光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的放置方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的放置方法，步驟包括：1）將所有光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記集成在掩膜上的圖形區(qū)域內(nèi)，和當(dāng)層的主圖形一起制成光刻版；2）算出各光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相對(duì)集成圖形中心的坐標(biāo)；3）根據(jù)晶格的大小，在晶圓上選擇多個(gè)特別區(qū)域用來放置集成圖形；4）用曝光機(jī)臺(tái)將光刻版上的集成圖形成像到晶圓中的特別區(qū)域；5）后層光刻時(shí)，平移上層的集成圖形進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。本發(fā)明將光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記集成后放置在晶圓上的幾個(gè)特別區(qū)域，利用shot的平移實(shí)現(xiàn)光刻對(duì)準(zhǔn)，該方法不受切割線大小的限制，因此解決了切割線尺寸變小后的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記放置問題。
【專利說明】光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的放置方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種針對(duì)50微米以下切割線放置光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)于小晶格(die)的產(chǎn)品，切割線(scribe line)變小可以極大地提高娃片的利用率。例如，8寸的硅片，對(duì)于1.5mmX 1.5mm的晶格，當(dāng)切割線寬80 μ m時(shí)，芯片占硅片面積為89.3% ;當(dāng)切割線寬20 μ m時(shí)，芯片占硅片面積為97.3%。切割線越小，硅片的利用率越高。
[0003]但是，目前使用切割線標(biāo)記進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)的光刻曝光機(jī)臺(tái)，例如Nikon光刻曝光機(jī)，在切割線的尺寸逐步變小時(shí)，⑶(Critical Dimension,關(guān)鍵尺寸)和OVL (Overlay,套準(zhǔn)精度)量測(cè)標(biāo)記雖然可以等比例變小，但是Nikon系統(tǒng)庫的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記很難等比例變小，這樣對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在切割線中的放置就變得越來越困難，如圖1所示，這限制了切割線尺寸的變小。
[0004]目前的解決方法有:方法1，使用更小的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，但這受到光刻機(jī)臺(tái)本身的限制；方法2，將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記放置在Cell area (單元面積)里面，但是這會(huì)影響芯片的設(shè)計(jì)，并且還會(huì)影響硅片的利用率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的放置方法，它可以解決切割線尺寸小于50微米時(shí)的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記放置問題。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的放置方法，步驟包括:
[0007]I)在掩膜上設(shè)計(jì)一個(gè)專門放置光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的圖形區(qū)域，將光刻所需的所有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記集成在一起，做成集成圖形，放置在該圖形區(qū)域內(nèi)，和當(dāng)層的主圖形一起制成光刻版；
[0008]2)算出各光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相對(duì)集成圖形中心的坐標(biāo)；
[0009]3)根據(jù)晶格的大小，在晶圓上選擇多個(gè)特別區(qū)域用來放置集成圖形；
[0010]4)用曝光機(jī)臺(tái)將光刻版上的集成圖形成像到晶圓中的特別區(qū)域；
[0011]5 )后層光刻時(shí)，平移上層的集成圖形進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。
[0012]本發(fā)明將光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記集成后放置在晶圓上的幾個(gè)特別區(qū)域，利用shot的平移實(shí)現(xiàn)光刻對(duì)準(zhǔn)的目的，由于特別區(qū)域的大小不受到切割線大小的限制，因此能夠很好地實(shí)現(xiàn)放置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的功能，從而解決 了切割線尺寸變小后，光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的放置問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1是晶圓上的切割線、晶格和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記不意圖。切割線的尺寸越小，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在切割線中的放置越困難。
[0014]圖2是掩膜上的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記集成圖形。
[0015]圖3是集成圖形在晶圓上的位置示意圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0016]為對(duì)本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效有更具體的了解，現(xiàn)結(jié)合圖示的實(shí)施方式，詳述如下:
[0017]本實(shí)施例放置光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的具體方法如下:
[0018]步驟I,首先,將光刻所需的search mark(尋找標(biāo)記)和EGA mark(精對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記)集成在掩膜上一個(gè)0.5mmX 0.5mm大小的空間內(nèi)，做成集成圖形，再加上0.3mm鉻保護(hù)區(qū)，和當(dāng)層的主圖形一起制成光刻版，如圖2所示。算出各光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相對(duì)集成圖形中心的坐標(biāo)。例如，search mark相對(duì)集成圖形中心的坐標(biāo)為(Xs, Ys)。
[0019]步驟2，根據(jù)晶格的大小，在晶圓上選擇5個(gè)長(zhǎng)度為shot (曝光塊)的長(zhǎng)度、寬度為nXD的特別區(qū)域，用來放置集成圖形。其中，D為晶格的尺寸，η為使nXD>0.5mm的最小整數(shù)。
[0020]步驟3，用曝光機(jī)臺(tái)將光刻版上的集成圖形成像到晶圓中的5個(gè)特別區(qū)域，如圖3所示。算出集成圖形中心相對(duì)shot的坐標(biāo)為(Xi，Yi)。
[0021]步驟4，后層光刻時(shí)，就利用上層放進(jìn)特別區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。由于上層所做的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記不在主shot當(dāng)中，需要算好坐標(biāo)做平移,例如，search mark坐標(biāo)的平行坐標(biāo)為(Xi+Xs，Yi+Ys-0.5XnXD-0.5X Ystot)，其中，Y.為曝光 shot 在 Y 方向的寬度。
[0022]該方法將光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記集成后放置在晶圓上的幾個(gè)特別區(qū)域，利用shot的平移，進(jìn)行光刻對(duì)準(zhǔn)。由于特別區(qū)域的大小不會(huì)受到切割線大小的限制，因此能夠很好地實(shí)現(xiàn)放置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的功能。雖然特別區(qū)域會(huì)浪費(fèi)一定的硅片利用率，例如，8寸的硅片，晶格尺寸
1.5mmX 1.5mm ,使用上述方法會(huì)損失0.53%的硅片面積利用率，但卻能增加7.5%的良率。
【權(quán)利要求】
1.光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的放置方法，其特征在于，步驟包括: 1)在掩膜上設(shè)計(jì)一個(gè)專門放置光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的圖形區(qū)域，將光刻所需的所有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記集成在一起，做成集成圖形，放置在該圖形區(qū)域內(nèi)，和當(dāng)層的主圖形一起制成光刻版； 2)算出各光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相對(duì)集成圖形中心的坐標(biāo)； 3) 根據(jù)晶格的大小，在晶圓上選擇多個(gè)特別區(qū)域用來放置集成圖形； 4)用曝光機(jī)臺(tái)將光刻版上的集成圖形成像到晶圓中的特別區(qū)域； 5)后層光刻時(shí)，平移上層的集成圖形進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述特別區(qū)域的長(zhǎng)度為曝光塊的長(zhǎng)度，寬度為nXD，其中，D為晶格的尺寸，n為使nXD大于所述圖形區(qū)域尺寸的最小整數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述特別區(qū)域有5個(gè)。
【文檔編號(hào)】G03F9/00GK103901740SQ201210567698
【公開日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2012年12月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月24日
【發(fā)明者】丁劉勝 申請(qǐng)人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司