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一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置的制作方法

文檔序號(hào):2689961閱讀:166來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置。
背景技術(shù)
液晶顯示器包括以矩陣形式設(shè)計(jì)的像素單元,以及驅(qū)動(dòng)這些像素單元的驅(qū)動(dòng)電路,通過(guò)液晶盒內(nèi)電場(chǎng)的變化來(lái)實(shí)現(xiàn)液晶分子的偏轉(zhuǎn),來(lái)達(dá)到顯示效果。對(duì)于市場(chǎng)最常見(jiàn)、價(jià)格最低的TN顯示模式產(chǎn)品,視角窄一直是需要改進(jìn)的課題。多疇顯示是解決視角的主要方法。所謂多疇顯示,就是在一個(gè)亞像素內(nèi)再分成不同的區(qū)域,不同區(qū)域的液晶的偏轉(zhuǎn)程度不同,從不同角度觀看液晶屏?xí)r,都是看到的各個(gè)區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)的綜合效果,從而降低了因?yàn)橄袼貎?nèi)所有液晶偏轉(zhuǎn)相同帶來(lái)的不同角度上的對(duì)比度差異,進(jìn)而降低色偏,增大視角。參照?qǐng)D1所示的陣列基板的結(jié)構(gòu),每一亞像素單元包括公共電極10、柵線20、數(shù)據(jù)線30、TFT源極40、TFT漏極50、有源層60、過(guò)孔70和像素電極80。其中,像素電極通過(guò)過(guò)孔與漏極連接,以接收數(shù)據(jù)信號(hào)產(chǎn)生電場(chǎng),進(jìn)而進(jìn)行顯示。過(guò)孔位置的細(xì)節(jié)圖如圖2所示的透視圖,其中不同線型表示不同的區(qū)域。從圖2中看出,圖中的TFT為僅驅(qū)動(dòng)一個(gè)亞像素單元,即一個(gè)亞像素單元中僅形成一種形式的電場(chǎng),因而只能驅(qū)動(dòng)液晶向一個(gè)方向的偏轉(zhuǎn),導(dǎo)致最終顯示中存在色偏。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置,用以降低液晶顯示的色偏,增大視角。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板,包括多條異面相交的柵線和數(shù)據(jù)線,以及多個(gè)矩陣排列的亞像素單元,所述亞像素單元包括公共電極、像素電極和薄膜晶體管TFT,所述像素電極所在層與TFT所在層之間設(shè)置有像素絕緣層,其中,每一亞像素單元被相互交叉的柵線和數(shù)據(jù)線劃分為四個(gè)子像素單元,其中四個(gè)子像素單元中的像素電極方向至少包括兩種不同的方向;所述薄膜晶體管位于每一柵線和數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域,用于同時(shí)驅(qū)動(dòng)四個(gè)所述子像
素單元。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板,包括彩膜基板和液晶材料,以及上述的陣列基板。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置,包括上述的液晶顯示面板。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置,通過(guò)將一個(gè)亞像素單元分為四個(gè)子像素單元,將TFT設(shè)計(jì)在每一柵線與數(shù)據(jù)線的交叉處,用來(lái)同時(shí)驅(qū)動(dòng)四個(gè)子像素單元,來(lái)實(shí)現(xiàn)多疇顯示,降低了液晶顯示的色偏,增大了視角。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一個(gè)亞像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2圖1所示的結(jié)構(gòu)中TFT單元的具體結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板的多個(gè)亞像素單元的布局示意圖;圖4為圖3中一個(gè)亞像素單元A的具體結(jié)構(gòu)示意圖;圖5為圖4中TFT區(qū)域的詳細(xì)結(jié)構(gòu)示意圖;圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的另一種亞像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖;圖7為制造本發(fā)明實(shí)施例陣列基板的步驟中,完成柵線和公共電極線的制備的結(jié)構(gòu)示意圖;圖8為在圖7所示的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,制備出的TFT結(jié)構(gòu)以及數(shù)據(jù)線的結(jié)構(gòu)示意圖;圖9為在圖8所示結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,制備出PVX及過(guò)孔的結(jié)構(gòu)示意圖;圖10為圖4和圖6所示結(jié)構(gòu)中a-a’位置的剖面圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置,用以降低液晶顯示的色偏,增大視角。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板,包括多條異面相交的柵線和數(shù)據(jù)線,以及多個(gè)矩陣排列的亞像素單元,所述亞像素單元包括公共電極、像素電極和薄膜晶體管TFT,所述像素電極所在層與TFT所在層之間設(shè)置有像素絕緣層PVX,其中,每一亞像素單元被相互交叉的柵線和數(shù)據(jù)線劃分為四個(gè)子像素單元,其中四個(gè)子像素單元中的像素電極方向至少包括兩種不同的方向;例如,以兩種方向?yàn)槔?,異面相交的柵線和數(shù)據(jù)線形成的四個(gè)象限中,位于一、三象限的兩個(gè)子像素單元中像素電極的方向均為第一方向,位于二和四象限的兩個(gè)子像素單元中像素電極的方向均為第二方向,并且,第一方向與第二方向不同。所述薄膜晶體管位于每一柵線和數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域,用于同時(shí)驅(qū)動(dòng)四個(gè)所述子像
素單元。較佳地,所述薄膜晶體管為閉合型TFT,該閉合型TFT的形狀包括多種,如圓形或正方形等多邊形;例如若為圓形,則該TFT的有源層為圓形,漏極為圓形,源極為環(huán)形。較佳地,如前所述,所述薄膜晶體管包括有源極、漏極、柵極和有源層,所述像素絕緣層PVX中設(shè)置有過(guò)孔,該過(guò)孔用于連接所述像素電極和所述TFT漏極;同時(shí),該過(guò)孔的截面積小于漏極的的面積,因此在透光方向上,將完全被漏極對(duì)應(yīng)的黑矩陣遮擋,因此不會(huì)影響開(kāi)口率。較佳地,所述過(guò)孔位于每一柵線與數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域;例如,若TFT漏極為圓形,則過(guò)孔位于該圓形漏極區(qū)域中。較佳地,所述柵線和數(shù)據(jù)線異面垂直,包括所述柵線縱向排列,數(shù)據(jù)線橫向排列;或者,所述柵線為橫向排列,數(shù)據(jù)線縱向排列。另外,柵線和數(shù)據(jù)線也可以交叉形成其他角度的夾角,例如,夾角為60度,如此柵線和數(shù)據(jù)線形成矩陣排列的多個(gè)菱形區(qū)域,每一菱形區(qū)域包括分別屬于四個(gè)亞像素單元的子像素單元。
較佳地,位于所述子像素單元區(qū)域的像素電極為單疇結(jié)構(gòu)的像素電極,當(dāng)每一子像素單元的像素電極方向均不同時(shí),一個(gè)亞像素單元對(duì)應(yīng)四疇像素結(jié)構(gòu);若四個(gè)子像素單元中的像素電極方向兩兩相同時(shí),一個(gè)亞像素單元對(duì)應(yīng)雙疇結(jié)構(gòu),也就是說(shuō),本發(fā)明提供的技術(shù)方案能夠形成至少為雙疇的像素結(jié)構(gòu)。較佳地,位于所述子像素單元區(qū)域的像素電極為雙疇結(jié)構(gòu)的像素電極,因此一個(gè)亞像素單元最多可以對(duì)應(yīng)八疇像素結(jié)構(gòu)。較佳地,所述像素電極所在層位于所述公共電極所在層之上。另外,公共電極所在層也可以位于像素電極所在層之上,同時(shí),公共電極所在層與像素電極所在層之間設(shè)置有絕緣層。下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施例提供的一種陣列基板,包括如圖3所示的多條異面相交的柵線20和數(shù)據(jù)線30,其中柵線橫向排列,數(shù)據(jù)線縱向排列,以及多個(gè)矩陣排列的亞像素單元A ;其中,柵線20和數(shù)據(jù)線30異面垂直。針對(duì)每一亞像素單元A,具體地,參見(jiàn)圖4。所述亞像素單元A包括公共電極10、像素電極80和薄膜晶體管TFT,所述像素電極80所在層與TFT漏極所在層之間設(shè)置有像素絕緣層PVX (圖中未示出),同時(shí),圖示中所示像素電極所在層位于TFT的漏極所在層之上,其中,每一亞像素單元對(duì)應(yīng)一柵線20和數(shù)據(jù)線30的交叉區(qū)域;每一亞像素單元被異面垂直的柵線和數(shù)據(jù)線分為四個(gè)子像素單元,其中四個(gè)子像素單元中的像素電極方向至少包括兩種不同的方向;四個(gè)子像素單元中的像素電極的結(jié)構(gòu)可以為單疇,也可以為雙疇。圖4中所示是以每一子像素單元均為單疇像素結(jié)構(gòu)為例,同時(shí)四個(gè)子像素單元中的像素電極方向包括兩種像素電極方向?yàn)槔惷娲怪钡臇啪€和數(shù)據(jù)線形成的四個(gè)象限中,位于一、三象限的兩個(gè)子像素單元中像素電極的方向均為第一方向,位于二和四象限的兩個(gè)子像素單元中像素電極的方向均為第二方向,并且,第一方向與第二方向不同。所述薄膜晶體管位于每一柵線和數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域,用于同時(shí)驅(qū)動(dòng)四個(gè)所述子像素單元。該TFT為閉合型TFT,具體地,參照?qǐng)D5所示的細(xì)節(jié)示意圖,該TFT包括源極40、漏極50、有源層60,在漏極60對(duì)應(yīng)的區(qū)域,PVX層中設(shè)置有過(guò)孔70,用于連接像素電極80 (圖中未示出)和漏極50。較佳地,每一子像素單元中的像素電極也可以為雙疇結(jié)構(gòu),如圖6所示。其中,每一子像素單元中的像素電極的方向包括兩種不同的方向,位于一、三象限的子像素單元中的像素電極的結(jié)構(gòu)相同,位于二、四象限的子像素單元中的像素電極的結(jié)構(gòu)相同。需要說(shuō)明的是,上述針對(duì)像素電極結(jié)構(gòu)的描述僅是為了更好的說(shuō)明本發(fā)明,但不限制本發(fā)明。下面結(jié)合附圖,說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法,包括在基板上形成包括公共電極10的圖案;在形成上述圖案的基板上形成包括柵線20的圖案,如圖7所示;在形成上述圖案的基板上形成柵絕緣層GI ;
在形成上述圖案的基板上形成包括有源層60、數(shù)據(jù)線30、TFT源極40和漏極50的圖案,如圖8所示;具體地,利用灰階曝光或半曝光的工藝,經(jīng)過(guò)PR涂覆、曝光、顯影、刻蝕和剝離完成該步驟;或者,先沉積a-Si和N+a-Si后曝光、顯影、刻蝕和剝離制備出有源層,再沉積數(shù)據(jù)線金屬層,最終經(jīng)過(guò)曝光、顯影、刻蝕和剝離形成TFT結(jié)構(gòu)以及數(shù)據(jù)線圖案。在形成上述圖案的基板上形成像素絕緣層PVX,并通過(guò)構(gòu)圖工藝,在所述第二絕緣層上形成多個(gè)過(guò)孔70,如圖9所示;在形成上述圖案的基板上形成包括像素電極80的圖案,所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏極連接。其中,該像素電極的結(jié)構(gòu),例如圖4中的結(jié)構(gòu),或者,例如圖6中的結(jié)構(gòu)。最終制備出的陣列基板如圖4或圖6所示,TTF區(qū)域細(xì)節(jié)部分如圖5所示。為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例,針對(duì)圖4或圖6中a-a’位置,其剖面圖如圖10所示。從圖10中可以看出,由下至上依次為玻璃基板、柵線20、柵絕緣層G1、有源層60,其中有源層包括位于下層的非晶硅A-Si,和位于上層的N+A-Si ;位于有源層之上的源極40和漏極60,以及覆蓋源極、漏極和有源層的像素絕緣層PVX,對(duì)應(yīng)漏極50的區(qū)域,PVX中設(shè)置有過(guò)孔70,像素電極80通過(guò)該過(guò)孔70與漏極50連接。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板,包括彩膜基板、液晶材料以及上述的陣列基板。本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置,包括上述的液晶顯示面板。綜上所述,本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置,通過(guò)將一個(gè)亞像素單元分為四個(gè)子像素單元,將TFT設(shè)計(jì)在每一柵線與數(shù)據(jù)線的交叉處,用來(lái)同時(shí)驅(qū)動(dòng)四個(gè)子像素單元,來(lái)實(shí)現(xiàn)多疇顯示,降低了液晶顯示的色偏,增大了視角。顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣,倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板,包括多條異面相交的柵線和數(shù)據(jù)線,以及多個(gè)矩陣排列的亞像素單元,所述亞像素單元包括公共電極、像素電極和薄膜晶體管TFT,所述像素電極所在層與TFT的漏極所在層之間設(shè)置有像素絕緣層,其特征在于, 每一亞像素單元被相互交叉的柵線和數(shù)據(jù)線劃分為四個(gè)子像素單元,其中四個(gè)子像素單元中的像素電極方向至少包括兩種不同的方向; 所述薄膜晶體管位于每一柵線和數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域,用于同時(shí)驅(qū)動(dòng)四個(gè)所述子像素單
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述TFT為閉合型TFT。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述像素絕緣層上對(duì)應(yīng)每一亞像素單元設(shè)置有過(guò)孔,所述像素電極通過(guò)該過(guò)孔與所述TFT的漏極連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述過(guò)孔位于每一柵線與數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述柵線橫向排列,數(shù)據(jù)線縱向排列;或者,所述柵線縱向排列,數(shù)據(jù)線橫向排列。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,位于所述子像素單元區(qū)域的像素電極為單疇或雙疇結(jié)構(gòu)的像素電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求Γ6任一權(quán)項(xiàng)所述的陣列基板,其特征在于,所述像素電極所在層位于所述公共電極所在層之上。
8.一種液晶顯示面板,包括陣列基板、彩膜基板和液晶材料,其特征在于,該陣列基板為如權(quán)利要求Γ7任一權(quán)利要求所述的陣列基板。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求8所述的液晶顯示面板。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置,用以降低液晶顯示的色偏,增大視角。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板,包括多條異面相交的柵線和數(shù)據(jù)線,以及多個(gè)矩陣排列的亞像素單元,所述亞像素單元包括公共電極、像素電極和薄膜晶體管TFT,所述像素電極所在層與TFT所在層之間設(shè)置有像素絕緣層,其中,每一亞像素單元被相互交叉的柵線和數(shù)據(jù)線劃分為四個(gè)子像素單元,其中四個(gè)子像素單元中的像素電極方向至少包括兩種不同的方向;所述薄膜晶體管位于每一柵線和數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域,用于同時(shí)驅(qū)動(dòng)四個(gè)所述子像素單元。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK103018984SQ20121048499
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月23日
發(fā)明者郤玉生, 林鴻濤, 胡海琛, 封賓 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司
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