專利名稱：一種陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及顯示器領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)的周邊通常會布置有周邊電路、封條(Seal)、無效黑矩陣(Dummy Black Matrix,Dummy BM)等等,其中，所述BM主要用于遮擋LCD上像素電極之外區(qū)域光線的透過；而0111111117BM是指位于彩膜基板上的IXD周邊的BM，其中，所述IXD周邊是指Dummy區(qū)域，如非顯示區(qū)域。通常Dummy BM會比彩膜薄,這樣便會造成Dummy區(qū)域?qū)?yīng)的陣列基板和彩膜基板 之間的間距大于顯示區(qū)域的間距，進而會造成多余的液晶選擇向周邊阻力較小的Dummy區(qū)域流動，使得較多液晶在LCD邊緣聚集，造成液晶顯示器顯示不均勻(Mura)的問題；而且，在陣列基板的Pad區(qū)，如圖I所示，柵極線引線2上設(shè)置有柵絕緣(GI)層3、鈍化(PVX)層4，但是相鄰的柵極線引線2之間仍然存在較大的薄膜斷差，由于該斷差會進一步加重液晶的聚集，如此，Mura的問題更為嚴重。

實用新型內(nèi)容有鑒于此，本實用新型的主要目的在于提供一種陣列基板及顯示裝置，能夠消除陣列基板的Mura問題。為達到上述目的，本實用新型的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域周邊的非顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包括金屬引線，所述金屬引線之間設(shè)置有第一黑矩陣BM。其中，所述金屬引線為柵極線引線。其中，所述金屬引線為數(shù)據(jù)線引線。其中，所述第一 BM的厚度與所述金屬引線的厚度相同。進一步地，所述顯示區(qū)域包括柵極線、與所述柵極線交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管TFT ;其中，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線圍設(shè)形成像素區(qū)域，緊鄰所述柵極線和/或所述數(shù)據(jù)線設(shè)置有第二 BM。進一步地，所述TFT區(qū)域的上方或者下方設(shè)置有第二 BM。進一步地，所述第二 BM和所述像素區(qū)域不相互重疊。一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如上所述的陣列基板。本實用新型通過在非顯示區(qū)域的金屬引線之間設(shè)置BM，能夠有效地避免甚至消除由于斷差產(chǎn)生的各種Mura,以及在液晶取向工藝(Rubbing)中由于陣列基板的Pad區(qū)的測試點(Test Pad)放置而產(chǎn)生的Rubbing Mura問題。
圖I為現(xiàn)有的陣列基板Pad區(qū)的柵極線引線結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實用新型陣列基板pad區(qū)金屬引線部分的俯視圖；圖3為本實用新型陣列基板Pad區(qū)的金屬引線結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標記說明I-玻璃基板；2_柵極線引線；3_GI層；4-PVX層；5-金屬引線；6_BM。
具體實施方式
·本實用新型提供一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域周邊的非顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包括金屬引線，所述金屬引線之間設(shè)置有第一黑矩陣BM6。為使本實用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下舉實施例并參照附圖，對本實用新型進一步詳細說明。目前傳統(tǒng)的制造工藝是將BM、彩膜(CF)、隔墊物(PS)做在彩膜基板上；柵極線、數(shù)據(jù)線、金屬電極等做在陣列基板上，本實用新型則是將彩膜基板上的BM做在陣列基板上，如此并不需要增加工藝過程中的總掩膜板的數(shù)量。本實用新型既可以適用于邊緣場開關(guān)顯示技術(shù)(FFS)產(chǎn)品，還可以適用于扭轉(zhuǎn)型(Twist Nematic, TN)產(chǎn)品，鑒于FFS產(chǎn)品對于Rubbing更敏感，更容易由于斷差的問題導(dǎo)致Mura產(chǎn)生，因此,下面以FFS產(chǎn)品工藝為例進行具體工藝說明，F(xiàn)FS產(chǎn)品的工藝包括以下步驟步驟I、按照傳統(tǒng)BM的設(shè)計要求先在陣列基板上形成一層BM花樣，同時BM的厚度與陣列基板的非顯示區(qū)域的金屬引線的厚度盡量相當；步驟2、進行柵金屬掩膜與傳統(tǒng)工藝相同，在陣列基板上沉積柵金屬薄膜；添加的BM掩膜(Mask)填補了原有工藝中陣列基板pad區(qū)柵極線引線之間的空隙；步驟3、有源層Mask :與傳統(tǒng)工藝相同，在陣列基板上沉積有源層；步驟4、沉積有源層后進行第一次氧化銦錫(ITO)Mask形成公共電極，然后依次形成數(shù)據(jù)線，絕緣層；這里，添加的BM掩膜(Mask)填補了原有工藝中陣列基板pad區(qū)數(shù)據(jù)線引線之間的空隙；步驟5、第二次ITO Mask :與傳統(tǒng)工藝一致，最后沉積ITO像素電極。通過上述工藝，可以消除斷差的影響，有效地避免甚至消除由于斷差產(chǎn)生的各種Mura,以及Rubbing中由于陣列基板的Pad區(qū)的Test Pad放置而產(chǎn)生的Rubbing Mura等影響。圖2為根據(jù)上述工藝步驟得到的本實用新型陣列基板pad區(qū)金屬引線部分的俯視圖，所述陣列基板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域周邊的非顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包括金屬引線5，如圖2所示，所述非顯示區(qū)域的金屬引線5之間設(shè)置有第一黑矩陣BM 6。具體可以參考圖3，圖3示出了本實用新型陣列基板Pad區(qū)的金屬引線結(jié)構(gòu)，由圖3可知，所述BM的厚度與柵極線引線2的厚度相同。進一步地，所述BM 6的形狀與所述柵極線之間空隙的形狀相同。進一步地，所述金屬引線5具體可以為柵極線引線或數(shù)據(jù)線引線。進一步地，所述BM 6的厚度與所述金屬引線5的厚度相同。進一步地，所述陣列基板的顯示區(qū)域包括柵極線、與所述柵極線交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管(TFT);其中，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線圍設(shè)形成像素區(qū)域，緊鄰所述柵極線和/或所述數(shù)據(jù)線還可以設(shè)置第二黑矩陣BM。將黑矩陣設(shè)置在陣列基板上，相比較設(shè)置在彩膜基板上，提高了對位精度。進一步地，所述TFT區(qū)域的上方或者下方可以進一步設(shè)置有BM。其中，所述BM和所述像素區(qū)域不相互重疊。本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置，其包括上述任意一種陣列基板，所述顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平 板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。本實用新型通過在非顯示區(qū)域的金屬引線之間設(shè)置BM，能夠有效地避免甚至消除由于斷差產(chǎn)生的各種Mura,以及Rubbing中由于陣列基板的Pad區(qū)的Test Pad放置而產(chǎn)生的Rubbing Mura;并且由于BM位于陣列基板，可以不用考慮對位精度的影響，而只考慮各層之間的覆蓋(Overlay)精度影響,通常來說目前對位精度±6. 5um, Overlay精度為±1. 5um，如此能夠有效地提高TFT的開口率。以上所述，僅為本實用新型的較佳實施例而已，并非用于限定本實用新型的保護范圍。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域周邊的非顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包括金屬引線，其特征在于，所述金屬引線之間設(shè)置有第一黑矩陣BM。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬引線為柵極線引線。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬引線為數(shù)據(jù)線引線。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述第一BM的厚度與所述金屬引線的厚度相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述顯示區(qū)域包括柵極線、與所述柵極線交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管TFT;其中， 所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線圍設(shè)形成像素區(qū)域，緊鄰所述柵極線和/或所述數(shù)據(jù)線設(shè)置有第二 BM。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述TFT區(qū)域的上方或者下方設(shè)置有第二 BM。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第二BM和所述像素區(qū)域不相互重疊。
8.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求I至7任一項所述的陣列基板。
專利摘要本實用新型提供了一種陣列基板及顯示裝置，所述陣列基板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域周邊的非顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包括金屬引線，所述金屬引線之間設(shè)置有第一BM。本實用新型通過在非顯示區(qū)域的金屬引線之間設(shè)置BM，能夠有效地避免甚至消除由于斷差產(chǎn)生的各種Mura，以及在液晶取向工藝(Rubbing)中由于陣列基板的Pad區(qū)的Test Pad放置而產(chǎn)生的Rubbing Mura問題。
文檔編號G02F1/1362GK202794786SQ201220356480
公開日2013年3月13日 申請日期2012年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月20日
發(fā)明者許睿 申請人:北京京東方光電科技有限公司