專利名稱：一種掩膜板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學(xué)領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜板及其制作方法。
背景技術(shù)：
隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，大尺寸，高品質(zhì)，低成本的顯示器件成為一種發(fā)展趨勢，那么，對于作為顯示器件(例如TFT-LCD顯示器件)的主要組成部分之一的彩色濾光片，它的質(zhì)量直接決定顯示器件的顯示效果。目前，在制作彩色濾光片時，多采用接近式曝光機(jī)光學(xué)系統(tǒng)曝光的方式，通常在使用接近式曝光機(jī)光學(xué)系統(tǒng)中的基板101 (例如玻璃基板)、掩膜板102和光刻膠103制作彩色濾光片時，彎曲前的掩膜板102與基板101之間的距離一般在一百微米至數(shù)百米以內(nèi)，這樣的話，對于掩膜板而言，在曝光時其彎曲將會造成掩膜板102上中心區(qū)域和邊緣區(qū)域與基板101在垂直方向上形成的曝光間距不同，例如掩膜板102上中心區(qū)域與基板101之間的曝光間距G2小于掩膜板102上邊緣區(qū)域與基板101之間的曝光間距Gl (如圖1所示)，通常在制作工藝過程中，由于接近式曝光機(jī)光學(xué)系統(tǒng)在曝光時受衍射角、光線平行度等因素的影響，基板上曝光出的圖形尺寸(CD)隨著各區(qū)域的曝光間距的增大而增大(如圖2所示，)，這樣一來，在曝光量相同的情況下，由于中心區(qū)域的曝光間距小，邊緣區(qū)域的曝光間距大，從而造成中心區(qū)域曝光出的圖形的尺寸較小，邊緣區(qū)域曝光出的圖形尺寸較大，即曝光出的圖形尺寸大小不均一(例如CD2 < CD1，如圖1所示)，也就是說，使用前述這種掩膜板曝光出的圖形尺寸的均一度較差。從上述制作方式可以看出，在接近式曝光機(jī)光學(xué)系統(tǒng)曝光時，由于掩膜板的彎曲導(dǎo)致各區(qū)域處的曝光間距發(fā)生變化，致使基板上曝光后的圖形尺寸的均一度較差，進(jìn)而影響彩色濾光片的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩膜板及其制作方法，用以解決現(xiàn)有掩膜板彎曲導(dǎo)致的曝光后的圖形尺寸均一度較差的問題。基于上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩膜板，應(yīng)用于大尺寸接近式曝光機(jī)光學(xué)系統(tǒng)，所述掩膜板包括多個區(qū)域，每個區(qū)域?yàn)橐运鲅谀ぐ宓闹行狞c(diǎn)為圓心且按照設(shè)定規(guī)則形成的區(qū)域，并且離所述掩膜板的中心點(diǎn)越近的區(qū)域，其對應(yīng)的透過率越高；離所述掩膜板的中心點(diǎn)越遠(yuǎn)的區(qū)域，其對應(yīng)的透過率越低。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種如上所述的掩膜板的制作方法，包括制備包括多個區(qū)域的光學(xué)薄膜，每個區(qū)域?yàn)橐运鲅谀ぐ宓闹行狞c(diǎn)為圓心且按照設(shè)定規(guī)則形成的區(qū)域，并且離所述掩膜板的中心點(diǎn)越近的區(qū)域，其對應(yīng)的透過率越高；離所述掩膜板的中心點(diǎn)越遠(yuǎn)的區(qū)域，其對應(yīng)的透過率越低；將光學(xué)薄膜貼附于普通掩膜板上，制成掩膜板。本發(fā)明實(shí)施例的有益效果包括本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩膜板及其制作方法，該掩膜板包括多個區(qū)域，每個區(qū)域?yàn)橐匝谀ぐ宓闹行狞c(diǎn)為圓心且按照設(shè)定規(guī)則形成的區(qū)域，并且離掩膜板的中心點(diǎn)越近的區(qū)域，其對應(yīng)的透過率越高；離掩膜板的中心點(diǎn)越遠(yuǎn)的區(qū)域，其對應(yīng)的透過率越低，這樣一來，在接近式曝光機(jī)曝光時，曝光出的圖形尺寸通常是隨著曝光量的增大而增大，隨著曝光間距的減小而減小的，以掩膜板上離掩膜板的中心點(diǎn)最近的區(qū)域?yàn)槔?，此處的曝光間距最小，但是此處的透過率較高，這樣就使得此區(qū)域可以獲得較大的曝光量，相對彌補(bǔ)了曝光間距小對圖形尺寸的變化，在一定程度上提高了曝光出的圖形尺寸的均一度。


圖1為現(xiàn)有大尺寸接近式曝光機(jī)光學(xué)系統(tǒng)曝光時掩膜板的工作示意圖；圖2為現(xiàn)有大尺寸接近式曝光機(jī)光學(xué)系統(tǒng)中基板上曝光出的圖形尺寸與掩膜板上各個區(qū)域的曝光間距之間的關(guān)系曲線圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的使用掩膜板制作濾光片時曝光出的圖形尺寸示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的大尺寸接近式曝光機(jī)的掩膜板的結(jié)構(gòu)圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜板的中心點(diǎn)與掩膜板邊緣上的交點(diǎn)之間的距離的不意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜板上的選取點(diǎn)相對于離中心點(diǎn)最近的區(qū)域處曝光出的圖形的尺寸變化與該選取點(diǎn)相對于離中心點(diǎn)最近的區(qū)域的曝光量的變化量的關(guān)系示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜板的制作方法流程圖。
具體實(shí)施例方式由于現(xiàn)有的掩膜板在接近式曝光機(jī)光學(xué)系統(tǒng)曝光時會發(fā)生彎曲，由此使得彎曲后的掩膜板上中心區(qū)域的曝光間距(即此區(qū)域與接近式曝光機(jī)的基板在垂直方向上形成的距離)，較邊緣區(qū)域的曝光間距較小，這樣，在曝光量等其他條件確定的情況下，使得基板上中心區(qū)域曝光出的圖形尺寸較小，邊緣區(qū)域的圖形尺寸稍大，這樣就導(dǎo)致曝光出的圖形尺寸的均一度較差?；谏鲜鰡栴}，本發(fā)明提供一種掩膜板及其制作方法，可以在一定程度上提高了曝光出的圖形尺寸的均一度。下面結(jié)合說明書附圖，對本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩膜板及其制作方法的具體實(shí)施方式
進(jìn)行說明。本發(fā)明實(shí)施例提供一種掩膜板，應(yīng)用于大尺寸接近式曝光機(jī)光學(xué)系統(tǒng)，它可以包括多個區(qū)域，每個區(qū)域?yàn)橐匝谀ぐ宓闹行狞c(diǎn)為圓心且按照設(shè)定規(guī)則形成的區(qū)域，并且離掩膜板的中心點(diǎn)越近的區(qū)域，其對應(yīng)的透過率越高；離掩膜板的中心點(diǎn)越遠(yuǎn)的區(qū)域，其對應(yīng)的透過率越低。在本發(fā)明實(shí)施例中，例如每個區(qū)域可以是以掩膜板的中心點(diǎn)為圓心，按照半徑依次遞增的順序形成圓形區(qū)域，具體可以按照半徑為2Cm、3Cm、4Cm等的順序形成；也可以是以掩膜板的中心點(diǎn)為圓心，按照與掩膜板的短邊平行且短邊半徑依次遞增的順序形成橢圓形區(qū)域，當(dāng)然還可以通過其他方式形成區(qū)域，在此不再一一枚舉。如圖3所示，在使用大尺寸接近式曝光機(jī)光學(xué)系統(tǒng)中的基板301、上述掩模板302和光刻膠303制作濾光片時，掩膜板302上離中心點(diǎn)最遠(yuǎn)的區(qū)域(例如邊緣區(qū)域)的曝光間距Gl較大，離中心點(diǎn)最近的區(qū)域的曝光間距G2較小，由于邊緣區(qū)域的透過率較低，這就使得此處區(qū)域的曝光量也較低；由于離中心點(diǎn)最近的區(qū)域的透過率較高，這就使得此處的曝光量也較高，這樣一來，在基板上邊緣區(qū)域與離中心點(diǎn)最近的區(qū)域處曝光出的圖形尺寸大小相近(如圖3所示，⑶I與⑶2大小相近)，從而提高了圖形尺寸的均一度。較佳地，如圖4所示，上述掩膜板可以包括普通掩膜板401和光學(xué)薄膜402。上述光學(xué)薄膜402，貼附于普通掩膜板401上，且光學(xué)薄膜402可以包括多個區(qū)域，每個區(qū)域?yàn)橐怨鈱W(xué)薄膜的中心點(diǎn)為圓心且按照設(shè)定規(guī)則形成的區(qū)域，并且離光學(xué)薄膜的中心點(diǎn)越近的區(qū)域，其對應(yīng)的透過率越高；離光學(xué)薄膜的中心點(diǎn)越遠(yuǎn)的區(qū)域，其對應(yīng)的透過率越低。較佳地，上述透過率的數(shù)值范圍可以為60% 100%，例如，掩膜板上離中心點(diǎn)最近的區(qū)域的曝光間距最小，那么此區(qū)域的透過率可以為最大，例如透過率可以為100%，然后依
次向偏離中心點(diǎn)的區(qū)域遞減，這樣離中心點(diǎn)最近的區(qū)域較高的透過率可以相對彌補(bǔ)此區(qū)域的曝光間距小對圖形尺寸的影響。當(dāng)然，上述透過率的數(shù)值范圍還可以是其他數(shù)值范圍，可以根據(jù)接近式曝光機(jī)對掩膜板的實(shí)際需求來確定，在此不對掩膜板的透過率范圍做具體限定。較佳地，對于掩膜板上離中心點(diǎn)最近的區(qū)域之外的其他區(qū)域而言，它與離中心點(diǎn)最近的區(qū)域的透過率(100%)的差值，可以通過這些區(qū)域中選取點(diǎn)與離中心點(diǎn)最近的區(qū)域的透過率的差值來得到。進(jìn)一步地，為了避免出現(xiàn)較大誤差，可以將這些區(qū)域中選取點(diǎn)與離中心點(diǎn)最近的區(qū)域的透過率的差值的平均值，作為其他區(qū)域與離中心點(diǎn)最近的區(qū)域的透過率(100%)的差值。在這里，對于選取點(diǎn)，例如在每個區(qū)域?yàn)閳A形區(qū)域的情況下，可以隨意選取幾個點(diǎn)來計(jì)算(例如4個點(diǎn))；在每個區(qū)域?yàn)闄E圓形區(qū)域的情況下，可以選取橢圓形區(qū)域中長邊上幾個點(diǎn)以及短邊上幾個點(diǎn)來計(jì)算，當(dāng)然還可以使用其他選取方式，在此不再贅述。具體地，針對其他區(qū)域中每個選取點(diǎn)，它與離中心點(diǎn)最近的區(qū)域的透過率(100%)的差值為
權(quán)利要求
1.一種掩膜板,應(yīng)用于大尺寸接近式曝光機(jī)光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于，所述掩膜板包括多個區(qū)域，每個區(qū)域?yàn)橐运鲅谀ぐ宓闹行狞c(diǎn)為圓心且按照設(shè)定規(guī)則形成的區(qū)域，并且離所述掩膜板的中心點(diǎn)越近的區(qū)域，其對應(yīng)的透過率越高；離所述掩膜板的中心點(diǎn)越遠(yuǎn)的區(qū)域，其對應(yīng)的透過率越低。
2.如權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，該掩膜板，具體包括普通掩膜板和光學(xué)薄膜； 所述光學(xué)薄膜，貼附于所述普通掩膜板上，所述光學(xué)薄膜包括多個區(qū)域，每個區(qū)域?yàn)橐运龉鈱W(xué)薄膜的中心點(diǎn)為圓心且按照設(shè)定規(guī)則形成的區(qū)域，并且離所述光學(xué)薄膜的中心點(diǎn)越近的區(qū)域，其對應(yīng)的透過率越高；離所述光學(xué)薄膜的中心點(diǎn)越遠(yuǎn)的區(qū)域，其對應(yīng)的透過率越低。
3.如權(quán)利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述透過率為60% 100%。
4.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的掩膜板，其特征在于，所述每個區(qū)域?yàn)閳A形區(qū)域或橢圓形區(qū)域。
5.如權(quán)利要求4所述的掩膜板，其特征在于，離所述掩膜板的中心點(diǎn)最近的區(qū)域的透過率為100%。
6.如權(quán)利要求5所述的掩膜板，其特征在于，離所述掩膜板的中心點(diǎn)最近的區(qū)域之外的其他區(qū)域中每個選取點(diǎn)與離所述掩膜板最近的區(qū)域的透過率的差值為
7.一種掩膜板的制作方法，其特征在于，包括 制備包括多個區(qū)域的光學(xué)薄膜，每個區(qū)域?yàn)橐运鲅谀ぐ宓闹行狞c(diǎn)為圓心且按照設(shè)定規(guī)則形成的區(qū)域，并且離所述掩膜板的中心點(diǎn)越近的區(qū)域，其對應(yīng)的透過率越高；離所述掩膜板的中心點(diǎn)越遠(yuǎn)的區(qū)域，其對應(yīng)的透過率越低； 將光學(xué)薄膜貼附于普通掩膜板上，制成掩膜板。
8.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述透過率為60% 100%。
9.如權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，離所述光學(xué)薄膜的中心點(diǎn)最近的區(qū)域的透過率為100%。
10.如權(quán)利要求7-9中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述每個區(qū)域?yàn)閳A形區(qū)域或橢圓形區(qū)域。
11.如權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，通過下述方式計(jì)算得到離所述光學(xué)薄膜的中心點(diǎn)最近的區(qū)域之外的其他區(qū)域中每個選取點(diǎn)與離所述光學(xué)薄膜最近的區(qū)域的透過率的差值為
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩膜板及其制作方法，該掩膜板，應(yīng)用于大尺寸接近式曝光機(jī)光學(xué)系統(tǒng)，該掩膜板包括多個區(qū)域，每個區(qū)域?yàn)橐匝谀ぐ宓闹行狞c(diǎn)為圓心且按照設(shè)定規(guī)則形成的區(qū)域，并且離掩膜板的中心點(diǎn)越近的區(qū)域，其對應(yīng)的透過率越高；離掩膜板的中心點(diǎn)越遠(yuǎn)的區(qū)域，其對應(yīng)的透過率越低。在本發(fā)明實(shí)施例中，在接近式曝光機(jī)光學(xué)系統(tǒng)曝光時，由于掩膜板上離掩膜板的中心點(diǎn)越近的區(qū)域，其對應(yīng)的透過率越高，這樣就使得這些區(qū)域的曝光量較高，可以相對彌補(bǔ)此區(qū)域的曝光間距較小對圖形尺寸的影響，從而提高曝光出的圖形尺寸的均一度。
文檔編號G03F1/62GK103019028SQ201210546650
公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月14日
發(fā)明者黎敏, 吳洪江, 姜晶晶, 張思凱, 萬冀豫 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司