專利名稱：接近式曝光掩膜板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示領(lǐng)域，特別是指一種接近式曝光掩膜板。
背景技術(shù)：
隨著液晶顯示技術(shù)的發(fā)展，大尺寸，高品質(zhì)，低成本成為未來(lái)發(fā)發(fā)展方向。彩色濾光片作為 TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器)顯示器件的主要組成部件，其品質(zhì)直接決定著液晶顯示器件的顯示效果。目前，隨著對(duì)大尺寸的追求，TFT-IXD制造不斷向高世代發(fā)展。玻璃基板制作時(shí)需要的掩膜板也隨之增大，掩膜板的彎曲問(wèn)題越來(lái)越明顯?，F(xiàn)有技術(shù)中的接近式曝光掩膜板如圖I所示，掩膜板2各個(gè)位置的圖形4的形狀、尺寸均相同，彩色濾光片制作中采用接近式曝光方式，掩膜板2與玻璃基板之間的距離在一百微米至數(shù)百微米以內(nèi)。如圖2所示，掩膜板2的彎曲將導(dǎo)致曝光平面傾斜，掩膜板2上的圖形4將發(fā)生扭曲；同時(shí)也將造成掩膜板2上不同位置與玻璃基板I的間距不同中間部分的曝光間距G2小于邊緣部分的曝光間距Gl (圖2中G2 < Gl);由于曝光時(shí)受衍射角、光線平行度等因素的影響，玻璃基板I上的圖形尺寸(CD)與曝光間距(Gap)密切相關(guān)，如圖3所示為圖形尺寸⑶與曝光間距Gap之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，圖形尺寸⑶與曝光間距成正比。因此掩膜板2彎曲將導(dǎo)致玻璃基板I上中間部分的圖形的尺寸CD2小于邊緣部分的圖形尺寸⑶I (圖2中⑶2 <⑶I)，影響了液晶顯示面板的顯示品質(zhì)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種接近式曝光掩膜板，能夠解決因掩膜板彎曲造成的玻璃基板上圖形尺寸不均一的問(wèn)題，從而改善液晶顯示面板的顯示品質(zhì)。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下一方面，提供一種接近式曝光掩膜板，用以對(duì)彩色濾光片進(jìn)行接近式曝光，從所述掩膜板的邊緣到所述掩膜板的中心，掩膜板上圖形的尺寸逐漸增大。其中，所述掩膜板上圖形為開(kāi)口，可透光。進(jìn)一步地，所述掩膜板上的圖形為對(duì)設(shè)定圖形上的各點(diǎn)在延長(zhǎng)線方向上進(jìn)行尺寸補(bǔ)償后得到的圖形，延長(zhǎng)線為該設(shè)定圖形的中心點(diǎn)與該各點(diǎn)之間的連線，設(shè)定圖形為假定掩膜板不出現(xiàn)彎曲時(shí)的圖形。進(jìn)一步地，所述掩膜板上圖形上的點(diǎn)在尺寸補(bǔ)償后距圖形的中心點(diǎn)的距離為L(zhǎng)2，則L2 = Ll+ACDMask，其中ACDilask為尺寸補(bǔ)償量，LI為設(shè)定圖形中與該點(diǎn)對(duì)應(yīng)的點(diǎn)到設(shè)定圖形中心點(diǎn)的距離。進(jìn)一步地，尺寸補(bǔ)償量ACDilask由設(shè)定圖形的尺寸、設(shè)定的曝光間距和曝光間距變化量決定，
0011]尺寸補(bǔ)償量
權(quán)利要求1.一種接近式曝光掩膜板，其特征在于，從所述掩膜板的邊緣到所述掩膜板的中心，所述掩膜板上圖形的尺寸逐漸增大。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的接近式曝光掩膜板，其特征在于，所述掩膜板上圖形上的點(diǎn)在尺寸補(bǔ)償后距圖形的中心點(diǎn)的距離為L(zhǎng)2，則L2 =Ll+ACDMask，其中ACDilask為尺寸補(bǔ)償量，LI為設(shè)定圖形中與該點(diǎn)對(duì)應(yīng)的點(diǎn)到設(shè)定圖形中心點(diǎn)的距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的接近式曝光掩膜板，其特征在于，X //y尺寸補(bǔ)償量AeDMaSk = l+ytx(/Zo_AA)XCDMaSk°，其中，CDilaskci為設(shè)定圖形上對(duì)應(yīng)點(diǎn)到設(shè)定圖形中心點(diǎn)的距離Λ為設(shè)定的曝光間距，Ah為掩膜板彎曲引起的曝光間距變化量，k為常數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的接近式曝光掩膜板，其特征在于，曝光間距變化量其中，I為掩膜板上的點(diǎn)距掩膜板中心點(diǎn)的距離，L為該點(diǎn)與該中心點(diǎn)連線上該中心點(diǎn)距掩膜板邊緣的距離，H為掩膜板的最大曝光間距變化量，η為形變指數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的接近式曝光掩膜板，其特征在于，所述掩膜板由不透光材料制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的接近式曝光掩膜板，其特征在于，所述不透光材料包括金屬。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種接近式曝光掩膜板，屬于顯示領(lǐng)域。其中，該接近式曝光掩膜板，用以對(duì)彩色濾光片進(jìn)行接近式曝光，從所述掩膜板的邊緣到所述掩膜板的中心，掩膜板上圖形的尺寸逐漸增大。本實(shí)用新型的技術(shù)方案能夠解決因掩膜板彎曲造成的玻璃基板上圖形尺寸不均一的問(wèn)題，從而改善液晶顯示面板的顯示品質(zhì)。
文檔編號(hào)G03F1/50GK202735676SQ20122016132
公開(kāi)日2013年2月13日 申請(qǐng)日期2012年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月16日
發(fā)明者黎敏, 吳洪江, 張繼凱, 王聳 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司