專利名稱：一種液晶面板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及ー種液晶面板及顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中TFT_LCD(Thin Film-TransistorLiquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)是液晶顯示器中的主流產(chǎn)品。液晶面板是液晶顯示器的重要部件，現(xiàn)有技術(shù)中，通過ODF (One DropFilling,液晶滴注)エ藝在陣列基板或者彩膜基板中的任意ー個基板上滴注液晶，在另ー個基板四周邊緣處涂覆封框膠，然后將陣列基板和彩膜基板進行對盒，從而形成液晶面板，并對封框膠進行固化處理以使封框膠固化。如圖1所示為現(xiàn)有的TFT-LCD面板的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2所示為點狀液晶滴加樣式示意圖；圖3所示為現(xiàn)有的TFT-LCD面板的彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1至圖3所示，目前的TFT-LCD面板的制作エ藝中，液晶10采用點狀液晶滴加方式，真空對盒后，依靠液晶10自身的擴散能力自行充滿整個液晶面板。由于液晶10滴下的位置距離基板的四邊有一定的距離，因此液晶10充滿整個液晶面板需要一定的時間。若液晶在短時間內(nèi)未充滿整個液晶面板，則會出現(xiàn)真空氣泡。如圖1和圖3所示，傳統(tǒng)的TFT-1XD面板中，陣列基板100和彩膜基板上的取向?qū)油ǔＴO置于液晶面板的顯示區(qū)域A，取向?qū)泳嚯x邊緣處的封框膠有一定距離，使得在無取向?qū)拥奶幱陲@示區(qū)域A和封膠框20之間的周邊區(qū)域B處液晶10擴散方向無序且速度慢，液晶10繼續(xù)擴散填充能力大大降低。此外，如圖1和圖2所示，傳統(tǒng)TFT-1XD面板的陣列基板100上的數(shù)據(jù)線電極側(cè)和柵線電極側(cè)都會有數(shù)據(jù)線101和柵線102經(jīng)過該周邊區(qū)域；而數(shù)據(jù)線電極側(cè)的對側(cè)和柵電極側(cè)的對側(cè)則無數(shù)據(jù)線101和柵線102經(jīng)過，只有少量的幾根公共電極線經(jīng)過，大部分區(qū)域沒有任何走線，尤其是在陣列基板的四個角落。因此液晶10在液晶面板內(nèi)各方向的液晶填充擴散速度是不同的，數(shù)據(jù)線電極側(cè)和柵電極側(cè)由于有數(shù)據(jù)線101和柵線102存在，液晶10會沿著數(shù)據(jù)線101和柵線102擴散，最容易填滿；而數(shù)據(jù)線電極側(cè)的對側(cè)和柵線電極側(cè)的對側(cè)由于無金屬走線存在，液晶10填充速度相對較慢，而液晶面板的四個角落液晶10充滿速度最慢，最易發(fā)生液晶10未充滿現(xiàn)象。液晶擴散充滿的速度慢不僅會產(chǎn)生目視的氣泡，而且嚴重影響產(chǎn)品的顯示性能。目前針對這ー難題，可以從液晶滴加工藝上著手改善，但通常會給エ藝生產(chǎn)穩(wěn)定性帶來很大壓力，因此，從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設計上徹底解決這ー難題，會大大減輕生產(chǎn)エ藝的壓力，提高產(chǎn)品的良率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是提供ー種液晶面板及顯示裝置，其能夠有效解決在液晶面板的周邊區(qū)域液晶擴散慢的問題，避免真空氣泡的出現(xiàn)，大大提高了液晶面板以及顯示裝置的顯示性能。為了達到上述目的，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案如下ー種液晶面板，所述液晶面板的顯示區(qū)域與位于所述顯示區(qū)域四周的所述封膠框之間形成有一周邊區(qū)域；且所述液晶面板由第一基板和第二基板通過四周的所述封膠框?qū)行纬桑龅谝换搴退龅诙逯g填充有液晶；所述第一基板和所述第二基板中的至少ー個基板在與所述液晶接觸的表面上，并與所述周邊區(qū)域相對應的位置處設有用于加快所述液晶自所述顯示區(qū)域ー側(cè)向所述封膠框ー側(cè)擴散填充速度的引流結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的，所述引流結(jié)構(gòu)為設置在所述周邊區(qū)域處的多個溝槽，且每一所述溝槽的槽體自靠近所述顯示區(qū)域一側(cè)向靠近所述封膠框ー側(cè)貫通。優(yōu)選的，所述溝槽的斷面呈開ロ端大、底端小的梯形狀。優(yōu)選的，所述第一基板包括第一玻璃基板；形成于所述第一玻璃基板的靠近所述第二基板的ー側(cè)的柵線；形成干與所述周邊區(qū)域相對應位置處，并與所述柵線處于同一層的多根條狀金屬線，相鄰的所述條狀金屬線之間形成自靠近所述顯示區(qū)域一端向靠近所述封膠框一端貫通的第一凹槽；形成于所述第一玻璃基板的靠近所述第二基板的ー側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述條狀金屬線的等厚的柵線保護層；形成于所述柵線保護層的靠近所述第二基板的ー側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述柵線保護層的等厚的氮化硅層；形成于所述氮化硅層的靠近所述第二基板的ー側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述氮化硅層的等厚的像素電極。優(yōu)選的，所述第一基板包括第一玻璃基板；形成于所述第一玻璃基板的靠近所述第二基板的ー側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述第一玻璃基板的柵線保護層；形成于所述柵線保護層的靠近所述第二基板的ー側(cè)的數(shù)據(jù)線；形成干與所述周邊區(qū)域相對應位置處，并與所述數(shù)據(jù)線處于同一層的多根條狀金屬線，相鄰的所述條狀金屬線之間形成自靠近所述顯示區(qū)域一端向靠近所述封膠框一端貫通的第二凹槽；形成于所述柵線保護層的靠近所述第二基板的ー側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述條狀金屬線的等厚的氮化硅層；形成于所述氮化硅層的靠近所述第二基板的ー側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述氮化硅層的等厚的像素電極。優(yōu)選的，所述第一基板包括第一玻璃基板；形成于所述第一玻璃基板的靠近所述第二基板的ー側(cè)的柵線保護層，所述柵線保護層在與所述周邊區(qū)域相對應的位置處刻蝕出多個自靠近所述顯示區(qū)域一端向靠近所述封膠框一端貫通的第三凹槽；形成于所述柵線保護層的靠近所述第二基板的ー側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述柵線保護層的等厚的氮化硅層；形成于所述氮化硅層的靠近所述第二基板的ー側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述氮化硅層的等厚的像素電極。優(yōu)選的，所述第一基板包括第一玻璃基板；形成于所述第一玻璃基板的靠近所述第二基板的ー側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述第一玻璃基板的的柵線保護層；形成于所述柵線保護層的靠近所述第二基板的一側(cè)的氮化硅層，所述氮化硅層在與所述周邊區(qū)域相對應的位置處刻蝕出多個自靠近所述顯示區(qū)域一端向靠近所述封膠框一端貫通的第四凹槽；形成于所述氮化硅層的靠近所述第二基板的ー側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述氮化硅層的等厚的像素電極。優(yōu)選的，所述第一基板包括第一玻璃基板；形成于所述第一玻璃基板的靠近所述第二基板的ー側(cè)的柵線保護層，所述柵線保護層在與所述周邊區(qū)域相對應的位置處刻蝕出多個自靠近所述顯示區(qū)域一側(cè)向靠近所述封膠框ー側(cè)貫通的第五凹槽；形成于所述柵線保護層的靠近所述第二基板的一側(cè)的氮化硅層，所述氮化硅層在與所述周邊區(qū)域相對應的位置處刻蝕出多個自靠近所述顯示區(qū)域一側(cè)向靠近所述封膠框一側(cè)貫通的第六凹槽，且所述第六凹槽與所述第五凹槽位置對應；形成于所述氮化硅層的靠近所述第二基板的ー側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述氮化硅層的等厚的像素電極。優(yōu)選的，所述第一基板包括第一玻璃基板；形成于所述第一玻璃基板的靠近所述第二基板的ー側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述第一玻璃基板的柵線保護層；形成于所述柵線保護層的靠近所述第二基板的ー側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述柵線保護層的氮化硅層；形成于所述氮化硅層的靠近所述第二基板的一側(cè)的像素電極，所述像素電極在靠近所述第二基板的ー側(cè)的表面上，并與所述周邊區(qū)域相對應的位置處形成有多個所述溝槽。優(yōu)選的，所述第二基板包括第二玻璃基板；形成于所述第二玻璃基板的靠近所述第一基板的ー側(cè)，并至少在所述周邊區(qū)域覆蓋所述第二玻璃基板的黑矩陣，所述黑矩陣在與所述周邊區(qū)域?qū)奈恢锰幮纬捎卸鄠€自靠近所述顯示區(qū)域一側(cè)向靠近所述封膠框ー側(cè)貫通的第七凹槽；形成于所述黑矩陣的靠近所述第一基板的ー側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述黑矩陣的等厚的公共電極。優(yōu)選的，所述第二基板包括第二玻璃基板；形成于所述第二玻璃基板的靠近所述第一基板的ー側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述第二玻璃基板的黑矩陣；形成于所述黑矩陣的靠近所述第一基板的ー側(cè)，并與所述周邊區(qū)域相對應的位置處呈間隔設置的多個支撐柱，相鄰的所述支撐柱之間形成自靠近所述顯示區(qū)域一側(cè)向靠近所述封膠框ー側(cè)貫通的第八凹槽；形成于所述黑矩陣的靠近所述第一基板的ー側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域相覆蓋所述支撐柱的等厚的公共電極。優(yōu)選的，所述第二基板包括第二玻璃基板；形成于所述第二玻璃基板的靠近所述第一基板的ー側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述第二玻璃基板的黑矩陣；形成于所述黑矩陣的靠近所述第一基板的ー側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域相覆蓋所述支撐 柱的公共電極，所述公共電極在接觸所述液晶的ー側(cè)的表面上并與所述周邊區(qū)域相對應的位置處形成有所述溝槽。本發(fā)明還提供了ー種包括上述的液晶面板的顯示裝置。本發(fā)明的有益效果如下上述方案，通過在對盒形成液晶面板的第一基板和/或第二基板上構(gòu)造用于加快所述液晶自所述顯示區(qū)域ー側(cè)向所述封膠框ー側(cè)擴散填充速度的引流結(jié)構(gòu)，從而有效解決在液晶面板的周邊區(qū)域液晶擴散慢的問題，避免真空氣泡的出現(xiàn)，大大提高了液晶面板以及顯示裝置的顯示性能。


圖1表不現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖；圖2表示現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板上的點狀液晶滴加樣式的示意圖；圖3表示現(xiàn)有技術(shù)中的彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4表示本發(fā)明的液晶面板中的第一基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5表示本發(fā)明的液晶面板中的第二基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6表不第一基板和第_■基板對盒后的結(jié)構(gòu)不意圖；圖7表示本發(fā)明的液晶面板的第一種實施例的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖8表示本發(fā)明的液晶面板的第二種實施例的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖9表示本發(fā)明的液晶面板的第三種實施例的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖10表示本發(fā)明的液晶面板的第四種實施例的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖11表示本發(fā)明的液晶面板的第五種實施例的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖12表示本發(fā)明的液晶面板的第六種實施例的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖13表示本發(fā)明的液晶面板的第七種實施例的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖14表示本發(fā)明的液晶面板的第八種實施例的結(jié)構(gòu)剖視圖15表示本發(fā)明的液晶面板的第九種實施例的結(jié)構(gòu)剖視圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實施例進行詳細描述。本發(fā)明提供了ー種液晶面板，液晶面板的顯示區(qū)域與位于顯示區(qū)域四周的封膠框之間形成有一周邊區(qū)域；且液晶面板由第一基板和第二基板通過四周的封膠框?qū)行纬?，第一基板和第二基板之間填充有液晶；第一基板和/或第二基板在與液晶接觸的表面上，并與周邊區(qū)域相對應的位置處設有用于加快液晶自顯示區(qū)域ー側(cè)向封膠框ー側(cè)擴散填充速度的引流結(jié)構(gòu)。以下以第一基板為陣列基板，第二基板為彩膜基板為例對本發(fā)明進行說明。如圖4所示為本發(fā)明中的第一基板的示意圖，其中，該第一基板上設有所述引流結(jié)構(gòu)。如圖4所示，第一基板100的顯示區(qū)域A與四周的封膠框20之間形成周邊區(qū)域B，并且該第一基板100的ー側(cè)具有數(shù)據(jù)線電極，為數(shù)據(jù)線電極側(cè)，還有ー側(cè)具有柵電極，為柵電極側(cè)，在第一基板100的周邊區(qū)域B中與該數(shù)據(jù)線電極側(cè)和柵電極側(cè)對應的部分分別有數(shù)據(jù)線101和柵線102經(jīng)過，而在周邊區(qū)域B的其他部分則設置所述引流結(jié)構(gòu)30。如圖5所示為本發(fā)明中的第二基板的示意圖，其中，該第二基板200上設有該引流結(jié)構(gòu)30。如圖5所示，第二基板200的顯示區(qū)域A與四周的封膠框20之間形成周邊區(qū)域B，并且在周邊區(qū)域B處設置有引流結(jié)構(gòu)30。在本發(fā)明的較佳實施例中，該引流結(jié)構(gòu)30可以是設置在第一基板100和/或第二基板200的用干與液晶接觸的表面上的周邊區(qū)域B處的多個溝槽，并且，如圖4和圖5所示，每ー溝槽的槽體自靠近顯示區(qū)域A —側(cè)向靠近封膠框20 —側(cè)貫通，從而為處于顯示區(qū)域A的液晶提供ー個向封膠框20處擴散的引流通道，以加快液晶擴散填充速度。當然，在實際應用中，該引流結(jié)構(gòu)30也可以采用其他結(jié)構(gòu)形式，比如設置于第一基板100和/或第二基板200的用干與液晶接觸的表面上的周邊區(qū)域B處的條狀凸起等。在本發(fā)明的較佳實施例中，溝槽的斷面呈開ロ端大、底端小的梯形狀。當然，可以理解的是，在此并不限定該溝槽的斷面形狀。此外，在本發(fā)明的較佳實施例中，如圖4和圖5所示，液晶面板通常為四邊形，因此，通常，該周邊區(qū)域B可以分為與液晶面板的四邊位置對應的四個邊區(qū)域以及與液晶面板的四角位置相對應的四個角區(qū)域；其中，在所述邊區(qū)域處，多個溝槽呈等間距排布；在所述角區(qū)域處，多個溝槽呈自靠近顯示區(qū)域A —側(cè)向靠近封膠框20 —側(cè)放射狀地排布。上述方案，有利于液晶向各個方向有序擴散。需要說明的是，由于第一基板100在數(shù)據(jù)電極側(cè)和柵電極側(cè)有數(shù)據(jù)線101和柵線102經(jīng)過，因此，如圖4所示，該多個溝槽僅設置于第一基板100的所述周邊區(qū)域B中不具有所述數(shù)據(jù)線101和所述柵線102的部分。此外，溝槽可以采用多種方式形成于第一基板100和/或第二基板200上。對于第一基板100來說，第一基板100為陣列基板，其通常包括第一玻璃基板、柵線、數(shù)據(jù)線、柵線保護層、氮化硅層、像素電極等，溝槽可以是通過在其周邊區(qū)域B設置數(shù)據(jù)線和/或柵線等形成，也可以是通過在其周邊區(qū)域B處的柵線保護層上刻蝕出凹槽狀結(jié)構(gòu)形成，還可以是通過在其周邊區(qū)域B處的氮化硅層刻蝕出凹槽狀結(jié)構(gòu)形成，還可以是在其周邊區(qū)域B處的像素電極上刻蝕出凹槽狀結(jié)構(gòu)形成，等等；對于第二基板來說，第二基板為彩膜基板，其通常包括第二玻璃基板、黑矩陣、隔墊物(PS)、公共電極等，溝槽可以是通過在其周邊區(qū)域B處的黑矩陣上形成凹槽狀結(jié)構(gòu)形成，也可以是通過在其周邊區(qū)域B處的黑矩陣上形成凸起結(jié)構(gòu)形成，還可以是在其周邊區(qū)域B處的公共電極上刻蝕凹槽狀結(jié)構(gòu)形成，還可以是通過在周邊區(qū)域B處布置隔墊物形成，等等。以下就幾個優(yōu)選實施例來說明該液晶面板上的溝槽的形成方式。其中圖6所示為第一基板和第二基板對盒后形成的液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖。圖7至15所示為圖5中F-F向的局部剖面示意圖。實施例1如圖7所示為本發(fā)明所提供第一種實施例中的液晶面板的周邊區(qū)域處的斷面結(jié)構(gòu)示意圖，其中，在第一基板100的周邊區(qū)域B處設有所述溝槽。如圖7所示，本實施例中所提供的液晶面板包括第一基板100和第二基板200，第一基板100與第二基板200之間設置液晶10 ;第一基板100包括第一玻璃基板1001 ；形成于第一玻璃基板1001的靠近第二基板200的ー側(cè)的柵線102 ；形成于第一玻璃基板1001的靠近第二基板200的ー側(cè)，并形成干與周邊區(qū)域B相對應位置處，并與所述柵線102處于同一層的多根條狀金屬線1005，且相鄰的條狀金屬線1005之間形成自靠近顯示區(qū)域A —端向靠近封膠框20 —端貫通的第一凹槽；形成于第一玻璃基板1001的靠近第二基板200的ー側(cè)，并至少在整個周邊區(qū)域B覆蓋條狀金屬線1005的等厚的柵線保護層1002 ；形成于柵線保護層1002的靠近第二基板200的ー側(cè)，并至少在整個周邊區(qū)域B覆蓋柵線保護層1002的等厚的氮化硅層1003 ；形成于氮化硅層1003的靠近第二基板200的ー側(cè)，并至少在整個周邊區(qū)域B覆蓋氮化硅層1003的等厚的像素電極1004。由此可見，本實施例中，在第一基板100的周邊區(qū)域B處，并與柵線102同層設置條狀金屬線1005,通過相鄰條狀金屬線1005之間形成第一凹槽,并于條狀金屬線1005上在該周邊區(qū)域B處依次覆蓋等厚的柵線保護層1002、等厚的氮化硅層1003、等厚的像素電極1004，從而，由于第一凹槽的存在，在像素電極1004與液晶接觸的表面上即形成所述的溝槽，從而在第一基板100的周邊區(qū)域B上形成引流結(jié)構(gòu)30。需要說明的是，本實施例中，該條狀金屬線1005可以是與柵線102采用同一材質(zhì)，并在制作形成所述柵線102的同時，制作形成于周邊區(qū)域B處，并且該條狀金屬線1005與所述柵線102分離，以保證所述柵線102進行正常的傳輸信號。此外，需要說明的是，在本實施例中，如圖7所示，設置于該周邊區(qū)域B的條狀金屬線1005優(yōu)選的設計為端面呈梯形結(jié)構(gòu)，從而，形成斷面呈梯形的所述溝槽。實施例2如圖8所示為本發(fā)明所提供第二種實施例中的液晶面板的周邊區(qū)域處的斷面結(jié)構(gòu)示意圖，其中，在第一基板100的周邊區(qū)域B處設有所述溝槽。
如圖8所示，本實施例中所提供的液晶面板包括第一基板100和第二基板200，第一基板100與第二基板200之間設置液晶10 ;第一基板100包括第一玻璃基板1001 ；形成于第一玻璃基板1001的靠近第二基板200的ー側(cè)，并至少在整個周邊區(qū)域B覆蓋第一玻璃基板1001的柵線保護層1002 ；形成于柵線保護層1002的靠近第二基板200的ー側(cè)的數(shù)據(jù)線；形成于所述柵線保護層1002的靠近第二基板200的ー側(cè)，并形成干與周邊區(qū)域B相對應位置處，并與所述數(shù)據(jù)線101處于同一層的多根條狀金屬線1005，且相鄰的條狀金屬線1005之間形成自靠近顯示區(qū)域A —端向靠近封膠框20 —端貫通的第二凹槽；形成于柵線保護層1002的靠近第二基板200的ー側(cè)，并至少在整個周邊區(qū)域B覆蓋條狀金屬線1005的等厚的氮化硅層1003 ；形成于氮化硅層1003的靠近第二基板200的ー側(cè)，并至少在整個周邊區(qū)域B覆蓋氮化硅層1003的等厚的像素電極1004。由此可見，本實施例中，在第一基板100的周邊區(qū)域B處，并與數(shù)據(jù)線101同層設置條狀金屬線1005，通過相鄰條狀金屬線1005之間形成第二凹槽，并于處于該周邊區(qū)域B的條狀金屬線1005上依次覆蓋等厚的氮化硅層1003、等厚的像素電極1004，從而，由于第ニ凹槽的存在，在像素電極1004與液晶接觸的表面上即形成所述的溝槽，從而在第一基板100的周邊區(qū)域B上形成引流結(jié)構(gòu)30。需要說明的是，本實施例中，該條狀金屬線1005可以是與數(shù)據(jù)線101采用同一材質(zhì)，并在制作形成所述數(shù)據(jù)線101的同吋，制作形成于周邊區(qū)域B處，并且該條狀金屬線1005與所述數(shù)據(jù)線101 分離，以保證所述數(shù)據(jù)線101進行正常的傳輸信號。此外，需要說明的是，在本實施例中，如圖8所示，設置于該周邊區(qū)域B的條狀金屬線1005優(yōu)選的設計為端面呈梯形結(jié)構(gòu)，從而，形成斷面呈梯形的所述溝槽。實施例3如圖9所示為本發(fā)明所提供第三種實施例中的液晶面板的周邊區(qū)域處的斷面結(jié)構(gòu)示意圖，其中，在第一基板100的周邊區(qū)域B處設有所述溝槽。本實施例中所提供的液晶面板包括第一基板100和第二基板200，第一基板100與第二基板200之間設置液晶10 ;第一基板100包括第一玻璃基板1001;形成于第一玻璃基板1001的靠近第二基板200的ー側(cè)的柵線保護層1002，柵線保護層1002在與周邊區(qū)域B相對應的位置處刻蝕出多個自靠近顯示區(qū)域A —端向靠近封膠框20 —端貫通的第三凹槽；形成于柵線保護層1002的靠近第二基板200的ー側(cè)，并至少在整個周邊區(qū)域B覆蓋柵線保護層1002的等厚的氮化硅層1003 ；形成于氮化硅層1003的靠近第二基板200的ー側(cè)，并至少在整個周邊區(qū)域B覆蓋氮化硅層1003的等厚的像素電極1004。由此可見，本實施例中，通過在柵線保護層1002的與周邊區(qū)域B對應的位置處刻蝕第三凹槽，并于該周邊區(qū)域B對應位置處的柵線保護層1002上依次覆蓋等厚的氮化硅層1003、等厚的像素電極1004，從而，由于第三凹槽的存在，在像素電極1004與液晶接觸的表面上即形成所述的溝槽，從而在第一基板100的周邊區(qū)域B上形成引流結(jié)構(gòu)30。實施例4如圖10所示為本發(fā)明所提供第四種實施例中的液晶面板的周邊區(qū)域處的斷面結(jié)構(gòu)示意圖，其中，在第一基板100的周邊區(qū)域B處設有所述溝槽。如圖10所示，本實施例中所提供的液晶面板包括第一基板100和第二基板200，第一基板100與第二基板200之間設置液晶10 ;第一基板100包括第一玻璃基板1001;形成于第一玻璃基板1001的靠近第二基板200的ー側(cè)，并至少在整個周邊區(qū)域B覆蓋第一玻璃基板1001的的柵線保護層1002 ；形成于柵線保護層1002的靠近第二基板200的一側(cè)的氮化硅層1003，氮化硅層1003在與周邊區(qū)域B相對應的位置處刻蝕出多個自靠近顯示區(qū)域A—端向靠近封膠框20一端貫通的第四凹槽；形成于氮化硅層1003的靠近第二基板200的ー側(cè)，并至少在整個周邊區(qū)域B覆蓋氮化硅層1003的等厚的像素電極1004。由此可見，本實施例中，通過在氮化硅層1003的與周邊區(qū)域B對應的位置處刻蝕第四凹槽，并于該周邊區(qū)域B對應位置處的氮化硅層1003上覆蓋等厚的像素電極1004，從而，由于第四凹槽的存在，在像素電極1004與液晶接觸的表面上即形成所述的溝槽，從而在第一基板100的周邊區(qū)域B上形成引流結(jié)構(gòu)30。實施例5如圖11所示為本發(fā)明所提供第五種實施例中的液晶面板的周邊區(qū)域處的斷面結(jié)構(gòu)示意圖，其中，在第一基板100的周邊區(qū)域B處設有所述溝槽。如圖11所示，本實施例中所提供的液晶面板包括第一基板100和第二基板200，第一基板100與第二基板200之間設置液晶10 ;第一基板100包括第一玻璃基板1001 ；形成于第一玻璃基板1001的靠近第二基板200的ー側(cè)的柵線保護層1002，柵線保護層1002在與周邊區(qū)域B相對應的位置處刻蝕出多個自靠近顯示區(qū)域A —側(cè)向靠近封膠框20 —側(cè)貫通的第五凹槽；形成于柵線保護層1002的靠近第二基板200的一側(cè)的氮化硅層1003，氮化硅層1003在與周邊區(qū)域B相對應的位置處刻蝕出多個自靠近顯示區(qū)域A —側(cè)向靠近封膠框20一側(cè)貫通的第六凹槽，且第六凹槽與第五凹槽位置對應，每一所述第六凹槽對應地與一所述第五凹槽貫通；形成于氮化硅層1003的靠近第二基板200的ー側(cè)，并至少在整個周邊區(qū)域B覆蓋氮化硅層1003的等厚的像素電極1004。由此可見，本實施例中，通過在柵線保護層1002和氮化硅層1003的與周邊區(qū)域B對應的位置處分別刻蝕對應的第五凹槽和第六凹槽，并于該周邊區(qū)域B對應位置處的氮化硅層1003上覆蓋等厚的像素電極1004，從而，由于第五凹槽和第六凹槽的存在，在像素電極1004與液晶接觸的表面上即形成所述的溝槽，從而在第一基板100的周邊區(qū)域B上形成引流結(jié)構(gòu)30。需要說明的是，本實施例中，如圖10所示，設置于該周邊區(qū)域B的第五凹槽和第六凹槽優(yōu)選的設計為構(gòu)成ー貫通的斷面呈梯形的凹槽狀結(jié)構(gòu)，從而，形成斷面呈梯形的所述溝槽。實施例6如圖12所示為本發(fā)明所提供第六種實施例中的液晶面板的周邊區(qū)域處的斷面結(jié)構(gòu)示意圖，其中，在第一基板100的周邊區(qū)域B處設有所述溝槽。如圖12所示，本實施例中所提供的液晶面板包括第一基板100和第二基板200，第一基板100與第二基板200之間設置液晶10 ;第一基板100包括第一玻璃基板1001 ；形成于第一玻璃基板1001的靠近第二基板200的ー側(cè)，并至少在整個周邊區(qū)域B覆蓋第一玻璃基板1001的柵線保護層1002 ；形成于柵線保護層1002的靠近第二基板200的ー側(cè)，并至少在整個周邊區(qū)域B覆蓋柵線保護層1002的氮化硅層1003 ；形成于氮化硅層1003的靠近第二基板200的一側(cè)的像素電極1004，像素電極1004在靠近第二基板200的ー側(cè)的表面上，并與周邊區(qū)域B相對應的位置處形成有多個溝槽。由此可見，本實施例中，通過在像素電極1004的與周邊區(qū)域B對應的位置處刻蝕所述溝槽，從而在第一基板100的周邊區(qū)域B上形成引流結(jié)構(gòu)30。需要說明的是，本實施例中，像素電極1004上的溝槽可以是通過在像素電極1004上刻蝕凹槽狀結(jié)構(gòu)形成，也可以是通過在像素電極1004上刻蝕凸起狀結(jié)構(gòu)形成。需要說明的是，本實施例中，如圖12所示，設置于該周邊區(qū)域B的像素電極1004上的所述溝槽的斷面呈梯形。實施例7如圖13所示為本發(fā)明所提供第七種實施例中的液晶面板的周邊區(qū)域處的斷面結(jié)構(gòu)示意圖，其中，在第二基板200的周邊區(qū)域B處設有所述溝槽。如圖13所示，本實施例中所提供的液晶面板包括第一基板100和第二基板200，第一基板100與第二基板200之間設置液晶10 ;第二基板200包括第二玻璃基板2001;形成于第二玻璃基板2001的靠近第一基板100的ー側(cè)，并至少在周邊區(qū)域B覆蓋第二玻璃基板2001的黑矩陣2002，黑矩陣2002在與周邊區(qū)域B對應的位置處形成有多個自靠近顯示區(qū)域A —側(cè)向靠近封膠框20 —側(cè)貫通的第七凹槽；形成于黑矩陣2002的靠近第一基板100的ー側(cè)，并至少在整個周邊區(qū)域B覆蓋黑矩陣2002的等厚的公共電極2003。由此可見，本實施例中，通過在周邊區(qū)域B處的黑矩陣2002上刻蝕第七凹槽，并在該周邊區(qū)域B處的黑矩陣2002上覆蓋等厚的公共電極2003，以在所述公共電極2003的用干與液晶接觸的表面上形成所述的溝槽，從而在第二基板200的周邊區(qū)域B上形成引流結(jié)構(gòu)30。需要說明的是，本實施例中，黑矩陣2002上的第七凹槽可以是通過在黑矩陣2002上刻蝕凹槽狀結(jié)構(gòu)形成，也可以是通過在黑矩陣2002上刻蝕凸起狀結(jié)構(gòu)形成。需要說明的是，本實施例中，如圖13所示，設置于該周邊區(qū)域B的黑矩陣2002上的所述第七凹槽的斷面呈梯形，從而形成斷面呈梯形的所述溝槽。實施例8如圖14所示為本發(fā)明所提供第八種實施例中的液晶面板的周邊區(qū)域處的斷面結(jié)構(gòu)示意圖，其中，在第二基板200的周邊區(qū)域B處設有所述溝槽。如圖14所示，本實施例中所提供的液晶面板包括第一基板100和第二基板200，第一基板100與第二基板200之間設置液晶10 ;第二基板200包括第二玻璃基板2001;形成于第二玻璃基板2001的靠近第一基板100的ー側(cè)，并至少在整個周邊區(qū)域B覆蓋第二玻璃基板2001的黑矩陣2002 ；形成于黑矩陣2002的靠近第一基板100的ー側(cè)的隔墊物；形成于黑矩陣2002的靠近第一基板100的ー側(cè)，并與周邊區(qū)域B相對應的位置處呈間隔設置的多個支撐柱2004，相鄰的支撐柱2004之間形成自靠近顯示區(qū)域A —側(cè)向靠近封膠框20 —側(cè)貫通的第八凹槽；形成于黑矩陣2002的靠近第一基板100的ー側(cè)，并至少在整個周邊區(qū)域B相覆蓋支撐柱2004的等厚的公共電極2003。由此可見，本實施例中，通過在周邊區(qū)域B處的設置支撐柱2004，相鄰支撐柱2004之間形成第八凹槽，并在該周邊區(qū)域B處的支撐柱2004上覆蓋等厚的公共電極2003，以在所述公共電極2003的用干與液晶接觸的表面上形成所述的溝槽，從而在第二基板200的周邊區(qū)域B上形成引流結(jié)構(gòu)30。需要說明的是，本實施例中，支撐柱2004采用與隔墊物相同材質(zhì)，并與隔墊物同時制作形成。此外，如圖14所示，設置于該周邊區(qū)域B的支撐柱2004為端面呈梯形結(jié)構(gòu)，從而相鄰所述支撐柱2004之間形成梯形的所述第八凹槽，進而形成斷面呈梯形的所述溝槽。實施例9如圖15所示為本發(fā)明所提供第九種實施例中的液晶面板的周邊區(qū)域處的斷面結(jié)構(gòu)示意圖，其中，在第二基板200的周邊區(qū)域B處設有所述溝槽。如圖15所示，本實施例中所提供的液晶面板包括第一基板100和第二基板200，第一基板100與第二基板200之間設置液晶10 ;第二基板200包括第二玻璃基板2001;形成于第二玻璃基板2001的靠近第一基板100的ー側(cè)，并至少在整個周邊區(qū)域B覆蓋第二玻璃基板2001的黑矩陣2002 ；形成于黑矩陣2002的靠近第一基板100的ー側(cè)，并至少在整個周邊區(qū)域B相覆蓋支撐柱2004的公共電極2003，公共電極2003在接觸液晶的ー側(cè)的表面上并與周邊區(qū)域B相對應的位置處形成有溝槽。由此可見，本實施例中，通過在周邊區(qū)域B處的公共電極2003上形成所述溝槽，從而在第二基板200的周邊區(qū)域B上形成引流結(jié)構(gòu)30。需要說明的是，本實施例中，公共電極2003上的溝槽可以是通過在公共電極2003上采用半曝光掩膜エ藝刻蝕凹槽狀結(jié)構(gòu)形成，也可以是通過在公共電極2003上采用半曝光掩膜エ藝刻蝕凸起狀結(jié)構(gòu)形成。
需要說明的是，本實施例中，如圖15所示，設置于該周邊區(qū)域B的像素電極1004上的所述溝槽的斷面呈梯形。此外，還需要說明的是，以上所述的實施例中，所述引流結(jié)構(gòu)30僅設置于第一基板100或第二基板200上，在本發(fā)明的其他實施例中，所述引流結(jié)構(gòu)30還可以同時設置于第一基板100和第二基板200上，此時，第一基板100和第二基板200上的所述引流結(jié)構(gòu)30可以采用與上述實施例相同的方式形成，當然，可以理解的是，所述引流結(jié)構(gòu)30也可以采用其他方式形成。本發(fā)明還提供了ー種包括上述的液晶面板的顯示裝置。以上是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種液晶面板，所述液晶面板的顯示區(qū)域與位于所述顯示區(qū)域四周的封膠框之間形成有一周邊區(qū)域；且所述液晶面板由第一基板和第二基板通過四周的所述封膠框?qū)行纬?，所述第一基板和所述第二基板之間填充有液晶；其特征在于，所述第一基板和所述第二基板中的至少一個基板在與所述液晶接觸的表面上，并與所述周邊區(qū)域相對應的位置處設有用于加快所述液晶自所述顯示區(qū)域一側(cè)向所述封膠框一側(cè)擴散填充速度的引流結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述引流結(jié)構(gòu)為設置在所述周邊區(qū)域處的多個溝槽，且每一所述溝槽的槽體自靠近所述顯示區(qū)域一側(cè)向靠近所述封膠框一側(cè)貫通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶面板，其特征在于， 所述溝槽的斷面呈開口端大、底端小的梯形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求2至3任一項所述的液晶面板，其特征在于， 所述第一基板包括 第一玻璃基板； 形成于所述第一玻璃基板的靠近所述第二基板的一側(cè)的柵線； 形成于與所述周邊區(qū)域相對應位置處，并與所述柵線處于同一層的多根條狀金屬線，相鄰的所述條狀金屬線之間形成自靠近所述顯示區(qū)域一端向靠近所述封膠框一端貫通的第一凹槽； 形成于所述第一玻璃基板的靠近所述第二基板的一側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述條狀金屬線的等厚的柵線保護層； 形成于所述柵線保護層的靠近所述第二基板的一側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述柵線保護層的等厚的氮化硅層； 形成于所述氮化硅層的靠近所述第二基板的一側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述氮化硅層的等厚的像素電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至3任一項所述的液晶面板，其特征在于， 所述第一基板包括 第一玻璃基板； 形成于所述第一玻璃基板的靠近所述第二基板的一側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述第一玻璃基板的柵線保護層； 形成于所述柵線保護層的靠近所述第二基板的一側(cè)的數(shù)據(jù)線； 形成于與所述周邊區(qū)域相對應位置處，并與所述數(shù)據(jù)線處于同一層的多根條狀金屬線，相鄰的所述條狀金屬線之間形成自靠近所述顯示區(qū)域一端向靠近所述封膠框一端貫通的第二凹槽； 形成于所述柵線保護層的靠近所述第二基板的一側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述條狀金屬線的等厚的氮化硅層； 形成于所述氮化硅層的靠近所述第二基板的一側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述氮化硅層的等厚的像素電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求2至3任一項所述的液晶面板，其特征在于， 所述第一基板包括 第一玻璃基板；形成于所述第一玻璃基板的靠近所述第二基板的一側(cè)的柵線保護層，所述柵線保護層在與所述周邊區(qū)域相對應的位置處刻蝕出多個自靠近所述顯示區(qū)域一端向靠近所述封膠框一端貫通的第三凹槽； 形成于所述柵線保護層的靠近所述第二基板的一側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述柵線保護層的等厚的氮化硅層； 形成于所述氮化硅層的靠近所述第二基板的一側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述氮化硅層的等厚的像素電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求2至3任一項所述的液晶面板，其特征在于， 所述第一基板包括 第一玻璃基板； 形成于所述第一玻璃基板的靠近所述第二基板的一側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述第一玻璃基板的的柵線保護層； 形成于所述柵線保護層的靠近所述第二基板的一側(cè)的氮化硅層，所述氮化硅層在與所述周邊區(qū)域相對應的位置處刻蝕出多個自靠近所述顯示區(qū)域一端向靠近所述封膠框一端貫通的第四凹槽； 形成于所述氮化硅層的靠近所述第二基板的一側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述氮化硅層的等厚的像素電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求2至3任一項所述的液晶面板，其特征在于， 所述第一基板包括 第一玻璃基板； 形成于所述第一玻璃基板的靠近所述第二基板的一側(cè)的柵線保護層，所述柵線保護層在與所述周邊區(qū)域相對應的位置處刻蝕出多個自靠近所述顯示區(qū)域一側(cè)向靠近所述封膠框一側(cè)貫通的第五凹槽； 形成于所述柵線保護層的靠近所述第二基板的一側(cè)的氮化硅層，所述氮化硅層在與所述周邊區(qū)域相對應的位置處刻蝕出多個自靠近所述顯示區(qū)域一側(cè)向靠近所述封膠框一側(cè)貫通的第六凹槽，且所述第六凹槽與所述第五凹槽位置對應； 形成于所述氮化硅層的靠近所述第二基板的一側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述氮化硅層的等厚的像素電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求2至3任一項所述的液晶顯示面板，其特征在于， 所述第一基板包括 第一玻璃基板； 形成于所述第一玻璃基板的靠近所述第二基板的一側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述第一玻璃基板的柵線保護層； 形成于所述柵線保護層的靠近所述第二基板的一側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述柵線保護層的氮化硅層； 形成于所述氮化硅層的靠近所述第二基板的一側(cè)的像素電極，所述像素電極在靠近所述第二基板的一側(cè)的表面上，并與所述周邊區(qū)域相對應的位置處形成有多個所述溝槽。
10.根據(jù)權(quán)利要求2至3任一項所述的液晶顯示面板，其特征在于， 所述第二基板包括第二玻璃基板； 形成于所述第二玻璃基板的靠近所述第一基板的一側(cè)，并至少在所述周邊區(qū)域覆蓋所述第二玻璃基板的黑矩陣，所述黑矩陣在與所述周邊區(qū)域?qū)奈恢锰幮纬捎卸鄠€自靠近所述顯示區(qū)域一側(cè)向靠近所述封膠框一側(cè)貫通的第七凹槽； 形成于所述黑矩陣的靠近所述第一基板的一側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述黑矩陣的等厚的公共電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求2至3任一項所述的液晶顯示面板，其特征在于， 所述第二基板包括 第二玻璃基板； 形成于所述第二玻璃基板的靠近所述第一基板的一側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述第二玻璃基板的黑矩陣； 形成于所述黑矩陣的靠近所述第一基板的一側(cè)，并與所述周邊區(qū)域相對應的位置處呈間隔設置的多個支撐柱，相鄰的所述支撐柱之間形成自靠近所述顯示區(qū)域一側(cè)向靠近所述封膠框一側(cè)貫通的第八凹槽； 形成于所述黑矩陣的靠近所述第一基板的一側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域相覆蓋所述支撐柱的等厚的公共電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求2至3任一項所述的液晶顯示面板，其特征在于， 所述第二基板包括 第二玻璃基板； 形成于所述第二玻璃基板的靠近所述第一基板的一側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域覆蓋所述第二玻璃基板的黑矩陣； 形成于所述黑矩陣的靠近所述第一基板的一側(cè)，并至少在整個所述周邊區(qū)域相覆蓋所述支撐柱的公共電極，所述公共電極在接觸所述液晶的一側(cè)的表面上并與所述周邊區(qū)域相對應的位置處形成有所述溝槽。
13.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至12任一項所述的液晶面板。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種液晶面板以及顯示裝置，所述液晶面板的顯示區(qū)域與位于所述顯示區(qū)域四周的封膠框之間形成有一周邊區(qū)域；所述液晶面板由第一基板和第二基板通過四周的所述封膠框?qū)行纬?，第一基板和第二基板之間填充有液晶；第一基板和第二基板中的至少一個基板在與所述液晶接觸的表面上，并與所述周邊區(qū)域相對應的位置處設有用于加快所述液晶自所述顯示區(qū)域一側(cè)向所述封膠框一側(cè)擴散填充速度的引流結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過在第一基板和/或第二基板上構(gòu)造用于加快所述液晶自所述顯示區(qū)域一側(cè)向所述封膠框一側(cè)擴散填充速度的引流結(jié)構(gòu)，解決在液晶面板的周邊區(qū)域液晶擴散慢的問題，避免真空氣泡的出現(xiàn)，大大提高液晶面板以及顯示裝置的顯示性能。
文檔編號G02F1/1333GK103033994SQ20121054502
公開日2013年4月10日 申請日期2012年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月14日
發(fā)明者周紀登 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司