專利名稱：陣列基板及其制造方法和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法，以及一種顯示裝置及其驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器現(xiàn)已廣泛的應(yīng)用于各個顯示領(lǐng)域，如家庭，公共場所，辦公場所以及個人電子相關(guān)產(chǎn)品等。其中TN型液晶顯示器以其制作簡單，成本低廉占據(jù)大量市場份額。TN型液晶顯示器由液晶在下基板與上基板間旋轉(zhuǎn)90度而形成，當(dāng)在像素電極和彩膜側(cè)公共電極施加一定的電壓后，液晶分子發(fā)生旋轉(zhuǎn)，從而進行顯示。然而，對于TN型液晶而言，由于液晶分子的這種排列方式，造成了其視角較小的問題，在一些特定角度還會發(fā)生灰階反轉(zhuǎn)。為了改善視角問題，高級超維場轉(zhuǎn)換液晶顯示技術(shù)(Advanced Super DimensionSwitch, ADS)模式被人們提出。ADS模式液晶是在下基板與上基板間旋轉(zhuǎn)180度而形成，長軸方向水平排列，依靠像素電極與下基板的公共電極間邊緣場使液晶分子在水平面內(nèi)發(fā)生旋轉(zhuǎn)，從而進行顯像。后續(xù)，為了進一步提高開口率進而提高面板的透過率，HADS像素結(jié)構(gòu)被廣泛采用。圖1是現(xiàn)有針對雙柵線Dual Gate驅(qū)動方式的HADS像素結(jié)構(gòu)示意圖，主要包括兩條柵線(Gate line) 10,數(shù)據(jù)線(Data line) 20,薄膜晶體管(Thin FilmTransistor,TFT) 30,與薄膜晶體管電性連接的像素電極(Pixel electrode) 40,位于SD數(shù)據(jù)線層的金屬線50，該金屬線連接公共電壓信號，以及公共電極層60 ;同時對于位置A處的剖面結(jié)構(gòu)，如圖2所示。其中SD層相比ITO層電阻率小很多(約1/60);在每一像素單元中的公共電極60呈狹縫狀；公共電極層和公共電極線連接的是同樣的公共電壓信號。其中，每兩行像素單元之間有兩條柵線10，分別驅(qū)動上下對應(yīng)的像素單元的TFT，每兩列像素單元之間排列一數(shù)據(jù)線或公共電極線，其中數(shù)據(jù)線20和公共電極線50間隔排列。像素電極和公共電極多數(shù)采用ITO材料制作，由于ITO面電阻較大并且公共電極分布于整個面板內(nèi)，所以公共電極的電阻較大。并且公共電極與數(shù)據(jù)線、柵極線、像素電極存在非常大的耦合電容，從而公共電極上的負(fù)載較大，這樣公共電極上的波動較大，引起的綠附問題(greenish)較嚴(yán)重。影響綠附的主要因素有兩個，一個為公共電極Vcom電平漂移(LevelShift),另一個為公共電極Vcom失真衰減(Distortion Decay),其影響的示意圖如圖3所示。從圖3中可以看出，其中Level Shift的影響因素可以表示為Qdistortion=CXVXr,其中Q為總的distorted電荷量，C為Data線與Com的I禹合電容，V為data電壓的變化量，r為分辨率；Vcom Decay的影響因素可以表示為Vcom_decay=RXC,其中R為Com Line電阻，C為Com的I禹合電容(Cst, Cdc等)。從以上綠附影響因素的分析可以看出，綠附與耦合電容，分辨率，電阻等有密切的聯(lián)系。由于HADS結(jié)構(gòu)中，Com電極多數(shù)采用ITO材料，其方塊電阻較大，所以Com電極本身電阻較大。并且HADS像素結(jié)構(gòu)中，Com與其他電極耦合電容較大?，F(xiàn)在產(chǎn)品對于分辨率的要求越來越高，這在一定程度上加重HADS產(chǎn)品綠附的問題，而且HADS產(chǎn)品決定了通過電路 進行補償比較困難。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置，用以減小公共電極電阻，進而降低了公共電極的負(fù)載，解決了 HAD S像素結(jié)構(gòu)中綠附的問題，同時過孔的下方增加一層保護層，防止在刻蝕過孔的時候刻蝕過度導(dǎo)致柵線層和數(shù)據(jù)線層的短路。本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板，包括多個像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管、像素電極、公共電極和鈍化層，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層和源漏極，還包括與所述公共電極位于不同層的金屬線；所述金屬線所在層與所述公共電極所在層之間設(shè)置有絕緣層；所述絕緣層在所述金屬線的區(qū)域設(shè)置有多個過孔，所述金屬線通過所述過孔與所述公共電極連接；所述過孔下方所述金屬線層或所述公共電極層下方對應(yīng)過孔區(qū)域設(shè)置有保護層。較佳地，所述過孔設(shè)置于所述柵線與所述金屬線重疊的區(qū)域。較佳地，所述金屬線設(shè)置于相鄰的兩列像素單元之間。較佳地，所述保護層的面積大于與過孔區(qū)域?qū)?yīng)的金屬線的面積和所述過孔的截面面積。較佳地，每行像素單元分為多個像素單元組，每個像素單元組由相鄰的兩個像素單元組成；每行像素單元上方設(shè)置有第一柵線，每行像素單元下方設(shè)置有第二柵線，所述第一柵線和第二柵線用于分別驅(qū)動所述每個像素單元組中的兩個像素單元，每個像素單元組中的兩個像素單元連接于同一條數(shù)據(jù)線；相鄰的像素單元組之間設(shè)置有虛擬數(shù)據(jù)線，所述金屬線為所述虛擬數(shù)據(jù)線。具體地，所述鈍化層位于所述金屬線和數(shù)據(jù)線層上方；所述公共電極位于所述鈍化層上方，且所述公共電極為狹縫狀；所述過孔設(shè)置于相鄰兩行像素單元之間相鄰的第一柵線和第二柵線與所述虛擬數(shù)據(jù)線重疊的區(qū)域；所述保護層設(shè)置于所述金屬線與所述柵絕緣層之間。具體地，所述保護層與所述有源層同層制作。具體地，所述保護層與有源層采用相同材料制作。本發(fā)明實施例還提供的一種陣列基板的制造方法，包括在基板上形成包括柵線的圖案；在形成上述圖案的基板上形成柵絕緣層；在形成上述圖案的基板上形成有源層和保護層；在形成上述圖案的基板上形成包括數(shù)據(jù)線、金屬線和像素電極的圖案；在形成上述圖案的基板上形成鈍化層，并通過構(gòu)圖工藝，在所述鈍化層上形成多個過孔；在形成上述圖案的基板上形成包括公共電極的圖案，所述公共電極通過所述過孔與所述金屬線連接，所述保護層位于所述金屬線下方。本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
本發(fā)明實施例提供的陣列基板及其制造方法和顯示裝置，在不影響像素開口率也不增加曝光工藝的前提下，減小了陣列基板像素結(jié)構(gòu)中公共電極層的電阻，進而降低了公共電極的負(fù)載，從而解決了顯示中出現(xiàn)的greenish問題，同時過孔的下方增加一層保護層，防止在刻蝕過孔的時候刻蝕過度導(dǎo)致柵線層和數(shù)據(jù)線層的短路。


圖1為現(xiàn)有Dual Gate驅(qū)動方式的HADS像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1所示的結(jié)構(gòu)中A對應(yīng)的剖面示意圖；圖3為圖1所示的結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)的綠附問題的影響因素的趨勢變化圖；圖4(a)為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板中多個像素單元結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖4(b)為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板中一個像素單元結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖4(c)為圖4(b)所示的陣列基板中過孔結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖5(a)為本發(fā)明實施例提供的一種如圖4(b)所示的陣列基板的制備過程中形成棚線圖案后的結(jié)構(gòu)不意圖；圖5(b)為在圖5(a)的基礎(chǔ)上形成有源層和保護層后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5(c)為在圖5(b)的基礎(chǔ)上形成數(shù)據(jù)線和金屬線后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5(d)為在圖5(c)的基礎(chǔ)上形成像素電極后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5(e)為在圖5(d)的基礎(chǔ)上形成鈍化層中的過孔后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5(f)為在圖5(e)的基礎(chǔ)上形成公共電極后的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板及其制造方法和顯示裝置，用以減小公共電極電阻，進而降低了公共電極的負(fù)載，解決了 HADS像素結(jié)構(gòu)中g(shù)reenish的問題，同時過孔的下方增加一層保護層，防止在刻蝕過孔的時候刻蝕過度導(dǎo)致柵線層和數(shù)據(jù)線層的短路。本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板，包括多個像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管，像素電極、公共電極和鈍化層PVX，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層和源漏極，還包括與所述公共電極位于不同層的金屬線；所述金屬線所在層與所述公共電極所在層之間設(shè)置有絕緣層，其中所述絕緣層為鈍化層或柵絕緣層或其它絕緣層；所述絕緣層在所述金屬線的區(qū)域設(shè)置有多個過孔，所述金屬線通過所述過孔與所述公共電極連接；在所述過孔下方，并且在所述金屬線或所述公共電極的下方對應(yīng)過孔區(qū)域設(shè)置有保護層。例如，若金屬線層在公共電極層之下，則保護層設(shè)置在金屬線層的下方；若金屬線層在公共電極層之上，則保護層設(shè)置在公共電極層的下方。較佳地，所述過孔設(shè)置于所述柵線與所述金屬線重疊的區(qū)域。較佳地，所述金屬線位于相鄰的像素單元之間，例如，該金屬線可以橫向排列，也可以為縱向排列。較佳地，所述金屬線設(shè)置于相鄰的兩列像素單元之間，即每相鄰的所述金屬線相隔每一像素單元列。較佳地，每隔兩列像素單元設(shè)置一列所述金屬線，即每相鄰的所述金屬線之間相隔兩列像素單元。較佳地，所述保護層的面積大于與過孔區(qū)域?qū)?yīng)的金屬線的面積和所述過孔的截面面積。下面結(jié)合附圖和具體實施例，對本發(fā)明進行說明。較佳地，針對Dual gate HADS結(jié)構(gòu)的顯示面板，本發(fā)明實施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)包括如圖4(a)所示多個像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖以及圖4(b)中所示一個像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖，所述像素單元包括薄膜晶體管TFT30，像素電極40、公共電極60和鈍化層PVX(圖中未示出)，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層GI (圖中未示出)、有源層和源漏極；每行像素單元分為多個像素單元組，如圖4(a)中虛線框包括的圖形所示，每個像素單元組由相鄰的兩個像素單元組成；每行像素單元上方設(shè)置有第一柵線101，每行像素單元下方設(shè)置有第二柵線102，所述第一柵線101和第二柵線102用于分別驅(qū)動所述每個像素單元組中的兩個像素單元，每個像素單元組中的兩個像素單元連接于同一條數(shù)據(jù)線20 ；以及，相鄰的像素單元組之間設(shè)置有虛擬數(shù)據(jù)線，與所述數(shù)據(jù)線20同層制作；所述虛擬數(shù)據(jù)線為與所述公共電極60位于不同層的金屬線50 ；所述金屬線50所在層與所述公共電極60所在層之間設(shè)置有鈍化層PVX ；所述鈍化層PVX位于金屬線和數(shù)據(jù)線層上方，公共電極60位于鈍化層PVX上方，鈍化層PVX在所述金屬線50的區(qū)域設(shè)置有多個過孔70，所述金屬線50通過所述過孔70與所述公共電極60連接；在驅(qū)動過程中，該金屬線50連接公共電壓信號，起到公共電極線的作用。所述保護層80設(shè)置于金屬線50與柵絕緣層GI之間。較佳地，所述過孔70設(shè)置于相鄰兩行像素單元之間相鄰的第一柵線101和第二柵線102與所述虛擬數(shù)據(jù)線，即與金屬線50重疊的區(qū)域。所述保護層80位于所述過孔70區(qū)域，且所述保護層的面積大于與過孔區(qū)域?qū)?yīng)的金屬線的面積和所述金屬所述過孔的截面面積。較佳地，所述保護層80與所述TFT的有源層同層制作，且保護層80與TFT的有源層材料相同，本實施例中有源層材料為半導(dǎo)體非晶硅材料。具體地，位于鈍化層PVX中的過孔，該過孔的剖面結(jié)構(gòu)如圖4(b)所示；對比圖1所示的結(jié)構(gòu)中，對于位置A的剖面圖，如圖2所示的公共電極層60與公共電極線50是絕緣的，它們分別各自連接公共電壓信號，位于第二 ITO層的像素單元內(nèi)的狹縫狀的公共電極接收到的公共電壓信號來源于該公共電極層接收的公共電壓信號；而本發(fā)明實施例通過將金屬線與第二 ITO公共電極層連接，如此，像素單元區(qū)域內(nèi)的公共電極一方面通過金屬線接收公共電壓信號，另一方面接收該公共電極層接收并傳輸過來的公共電壓信號；由于數(shù)據(jù)線層相比ITO層電阻率小很多(約1/60)，因此整個面板內(nèi)部公共電極(Vcom)電阻降低很多，因此極大了緩解了像素結(jié)構(gòu)中g(shù)reenish的問題，同時過孔的下方增加一層保護層，防止在刻蝕過孔的時候刻蝕過度導(dǎo)致柵線層和數(shù)據(jù)線層的短路。并且，本發(fā)明中在過孔的下方設(shè)置保護層，即在金屬線層的下方，與有源層同層制作的保護層，防止刻蝕PVX層的過孔時刻蝕過度而導(dǎo)致數(shù)據(jù)線層與柵線層的短路。同時，本發(fā)明實施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)，解決了公共電極電阻大引起的greenish問題，同時并不影響像素的開口率。由于過孔設(shè)置于相鄰兩行像素單元之間相鄰的第一柵線101和第二柵線102與金屬線50重疊的區(qū)域，而保護層設(shè)置在過孔的下方的金屬線層的下表面，過孔的截面小于過孔下方的與過孔區(qū)域?qū)?yīng)的金屬線的面積，過孔下方的與過孔區(qū)域?qū)?yīng)的金屬線的面積小于保護層的面積，并且，以過孔的中心為中心，過孔截面區(qū)域完全在過孔下方的金屬線的區(qū)域內(nèi)，而過孔下方的與過孔區(qū)域?qū)?yīng)的金屬線完全落在保護層區(qū)域內(nèi)。因此，在透光方向上，所述保護層的投影落在彩膜基板側(cè)的黑矩陣的投影內(nèi)；同時，過孔下方的與過孔區(qū)域?qū)?yīng)的金屬線的投影完全落在保護層的投影內(nèi)，過孔透過的光完全落在過孔下方的與過孔區(qū)域?qū)?yīng)的金屬線的區(qū)域內(nèi)。例如，將該保護層設(shè)置為正方形，那么該正方形的邊長小于其對應(yīng)的黑矩陣的寬度；若所述保護層為一正方形，則過孔下方的與過孔區(qū)域?qū)?yīng)的金屬線也可以設(shè)置為正方形，過孔也可以為正方形，同時，過孔、過孔下方與過孔區(qū)域?qū)?yīng)的的金屬線、保護層的中心重合，且正方形過孔的邊長小于正方形金屬線的邊長，正方形與過孔區(qū)域?qū)?yīng)的金屬線的邊長小于正方形保護層的邊長；又例如，將該保護層設(shè)置為圓形，那么該圓形的直徑小于其對應(yīng)的黑矩陣的寬度；若所述保護層為一圓形，則過孔下方的與過孔區(qū)域?qū)?yīng)的金屬線也可以設(shè)置為圓形，過孔也可以為圓形，同時，過孔、過孔下方的與過孔區(qū)域?qū)?yīng)的金屬線、保護層的中心重合，且圓形過孔的直徑小于正方向金屬線的直徑，圓形金屬線的直徑小于圓形保護層的直徑。需要說明的是，根據(jù)目前的工藝條件，過孔的截面最小為4 y mX 4 y m，同時也保證了金屬線和公共電極的有效接觸。同時，上述舉例中所列舉的形狀僅是為了更好的理解本發(fā)明，但不限制本發(fā)明。下面結(jié)合附圖對本實施例提供的陣列基板的制造方法進行說明。本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制造方法，包括在基板上形成包括柵線的圖案；在形成上述圖案的基板上形成柵絕緣層；在形成上述圖案的基板上形成有源層和保護層；在形成上述圖案的基板上形成包括數(shù)據(jù)線、金屬線和像素電極的圖案；在形成上述圖案的基板上形成鈍化層，并通過構(gòu)圖工藝，在所述鈍化層上形成多個過孔；在形成上述圖案的基板上形成包括公共電極的圖案，所述公共電極通過所述過孔與所述金屬線連接，所述保護層位于所述金屬線下方。較佳地，所述保護層為非晶硅材料。具體地，參見圖5 (a)至圖5 (f)所示，制造方法的具體步驟包括第一步在基板上形成包括柵線的圖案，包括經(jīng)過沉積、曝光、顯影、刻蝕制備出柵線層，每兩行像素單元之間有兩條柵線10，包括第一柵線101和第二柵線102，分別驅(qū)動上下兩行對應(yīng)的像素單元的TFT，如附圖5(a)所示；
第二步，在形成上述圖案的基板上形成柵絕緣層，包括沉積出柵極絕緣層GI ；
第三步在形成上述圖案的基板上形成有源層和保護層，包括經(jīng)過沉積、曝光、顯影、刻蝕制備出Active層(材料為非晶硅a-si)，該層包括TFT30的有源層，以及保護層80， 如附圖5(b)所示；
第四步在形成上述圖案的基板上形成包括數(shù)據(jù)線、金屬線，包括經(jīng)過沉積、曝光、顯影、刻蝕制備出SD層，該SD層包括數(shù)據(jù)線20、金屬線50，以及TFT的漏電極和源電極， 其中數(shù)據(jù)線20與TFT漏源極連接，如附圖5(c)所示；
第五步在SD層的同一層，經(jīng)過沉積、曝光、顯影、刻蝕制備出第一 ΙΤ0，即像素電極層40，如附圖5(d)所示，從圖中可以看出，該像素電極與TFT的漏極直接電性相連，但其邊緣與金屬線50、數(shù)據(jù)線20、柵線102等均有一定的間隔，以防止短路；
第六步在形成上述圖案的基板上形成鈍化層，并通過構(gòu)圖工藝，在所述鈍化層上形成多個過孔，包括經(jīng)過沉積、曝光、顯影、刻蝕制備出PVX層，其中包括過孔70，如附圖 5(e)所示，該過孔連接SD層的金屬線50與后續(xù)第二 ITO層的公共電極(圖中未示出)；
第七步在形成上述圖案的基板上形成包括公共電極的圖案，所述公共電極通過所述過孔與所述金屬線連接，所述保護層位于所述金屬線下方，包括經(jīng)過沉積、曝光、顯影、刻蝕制備出第二 ITO層的公共電極60，如附圖5(f)所示；對應(yīng)圖5(f)中的A位置處的剖面細節(jié)結(jié)構(gòu)，如圖4(c)所示，即制作完成的陣列基板上，保護層80位于金屬層50的下方，柵絕緣層GI的上方，過孔70位于鈍化層PVX中，連接金屬線50和公共電極60。其中， 參照圖5 (f)，在每一像素單元內(nèi)，該公共電極60呈現(xiàn)狹縫狀，在像素單元之外的區(qū)域，均被該第二 ITO層覆蓋。
在上述制造方法中，沒有增加任何新的曝光工藝，能夠制備出減小公共電極的電阻卻不影響像素開口率的陣列基板。
本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。在該顯示裝置中，位于 TFT側(cè)的第一柵線和第二柵線相鄰的位置，在彩膜側(cè)均對應(yīng)著黑矩陣，因此對于本發(fā)明提供的陣列基板，在透光方向上，其中的過孔位置以及為了防止過度刻蝕而增加的保護層的投影均落在雙柵線對應(yīng)的黑矩陣內(nèi)，從而不會出現(xiàn)漏光，更不會增加開口率。
本發(fā)明實施例提供的一種驅(qū)動上述顯示裝置的方法，包括將公共電壓信號通過金屬線傳輸?shù)焦搽姌O層。包括
像素單元內(nèi)的公共電極通過位于TFT側(cè)中SD層的金屬線接收公共電壓信號，以及接收該公共電極層接收的公共電壓信號。由于SD層相比ITO層電阻率小很多(約1/60)， 因此整個面板內(nèi)部Com電極電阻降低很多，因此解決了像素結(jié)構(gòu)中g(shù)reenish的問題。
綜上所述，本發(fā)明實施例在不影響像素開口率也不增加曝光工藝的前提下，減小了陣列基板的公共電極的電阻，進而減小了公共電極的負(fù)載，從而解決了顯示greenish的問題，同時過孔的下方增加一層保護層，防止在刻蝕過孔的時候刻蝕過度導(dǎo)致柵線層和數(shù)據(jù)線層的短路。尤其針對dual gate驅(qū)動方式的HADS，本發(fā)明提供的技術(shù)方案減小了 HADS 像素結(jié)構(gòu)中由第二 ITO形成的Com電極的電阻，進而降低了 Com電極的負(fù)載，從而對于解決綠附問題，在對應(yīng)PVX絕緣層中的過孔位置，在數(shù)據(jù)線SD層下面增加一層a-si的保護層， 防止PVX刻蝕時由于過刻導(dǎo)致的數(shù)據(jù)線層與柵線層的短路。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于 本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些 改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括多個像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管、像素電極、公共電極和鈍化層，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層和源漏極，其特征在于，還包括 與所述公共電極位于不同層的金屬線； 所述金屬線所在層與所述公共電極所在層之間設(shè)置有絕緣層； 所述絕緣層在所述金屬線的區(qū)域設(shè)置有多個過孔，所述金屬線通過所述過孔與所述公共電極連接； 在所述過孔下方，并且在所述金屬線或所述公共電極的下方對應(yīng)過孔區(qū)域設(shè)置有保護層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述過孔設(shè)置于所述柵線與所述金屬線重疊的區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬線設(shè)置于相鄰的兩列像素單元之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述保護層的面積大于與過孔區(qū)域?qū)?yīng)的金屬線的面積和所述過孔的截面面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4任一所述的陣列基板，其特征在于， 每行像素單元分為多個像素單元組，每個像素單元組由相鄰的兩個像素單元組成；每行像素單元上方設(shè)置有第一柵線，每行像素單元下方設(shè)置有第二柵線，所述第一柵線和第二柵線用于分別驅(qū)動所述每個像素單元組中的兩個像素單元，每個像素單元組中的兩個像素單元連接于同一條數(shù)據(jù)線； 相鄰的像素單元組之間設(shè)置有虛擬數(shù)據(jù)線，所述金屬線為所述虛擬數(shù)據(jù)線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于， 所述鈍化層位于所述金屬線和數(shù)據(jù)線層上方； 所述公共電極位于所述鈍化層上方，且所述公共電極為狹縫狀； 所述過孔設(shè)置于相鄰兩行像素單元之間相鄰的第一柵線和第二柵線與所述虛擬數(shù)據(jù)線重疊的區(qū)域； 所述保護層設(shè)置于所述金屬線與所述柵絕緣層之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述保護層與所述有源層同層制作。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述保護層與有源層采用相同材料制作。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求I 8任一所述的陣列基板。
10.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，該方法包括 在基板上形成包括柵線的圖案； 在形成上述圖案的基板上形成柵絕緣層； 在形成上述圖案的基板上形成有源層和保護層； 在形成上述圖案的基板上形成包括數(shù)據(jù)線、金屬線和像素電極的圖案； 在形成上述圖案的基板上形成第二絕緣層，并通過構(gòu)圖工藝，在所述鈍化層上形成多個過孔； 在形成上述圖案的基板上形成包括公共電極的圖案，所述公共電極通過所述過孔與所述金屬線連接，所述保護層位于所述金屬線下方。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制造方法和顯示裝置，涉及液晶技術(shù)領(lǐng)域，用以減小公共電極電阻，進而降低公共電極的負(fù)載，解決了現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)中的綠附問題，同時過孔的下方增加一層保護層，防止在刻蝕過孔的時候刻蝕過度導(dǎo)致柵線層和數(shù)據(jù)線層的短路。本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板，包括與所述公共電極位于不同層的金屬線；所述金屬線所在層與所述公共電極所在層之間設(shè)置有絕緣層；所述絕緣層在所述金屬線的區(qū)域設(shè)置有多個過孔，所述金屬線通過所述過孔與所述公共電極連接；所述過孔下方所述金屬線層或所述公共電極層下方設(shè)置有保護層。
文檔編號G02F1/1368GK102981333SQ20121047605
公開日2013年3月20日 申請日期2012年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月21日
發(fā)明者林炳仟, 徐宇博, 胡明, 王國磊 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司