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一種取向?qū)有纬煞椒?

文檔序號(hào):2697198閱讀:250來源:國知局
一種取向?qū)有纬煞椒?br> 【專利摘要】本發(fā)明公開了一種取向?qū)有纬煞椒?,?yīng)用超高速脈沖激光器對(duì)基板上的有機(jī)高分子層進(jìn)行脈沖轟擊,以在所述有機(jī)高分子層上形成凹槽;將包含所述凹槽的所述有機(jī)高分子層作為取向?qū)?。本發(fā)明的取向?qū)有纬杉夹g(shù)應(yīng)用了脈沖轟擊,提高了取向?qū)由习疾鄣男纬伤俣?,并且取向?qū)由喜粫?huì)產(chǎn)生碎屑、雜質(zhì)等殘留物,因此能夠有效避免取向?qū)硬磺鍧嵰约笆軗p等情況的發(fā)生,進(jìn)而顯著提高了取向?qū)拥漠a(chǎn)品質(zhì)量,也使得最終制造出的液晶顯示器的質(zhì)量得到明顯提高。
【專利說明】一種取向?qū)有纬煞椒?br> 【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示器制造技術(shù),具體涉及一種取向?qū)有纬煞椒ā?br> 【背景技術(shù)】
[0002]在制造液晶顯示器的過程中需要形成取向?qū)?,傳統(tǒng)的取向?qū)有纬煞绞绞菍?duì)基板上的PI類樹脂等有機(jī)高分子層進(jìn)行摩擦工藝處理,以使所述有機(jī)高分子層上形成能夠使液晶按照特定方向規(guī)則排列的凹槽,最終將具有所述凹槽的有機(jī)高分子層作為取向?qū)?。但上述的摩擦工藝是通過摩擦輥向基板施加外界作用力實(shí)現(xiàn)的,因此摩擦輥上的摩擦布絨毛容易殘留在基板上,并且容易產(chǎn)生摩擦靜電、取向?qū)庸尾涞炔涣棘F(xiàn)象。
[0003]可見,傳統(tǒng)的取向?qū)有纬煞绞綐O易導(dǎo)致取向?qū)硬磺鍧嵒蚴軗p,使得取向?qū)拥漠a(chǎn)品質(zhì)量較低,進(jìn)而影響取向?qū)优c液晶的相互作用,使得液晶不能夠按照特定的方向規(guī)則排列,影響最終制造出的液晶顯示器的質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此,本發(fā)明的主要目的在于提供一種取向?qū)有纬煞椒?,盡量避免取向?qū)硬磺鍧嵰约笆軗p等情況的發(fā)生,提高取向?qū)拥漠a(chǎn)品質(zhì)量。
[0005]為達(dá)到上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0006]一種取向?qū)有纬煞椒?,該方法包?
[0007]應(yīng)用超高速脈沖激光器對(duì)基板上的有機(jī)高分子層進(jìn)行脈沖轟擊,以在所述有機(jī)高分子層上形成凹槽;將包含所述凹槽的所述有機(jī)高分子層作為取向?qū)印?br> [0008]所述超高速脈沖激光器為飛秒脈沖激光器。
[0009]所述有機(jī)高分子層為PI層。
[0010]所述應(yīng)用超高速脈沖激光器對(duì)基板上的有機(jī)高分子層進(jìn)行脈沖轟擊的方法為:
[0011]應(yīng)用超高速脈沖激光器對(duì)基板上的有機(jī)高分子層的表面進(jìn)行脈沖轟擊。
[0012]進(jìn)行所述脈沖轟擊之前,該方法還包括:
[0013]在所述基板上形成所述有機(jī)高分子層,并對(duì)該有機(jī)高分子層進(jìn)行預(yù)固化與固化。
[0014]所述超高速脈沖激光器與基板的表面距離12?30cm。
[0015]本發(fā)明的取向?qū)有纬杉夹g(shù)應(yīng)用了脈沖轟擊,提高了取向?qū)由习疾鄣男纬伤俣?,并且取向?qū)由喜粫?huì)產(chǎn)生碎屑、雜質(zhì)等殘留物,因此能夠有效避免取向?qū)硬磺鍧嵰约笆軗p等情況的發(fā)生,進(jìn)而顯著提高了取向?qū)拥漠a(chǎn)品質(zhì)量,也使得最終制造出的液晶顯示器的質(zhì)量得到明顯提聞。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的取向?qū)有纬稍硎疽鈭D;
[0017]圖2為本發(fā)明實(shí)施例的取向?qū)有纬闪鞒毯?jiǎn)圖;
[0018]附圖標(biāo)記說明:[0019]1、基板;2、有機(jī)高分子層;3、超高速脈沖激光器;4、凹槽;5、取向?qū)印?br> 【具體實(shí)施方式】
[0020]在實(shí)際應(yīng)用中,可以如圖1所示,先在基板I上形成PI類樹脂等有機(jī)高分子層2,并對(duì)有機(jī)高分子層2進(jìn)行預(yù)固化與固化。
[0021]之后,應(yīng)用超高速脈沖激光器3對(duì)有機(jī)高分子層2的表面進(jìn)行脈沖轟擊,以在有機(jī)高分子層2上形成凹槽4,這樣就可以將包含凹槽4的有機(jī)高分子層2作為取向?qū)?使用。
[0022]需要說明的是,有機(jī)高分子層2上被超高速脈沖激光器3轟擊到的有機(jī)高分子材料會(huì)被直接氣化,再加上超高速脈沖激光器3的每次脈沖轟擊時(shí)間非常短,因此凹槽4的形成速度非常快,并且在取向?qū)?上不會(huì)產(chǎn)生碎屑、雜質(zhì)等殘留物。另外,由于高速脈沖激光器3的每次脈沖能量相同,因此各個(gè)凹槽4具有很好的均一性。
[0023]結(jié)合以上描述可見,本發(fā)明形成取向?qū)拥牟僮魉悸房梢员硎救鐖D2所示的流程,該流程包括以下步驟:
[0024]步驟210:應(yīng)用超高速脈沖激光器對(duì)基板上的有機(jī)高分子層(如:PI層)進(jìn)行脈沖轟擊,以在所述有機(jī)高分子層上形成凹槽;
[0025]步驟220:將包含所述凹槽的所述有機(jī)高分子層作為取向?qū)印?br> [0026]所述超高速脈沖激光器可以為飛秒脈沖激光器等,只要能夠盡量保證在轟擊后不在取向?qū)由袭a(chǎn)生殘留物,并且能夠保證取向?qū)由系母鱾€(gè)凹槽具有較好的均一性即可。另外,應(yīng)用超高速脈沖激光器對(duì)基板上的有機(jī)高分子層進(jìn)行脈沖轟擊時(shí),超高速脈沖激光器可以與基板的表面距離12?30cm,超高速脈沖激光器與基板表面之間的角度取決于液晶分子的預(yù)傾角,轟擊時(shí)長則可以取決于基板的大小。并且,在對(duì)基板的表面進(jìn)行轟擊時(shí),可以采用惰性氣體進(jìn)行保護(hù)。
[0027]綜上所述可見,本發(fā)明的取向?qū)有纬杉夹g(shù)應(yīng)用了脈沖轟擊,提高了取向?qū)由习疾鄣男纬伤俣?,并且取向?qū)由喜粫?huì)產(chǎn)生碎屑、雜質(zhì)等殘留物,因此能夠有效避免取向?qū)硬磺鍧嵰约笆軗p等情況的發(fā)生,進(jìn)而顯著提高了取向?qū)拥漠a(chǎn)品質(zhì)量,也使得最終制造出的液晶顯示器的質(zhì)量得到明顯提高。
[0028]以上所述,僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種取向?qū)有纬煞椒?其特征在于,該方法包括: 應(yīng)用超高速脈沖激光器對(duì)基板上的有機(jī)高分子層進(jìn)行脈沖轟擊,以在所述有機(jī)高分子層上形成凹槽;將包含所述凹槽的所述有機(jī)高分子層作為取向?qū)印?br> 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述超高速脈沖激光器為飛秒脈沖激光器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述有機(jī)高分子層為PI層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述應(yīng)用超高速脈沖激光器對(duì)基板上的有機(jī)高分子層進(jìn)行脈沖轟擊的方法為: 應(yīng)用超高速脈沖激光器對(duì)基板上的有機(jī)高分子層的表面進(jìn)行脈沖轟擊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,進(jìn)行所述脈沖轟擊之前,該方法還包括: 在所述基板上形成所述有機(jī)高分子層,并對(duì)該有機(jī)高分子層進(jìn)行預(yù)固化與固化。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述超高速脈沖激光器與基板的表面距離 12 ?30cm。
【文檔編號(hào)】G02F1/1337GK103869540SQ201210530238
【公開日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2012年12月10日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月10日
【發(fā)明者】董霆, 張洪林, 張洪術(shù) 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司
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