專利名稱:掩模板、曝光系統(tǒng)和曝光方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種掩模板、曝光系統(tǒng)和曝光方法。
背景技術(shù):
薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)在當(dāng)前的顯示領(lǐng)域中占據(jù)了主導(dǎo)地位,其產(chǎn)品具有體積小、功耗低、無輻射、分辨率高等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代數(shù)字信息化設(shè)備中。TFT-1XD是由陣列基板和彩膜基板對(duì)盒而成,在陣列基板上形成有相互交叉定義出像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線,在各種像素區(qū)域中形成有像素電極和薄膜晶體管;在彩膜基板上形成有黑矩陣和彩色濾光層。在陣列基板和彩膜基板之間的液晶在不同電場(chǎng)強(qiáng)度的作用下產(chǎn)生不同的轉(zhuǎn)動(dòng)來達(dá)到顯示的明暗,配合彩膜基板的彩色濾光層,就可達(dá)到彩色圖像顯示效果。在陣列基板形成工藝中,柵極及其柵線、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源漏電極層以及數(shù)據(jù)線、鈍化保護(hù)層、像素電極的形成可以通過光刻工藝實(shí)現(xiàn)。在光刻工藝中,涂覆光刻膠,通過掩模板對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影,后經(jīng)刻蝕、剝離處理,得到圖案化膜層。彩膜基板的彩色濾光層部分也可以通過光刻工藝形成。在實(shí)現(xiàn)上述利用掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光的過程中,對(duì)具有不同構(gòu)案的基板,需要用不同的掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光;并且每次曝光過程中,照射在掩模板不透光區(qū)域的曝光光線都被吸收消耗,浪費(fèi)掉,由此增加了制造成本,也降低了生產(chǎn)效率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種掩模板、曝光系統(tǒng)和曝光方法,能夠解決對(duì)具有不同構(gòu)案的基板,需要用不同的掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光;并且每次曝光過程中,照射在掩模板不透光區(qū)域的曝光光線沒有被利用的問題。為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下—方面,提供一種掩模板,所述掩膜板包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域,所述透光區(qū)域的圖形與第一基板的待曝光區(qū)域的圖形相對(duì)應(yīng),所述不透光區(qū)域上設(shè)置有用于反射曝光光線的反射區(qū)域,所述反射區(qū)域的圖形與第二基板的待曝光區(qū)域的圖形相對(duì)應(yīng)。進(jìn)一步地,所述反射區(qū)域位于所述掩膜板遠(yuǎn)離第一基板方向的一側(cè)。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種曝光系統(tǒng),包括掩膜板和設(shè)置在所述掩膜板上方的主反射結(jié)構(gòu),所述掩膜板包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域,所述透光區(qū)域的圖形與第一基板的待曝光區(qū)域的圖形相對(duì)應(yīng),所述不透光區(qū)域上設(shè)置有用于反射曝光光線的反射區(qū)域,所述反射區(qū)域的圖形與第二基板的待曝光區(qū)域的圖形相對(duì)應(yīng);在曝光光線照射所述掩膜板,穿過掩膜板的透光區(qū)域?qū)Φ谝换暹M(jìn)行曝光時(shí),所述掩膜板的反射區(qū)域反射曝光光線至所述主反射結(jié)構(gòu),所述主反射結(jié)構(gòu)將所述反射區(qū)域反射來的光線再反射至第二基板的待曝光區(qū)域?qū)Φ诙暹M(jìn)行曝光。
進(jìn)一步地,所述系統(tǒng)還包括從反射結(jié)構(gòu),用于接收主反射結(jié)構(gòu)反射的光線,并反射至所述第二基板的待曝光區(qū)域。進(jìn)一步地,所述系統(tǒng)還包括主基臺(tái),用于承載第一基板;光源,用于提供曝光光線;從基臺(tái),用于承載第二基板。進(jìn)一步地,所述經(jīng)從反射結(jié)構(gòu)反射后照射到第二基板的待曝光區(qū)域上的曝光光線為垂直入射。進(jìn)一步地,所述主反射結(jié)構(gòu)的反射面與所述從反射結(jié)構(gòu)的反射面相垂直。進(jìn)一步地,所述主基臺(tái)與所述主反射結(jié)構(gòu)的反射面之間的夾角Y為45°。進(jìn)一步地,所述系統(tǒng)還包括設(shè)置在所述從反射結(jié)構(gòu)和所述第二基板之間的UM透鏡系統(tǒng)。進(jìn)一步地,所述系統(tǒng)還包括設(shè)置在所述第一基板和所述掩膜板之間的UM透鏡系統(tǒng)。進(jìn)一步地,所述主反射結(jié)構(gòu)包括透射板和形成在所述透射板上的反射膜層,所述反射膜層用于反射掩膜板反射區(qū)域反射來的光線。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種曝光方法,利用如上所述的曝光系統(tǒng)對(duì)基板進(jìn)行曝光,所述曝光方法包括在利用所述掩膜板對(duì)第一基板曝光的同時(shí),利用所述掩膜板的反射區(qū)域反射的曝光光線對(duì)第二基板進(jìn)行曝光。本發(fā)明的實(shí)施例具有以下有益效果上述方案中,第一基板和第二基板可以利用同一張掩膜板進(jìn)行曝光,不需要更換掩模板,且可以利用第一基板曝光時(shí)不用的曝光光線進(jìn)行第二基板的曝光,既節(jié)約了掩模板的購(gòu)買和維護(hù),又避免了曝光光線的浪費(fèi),降低了液晶顯示面板的生產(chǎn)成本,又節(jié)約了生廣時(shí)間,提聞了生廣效率。
圖1為現(xiàn)有曝光技術(shù)中曝光系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)不意圖;圖2本發(fā)明實(shí)施例的曝光系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3A為本發(fā)明實(shí)施例一的掩模板的仰視圖;圖3B為本發(fā)明實(shí)施例一的掩模板的俯視圖;圖4A為本發(fā)明實(shí)施例二的掩模板的仰視圖;圖4B為本發(fā)明實(shí)施例二的掩模板的俯視圖;圖5為本發(fā)明實(shí)施例的曝光方法的流程示意圖;圖6為UM (ultra mirror)光學(xué)透鏡系統(tǒng)結(jié)構(gòu)不意圖。附圖標(biāo)記Ia主基臺(tái)Ib從基臺(tái)
2a第一基板2b第二基板3掩模板4掩膜板中的反射區(qū)域5a反射裝置中的反射結(jié)構(gòu)一5b反射裝置中的反射結(jié)構(gòu)二6掩模板中的透光區(qū)域7掩模板中的不透光區(qū)域
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的實(shí)施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中曝光系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)不意圖,如圖1所不,曝光系統(tǒng)包括承放基板2a的基臺(tái)la,基板2a上涂覆有光刻膠,該基臺(tái)Ia的上方設(shè)置有與基臺(tái)Ia平行的掩模板3。此夕卜,該曝光系統(tǒng)還包括曝光光源(圖中未表不)。曝光光源發(fā)出的曝光光線垂直照射在掩模板3上表面,照射在掩模板3上表面透光區(qū)域的曝光光線,穿過掩模板3,對(duì)放置在基臺(tái)Ia上的基板2a進(jìn)行曝光。在利用掩模板3對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光的過程中,在完成一次構(gòu)圖工藝,進(jìn)行下一次曝光時(shí),都需要更換對(duì)應(yīng)的掩模板;并且每次曝光過程中,照射在掩模板不透光區(qū)域的曝光光線都被吸收消耗,浪費(fèi)掉,由此增加了液晶顯示面板的制造成本,也降低了生產(chǎn)效率。為了解決上述問題,本發(fā)明的實(shí)施例提供一種掩模板、曝光系統(tǒng)和曝光方法,能夠解決對(duì)具有不同構(gòu)案的基板,需要用不同的掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光;并且每次曝光過程中,照射在掩模板不透光區(qū)域的曝光光線沒有被利用的問題。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩模板,所述掩膜板包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域,所述透光區(qū)域的圖形與第一基板的待曝光區(qū)域的圖形相對(duì)應(yīng),所述不透光區(qū)域上設(shè)置有用于反射曝光光線的反射區(qū)域,所述反射區(qū)域的圖形與第二基板的待曝光區(qū)域的圖形相對(duì)應(yīng)。進(jìn)一步地,所述反射區(qū)域位于所述掩膜板遠(yuǎn)離第一基板方向的一側(cè)。利用該掩膜板可以在對(duì)第一基板進(jìn)行曝光的同時(shí),對(duì)第二基板也進(jìn)行曝光,利用同一張掩膜板可以同時(shí)完成對(duì)多個(gè)基板的曝光,減少液晶顯示面板的制造成本,提高生產(chǎn)效率。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種曝光系統(tǒng),包括掩膜板和設(shè)置在所述掩膜板上方的主反射結(jié)構(gòu),所述掩膜板包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域,所述透光區(qū)域的圖形與第一基板的待曝光區(qū)域的圖形相對(duì)應(yīng),所述不透光區(qū)域上設(shè)置有用于反射曝光光線的反射區(qū)域,所述反射區(qū)域的圖形與第二基板的待曝光區(qū)域的圖形相對(duì)應(yīng);在曝光光線照射所述掩膜板,穿過掩膜板的透光區(qū)域?qū)Φ谝换暹M(jìn)行曝光時(shí),所述掩膜板的反射區(qū)域反射曝光光線至所述主反射結(jié)構(gòu),所述主反射結(jié)構(gòu)將所述反射區(qū)域反射來的光線再反射至第二基板的待曝光區(qū)域?qū)Φ诙暹M(jìn)行曝光。進(jìn)一步地,所述系統(tǒng)還包括從反射結(jié)構(gòu),用于接收主反射結(jié)構(gòu)反射的光線,并反射至所述第二基板的待曝光區(qū)域。進(jìn)一步地,所述系統(tǒng)還包括主基臺(tái),用于承載第一基板;光源,用于提供曝光光線;從基臺(tái),用于承載第二基板。進(jìn)一步地,所述經(jīng)從反射結(jié)構(gòu)反射后照射到第二基板的待曝光區(qū)域上的曝光光線為垂直入射。進(jìn)一步地,所述主反射結(jié)構(gòu)的反射面與所述從反射結(jié)構(gòu)的反射面相垂直。進(jìn)一步地,所述主基臺(tái)與所述主反射結(jié)構(gòu)的反射面之間的夾角Y為45°。進(jìn)一步地,所述系統(tǒng)還包括設(shè)置在所述從反射結(jié)構(gòu)和所述第二基板之間的UM透鏡系統(tǒng)。進(jìn)一步地,所述系統(tǒng)還包括設(shè)置在所述第一基板和所述掩膜板之間的UM透鏡系統(tǒng)。進(jìn)一步地,所述主反射結(jié)構(gòu)包括透射板和形成在所述透射板上的反射膜層,所述反射膜層用于反射掩膜板反射區(qū)域反射來的光線。利用本發(fā)明實(shí)施例的曝光系統(tǒng),在對(duì)主基臺(tái)上的第一基板進(jìn)行曝光時(shí),同時(shí)對(duì)從基臺(tái)上的第二基板進(jìn)行曝光,第一基板和第二基板可以利用同一張掩膜板進(jìn)行曝光,不需要更換掩模板,且可以利用第一基板曝光時(shí)不用的曝光光線進(jìn)行第二基板的曝光,既節(jié)約了掩模板的購(gòu)買和維護(hù),又避免了曝光光線的浪費(fèi),降低了液晶顯示面板的生產(chǎn)成本,又節(jié)約了生產(chǎn)時(shí)間,提高了生產(chǎn)效率。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種曝光方法,用于利用如上所述的曝光系統(tǒng)對(duì)基板進(jìn)行曝光,所述曝光方法包括在利用所述掩膜板對(duì)第一基板曝光的同時(shí),利用所述掩膜板的反射區(qū)域反射的曝光光線對(duì)第二基板進(jìn)行曝光。利用本發(fā)明實(shí)施例的曝光方法,在對(duì)主基臺(tái)上的第一基板進(jìn)行曝光時(shí),同時(shí)對(duì)從基臺(tái)上的第二基板進(jìn)行曝光,第一基板和第二基板可以利用同一張掩膜板進(jìn)行曝光,不需要更換掩模板,且可以利用第一基板曝光時(shí)不用的曝光光線進(jìn)行第二基板的曝光,既節(jié)約了掩模板的購(gòu)買和維護(hù),又避免了曝光光線的浪費(fèi),降低了液晶顯示面板的生產(chǎn)成本,又節(jié)約了生產(chǎn)時(shí)間,提高了生產(chǎn)效率。下面結(jié)合具體地實(shí)施例以及附圖對(duì)本發(fā)明的模板、曝光系統(tǒng)和曝光方法進(jìn)行詳細(xì)介紹實(shí)施例1 :圖2為本實(shí)施例的曝光系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖,該曝光系統(tǒng)包括兩個(gè)曝光裝置。如圖2所示,主曝光裝置包括主基臺(tái)la,用于放置第一基板2a,放置在主基臺(tái)Ia上方、與主基臺(tái)Ia平行的掩膜板3,掩膜板3包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域,在不透光區(qū)域上(此圖中未示出)設(shè)置有反射區(qū)域4 (此圖中未示出),其中,透光區(qū)域的圖形與第一基板2a的待曝光區(qū)域的圖形相對(duì)應(yīng)。從曝光裝置包括從基臺(tái)lb,用于放置第二基板2b,其中,反射區(qū)域4的圖形與第二基板2b的待曝光區(qū)域的圖形相對(duì)應(yīng)。曝光系統(tǒng)包括反射結(jié)構(gòu)一 5a (即主反射結(jié)構(gòu))和反射結(jié)構(gòu)二 5b (即從反射結(jié)構(gòu)),為了保證經(jīng)從反射結(jié)構(gòu)反射后照射到第二基板的待曝光區(qū)域上的曝光光線為垂直入射,反射結(jié)構(gòu)一 5a的反射面和反射結(jié)構(gòu)二 5b的反射面相垂直,曝光光源(此圖中未不出)位于反射結(jié)構(gòu)一 5a上方。圖5為采用本實(shí)施例的曝光系統(tǒng)進(jìn)行曝光的方法流程示意圖,如圖5所示,該曝光方法包括步驟501 :將涂覆有光刻膠的第一基板放置在主基臺(tái)上,將涂覆有光刻膠的第二基板放置在從基臺(tái)上;步驟502 :開啟曝光光源,曝光光線照射在掩模板上,經(jīng)掩模板的透光區(qū)域照射到第一基板的待曝光區(qū)域上;照射在掩模板上反射區(qū)域的曝光光線,被反射到主反射結(jié)構(gòu),經(jīng)主反射結(jié)構(gòu)反射到從反射結(jié)構(gòu),經(jīng)從反射結(jié)構(gòu)反射后照射到第二基板的待曝光區(qū)域上。在待曝光的第一基板2a進(jìn)行曝光時(shí),打開曝光光源,曝光光線垂直照射下來到達(dá)反射結(jié)構(gòu)一 5a,入射角為a,可以看出,a由Y決定,與Y的值相等,Y為主基臺(tái)與主反射結(jié)構(gòu)的反射面之間的夾角。反射結(jié)構(gòu)一 5a由透射板和形成在透射板上的反射膜層組成,反射膜層用來反射掩膜板反射區(qū)域反射來的光線,因此,曝光光線可以透過反射結(jié)構(gòu)一 5a。假設(shè)反射結(jié)構(gòu)一 5a的折射率是n,曝光光線折射后的出射角0 =arc sin (sin a/n),出射光線到達(dá)反射結(jié)構(gòu)一 5a的下表面時(shí),入射角仍為P,出射角則為a。則透過反射結(jié)構(gòu)一 5a的曝光光線垂直照射在掩模板3上,經(jīng)過掩膜板3上的透光區(qū)域垂直照射在第一基板2a的待曝光區(qū)域上。透過反射結(jié)構(gòu)一 5a的曝光光線垂直照射在掩模板3上的反射區(qū)域4時(shí),經(jīng)其垂直反射后到達(dá)反射結(jié)構(gòu)一5a表面,此時(shí)的入射角為a,由反射結(jié)構(gòu)一 5a反射后照射到反射結(jié)構(gòu)二 5b,由于反射結(jié)構(gòu)一 5a和反射結(jié)構(gòu)二 5b為相垂直的,因此經(jīng)反射結(jié)構(gòu)二 5b反射后曝光光線垂直照射到第二基板2b上的待曝光區(qū)域上。優(yōu)選地,可以將Y設(shè)為45°,這樣可以保證曝光光線經(jīng)反射結(jié)構(gòu)一 5a的反射后為水平方向,經(jīng)反射區(qū)域4反射后照射到第二基板2b的待曝光區(qū)域上的曝光光線不發(fā)生變形。本實(shí)施例的曝光系統(tǒng)可以用于對(duì)處于同一工序的兩個(gè)基板進(jìn)行同時(shí)曝光,還可以對(duì)處于不同工序的兩個(gè)基板進(jìn)行同時(shí)曝光,只需要第二基板2b的待曝光區(qū)域包含在掩膜板3的不透光區(qū)域內(nèi)即可,即第二基板2b的待曝光區(qū)域的位置和尺寸不超出掩膜板3的不透光區(qū)域。具體地,本實(shí)施例中,主曝光裝置可以用于制作源漏電極和數(shù)據(jù)線,從曝光裝置可以用于制作連接漏電極金屬層和像素電極的過孔,此時(shí)掩膜板3上的圖形如圖3A和圖3B所示,圖3A為從掩模板3的下表面向上的仰視圖,該掩模板3包括透光區(qū)域6和不透光區(qū)域7,從掩膜板3的下表面向上看,只能區(qū)分透光區(qū)域6和不透光區(qū)域7。當(dāng)曝光光線照射在掩模板3上,曝光光線可以穿過透光區(qū)域6照射在第一基板2a上曝出圖形,但不能透過不透光區(qū)域7 ;圖3B為掩模板3的上表面向下的俯視圖,在不透光區(qū)域7上設(shè)置有反射區(qū)域4,從掩膜板3的上表面向下看,能看到透光區(qū)域6、不透光區(qū)域7和反射區(qū)域4。反射區(qū)域4的圖形的位置和尺寸與待形成過孔的位置和尺寸相對(duì)應(yīng),如此可以不用使用單獨(dú)的過孔掩模板,當(dāng)曝光光線照射在不透光區(qū)域7時(shí),照在不透光區(qū)域的反射區(qū)域4的曝光光線被反射,經(jīng)過上述主反射結(jié)構(gòu)和從反射結(jié)構(gòu)的照射在從基臺(tái)Ib上放置的第二基板2b上,曝光出所需圖形。進(jìn)一步地,為了優(yōu)化曝光效果,可以調(diào)節(jié)曝光光線到達(dá)第一基板2a和曝光光線到達(dá)第二基板2b的路程,使得到達(dá)第一基板2a的曝光光線的光強(qiáng)與到達(dá)第二基板2b的曝光光線的光強(qiáng)一致。具體地,可以通過調(diào)整掩膜板3與主基臺(tái)之間的距離,和/或調(diào)整反射結(jié)構(gòu)二 5b與從基臺(tái)之間的距離實(shí)現(xiàn)對(duì)光強(qiáng)的調(diào)整。進(jìn)一步地,由于陣列基板曝光的精度要求比較高,而光源方向性較差,再加上光的衍射作用,導(dǎo)致平行光投射出來以后,經(jīng)過長(zhǎng)距離的傳播后且經(jīng)過掩模板的透射后,無法形成清晰的圖案,這就需要將光重新進(jìn)行會(huì)聚,提高精度和光強(qiáng)度。因此可以在掩膜板3與第一基板2a之間設(shè)置UM透鏡系統(tǒng),和/或在反射結(jié)構(gòu)二 5b與第二基板2b之間設(shè)置UM透鏡系統(tǒng),通過調(diào)整UM透鏡系統(tǒng)使到達(dá)第一基板2a的光強(qiáng)、精度和到達(dá)第二基板2b的光強(qiáng)、精度能夠同時(shí)滿足要求。其中,UM (ultra mirror)透鏡系統(tǒng)主要包括等腰梯形棱鏡、凹透鏡、凸透鏡等。應(yīng)用本實(shí)施例的曝光系統(tǒng),在對(duì)主曝光裝置的基板進(jìn)行曝光時(shí),同時(shí)對(duì)從曝光裝置的基板進(jìn)行曝光,不需要更換掩模板,且可以同時(shí)進(jìn)行,既節(jié)約了掩模板的購(gòu)買和維護(hù),又避免了曝光光線的浪費(fèi),降低了液晶顯示面板的生產(chǎn)成本,又節(jié)約了生產(chǎn)時(shí)間,提高了生
產(chǎn)效率。實(shí)施例2 圖2為本實(shí)施例的曝光系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖,該曝光系統(tǒng)包括兩個(gè)曝光裝置。如圖2所示,主曝光裝置包括主基臺(tái)la,用于放置第一基板2a,放置在主基臺(tái)Ia上方、與主基臺(tái)Ia平行的掩膜板3,掩膜板3包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域,在不透光區(qū)域上(此圖中未示出)設(shè)置有反射區(qū)域4 (此圖中未示出),其中,透光區(qū)域的圖形與第一基板2a的待曝光區(qū)域的圖形相對(duì)應(yīng)。從曝光裝置包括從基臺(tái)lb,用于放置第二基板2b,其中,反射區(qū)域4的圖形與第二基板2b的待曝光區(qū)域的圖形相對(duì)應(yīng)。在掩模板3的上方設(shè)置有反射結(jié)構(gòu)一 5a (即主反射結(jié)構(gòu))和反射結(jié)構(gòu)二 5b (即從反射結(jié)構(gòu)),為了保證經(jīng)從反射結(jié)構(gòu)反射后照射到第二基板的待曝光區(qū)域上的曝光光線為垂直入射,反射結(jié)構(gòu)一 5a的反射面和反射結(jié)構(gòu)二 5b的反射面相垂直,曝光光源(此圖中未不出)位于反射結(jié)構(gòu)一 5a上方。圖5為采用本實(shí)施例的曝光系統(tǒng)進(jìn)行曝光的方法流程示意圖,如圖5所示,該曝光方法包括步驟501 :將涂覆有光刻膠的第一基板放置在主基臺(tái)上,將涂覆有光刻膠的第二基板放置在從基臺(tái)上;步驟502 :開啟曝光光源,曝光光線照射在掩模板上,經(jīng)所述掩模板的透光區(qū)域照射到第一基板的待曝光區(qū)域上;照射在所述掩模板上反射區(qū)域的曝光光線,被反射到主反射結(jié)構(gòu),經(jīng)主反射結(jié)構(gòu)反射到從反射結(jié)構(gòu),經(jīng)從反射結(jié)構(gòu)反射后照射到第二基板的待曝光區(qū)域上。在待曝光的第一基板2a進(jìn)行曝光時(shí),打開曝光光源,曝光光線垂直照射下來到達(dá)反射結(jié)構(gòu)一 5a,入射角為a,可以看出,a由Y決定,與Y的值相等,Y為主基臺(tái)與主反射結(jié)構(gòu)的反射面之間的夾角。反射結(jié)構(gòu)一 5a由透射板和形成在透射板上的反射膜層組成,反射膜層用來反射掩膜板反射區(qū)域反射來的光線,因此,曝光光線可以透過反射結(jié)構(gòu)一 5a。假設(shè)反射結(jié)構(gòu)一 5a的折射率是n,曝光光線折射后的出射角0 =arc sin (sin a/n),出射光線到達(dá)反射結(jié)構(gòu)一 5a的下表面時(shí),入射角仍為P,出射角則為a。則透過反射結(jié)構(gòu)一 5a的曝光光線垂直照射在掩模板3上,經(jīng)過掩膜板3上的透光區(qū)域垂直照射在第一基板2a的待曝光區(qū)域上。透過反射結(jié)構(gòu)一 5a的曝光光線垂直照射在掩模板3上的反射區(qū)域4時(shí),經(jīng)其垂直反射后到達(dá)反射結(jié)構(gòu)一5a表面,此時(shí)的入射角為a,由反射結(jié)構(gòu)一 5a反射后照射到反射結(jié)構(gòu)二 5b,由于反射結(jié)構(gòu)一 5a和反射結(jié)構(gòu)二 5b為相垂直的,因此經(jīng)反射結(jié)構(gòu)二 5b反射后曝光光線垂直照射到第二基板2b上的待曝光區(qū)域上。優(yōu)選地,可以將Y設(shè)為45°,這樣可以保證曝光光線經(jīng)反射結(jié)構(gòu)一 5a的反射后為水平方向,經(jīng)反射區(qū)域4反射后照射到第二基板2b的待曝光區(qū)域上的曝光光線不發(fā)生變形。本實(shí)施例的曝光系統(tǒng)可以用于對(duì)處于同一工序的兩個(gè)基板進(jìn)行同時(shí)曝光,還可以對(duì)處于不同工序的兩個(gè)基板進(jìn)行同時(shí)曝光,只需要第二基板2b的待曝光區(qū)域包含在掩膜板3的不透光區(qū)域內(nèi)即可,即第二基板2b的待曝光區(qū)域的位置和尺寸不超出掩膜板3的不透光區(qū)域。具體地,本實(shí)施例可以應(yīng)用于彩膜基板中制作紅色彩膜區(qū)域,綠色彩膜區(qū)域和藍(lán)色彩膜區(qū)域,假設(shè)彩膜基板的制作順序?yàn)榧t色彩膜區(qū)域,綠色彩膜區(qū)域,藍(lán)色彩膜區(qū)域,則在主基臺(tái)Ia上放置涂覆有紅色光刻膠的第一基板lb,進(jìn)行紅色光刻膠的曝光,同時(shí),在從基臺(tái)2a上放置完成了紅色光刻膠的光刻后,涂覆有綠色光刻膠的第二基板2b,進(jìn)行綠色光刻膠的曝光。此時(shí)掩膜板3上的圖形如圖4A和圖4B所不,圖4A為從掩模板3的下表面向上的仰視圖,該掩模板3包括透光區(qū)域6和不透光區(qū)域7,從掩膜板3的下表面向上看,只能區(qū)分透光區(qū)域6和不透光區(qū)域7。當(dāng)曝光光線照射在掩模板3上,曝光光線可以穿過透光區(qū)域6照射在第一基板2a上曝出圖形,但不能透過不透光區(qū)域7 ;圖4B為掩模板3的上表面向下的俯視圖,在不透光區(qū)域7上設(shè)置有反射區(qū)域4,從掩膜板3的上表面向下看,能看到透光區(qū)域6、不透光區(qū)域7和反射區(qū)域4。反射區(qū)域4的圖形的位置和尺寸與綠色彩膜區(qū)域的位置和尺寸相對(duì)應(yīng),如此可以不用更換掩膜板,當(dāng)曝光光線照射在不透光區(qū)域7時(shí),照在不透光區(qū)域的反射區(qū)域4的曝光光線被反射,經(jīng)過上述主反射結(jié)構(gòu)和從反射結(jié)構(gòu)的照射在從基臺(tái)Ib上放置的第二基板2b上,曝光出所需圖形。進(jìn)一步地,如果彩膜基板的制作順序發(fā)生變化,還可以根據(jù)彩膜基板的制作順序調(diào)整主基臺(tái)和從基臺(tái)上放置的基板。進(jìn)一步地,為了優(yōu)化曝光效果,可以調(diào)節(jié)曝光光線到達(dá)第一基板2a和曝光光線到達(dá)第二基板2b的路程,使得到達(dá)第一基板2a的曝光光線的光強(qiáng)與到達(dá)第二基板2b的曝光光線的光強(qiáng)一致。具體地,可以通過調(diào)整掩膜板3與主基臺(tái)之間的距離,和/或調(diào)整反射結(jié)構(gòu)二 5b與從基臺(tái)之間的距離實(shí)現(xiàn)對(duì)光強(qiáng)的調(diào)整。進(jìn)一步地,由于光源的方向性較差,再加上光的衍射作用,導(dǎo)致平行光投射出來以后,經(jīng)過長(zhǎng)距離的傳播后且經(jīng)過掩模板投射后,無法形成清晰的圖案,這就需要將光重新進(jìn)行會(huì)聚,提高精度和光強(qiáng)度??梢栽谘谀ぐ?與第一基板2a之間設(shè)置UM透鏡系統(tǒng),和/或在反射結(jié)構(gòu)二 5b與第二基板2b之間設(shè)置UM透鏡系統(tǒng),通過調(diào)整UM透鏡系統(tǒng)使到達(dá)第一基板2a的光強(qiáng)和到達(dá)第二基板2b的光強(qiáng)能夠同時(shí)滿足要求。其中,UM透鏡系統(tǒng)主要包括等腰梯形棱鏡、凹透鏡、凸透鏡等。應(yīng)用本實(shí)施例的曝光系統(tǒng),可以同時(shí)對(duì)不同構(gòu)案的多個(gè)基板進(jìn)行曝光,既節(jié)約了掩模板的購(gòu)買和維護(hù),又避免了曝光光線的浪費(fèi),降低了液晶顯示面板的生產(chǎn)成本,又節(jié)約了生產(chǎn)時(shí)間,提高了生產(chǎn)效率。
上述實(shí)施例1和2以曝光系統(tǒng)包括兩個(gè)曝光裝置為例進(jìn)行了說明,在實(shí)際應(yīng)用中,本發(fā)明的曝光系統(tǒng)還可以包括三個(gè)以上的曝光裝置。在曝光系統(tǒng)包括三個(gè)曝光裝置時(shí),可以對(duì)主曝光裝置的第一基板、從曝光裝置的第二基板和另一從曝光裝置的第三基板進(jìn)行同時(shí)曝光。曝光系統(tǒng)包括設(shè)置于第一基板上方的第一掩膜板和第一主反射結(jié)構(gòu),設(shè)置于第二基板上方的第二掩模板、第二主反射結(jié)構(gòu)和第一從反射結(jié)構(gòu),設(shè)置于第三基板上方的第二從反射結(jié)構(gòu)。第一掩膜板上的透光區(qū)域?qū)?yīng)第一基板的待曝光區(qū)域,在第一掩膜板上的不透光區(qū)域設(shè)置對(duì)應(yīng)第二基板的待曝光區(qū)域的第一反射區(qū)域和對(duì)應(yīng)第三基板的待曝光區(qū)域的第二反射區(qū)域。在曝光過程中,曝光光線透過第一主反射結(jié)構(gòu)照射在第一掩模板上,經(jīng)第一掩模板的透光區(qū)域照射到第一基板的待曝光區(qū)域上;照射在第一掩模板上第一反射區(qū)域的曝光光線,被反射到第一主反射結(jié)構(gòu),經(jīng)第一主反射結(jié)構(gòu)反射到第二基板對(duì)應(yīng)的第一從反射結(jié)構(gòu),經(jīng)第一從反射結(jié)構(gòu)反射后照射到第二基板上設(shè)置的第二掩模板的透光區(qū)域,透過第二掩模板照射在第二基板的待曝光區(qū)域上;照射在第一掩模板上第二反射區(qū)域的曝光光線,被反射到第一主反射結(jié)構(gòu),經(jīng)第一主反射結(jié)構(gòu)反射到第一從反射結(jié)構(gòu),經(jīng)第一從反射結(jié)構(gòu)反射后照射到第二基板上設(shè)置的第二掩模板的反射區(qū)域,經(jīng)反射區(qū)域反射到設(shè)置于第二基板之上的第二主反射結(jié)構(gòu),經(jīng)第二主反射結(jié)構(gòu)反射到第三基板對(duì)應(yīng)的第二從反射結(jié)構(gòu),經(jīng)第二從反射結(jié)構(gòu)反射后照射到第三基板的待曝光區(qū)域上。其中,在從曝光裝置的基板的待曝光區(qū)域包含在掩膜板的不透光區(qū)域內(nèi),能夠應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案在對(duì)主曝光裝置的基板進(jìn)行曝光時(shí),同時(shí)對(duì)從曝光裝置的基板進(jìn)行曝光;進(jìn)一步地,在從曝光裝置的基板的待曝光區(qū)域未包含在掩膜板的不透光區(qū)域內(nèi)時(shí),可以通過將基臺(tái)平移,使不透光區(qū)域與待曝光區(qū)域向?qū)?yīng),還可以通過改變基臺(tái)與光線的角度,將反射的光線的照射面積擴(kuò)大,或者改變光路,在對(duì)主曝光裝置的基板進(jìn)行曝光時(shí),同時(shí)對(duì)從曝光裝置的基板進(jìn)行曝光。本發(fā)明的技術(shù)方案既節(jié)約了掩模板的購(gòu)買和維護(hù),又避免了曝光光線的浪費(fèi),降低了液晶顯示面板的生產(chǎn)成本,又節(jié)約了生產(chǎn)時(shí)間,提高了生產(chǎn)效率。以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下,還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾,這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種掩模板,所述掩膜板包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域,其特征在于,所述透光區(qū)域的圖形與第一基板的待曝光區(qū)域的圖形相對(duì)應(yīng),所述不透光區(qū)域上設(shè)置有用于反射曝光光線的反射區(qū)域,所述反射區(qū)域的圖形與第二基板的待曝光區(qū)域的圖形相對(duì)應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述反射區(qū)域位于所述掩膜板遠(yuǎn)離第一基板方向的一側(cè)。
3.—種曝光系統(tǒng),其特征在于,包括掩膜板和設(shè)置在所述掩膜板上方的主反射結(jié)構(gòu),所述掩膜板包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域,所述透光區(qū)域的圖形與第一基板的待曝光區(qū)域的圖形相對(duì)應(yīng),所述不透光區(qū)域上設(shè)置有用于反射曝光光線的反射區(qū)域,所述反射區(qū)域的圖形與第二基板的待曝光區(qū)域的圖形相對(duì)應(yīng); 在曝光光線照射所述掩膜板,穿過掩膜板的透光區(qū)域?qū)Φ谝换暹M(jìn)行曝光時(shí),所述掩膜板的反射區(qū)域反射曝光光線至所述主反射結(jié)構(gòu),所述主反射結(jié)構(gòu)將所述反射區(qū)域反射來的光線再反射至第二基板的待曝光區(qū)域?qū)Φ诙暹M(jìn)行曝光。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的曝光系統(tǒng),其特征在于,所述系統(tǒng)還包括 從反射結(jié)構(gòu),用于接收主反射結(jié)構(gòu)反射的光線,并反射至所述第二基板的待曝光區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的曝光系統(tǒng),其特征在于,所述系統(tǒng)還包括 主基臺(tái),用于承載第一基板; 光源,用于提供曝光光線; 從基臺(tái),用于承載第二基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的曝光系統(tǒng),其特征在于,所述經(jīng)從反射結(jié)構(gòu)反射后照射到第二基板的待曝光區(qū)域上的曝光光線為垂直入射。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的曝光系統(tǒng),其特征在于,所述主反射結(jié)構(gòu)的反射面與所述從反射結(jié)構(gòu)的反射面相垂直。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的曝光系統(tǒng),其特征在于,所述主基臺(tái)與所述主反射結(jié)構(gòu)的反射面之間的夾角Y為45°。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的曝光系統(tǒng),其特征在于,所述系統(tǒng)還包括 設(shè)置在所述從反射結(jié)構(gòu)和所述第二基板之間的UM透鏡系統(tǒng)。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的曝光系統(tǒng),其特征在于,所述系統(tǒng)還包括 設(shè)置在所述第一基板和所述掩膜板之間的UM透鏡系統(tǒng)。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的曝光系統(tǒng),其特征在于,所述主反射結(jié)構(gòu)包括透射板和形成在所述透射板上的反射膜層,所述反射膜層用于反射掩膜板反射區(qū)域反射來的光線。
12.—種曝光方法,其特征在于,利用如權(quán)利要求3至11任一所述的曝光系統(tǒng)對(duì)基板進(jìn)行曝光,所述曝光方法包括 在利用所述掩膜板對(duì)第一基板曝光的同時(shí),利用所述掩膜板的反射區(qū)域反射的曝光光線對(duì)第二基板進(jìn)行曝光。
全文摘要
本發(fā)明提供一種掩模板、曝光系統(tǒng)和曝光方法,屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。曝光系統(tǒng)包括掩膜板和主反射結(jié)構(gòu),掩膜板包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域,透光區(qū)域的圖形與第一基板的待曝光區(qū)域的圖形相對(duì)應(yīng),不透光區(qū)域上設(shè)置有用于反射曝光光線的反射區(qū)域,反射區(qū)域的圖形與第二基板的待曝光區(qū)域的圖形相對(duì)應(yīng);在曝光光線照射掩膜板,穿過掩膜板的透光區(qū)域?qū)Φ谝换暹M(jìn)行曝光時(shí),掩膜板的反射區(qū)域反射曝光光線至主反射結(jié)構(gòu),主反射結(jié)構(gòu)將反射區(qū)域反射來的光線再反射至第二基板的待曝光區(qū)域?qū)Φ诙暹M(jìn)行曝光。本發(fā)明能夠解決對(duì)具有不同構(gòu)案的基板,需要用不同的掩膜板進(jìn)行曝光;并且每次曝光過程中,照射在掩模板不透光區(qū)域的曝光光線沒有被利用的問題。
文檔編號(hào)G03F1/52GK103034046SQ201210537158
公開日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2012年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月12日
發(fā)明者陳珍霞, 李凡, 姜妮 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司