專利名稱：一種陣列基板和一種顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及薄膜晶體管液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板和一種顯示裝置。
背景技術(shù)：
在平板顯示裝置中，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display,簡(jiǎn)稱TFT-IXD)具有體積小、功耗低、制造成本相對(duì)較低和無(wú)福射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。目前，TFT-LCD的顯示模式主要有TN (Twisted Nematic,扭曲向列)模式、VA(Vertical Alignment,垂直取向)模式、IPS (In-Plane-Switching,平面方向轉(zhuǎn)換)模式和 AD-SDS (ADvanced Super Dimension Switch,高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù),簡(jiǎn)稱ADS)模式等。其中，基于ADS模式的顯示器通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-IXD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無(wú)擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。如圖I所示，以現(xiàn)有的ADS模式的TFT-IXD陣列基板為例，其結(jié)構(gòu)包括玻璃基板10、依次形成于玻璃基板10之上的柵線層(包括柵極11 )，柵極絕緣層12，有源層13，數(shù)據(jù)線層(包括源極14、漏極15)，第一鈍化層16，像素電極17 (即板狀電極)，第二鈍化層18和公共電極19 (即狹縫電極)，其中，像素電極17穿過第一鈍化層16上的過孔21與漏極15連接。在現(xiàn)有技術(shù)中，形成第一鈍化層上的過孔通常包括如下步驟在第一鈍化層上涂覆光刻膠；對(duì)涂覆光刻膠后的基板進(jìn)行曝光、顯影，去除過孔位置的光刻膠(過孔位置以外的光刻膠形成刻蝕保護(hù)掩模)；對(duì)過孔位置進(jìn)行刻蝕，形成過孔；對(duì)基板上殘留的光刻膠進(jìn)行剝離?，F(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷在于，由于第一鈍化層的厚度較薄(通常在f 3微米之間)，圖中的厚度僅是為了方便作圖，示意性的厚度，在對(duì)過孔位置進(jìn)行刻蝕時(shí)，生產(chǎn)工藝較難控制，極易刻蝕掉過孔下方的部分或全部金屬，造成過度刻蝕，最終導(dǎo)致產(chǎn)品缺陷。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種陣列基板和一種顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的過孔刻蝕工藝較難控制，易造成過度刻蝕，導(dǎo)致產(chǎn)品缺陷的技術(shù)問題。本實(shí)用新型陣列基板，包括包含多條數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線層，位于所述數(shù)據(jù)線層之上、包含多個(gè)導(dǎo)電阻擋部的導(dǎo)電阻擋層，位于所述導(dǎo)電阻擋層之上的鈍化層，以及位于所述鈍化層之上的透明導(dǎo)電層，其中，在每一條數(shù)據(jù)線的上方所述鈍化層上設(shè)置有過孔；[0011]所述導(dǎo)電阻擋部位于過孔下方，并與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線接觸；所述透明導(dǎo)電層通過過孔與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電阻擋部連接。優(yōu)選的，所述鈍化層材質(zhì)為非感光型樹脂。優(yōu)選的，所述導(dǎo)電阻擋部與透明導(dǎo)電層材質(zhì)相同。較佳的，所述導(dǎo)電阻擋部材質(zhì)為氧化銦錫。優(yōu)選的，在每一條數(shù)據(jù)線的上方，所述導(dǎo)電阻擋部覆蓋對(duì)應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線。較佳的，所述數(shù)據(jù)線包括源極和漏極，所述導(dǎo)電阻擋部覆蓋對(duì)應(yīng)的所述漏極。本實(shí)用新型顯示裝置，包括前述任一技術(shù)方案所述的陣列基板。在本實(shí)用新型陣列基板中，由于所述導(dǎo)電阻擋部位于過孔下方，并與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)·線接觸，因此，當(dāng)對(duì)鈍化層進(jìn)行刻蝕形成過孔時(shí)，導(dǎo)電阻擋部可有效保護(hù)數(shù)據(jù)線層金屬不被刻蝕掉，大大提高了產(chǎn)品的合格率。
圖I為現(xiàn)有ADS模式的TFT-IXD陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型陣列基板第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型陣列基板第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為制造本實(shí)用新型陣列基板的方法流程示意圖。附圖標(biāo)記10-玻璃基板 11-柵極12-柵極絕緣層 13-有源層14-源極15-漏極16-第一鈍化層 17-像素電極18-第二鈍化層 19-公共電極20-透明基板 30-導(dǎo)電阻擋部21-過孔22-數(shù)據(jù)線23-鈍化層24-透明導(dǎo)電層25-第二透明導(dǎo)電層
具體實(shí)施方式
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的過孔刻蝕工藝較難控制，易造成過度刻蝕，導(dǎo)致產(chǎn)品缺陷的技術(shù)問題，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板和一種顯示裝置。如圖2所示，本實(shí)用新型陣列基板，包括包含多條數(shù)據(jù)線22的數(shù)據(jù)線層，位于所述數(shù)據(jù)線層之上、包含多個(gè)導(dǎo)電阻擋部30的導(dǎo)電阻擋層，位于所述導(dǎo)電阻擋層之上的鈍化層23，以及位于所述鈍化層23之上的透明導(dǎo)電層24，其中，在每一條數(shù)據(jù)線22的上方所述鈍化層23上設(shè)置有過孔21 ；所述導(dǎo)電阻擋部30位于過孔21下方，并與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線22接觸；所述透明導(dǎo)電層24通過過孔21 (即部分沉積入過孔21)與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電阻擋部30連接。在本實(shí)用新型實(shí)施例中，所述數(shù)據(jù)線層指多條數(shù)據(jù)線構(gòu)成的層結(jié)構(gòu)，在陣列基板的每一個(gè)像素單元內(nèi)，所述數(shù)據(jù)線22包括源極14和漏極15，即數(shù)據(jù)線22和源極14和漏極15為一體結(jié)構(gòu)。數(shù)據(jù)線層的材質(zhì)可以為鋁釹合金(AINd)、鋁(Al)、銅(Cu)、鑰(Mo)、鑰鎢合金(MoW)或鉻(Cr)的單層膜，也可以為這些金屬材料任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。所述陣列基板包括透明基板20，在透明基板20之上，可進(jìn)一步包括柵線層、柵極絕緣層12、有源層13等。所述陣列基板可以為頂柵型，也可以為底柵型，如圖2所示的底柵型陣列基板，其結(jié)構(gòu)具體為柵線層(柵線層的柵線在每一個(gè)像素單元內(nèi)包括柵極11)形成于透明基板20之上，柵極絕緣層12形成于柵線層之上，有源層13形成于柵極絕緣層12之上，數(shù)據(jù)線層形成于有源層13之上，導(dǎo)電阻擋層形成于數(shù)據(jù)線層之上(具體的，導(dǎo)電阻擋部30形成于漏極15之上)，鈍化層23覆蓋整個(gè)基板并在導(dǎo)電阻擋部30的上方形成有過孔21，透明導(dǎo)電層24部分沉積入過孔21與導(dǎo)電阻擋部30連接，進(jìn)而與漏極15可導(dǎo)電連接。本實(shí)用新型所述過孔并不局限于圖2所示的位置，在基板周邊的信 號(hào)引導(dǎo)區(qū)，同樣需要在鈍化層上刻蝕過孔，此時(shí)，位于該區(qū)域的導(dǎo)電阻擋部可有效保護(hù)數(shù)據(jù)線金屬不被刻蝕掉。本實(shí)用新型所述陣列基板可以為TN模式、VA模式、IPS模式或ADS模式等。請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D2所示，ADS模式的陣列基板還進(jìn)一步包括形成于透明導(dǎo)電層24上的第二鈍化層18 (此時(shí)本實(shí)用新型所述鈍化層23為第一鈍化層)，及形成于第二鈍化層18上的狹縫狀的第二透明導(dǎo)電層25 (此時(shí)本實(shí)用新型所述透明導(dǎo)電層24為第一透明導(dǎo)電層);其中，第一透明導(dǎo)電層可以為像素電極，則第二透明導(dǎo)電層為公共電極；還可以是，第一透明導(dǎo)電層為公共電極，則第二透明導(dǎo)電層為像素電極。在本實(shí)用新型陣列基板中，由于所述導(dǎo)電阻擋部位于過孔下方，并與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線接觸，因此，當(dāng)對(duì)鈍化層進(jìn)行刻蝕形成過孔時(shí)，導(dǎo)電阻擋部可有效保護(hù)數(shù)據(jù)線層金屬不被刻蝕掉，大大提高了產(chǎn)品的合格率。優(yōu)選的，所述鈍化層23材質(zhì)為非感光型樹脂。與感光型樹脂相比，非感光型樹脂具有如下優(yōu)點(diǎn)非感光型樹脂材料的介電常數(shù)約為3.0，低于感光型樹脂材料的介電常數(shù)(約為4. O);非感光型樹脂材料的透過率接近100%，遠(yuǎn)高于感光型樹脂材料的透過率(約為93%);非感光型樹脂材料的固化溫度更高，約為400度，且氣體逸出幾乎為零，而感光型樹脂材料的固化溫度只能在230度左右，在后續(xù)生產(chǎn)工藝過程中，容易產(chǎn)生氣體逸出，影響產(chǎn)品品質(zhì)。所述導(dǎo)電阻擋部30優(yōu)選與透明導(dǎo)電層24采用同一材質(zhì)，如具體可以為氧化銦錫，氧化銦錫具有良好的透過率和導(dǎo)電性能，并且，在陣列基板加工過程中，在對(duì)鈍化層的過孔位置進(jìn)行干法刻蝕時(shí)，氧化銦錫不易與刻蝕氣體發(fā)生反應(yīng)，可有效保護(hù)數(shù)據(jù)線金屬不被刻蝕掉。優(yōu)選在每一條數(shù)據(jù)線22的上方，所述導(dǎo)電阻擋部30覆蓋對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線22。如圖2所示的實(shí)施例，所述導(dǎo)電阻擋部30覆蓋所述數(shù)據(jù)線22，即導(dǎo)電阻擋部30的圖案與數(shù)據(jù)線22的圖案完全重疊，此結(jié)構(gòu)的陣列基板在加工時(shí)，在依次沉積數(shù)據(jù)線層金屬和導(dǎo)電阻擋層金屬之后，只需經(jīng)一次掩模構(gòu)圖工藝即可形成數(shù)據(jù)線層22和導(dǎo)電阻擋層30，因此，這也是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例；如圖3所示，本實(shí)用新型另外的實(shí)施例還可以是，所述導(dǎo)電阻擋部30只設(shè)置在數(shù)據(jù)線22之上與過孔21對(duì)應(yīng)的位置，此外，導(dǎo)電阻擋部也可以覆蓋對(duì)應(yīng)的整個(gè)漏極，這些結(jié)構(gòu)的陣列基板在加工時(shí)則需要經(jīng)兩次掩模構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線層22和導(dǎo)電阻擋層30。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，其包括上述任意一種陣列基板，所述顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。如圖4所示實(shí)施例，制造本實(shí)用新型陣列基板的方法，包括步驟101、形成包含多條數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線層和導(dǎo)電阻擋層，所述導(dǎo)電阻擋層包含位于每一條數(shù)據(jù)線之上的導(dǎo)電阻擋部；步驟102、形成位于導(dǎo)電阻擋層之上的鈍化層，并通過掩模構(gòu)圖工藝在鈍化層上形成位于導(dǎo)電阻擋部上方的過孔； 步驟103、形成位于鈍化層之上的透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層通過所述過孔與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電阻擋部連接。·優(yōu)選的，所述鈍化層材質(zhì)為非感光型樹脂；所述導(dǎo)電阻擋部與透明導(dǎo)電層材質(zhì)相同。優(yōu)選的，所述導(dǎo)電阻擋部材質(zhì)為氧化銦錫。作為優(yōu)選方案，所述形成包含多條數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線層和導(dǎo)電阻擋層，包括依次在基板上沉積數(shù)據(jù)線層金屬和導(dǎo)電阻擋層金屬，通過一次掩模構(gòu)圖工藝形成多條數(shù)據(jù)線及覆蓋每一條數(shù)據(jù)線的多個(gè)導(dǎo)電阻擋部。其中，所述通過掩模構(gòu)圖工藝在鈍化層上形成位于導(dǎo)電阻擋部上方的過孔，包括對(duì)鈍化層進(jìn)行干法刻蝕，形成位于導(dǎo)電阻擋部上方的過孔。其中，所述干法刻蝕所采用的氣體，包括六氟化硫、四氟化炭、氧氣和氦氣中的至少一種氣體，這類氣體可以較快速的刻蝕掉過孔位置的鈍化層。圖2中所示實(shí)施例的陣列基板，其主要制作工藝流程如下在透明基板上沉積柵金屬，通過第一次掩模構(gòu)圖工藝(掩模構(gòu)圖工藝通常包括清洗、成膜、涂布、曝光、顯影、干刻或濕刻、光刻膠剝離等工序)形成柵線層；在完成以上步驟的基板上沉積柵極絕緣層；在完成以上步驟的基板上沉積有源層薄膜，通過第二次掩模構(gòu)圖工藝形成有源層；在完成以上步驟的基板上依次沉積數(shù)據(jù)線層金屬(材質(zhì)為鑰)和導(dǎo)電阻擋層金屬(材質(zhì)為氧化銦錫)，通過第三次掩模構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線層及導(dǎo)電阻擋層；在完成以上步驟的基板上沉積鈍化層，通過第四次掩模構(gòu)圖工藝形成位于導(dǎo)電阻擋部上方的過孔；該步驟中，對(duì)鈍化層的過孔位置進(jìn)行干法刻蝕所采用的氣體包括六氟化硫、四氟化炭、氧氣和氦氣中的至少一種氣體；在完成以上步驟的基板上沉積透明導(dǎo)電層金屬，通過第五次掩模構(gòu)圖工藝形成透明導(dǎo)電層，該透明導(dǎo)電層沉積入過孔與導(dǎo)電阻擋部連接；在完成以上步驟的基板上沉積第二鈍化層；在完成以上步驟的基板上沉積透明導(dǎo)電層金屬，通過第六次掩模構(gòu)圖工藝形成狹縫狀的第二透明導(dǎo)電層?？梢姡诘谒拇窝谀?gòu)圖工藝中，在對(duì)鈍化層的過孔位置進(jìn)行干法刻蝕時(shí)，位于過孔位置下方的導(dǎo)電阻擋部可有效保護(hù)數(shù)據(jù)線金屬不被刻蝕掉，大大提高了產(chǎn)品的合格率，此外，也大大提高了生產(chǎn)工藝可控性。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)?！?br>
權(quán)利要求1.一種陣列基板，其特征在于，包括包含多條數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線層，位于所述數(shù)據(jù)線層之上、包含多個(gè)導(dǎo)電阻擋部的導(dǎo)電阻擋層，位于所述導(dǎo)電阻擋層之上的鈍化層，以及位于所述鈍化層之上的透明導(dǎo)電層，其中，在每一條數(shù)據(jù)線的上方 所述鈍化層上設(shè)置有過孔； 所述導(dǎo)電阻擋部位于過孔下方，并與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線接觸； 所述透明導(dǎo)電層通過過孔與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電阻擋部連接。
2.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述鈍化層材質(zhì)為非感光型樹脂。
3.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電阻擋部與透明導(dǎo)電層材質(zhì)相同。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電阻擋部材質(zhì)為氧化銦錫。
5.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，在每一條數(shù)據(jù)線的上方，所述導(dǎo)電阻擋部覆蓋對(duì)應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線。
6.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線包括源極和漏極，所述導(dǎo)電阻擋部覆蓋對(duì)應(yīng)的所述漏極。
7.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1飛中任一項(xiàng)所述的陣列基板。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種陣列基板和一種顯示裝置，所述陣列基板，包括包含多條數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線層，位于所述數(shù)據(jù)線層之上、包含多個(gè)導(dǎo)電阻擋部的導(dǎo)電阻擋層，位于所述導(dǎo)電阻擋層之上的鈍化層，以及位于所述鈍化層之上的透明導(dǎo)電層，其中，在每一條數(shù)據(jù)線的上方所述鈍化層上設(shè)置有過孔；所述導(dǎo)電阻擋部位于過孔下方，并與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線接觸；所述透明導(dǎo)電層通過過孔與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電阻擋部連接。采用本實(shí)用新型技術(shù)方案，當(dāng)對(duì)鈍化層進(jìn)行刻蝕形成過孔時(shí)，導(dǎo)電阻擋部可有效保護(hù)數(shù)據(jù)線金屬不被刻蝕掉，大大提高了產(chǎn)品的合格率。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK202712184SQ201220364218
公開日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2012年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月25日
發(fā)明者謝振宇 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司