提供一襯底基板；S12，在所述襯底基板上形成金屬薄膜，由構(gòu)圖工藝形成包括柵線、經(jīng)過柵線區(qū)域處斷開的數(shù)據(jù)線、柵電極、反射電極以及公共電極線的圖形，其中，柵線和數(shù)據(jù)線垂直，柵線與柵電極連接，反射電極所在的區(qū)域?yàn)榉瓷鋮^(qū)域，反射電極和公共電極線之間的區(qū)域?yàn)橥干鋮^(qū)域；S13，在完成步驟S12的基板上形成柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜，由構(gòu)圖工藝形成包括圖案化的柵絕緣層和位于柵絕緣層上的有源層的圖形；S14，在完成步驟S13的基板上形成第一透明導(dǎo)電薄膜，由構(gòu)圖工藝形成包括像素電極、源電極、漏電極、斷開的數(shù)據(jù)線的連接線和溝道的圖形；S15，在完成步驟S14的基板上形成鈍化層，由構(gòu)圖工藝形成包括公共電極過孔的圖形；S16，在完成步驟S15的基板上形成第二透明導(dǎo)電薄膜，由構(gòu)圖工藝形成包括公共電極的圖形，所述公共電極通過公共電極過孔與公共電極線連接。其中，所述步驟S12包括在所述襯底基板上形成金屬薄膜；采用普通掩模板通過構(gòu)圖工藝對(duì)所述金屬薄膜進(jìn)行處理，形成包括柵線、經(jīng)過柵線區(qū)域處斷開的數(shù)據(jù)線、柵電極、反射電極以及公共電極線的圖形。其中，所述步驟S13包括在所述柵線、數(shù)據(jù)線、柵電極、反射電極以及公共電極線上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成半導(dǎo)體薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜；
采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板通過構(gòu)圖工藝對(duì)所述柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行處理，形成包括圖案化的柵絕緣層和有源層的圖形。其中，采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板通過構(gòu)圖工藝對(duì)所述柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行處理，形成包括圖案化的柵絕緣層和有源層的圖形包括在所述摻雜半導(dǎo)體薄膜上涂敷一層光刻膠；采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板曝光，使光刻膠形成光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域；光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于有源層圖形所在區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于數(shù)據(jù)線的連接線過孔和透射區(qū)域圖形所在區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度沒有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠厚度減少；通過第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜、半導(dǎo)體薄膜和柵絕緣層，形成數(shù)據(jù)線的連接線過孔的圖形并在所述襯底基板上露出透射區(qū)域；通過灰化工藝去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜；通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜和半導(dǎo)體薄膜，形成有源層圖形；剝離剩余的光刻膠。其中，所述步驟S14包括在所述圖案化的柵絕緣層和有源層上形成第一透明導(dǎo)電薄膜；采用普通掩模板通過構(gòu)圖工藝對(duì)所述第一透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行處理，形成包括像素電極、源電極、漏電極、斷開的數(shù)據(jù)線的連接線和溝道的圖形；其中，所述源電極位于所述數(shù)據(jù)線的連接線上，所述漏電極與所述像素電極連接為一整體，所述數(shù)據(jù)線的連接線通過所述數(shù)據(jù)線的連接線過孔，將斷開的數(shù)據(jù)線連接。其中，所述步驟S15包括在所述像素電極、源電極、漏電極、斷開的數(shù)據(jù)線的連接線和溝道上形成鈍化層；采用普通掩模板通過構(gòu)圖工藝形成包括穿過所述鈍化層和所述柵絕緣層的公共電極過孔的圖形。其中，所述鈍化層包括無機(jī)層和有機(jī)層交替平鋪的至少兩層結(jié)構(gòu)。其中，所述有機(jī)層采用光敏有機(jī)材料。其中，所述步驟S16包括在所述設(shè)置有公共電極過孔的鈍化層上形成第二透明導(dǎo)電薄膜；采用普通掩模板通過構(gòu)圖工藝對(duì)所述第二透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行處理，形成包括公共電極的圖形，所述公共電極通過所述公共電極過孔與所述公共電極線連接。其中，所述公共電極為狹縫結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種透反式薄膜晶體管陣列基板，包括形成在襯底基板上的柵線、數(shù)據(jù)線、公共電極線、反射電極、像素電極、公共電極和薄膜晶體管，所述反射電極所在的區(qū)域?yàn)榉瓷鋮^(qū)域，所述反射電極和所述公共電極線之間的區(qū)域?yàn)橥干鋮^(qū)域，所述柵線、數(shù)據(jù)線與反射電極同層設(shè)置且所述柵線與所述數(shù)據(jù)線相互垂直，所述數(shù)據(jù)線在經(jīng)過所述柵線區(qū)域處斷開，在被同一條柵線斷開的位于同一條直線上的數(shù)據(jù)線之間設(shè)置有數(shù)據(jù)線的連接線，所述數(shù)據(jù)線的連接線將斷開的數(shù)據(jù)線連接。其中，所述柵線、數(shù)據(jù)線、反射電極上形成有柵絕緣層，所述柵絕緣層開設(shè)有數(shù)據(jù)線的連接線過孔，所述數(shù)據(jù)線的連接線通過所述數(shù)據(jù)線的連接線過孔連接斷開的數(shù)據(jù)線。
其中，所述像素電極和所述公共電極之間還形成有鈍化層。其中，所述鈍化層包括無機(jī)層和有機(jī)層交替平鋪的至少兩層結(jié)構(gòu)。其中，所述有機(jī)層采用光敏有機(jī)材料。其中，所述公共電極為狹縫結(jié)構(gòu)。其中，上述陣列基板還包括穿過所述鈍化層和所述柵絕緣層的公共電極過孔，所述公共電極通過所述公共電極過孔與所述公共電極線連接。本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括如上所述的透反式薄膜晶體管陣列基板。本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下上述方案中，在一次構(gòu)圖工藝中形成柵線、數(shù)據(jù)線、柵電極、公共電極線的同時(shí)形成反射電極，從而顯著改善了強(qiáng)光下的顯示效果以及反射區(qū)和透射區(qū)亮度不均的現(xiàn)象。


圖I為本發(fā)明的透反式薄膜晶體管陣列基板的制作方法的總體流程圖；圖2為圖I所示的方法的第一次構(gòu)圖工藝完成后的剖面3為圖I所示的方法的第二次構(gòu)圖工藝完成后的剖面4為圖I所示的方法的第三次構(gòu)圖工藝完成后的剖面5為圖I所示的方法的第四次構(gòu)圖工藝完成后的剖面6為圖I所示的方法的第五次構(gòu)圖工藝完成后的剖面7為圖I所示方法中形成的陣列基板對(duì)光的反射及透射情況示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。如圖I所示，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種透反式薄膜晶體管陣列基板的制作方法，包括以下步驟SI I，提供一襯底基板；S12，在襯底基板上形成金屬薄膜，由構(gòu)圖工藝形成包括柵線、經(jīng)過柵線區(qū)域處斷開的數(shù)據(jù)線、柵電極、反射電極以及公共電極線的圖形，其中，柵線和數(shù)據(jù)線垂直但不相交，柵線與柵電極連接，反射電極所在的區(qū)域?yàn)榉瓷鋮^(qū)域，反射電極和公共電極線之間的區(qū)域?yàn)橥干鋮^(qū)域；S13，在完成步驟S12的基板上形成柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜，由構(gòu)圖工藝形成包括圖案化的柵絕緣層和位于柵絕緣層上的有源層的圖形；S14，在完成步驟S13的基板上形成第一透明導(dǎo)電薄膜，由構(gòu)圖工藝形成包括像素電極、源電極、漏電極、斷開的數(shù)據(jù)線的連接線和溝道的圖形；S15，在完成步驟S14的基板上形成鈍化層，由構(gòu)圖工藝形成包括公共電極過孔的圖形；S16，在完成步驟S15的基板上形成第二透明導(dǎo)電薄膜，由構(gòu)圖工藝形成包括公共電極的圖形，所述公共電極通過公共電極過孔與公共電極線連接。本發(fā)明的上述實(shí)施例通過在襯底基板上形成柵線、數(shù)據(jù)線、柵電極時(shí)，在柵線與所述數(shù)據(jù)線限定出來的像素區(qū)域中同時(shí)形成反射電極以及所述透射區(qū)，相比于現(xiàn)有技術(shù)有效改善了強(qiáng)光下的顯示效果。其中，現(xiàn)有的透射型顯示模式下如果環(huán)境光是強(qiáng)光的話，會(huì)抵消背光源的光強(qiáng)，無法看清屏幕；而本發(fā)明通過形成柵線、數(shù)據(jù)線、柵電極時(shí)，同時(shí)形成反射電極，可以有效的加強(qiáng)背光光強(qiáng)，因此可以在強(qiáng)光下有效改善顯示效果。上述方法中步驟Sll的具體實(shí)現(xiàn)過程如下提供一經(jīng)過清潔處理的潔凈襯底基板1，所述襯底基板I的材質(zhì)可以選用玻璃、石英或者透明樹脂，但不限于此。如圖2所示，為上述方法中步驟S12的具體實(shí)現(xiàn)過程，包括步驟S121，在所述襯底基板I上形成金屬薄膜；具體的，可以在襯底基板I上使用磁控濺射、沉積或者其他方法形成金屬薄膜；優(yōu)選的，所述金屬薄膜的厚度可以在1000 A至5000 A之間，金屬薄膜的材料可以使用鑰、鋁、釹、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻或銅等金屬，也可使用上述幾種金屬材料的組合。步驟S122，采用普通掩模板通過構(gòu)圖工藝對(duì)所述金屬薄膜進(jìn)行處理，形成包括柵線、經(jīng)過柵線區(qū)域處斷開的數(shù)據(jù)線3、柵電極4、反射電極13以及公共電極線7的圖形。具體的，通過構(gòu)圖工藝，在金屬薄膜上進(jìn)行光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工序，形成包括柵線(圖中無示出)、經(jīng)過柵線區(qū)域處斷開的數(shù)據(jù)線3、柵電極4以及反射電極13和公共電極線7的圖形。如圖3所示，為上述方法中步驟S13的具體實(shí)現(xiàn)過程，包括步驟S131，在所述柵線、數(shù)據(jù)線3、柵電極4、反射電極13以及公共電極線7上形成柵絕緣層；其中，可以使用化學(xué)氣相沉積、涂敷或者其他方法形成一層薄膜作為柵絕緣層；進(jìn)一步地，所述薄膜的厚度優(yōu)選在1000A至7000A之間。步驟S132，在所述柵絕緣層上形成半導(dǎo)體薄膜9 ；其中，可以在形成柵絕緣層的基板上用化學(xué)沉積、涂敷或者其他方法形成半導(dǎo)體薄膜9 ；優(yōu)選的，半導(dǎo)體薄膜9的厚度為1000A至7000A,步驟S133，在所述半導(dǎo)體薄膜9上形成摻雜半導(dǎo)體薄膜10 ；其中，可以在形成半導(dǎo)體薄膜9的基板上用化學(xué)沉積、涂敷或者其他方法形成摻雜半導(dǎo)體薄膜10 ；優(yōu)選的，摻雜半導(dǎo)體薄膜10的厚度為500入至6000入。步驟S134，采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板通過構(gòu)圖工藝對(duì)所述柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜9以及摻雜半導(dǎo)體薄膜10進(jìn)行處理，形成包括圖案化的柵絕緣層8和有源層的圖形，包括半導(dǎo)體層9和摻雜半導(dǎo)體層10的有源層形成在柵絕緣層上并位于柵電極4的上方。優(yōu)選的，所述步驟S134的實(shí)現(xiàn)過程可以包括步驟S1341，在所述摻雜半導(dǎo)體薄膜9上涂敷一層光刻膠；
步驟S1342，采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板曝光，使光刻膠形成光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域；光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于有源層圖形所在區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于數(shù)據(jù)線的連接線過孔和透射區(qū)域圖形所在區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度沒有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠厚度減少；步驟S1343，通過第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜、半導(dǎo)體薄膜和柵絕緣層，形成數(shù)據(jù)線的連接線過孔14的圖形并在所述襯底基板I上露出透射區(qū)域即形成圖案化的柵絕緣層8 ；步驟S1344，通過灰化工藝去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜10 ；步驟S1345，通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜10和半導(dǎo)體薄膜9，形成有源層圖形；步驟S1346，剝離剩余的光刻膠。其中，柵絕緣層可以選用氧化物、氮化物或氧氮化合物，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4, NH3> N2的混合氣體或SiH2Cl2、NH3> N2的混合氣體；有源層包括半導(dǎo)體層9和摻雜半導(dǎo)體層10，并且有源層形成在柵絕緣層上并位于柵電極4的上方。如圖4所示，為上述方法中步驟S14的具體實(shí)現(xiàn)過程，包括步驟S141，在所述圖案化的柵絕緣層和有源層上形成第一透明導(dǎo)電薄膜；其中，可以使用磁控濺射、蒸渡或者其他方法形成第一透明導(dǎo)電薄膜。步驟S142，采用普通掩模板通過構(gòu)圖工藝對(duì)第一透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行處理，形成包括像素電極12、源電極5和漏電極6、斷開的數(shù)據(jù)線的連接線和溝道15的圖形；其中，所述源電極5位于所述數(shù)據(jù)線的連接線上，所述漏電極6與所述像素電極12連接為一整體，所述數(shù)據(jù)線的連接線通過所述數(shù)據(jù)線的連接線過孔14，將斷開的數(shù)據(jù)線連接；溝道15區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜10被完全刻蝕掉，暴露出半導(dǎo)體薄膜9。具體的，通過構(gòu)圖工藝，在第一透明導(dǎo)電薄膜上進(jìn)行光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工序，形成包括像素電極12、源電極5和漏電極6、斷開的數(shù)據(jù)線的連接線和溝道15的圖形。溝道15可以與形成像素電極12、源電極5和漏電極6、斷開的數(shù)據(jù)線的連接線的同一次刻蝕工藝中形成，因?yàn)閾诫s半導(dǎo)體薄膜10的厚度要小于柵絕緣層的厚度，在進(jìn)行形成像素電極12、源電極5和漏電極6、斷開的數(shù)據(jù)線的連接線的工藝中進(jìn)行過刻蝕，就可以形成溝道15 ;溝道15還可以在形成像素電極12、源電極5和漏電極6、斷開的數(shù)據(jù)線的連接線的刻蝕工藝后再進(jìn)行一次刻蝕工藝形成。其中，像素電極12可以為板狀結(jié)構(gòu)或者狹縫結(jié)構(gòu)；優(yōu)選的，所述像素電極12為狹縫結(jié)構(gòu)，這種狹縫結(jié)構(gòu)與之前的像素電極相比，在狹縫兩側(cè)產(chǎn)生的電場(chǎng)線密度更大，因此在像素電極和公共電極之前對(duì)應(yīng)產(chǎn)生的電場(chǎng)更強(qiáng)；第一透明導(dǎo)電薄膜可以采用氧化銦錫(簡(jiǎn)稱ΙΤ0)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋁鋅，也可以采用其他透明金屬氧化物。如圖5所示，為上述方法中步驟S15的具體實(shí)現(xiàn)過程，包括
步驟S151，在所述像素電極12、源電極5、漏電極6、斷開的數(shù)據(jù)線的連接線和溝道15上形成鈍化層；可以使用化學(xué)氣相沉積、涂敷等其他方法在形成有所述像素電極12、源電極5和漏電極6、斷開的數(shù)據(jù)線的連接線和溝道15的襯底基板上形成鈍化層；優(yōu)選的，所述鈍化層的厚度為1000A至7000A,所述鈍化層包括無機(jī)層和有機(jī)層交替平鋪的至少兩層結(jié)構(gòu)，如可以是無機(jī)一有機(jī)的兩層結(jié)構(gòu)，也可以是無機(jī)一有機(jī)一無機(jī)的三層結(jié)構(gòu)。如圖5所示為無機(jī)一有機(jī)的兩層結(jié)構(gòu)，所述鈍化層包括無機(jī)層11和有機(jī)層17。其中，鈍化層的有機(jī)層17優(yōu)選采用光敏有機(jī)材料，例如采用感光樹脂材料或者其他材料，因此可以省略光刻膠的涂覆和剝離工藝。其中，鈍化層的無機(jī)層11可以選用氧化物、氮化物或氧氮化合物，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4、NH3、N2的混合氣體或SiH2Cl2、NH3、N2的混合氣體，有機(jī)層可以采用光敏材料，如感光樹脂或其他有機(jī)材料，本實(shí)施例中的鈍化層通過采用有機(jī)層與無機(jī)層形成無機(jī)-有機(jī)的兩層或無機(jī)-有機(jī)-無機(jī)的多層鈍化層結(jié)構(gòu)，并最終達(dá)到上界面平整。步驟S152，采用普通掩模板通過構(gòu)圖工藝形成包括穿過所述鈍化層和所述柵絕緣層的公共電極過孔16的圖形。具體的，通過構(gòu)圖工藝，在鈍化層上進(jìn)行光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工序，形成公共電極過孔16圖形。若鈍化層的上層采用光敏有機(jī)材料的有機(jī)層17，則可以省略光刻膠的涂覆和剝離工藝，直接進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕工序，就能得到公共電極過孔16的圖形。該實(shí)施例中，采用無機(jī)-有機(jī)的兩層鈍化材料或者進(jìn)一步采用無機(jī)-有機(jī)-無機(jī)的多層鈍化層結(jié)構(gòu)，一方面可以增加對(duì)上下層薄膜的附著力，作為一層緩沖區(qū)，另一方面，利用多層材料之間的層界面對(duì)反射光線中不同角度的折射，對(duì)進(jìn)入鈍化層的非垂直角度的光線進(jìn)行角度的調(diào)整，較之前能以更大的光強(qiáng)通過上部的偏光片，減小由于反射區(qū)反射光線入射角度的原因在上偏光片和黑矩陣上的光損失，而且有機(jī)鈍化層上下無機(jī)鈍化層不局限于同一種無機(jī)材料。對(duì)于不同尺寸與用途的顯示器件，應(yīng)當(dāng)對(duì)像素區(qū)域的反射區(qū)與透射區(qū)比例與鈍化層的厚度進(jìn)行相應(yīng)的工藝調(diào)整，對(duì)于常用于戶外顯示等環(huán)境光強(qiáng)較大的反射顯示為主體顯示器件或其他反射區(qū)域(反射電極所對(duì)應(yīng)的區(qū)域)大于顯示區(qū)域(像素電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域)的20%的顯示器件，可以采用100A-2000A的無機(jī)層11，同時(shí)采用2 IOum以上厚度的有機(jī)層17進(jìn)行光強(qiáng)調(diào)和，而對(duì)于顯示區(qū)域的1%〈反射區(qū)〈顯示區(qū)域的50%的其他顯示器件，可以采用500-3000A的無機(jī)層11，同時(shí)采用(T6um的有機(jī)層17，以達(dá)到最佳的顯示效果，最大限度減小反射區(qū)與透射區(qū)的光強(qiáng)差；進(jìn)一步的，有機(jī)層17采用光敏有機(jī)材料，能夠有效對(duì)光強(qiáng)作出反應(yīng)，從而改善反射區(qū)和透射區(qū)亮度不均的問題。如圖6所示，為上述方法中步驟S16的具體實(shí)現(xiàn)過程，包括步驟S161，在所述設(shè)置有公共電極過孔16的鈍化層上形成第二透明導(dǎo)電薄膜；其中，可以使用磁控濺射、蒸渡或者其他方法形成第二透明導(dǎo)電薄膜。步驟S162，采用普通掩模板通過構(gòu)圖工藝對(duì)所述第二透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行處理，形成包括公共電極18的圖形，所述公共電極18通過所述公共電極過孔16與所述公共電極線7連接；
具體的，通過構(gòu)圖工藝，在第二透明導(dǎo)電薄膜上進(jìn)行光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工序，形成包括公共電極18的圖形。其中，還可以直接采用剝離的方式形成公共電極18，所述公共電極18通過所述公共電極過孔16與所述公共電極線7連接。優(yōu)選的，所述公共電極18為狹縫結(jié)構(gòu)，這種狹縫結(jié)構(gòu)與之前的平板電極相比，在狹縫兩側(cè)產(chǎn)生的電場(chǎng)線密度更大，因此在像素電極和公共電極之間對(duì)應(yīng)產(chǎn)生的電場(chǎng)更強(qiáng)。本發(fā)明的上述實(shí)施列中，如圖7所示，因?yàn)槌Ｒ婏@示類型都是透射型顯示，在這種顯示模式下如果環(huán)境光是強(qiáng)光的話，會(huì)抵消背光源的光強(qiáng)，無法看清屏幕，本發(fā)明的實(shí)施例中，加入了反射電極部分之后，可以有效的加強(qiáng)背光光強(qiáng)，使其在強(qiáng)光下的顯示效果得到明顯的改善，另外，在本發(fā)明的實(shí)施例中的鈍化層加入有機(jī)層之后，由于在有機(jī)層和無機(jī)層會(huì)產(chǎn)生界面，透射區(qū)域部分由于光源入射角垂直于界面，不會(huì)產(chǎn)生影響，而在反射區(qū)域部分，由于無機(jī)層的折射率較大，所以有機(jī)層的折射角較小，反射區(qū)域得到的光強(qiáng)較現(xiàn)有技術(shù)多，這種結(jié)構(gòu)較現(xiàn)有結(jié)構(gòu)在反射區(qū)的光強(qiáng)，本發(fā)明的實(shí)施例中，反射區(qū)與依靠背光源的透射區(qū)域光強(qiáng)更加接近。通過在第一次構(gòu)圖工藝形成柵線的同時(shí)形成反射電極。在連接數(shù)據(jù)線的同時(shí)(即用數(shù)據(jù)線的連接線通過連接線過孔14連接數(shù)據(jù)線時(shí))形成源、漏電極，并且鈍化層采用有機(jī)層與無機(jī)層相互結(jié)合的方式，從而顯著改善了強(qiáng)光下的顯示效果以及反射區(qū)和透射區(qū)亮度不均的現(xiàn)象。另外使用有機(jī)鈍化層去除像素區(qū)與器件區(qū)高度差，減小成盒過程產(chǎn)生不良的概率，這是由于在成盒過程的取向工藝當(dāng)中，由于像素區(qū)與器件區(qū)的高度差，在聚酰亞胺(PI)膜的摩擦取向工藝當(dāng)中會(huì)造成很大的困難，產(chǎn)生不良，在這種結(jié)構(gòu)當(dāng)中由于減小了高度差，可以有效的避免這個(gè)問題。再如圖6所示，本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種透反式薄膜晶體管(TFT)陣列基板，包括一襯底基板I ;形成于所述襯底基板I上的柵線、數(shù)據(jù)線3、反射電極13、公共電極線7、像素電極12、公共電極18和薄膜晶體管TFT，其中，所述反射電極13所在的區(qū)域?yàn)榉瓷鋮^(qū)域，所述反射電極13和所述公共電極線7之間的區(qū)域?yàn)橥干鋮^(qū)域2，柵線、數(shù)據(jù)線3與反射電極13同層設(shè)置且柵線與數(shù)據(jù)線3相互垂直，數(shù)據(jù)線3在經(jīng)過柵線區(qū)域處斷開，在被同一條柵線斷開的位于同一條直線上的數(shù)據(jù)線3之間設(shè)置有數(shù)據(jù)線的連接線，數(shù)據(jù)線的連接線將斷開的數(shù)據(jù)線3連接。本發(fā)明的上述實(shí)施例通過在襯底基板上形成柵線、經(jīng)過柵線區(qū)域時(shí)斷開的數(shù)據(jù)線時(shí)，在柵線與所述數(shù)據(jù)線限定出來的像素區(qū)域中同時(shí)形成反射電極，有效改善了強(qiáng)光下的顯示效果。其中，柵線、數(shù)據(jù)線3以及反射電極13上形成有柵絕緣層，所述柵絕緣層開設(shè)有數(shù)據(jù)線的連接線過孔14，所述數(shù)據(jù)線的連接線通過所述數(shù)據(jù)線的連接線過孔14連接斷開的數(shù)據(jù)線3。該實(shí)施列中，像素電極12可以為板狀結(jié)構(gòu)或者狹縫結(jié)構(gòu)，像素電極12優(yōu)選為狹縫結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步地，像素電極12和公共電極18之間還形成有鈍化層。其中，所述鈍化層包括無機(jī)層和有機(jī)層交替平鋪的至少兩層結(jié)構(gòu)，具體的，包括:如圖5或者圖6所示的無機(jī)一有機(jī)的兩層結(jié)構(gòu)，還可以依據(jù)顯示情況，該鈍化層包括■ 無機(jī)一有機(jī)一無機(jī)形成的三層結(jié)構(gòu)等。
其中，所述有機(jī)層優(yōu)選為光敏有機(jī)材料，如采用感光樹脂材料或者其他有機(jī)材料。本發(fā)明的該實(shí)施例中的鈍化層的結(jié)構(gòu)，一方面可以增加對(duì)上下層薄膜的附著力，作為一層緩沖區(qū)，另一方面，利用多層材料之間的層界面對(duì)反射光線中不同角度的折射，對(duì)進(jìn)入鈍化層的非垂直角度的光線進(jìn)行角度的調(diào)整，較之前能以更大的光強(qiáng)通過上部的偏光片，減小由于反射區(qū)反射光線入射角度的原因在上偏光片和黑矩陣上的光損失，而且有機(jī)層上下無機(jī)層不局限于同一種無機(jī)材料。對(duì)于不同尺寸與用途的顯示器件，應(yīng)當(dāng)對(duì)像素區(qū)域的反射區(qū)與透射區(qū)比例與鈍化層的厚度進(jìn)行相應(yīng)的工藝調(diào)整，對(duì)于常用于戶外顯示等環(huán)境光強(qiáng)較大的反射顯示為主體顯示器件或其他反射區(qū)域大于顯示區(qū)域的20%的顯示器件，可以采用100A-2000A的無機(jī)鈍化層，同時(shí)采用2 10um以上厚度的有機(jī)層進(jìn)行光強(qiáng)調(diào)和，而對(duì)于顯示區(qū)域的1%〈反射區(qū)〈顯示區(qū)域的50%的其他顯示器件，可以采用500-3000A的無機(jī)鈍化層，同時(shí)采用O飛um的有機(jī)層，以達(dá)到最佳的顯示效果，最大限度減小反射區(qū)與透射區(qū)的光強(qiáng)差；進(jìn)一步的，有機(jī)層采用光敏有機(jī)材料，能夠有效對(duì)光強(qiáng)作出反應(yīng)，從而改善反射區(qū)和透射區(qū)亮度不均的問題。優(yōu)選的，所述公共電極18為狹縫結(jié)構(gòu)。其中，上述陣列基板還可以包括穿過所述鈍化層和所述柵絕緣層8的公共電極過孔16，所述公共電極18通過所述公共電極過孔16與所述公共電極線7連接。本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括如上所述的透反式薄膜晶體管陣列基板。所述顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種透反式薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟SI I，提供一襯底基板；S12，在所述襯底基板上形成金屬薄膜，由構(gòu)圖工藝形成包括柵線、經(jīng)過柵線區(qū)域處斷開的數(shù)據(jù)線、柵電極、反射電極以及公共電極線的圖形，其中，柵線和數(shù)據(jù)線垂直，柵線與柵電極連接，反射電極所在的區(qū)域?yàn)榉瓷鋮^(qū)域，反射電極和公共電極線之間的區(qū)域?yàn)橥干鋮^(qū)域；S13，在完成步驟S12的基板上形成柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜，由構(gòu)圖工藝形成包括圖案化的柵絕緣層和位于柵絕緣層上的有源層的圖形；S14，在完成步驟S13的基板上形成第一透明導(dǎo)電薄膜，由構(gòu)圖工藝形成包括像素電極、源電極、漏電極、斷開的數(shù)據(jù)線的連接線和溝道的圖形；S15，在完成步驟S14的基板上形成鈍化層，由構(gòu)圖工藝形成包括公共電極過孔的圖形；S16，在完成步驟S15的基板上形成第二透明導(dǎo)電薄膜，由構(gòu)圖工藝形成包括公共電極的圖形，所述公共電極通過公共電極過孔與公共電極線連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的透反式薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S12包括在所述襯底基板上形成金屬薄膜；采用普通掩模板通過構(gòu)圖工藝對(duì)所述金屬薄膜進(jìn)行處理，形成包括柵線、經(jīng)過柵線區(qū)域處斷開的數(shù)據(jù)線、柵電極、反射電極以及公共電極線的圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的透反式薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S13包括在所述柵線、數(shù)據(jù)線、柵電極、反射電極以及公共電極線上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成半導(dǎo)體薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜；采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板通過構(gòu)圖工藝對(duì)所述柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行處理，形成包括圖案化的柵絕緣層和有源層的圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的透反式薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板通過構(gòu)圖工藝對(duì)所述柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行處理，形成包括圖案化的柵絕緣層和有源層的圖形包括在所述摻雜半導(dǎo)體薄膜上涂敷一層光刻膠；采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板曝光，使光刻膠形成光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域；光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于有源層圖形所在區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于數(shù)據(jù)線的連接線過孔和透射區(qū)域圖形所在區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度沒有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠厚度減少；通過第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜、半導(dǎo)體薄膜和柵絕緣層，形成數(shù)據(jù)線的連接線過孔的圖形并在所述襯底基板上露出透射區(qū)域；通過灰化工藝去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜；通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜和半導(dǎo)體薄膜，形成有源層圖形；剝離剩余的光刻膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的透反式薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S14包括在所述圖案化的柵絕緣層和有源層上形成第一透明導(dǎo)電薄膜；采用普通掩模板通過構(gòu)圖工藝對(duì)所述第一透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行處理，形成包括像素電極、源電極、漏電極、斷開的數(shù)據(jù)線的連接線和溝道的圖形；其中，所述源電極位于所述數(shù)據(jù)線的連接線上，所述漏電極與所述像素電極連接為一整體，所述數(shù)據(jù)線的連接線通過所述數(shù)據(jù)線的連接線過孔，將斷開的數(shù)據(jù)線連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的透反式薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S15包括在所述像素電極、源電極、漏電極、斷開的數(shù)據(jù)線的連接線和溝道上形成鈍化層；采用普通掩模板通過構(gòu)圖工藝形成包括穿過所述鈍化層和所述柵絕緣層的公共電極過孔的圖形。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的透反式薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述鈍化層包括無機(jī)層和有機(jī)層交替平鋪的至少兩層結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的透反式薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述有機(jī)層采用光敏有機(jī)材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的透反式薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S16包括在所述設(shè)置有公共電極過孔的鈍化層上形成第二透明導(dǎo)電薄膜；采用普通掩模板通過構(gòu)圖工藝對(duì)所述第二透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行處理，形成包括公共電極的圖形，所述公共電極通過所述公共電極過孔與所述公共電極線連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的透反式薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述公共電極為狹縫結(jié)構(gòu)。
11.一種透反式薄膜晶體管陣列基板，包括形成在襯底基板上的柵線、數(shù)據(jù)線、公共電極線、反射電極、像素電極、公共電極和薄膜晶體管，所述反射電極所在的區(qū)域?yàn)榉瓷鋮^(qū)域，所述反射電極和所述公共電極線之間的區(qū)域?yàn)橥干鋮^(qū)域，其特征在于，所述柵線、數(shù)據(jù)線與反射電極同層設(shè)置且所述柵線與所述數(shù)據(jù)線相互垂直，所述數(shù)據(jù)線在經(jīng)過所述柵線區(qū)域處斷開，在被同一條柵線斷開的位于同一條直線上的數(shù)據(jù)線之間設(shè)置有數(shù)據(jù)線的連接線，所述數(shù)據(jù)線的連接線將斷開的數(shù)據(jù)線連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的透反式薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述柵線、數(shù)據(jù)線、反射電極上形成有柵絕緣層，所述柵絕緣層開設(shè)有數(shù)據(jù)線的連接線過孔，所述數(shù)據(jù)線的連接線通過所述數(shù)據(jù)線的連接線過孔連接斷開的數(shù)據(jù)線。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的透反式薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述像素電極和所述公共電極之間還形成有鈍化層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的透反式薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述鈍化層包括無機(jī)層和有機(jī)層交替平鋪的至少兩層結(jié)構(gòu)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的透反式薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述有機(jī)層采用光敏有機(jī)材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的透反式薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述公共電極為狹縫結(jié)構(gòu)。
17.根據(jù)權(quán)利要求11-16任一項(xiàng)所述的透反式薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，還包括穿過所述鈍化層和所述柵絕緣層的公共電極過孔，所述公共電極通過所述公共電極過孔與所述公共電極線連接。
18.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求11 - 17任一項(xiàng)所述的透反式薄膜晶體管陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置、透反式薄膜晶體管陣列基板及其制作方法，制作方法包括提供一襯底基板；在襯底基板上形成柵線、經(jīng)過柵線區(qū)域處斷開的數(shù)據(jù)線、柵電極、反射電極以及公共電極線，其中，柵線和數(shù)據(jù)線垂直，柵線與柵電極連接，反射電極所在的區(qū)域?yàn)榉瓷鋮^(qū)域，反射電極和公共電極線之間的區(qū)域?yàn)橥干鋮^(qū)域；在柵線、數(shù)據(jù)線、柵電極、反射電極以及公共電極線上形成圖案化的柵絕緣層和位于柵絕緣層上的有源層；在圖案化的柵絕緣層和有源層上形成像素電極、源電極、漏電極、斷開的數(shù)據(jù)線的連接線和溝道；在像素電極、源電極和漏電極上形成鈍化層及公共電極過孔；在鈍化層上形成公共電極。本發(fā)明可以避免強(qiáng)光下的顯示效果差的問題。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK102938394SQ20121046609
公開日2013年2月20日 申請(qǐng)日期2012年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月16日
發(fā)明者孔祥春, 劉圣烈 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司