專利名稱：低壓干燥預(yù)烘裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示領(lǐng)域，特別是涉及ー種用于顯示裝置光刻制造エ藝中的低壓干燥預(yù)烘裝置。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯不裝置(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT LCD)的制作エ藝中，光刻エ藝是重要的環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)光刻エ藝包括涂膠前的基板表面預(yù)處理步驟、涂覆(Coating)光刻膠(Photoresist, PR)、低壓干燥(Low Pressure Dry)、預(yù)烘(Pre-Bake)、曝光(Exposure)、顯影(Develop)以及硬烘(Hard-Bake)。其中 LPD 和Pre-Bake環(huán)節(jié)決定了 PR膠曝光前的溶劑(Solvent)含量，PR膠進(jìn)行曝光時(shí)所需的能量與PR膠中的溶劑含量有著密不可分的關(guān)系。溶劑的含量不同，則曝光時(shí)所需能量不同。在曝光設(shè)備無(wú)法針對(duì)TFT基板某些區(qū)域單獨(dú)調(diào)整曝光能量的情況下，對(duì)PR膠的顯影及硬烘完成 后，TFT圖案區(qū)(Pattern)的關(guān)鍵參數(shù)顯影關(guān)鍵尺寸(Development Inspection CriticalDimension, DICD)和曝光所采用的半色調(diào)掩膜版厚度(Halftone MASK Thickness)存在差異效應(yīng)(Loading effect),即基板的邊緣區(qū)域(Glass edge)和基板的中心區(qū)域(Glass Center)的圖形關(guān)鍵尺寸存在不一致,繼而影響最終關(guān)鍵尺寸(Final InspectionCritical Dimension,FI⑶)均一'丨生,導(dǎo)致產(chǎn)品出現(xiàn)顯示畫(huà)面不均的現(xiàn)象?，F(xiàn)有技術(shù)中的低壓干燥設(shè)備的結(jié)構(gòu)如圖I所示該設(shè)備中，下腔室(Down Chamber) 4’通過(guò)固定件I’進(jìn)行固定；下腔室4’上設(shè)置有用于放置基板的基臺(tái)6，基臺(tái)6的周圍，即對(duì)應(yīng)基板邊緣的位置設(shè)置有真空管(Vacuum Pipe)3’ ；上腔室2’對(duì)應(yīng)的設(shè)置在下腔室4’的上方，上腔室2’面向下腔室4’的表面上設(shè)置有升降梯(Lift Shaft) 8’，用于控制上腔室2’下移靠近下腔室4’。當(dāng)基板被送入低壓干燥設(shè)備之后，被放置在基臺(tái)6上，上腔室2’由升降梯8，帶動(dòng)與下腔室4’對(duì)合，形成密閉腔體，然后對(duì)基板上PR膠內(nèi)的溶劑進(jìn)行抽取。由于真空管3只分布在基板周圍區(qū)域，因此很容易發(fā)生抽溶劑不均勻，造成基板出現(xiàn)差異效應(yīng)，影響顯示品質(zhì)。另ー方面，在預(yù)烘エ藝中，為了提高生產(chǎn)節(jié)拍，通常設(shè)計(jì)為流動(dòng)式?；逶陬A(yù)烘設(shè)備中不停留，一邊運(yùn)行一邊預(yù)烘。這樣由于基板上溶劑分布的不均勻，預(yù)烘時(shí)的溫度不能對(duì)基板不同位置均勻預(yù)烘，更不能實(shí)現(xiàn)基板溫度實(shí)時(shí)控制，因此導(dǎo)致溶劑在基板不同部位的預(yù)烘效果不同，導(dǎo)致光刻膠厚度不均一，最終影響曝光后的FICD不均一，最終會(huì)使產(chǎn)品出現(xiàn)Mura (灰度不均)等顯示品質(zhì)的缺陷。

實(shí)用新型內(nèi)容(一 )要解決的技術(shù)問(wèn)題本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是如何實(shí)現(xiàn)基板上光刻膠厚度的均一性，以避免曝光后出現(xiàn)FI⑶不均一而影響產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。( ニ )技術(shù)方案為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種低壓干燥預(yù)烘裝置，包括上腔室，對(duì)應(yīng)的設(shè)置于所述上腔室下方的下腔室，所述下腔室上設(shè)置有基臺(tái)，其中，所述上腔室固定在外固定裝置上，所述上腔室面向下腔室的壁面上均勻設(shè)置有若干個(gè)真空管，所述下腔室的下方設(shè)置有升降梯。進(jìn)ー步地，所述基臺(tái)上均勻設(shè)置有若干個(gè)熱盤。進(jìn)ー步地，所述熱盤包括加熱件。進(jìn)ー步地，所述熱盤還包括溫度傳感器和加熱控制器。進(jìn)ー步地，所述加熱件包括電阻絲。進(jìn)ー步地，所述上腔室通過(guò)固定件固定在外固定裝置上。進(jìn)ー步地，所述升降梯的底端通過(guò)固定件固定在外固定裝置上。 (三)有益效果上述技術(shù)方案所提供的低壓干燥預(yù)烘裝置，通過(guò)均勻分布的真空管對(duì)面板進(jìn)行PR膠溶劑的均勻抽取，能夠避免由于溶劑含量的不均導(dǎo)致的差異效應(yīng)，能夠改善顯影關(guān)鍵尺寸，提高顯示品質(zhì)；同時(shí)由于在下腔室上設(shè)置了帶有溫度傳感器和加熱控制器的熱盤，實(shí)現(xiàn)了對(duì)面板的均勻預(yù)烘，以保證曝光后關(guān)鍵尺寸(FICD)的均一性，避免產(chǎn)品Mura現(xiàn)象的出現(xiàn)；更進(jìn)ー步地，由于真空管設(shè)置在固定的上腔室上，避免了來(lái)回的升降運(yùn)動(dòng)造成的真空管裝置的磨損。

圖I是現(xiàn)有技術(shù)低壓干燥裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型低壓干燥預(yù)烘裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；其中，1，1’ 固定件；2，2’ 上腔室；3，3’ 真空管；4，4’ 下腔室；5 :熱盤；6 :基臺(tái)；7 :溫度傳感器；8，8’ 升降梯；9 :加熱控制器。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)ー步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本實(shí)用新型，但不用來(lái)限制本實(shí)用新型的范圍。如圖2所示，為本實(shí)用新型實(shí)施例的低壓干燥預(yù)烘裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，包括上腔室2，通過(guò)設(shè)置在其四周邊框上的固定件I固定在外固定裝置(圖中未示出)上；下腔室4，對(duì)應(yīng)的設(shè)置在上腔室2的下方，下腔室4的下部固定有升降梯8，升降梯8的底端通過(guò)固定機(jī)構(gòu)固定在外固定裝置上，升降梯8用于將下腔室4頂起，使下腔室4將上腔室2蓋合,形成密閉腔室。上腔室2面向下腔室4的壁面上均勻設(shè)置有若干個(gè)真空管3，與真空管3連接的真空管道也固定在外固定裝置上；下腔室4面向上腔室2的壁面上設(shè)置有基臺(tái)6，基臺(tái)6用于放置基板(圖中未示出)；基臺(tái)6上均勻設(shè)置有若干個(gè)熱盤，每個(gè)熱盤包括加熱件(圖中未示出)，溫度傳感器7和加熱控制器9。其中加熱件可以為電阻絲等加熱設(shè)備；溫度傳感器7用于測(cè)量基板的溫度并反饋給加熱控制器9 ;加熱控制器9存儲(chǔ)有預(yù)設(shè)的溫度標(biāo)定值，其用于將溫度傳感器7反饋的溫度值和存儲(chǔ)的標(biāo)定值進(jìn)行比較，并根據(jù)比較結(jié)果控制加熱件是否加熱，以及是否加大加熱功率。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的低壓干燥裝置的工作原理簡(jiǎn)述如下當(dāng)將基板送入到基臺(tái)6上之后，升降梯8將下腔室4頂起，下腔室4與上腔室2對(duì)合，上腔室2上的真空管3對(duì)基板的PR膠進(jìn)行抽溶劑的操作。同時(shí)加熱控制器9控制開(kāi)啟加熱件對(duì)基板進(jìn)行加熱，溫度傳感器7實(shí)時(shí)測(cè)量其對(duì)應(yīng)位置的基板的溫度并將測(cè)得的溫度數(shù)據(jù)發(fā)送至加熱控制器9，加熱控制器9將接收到的溫度數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)的標(biāo)定值進(jìn)行比較，若當(dāng)前位置的基板溫度高于標(biāo)定值，則控制降低加熱件的加熱功率，使基板溫度降低；若當(dāng)前位置的基板溫度低于標(biāo)定值，則控制提高加熱件的加熱功率，使基板溫度升高。最終各個(gè)熱盤控制各自區(qū)域的溫度接近標(biāo)定值，則整個(gè)基板的溫度趨于一致。由于各個(gè)真空管3均勻分布在上腔室2上，當(dāng)基板進(jìn)入腔室后基板位于真空管3的正下方，均勻分布的真空管3能夠?qū)逯蠵R膠的溶劑進(jìn)行均勻抽取，從而提高了整個(gè) 面板上溶劑含量的均一性，在進(jìn)行預(yù)烘之后能夠進(jìn)一步提高基板上光刻膠厚度的一致性，從而保證曝光后基板上圖案區(qū)圖形的關(guān)鍵尺寸(FICD)具有良好的均一性，避免差異效應(yīng)的出現(xiàn)，保證了顯示品質(zhì)。同時(shí)，熱盤的設(shè)計(jì)使得在對(duì)基板抽取溶劑的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了對(duì)基板的預(yù)烘。而且由于設(shè)置溫度傳感器和加熱控制器對(duì)基板的溫度進(jìn)行反饋校正，因此保證了基板上各個(gè)區(qū)域溫度的一致，因此降低了各種波紋現(xiàn)象的產(chǎn)生率。以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種低壓干燥預(yù)烘裝置，包括，上腔室，對(duì)應(yīng)的設(shè)置于所述上腔室下方的下腔室，所述下腔室上設(shè)置有基臺(tái)，其特征在于，所述上腔室固定在外固定裝置上，所述上腔室面向下腔室的壁面上均勻設(shè)置有若干個(gè)真空管，所述下腔室的下方設(shè)置有升降梯。
2.如權(quán)利要求I所述的低壓干燥預(yù)烘裝置，其特征在于，所述基臺(tái)上均勻設(shè)置有若干個(gè)熱盤。
3.如權(quán)利要求2所述的低壓干燥預(yù)烘裝置，其特征在于，所述熱盤包括加熱件。
4.如權(quán)利要求3中所述的低壓干燥預(yù)烘裝置，其特征在于，所述熱盤還包括溫度傳感器和加熱控制器。
5.如權(quán)利要求3中所述的低壓干燥預(yù)烘裝置，其特征在于，所述加熱件包括電阻絲。
6.如權(quán)利要求I所述的低壓干燥預(yù)烘裝置，其特征在于，所述上腔室通過(guò)固定件固定在外固定裝置上。
7.如權(quán)利要求I所述的低壓干燥預(yù)烘裝置，其特征在于，所述升降梯的底端通過(guò)固定件固定在外固定裝置上。
專利摘要本實(shí)用新型涉及顯示裝置光刻制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種低壓干燥預(yù)烘裝置，包括，上腔室，對(duì)應(yīng)的設(shè)置于上腔室下方的下腔室，下腔室上設(shè)置有基臺(tái)，上腔室固定在外固定裝置上，上腔室面向下腔室的壁面上均勻設(shè)置有若干個(gè)真空管，下腔室的下方設(shè)置有升降梯。本裝置通過(guò)均勻分布的真空管對(duì)面板進(jìn)行PR膠溶劑的均勻抽取，能夠避免由于溶劑含量的不均導(dǎo)致的差異效應(yīng)，能夠改善顯影關(guān)鍵尺寸，提高顯示品質(zhì)；同時(shí)由于在下腔室上設(shè)置了帶有溫度傳感器和加熱控制器的熱盤，實(shí)現(xiàn)了對(duì)面板的均勻預(yù)烘，避免了波紋現(xiàn)象的出現(xiàn)；由于真空管設(shè)置在固定的上腔室上，避免了來(lái)回的升降運(yùn)動(dòng)造成的真空管裝置磨損。
文檔編號(hào)G03F7/16GK202453649SQ20122008861
公開(kāi)日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2012年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月9日
發(fā)明者楊成紹, 白明基, 黃寅虎 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司