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水平電場(chǎng)模式液晶顯示面板、顯示裝置的制作方法

文檔序號(hào):2801355閱讀:235來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:水平電場(chǎng)模式液晶顯示面板、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及液晶顯示領(lǐng)域,特別是指一種水平電場(chǎng)模式液晶顯示面板、顯示
裝置
背景技術(shù)
薄膜晶體管-液晶顯示器(TFT-1XD)因其畫面品質(zhì)高、功耗低、輻射小、輕薄便攜等優(yōu)點(diǎn)已廣泛應(yīng)用于3D電視、筆記本電腦、iPad、數(shù)碼相機(jī)、iPhone等電子產(chǎn)品,而液晶顯示面板又是整個(gè)液晶顯示器最為核心的部件。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種ADS(Advanced DomainSwitch,ADS)液晶顯示面板的局部剖視圖,如圖1所示,該液晶顯示面板包括彩膜基板101、陣列基板102、液晶層103、封框膠104、黑矩陣105、彩色濾光單元106、薄膜晶體管107、印刷電路板108、隔墊物109和彩膜基板背面防靜電IT0110?,F(xiàn)有技術(shù)水平電場(chǎng)模式的液晶顯示面板,是通過(guò)涂敷導(dǎo)電銀膠將彩膜基板背面防靜電IT0110與設(shè)置在陣列基板102上的接地PIN相連,從而達(dá)到防止靜電的效果。當(dāng)導(dǎo)電銀膠漏涂敷或涂敷狀態(tài)不好時(shí),會(huì)出現(xiàn)彩膜基板背面IT0110接地不良,靜電就會(huì)在液晶顯示面板表面積累而形成靜電場(chǎng)。液晶顯示面板內(nèi)的液晶電場(chǎng)易受到靜電場(chǎng)的影響,液晶分子103在液晶顯示面板內(nèi)的排列也就會(huì)受到影響而出現(xiàn)像素漏光,基于人眼對(duì)綠色光最敏感,因此易出現(xiàn)黑畫面發(fā)綠而影響畫面品質(zhì)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種水平電場(chǎng)模式液晶顯示面板、顯示裝置,能夠提高水平電場(chǎng)模式液晶顯示面板的抗靜電能力。為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下:一方面,提供一種水平電場(chǎng)模式液晶顯示面板,包括彩膜基板和陣列基板,所述彩膜基板上設(shè)置有透明導(dǎo)電層,所述透明導(dǎo)電層通過(guò)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述陣列基板上的接地點(diǎn)連接。進(jìn)一步地,上述方案中,所述彩膜基板包括形成在基板上的黑矩陣圖形,所述透明導(dǎo)電層位于所述基板與所述黑矩陣圖形之間。進(jìn)一步地,上述方案中,所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在所述彩膜基板上的導(dǎo)電凸塊。進(jìn)一步地,上述方案中,所述導(dǎo)電凸塊在彩膜基板上的位置與陣列基板上接地點(diǎn)的位置相對(duì)應(yīng),所述導(dǎo)電凸塊與所述接地點(diǎn)直接連接。進(jìn)一步地,上述方案中,所述陣列基板上設(shè)置有連接所述導(dǎo)電凸塊和所述接地點(diǎn)的接地線。 進(jìn)一步地,上述方案中,所述接地線經(jīng)由驅(qū)動(dòng)電路連至印刷電路板上的接地點(diǎn)。進(jìn)一步地,上述方案中,所述導(dǎo)電凸塊設(shè)置在液晶顯示面板的顯示區(qū)域之外。進(jìn)一步地,上述方案中,所述導(dǎo)電凸塊設(shè)置在液晶顯示面板的邊角區(qū)域。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置,包括如上所述的水平電場(chǎng)模式液晶顯示面板。本實(shí)用新型的實(shí)施例具有以下有益效果:上述方案中,在彩膜基板上設(shè)置用于釋放靜電的透明導(dǎo)電層,該透明導(dǎo)電層靠近陣列基板,并通過(guò)導(dǎo)電凸塊與陣列基板上的接地點(diǎn)連接,有效避免了現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板防靜電ITO接地不良的問(wèn)題,從而提高了液晶顯示面板的抗靜電能力,可以實(shí)現(xiàn)完全消除靜電,改善了液晶顯示器的畫面品質(zhì),提高了液晶顯示器的良品率。本實(shí)用新型適用于水平電場(chǎng)模式的液晶顯示器,具有廣闊的應(yīng)用前景。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中ADS液晶顯不面板的局部首I]視圖;圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記101、2OI 彩膜基板102、202 陣列基板103、203 液晶層104、204 封框膠105、205 黑矩陣106、206彩色濾光單元107、207薄膜晶體管108、208印刷電路板109>209 隔墊物110彩膜基板背面防靜電ITO210透明導(dǎo)電層211導(dǎo)電凸塊212接地線
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型的實(shí)施例要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。本實(shí)用新型的實(shí)施例針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板防靜電ITO接地不良的問(wèn)題,提供一種水平電場(chǎng)模式液晶顯示面板、顯示裝置,能夠提高水平電場(chǎng)模式液晶顯示面板的抗靜電能力。本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種水平電場(chǎng)模式液晶顯示面板,包括彩膜基板和陣列基板,所述彩膜基板上設(shè)置有透明導(dǎo)電層,所述透明導(dǎo)電層通過(guò)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述陣列基板上的接地點(diǎn)連接。本實(shí)用新型的技術(shù)方案適用于現(xiàn)有的水平電場(chǎng)模式液晶顯示面板,對(duì)彩膜基板的結(jié)構(gòu)不做限制。進(jìn)一步地,所述彩膜基板包括形成在基板上的黑矩陣圖形,所述透明導(dǎo)電層位于所述基板與所述黑矩陣圖形之間。[0038]進(jìn)一步地,所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以包括設(shè)置在所述彩膜基板上的導(dǎo)電凸塊,該導(dǎo)電凸塊與陣列基板上的接地點(diǎn)相連接。優(yōu)選地,導(dǎo)電凸塊在彩膜基板上的位置與陣列基板上接地點(diǎn)的位置相對(duì)應(yīng),這樣導(dǎo)電凸塊可以直接與接地點(diǎn)相連接。進(jìn)一步地,導(dǎo)電凸塊還可以通過(guò)設(shè)置在陣列基板上的接地線與接地點(diǎn)連接,這樣導(dǎo)電凸塊在彩膜基板上的位置可以不與陣列基板上接地點(diǎn)的位置相對(duì)應(yīng),提高了導(dǎo)電凸塊位置設(shè)置的靈活性。具體地,接地線可以經(jīng)由驅(qū)動(dòng)電路(Driver IC)連至印刷電路板上的接地點(diǎn)(GND)。進(jìn)一步地,上述方案中,為了不影響顯示效果,導(dǎo)電凸塊優(yōu)選設(shè)置在液晶顯示面板的顯示區(qū)域之外。進(jìn)一步地,由于在液晶顯示面板中,邊角區(qū)域是容易累積靜電,進(jìn)行靜電放電的位置,因此,所述導(dǎo)電凸塊優(yōu)選設(shè)置在液晶顯示面板的邊角區(qū)域。本實(shí)施例的水平電場(chǎng)模式液晶顯示面板,在彩膜基板上設(shè)置用于釋放靜電的透明導(dǎo)電層,該透明導(dǎo)電層靠近陣列基板,并通過(guò)導(dǎo)電凸塊與陣列基板上的接地點(diǎn)連接,有效避免了現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板防靜電ITO接地不良的問(wèn)題,從而提高了液晶顯示面板的抗靜電能力,可以實(shí)現(xiàn)完全消除靜電,改善了液晶顯示器的畫面品質(zhì),提高了液晶顯示器的良品率。本實(shí)用新型適用于水平電場(chǎng)模式的液晶顯示器,具有廣闊的應(yīng)用前景。下面結(jié)合圖2對(duì)本實(shí)用新型的水平電場(chǎng)模式液晶顯示面板進(jìn)行詳細(xì)介紹,如圖2所示,本實(shí)用新型的液晶顯示面板包括彩膜基板201、陣列基板202、液晶層203、封框膠204、黑矩陣205、彩色濾光單元206、薄膜晶體管207、印刷電路板208、隔墊物209,進(jìn)一步地,本實(shí)施例還包括設(shè)置在彩膜基板201上的透明導(dǎo)電層201,優(yōu)選地,透明導(dǎo)電層201位于彩膜基板201和黑矩陣205之間,透明導(dǎo)電層210通過(guò)導(dǎo)電凸塊211與陣列基板202上的接地點(diǎn)(未圖示)相連接。進(jìn)一步地,若導(dǎo)電凸塊211不能直接與陣列基板202上的接地點(diǎn)連接,還可以在陣列基板202上設(shè)置接地線212,通過(guò)接地線212連接導(dǎo)電凸塊211和接地點(diǎn),其中,接地線可以經(jīng)由Driver IC連至印刷電路板上的GND。。如圖2所示,具體地,導(dǎo)電凸塊211可以是導(dǎo)電的柱體結(jié)構(gòu),設(shè)置在液晶顯示面板的封框膠以外的區(qū)域,即設(shè)置在液晶顯示面板的非顯示區(qū)域。由于液晶顯示面板的邊角等尖銳區(qū)域是靜電易放電的區(qū)域,因此,導(dǎo)電凸塊211可以設(shè)置在液晶顯示面板四周的邊角區(qū)域,這樣比較容易使外界的靜電進(jìn)行釋放,從而最大程度地降低液晶顯示面板受靜電的影響。導(dǎo)電凸塊211—端與透明導(dǎo)電層210電性連接,另一端與接地線212電性連接,使透明導(dǎo)電層210保持零電位。接地線212是一零電位的導(dǎo)線,其可通過(guò)接地以實(shí)現(xiàn)零電位,也可連接到外部電路以保持零電位。其中,透明導(dǎo)電層210可以采用氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋁鋅等材料制作,也可以采用其它金屬及金屬氧化物制作。當(dāng)該液晶顯示面板表面有靜電時(shí),零電位的透明導(dǎo)電層210可將液晶顯示面板表面的靜電拉至零電位,使靜電荷經(jīng)過(guò)該透明導(dǎo)電層與接地線212形成的通路釋放。本實(shí)施例通過(guò)將透明導(dǎo)電層設(shè)置在彩膜基板接近液晶層的一側(cè),并通過(guò)多個(gè)導(dǎo)電凸塊將透明導(dǎo)電層與設(shè)置在陣列基板上的接地點(diǎn)相連,有效避免現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板防靜電ITO接地不良的問(wèn)題,從而在很大程度上提高了液晶顯示面板的抗靜電能力。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置,包括如上所述的水平電場(chǎng)模式液晶顯示面板,所述顯示裝置可以為:手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。以上所述是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本實(shí)用新型所述原理的前提下,還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾,這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種水平電場(chǎng)模式液晶顯示面板,包括彩膜基板和陣列基板,其特征在于,所述彩膜基板上設(shè)置有透明導(dǎo)電層,所述透明導(dǎo)電層通過(guò)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述陣列基板上的接地點(diǎn)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板,其特征在于,所述彩膜基板包括形成在基板上的黑矩陣圖形,所述透明導(dǎo)電層位于所述基板與所述黑矩陣圖形之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板,其特征在于,所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在所述彩膜基板上的導(dǎo)電凸塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示面板,其特征在于,所述導(dǎo)電凸塊在彩膜基板上的位置與陣列基板上接地點(diǎn)的位置相對(duì)應(yīng),所述導(dǎo)電凸塊與所述接地點(diǎn)直接連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示面板,其特征在于,所述陣列基板上設(shè)置有連接所述導(dǎo)電凸塊和所述接地點(diǎn)的接地線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示面板,其特征在于,所述接地線經(jīng)由驅(qū)動(dòng)電路連至印刷電路板上的接地點(diǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求3或5所述的液晶顯示面板,其特征在于,所述導(dǎo)電凸塊設(shè)置在液晶顯示面板的顯示區(qū)域之外。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板,其特征在于,所述導(dǎo)電凸塊設(shè)置在液晶顯示面板的邊角區(qū)域。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的水平電場(chǎng)模式液晶顯示面板 。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種水平電場(chǎng)模式液晶顯示面板、顯示裝置,屬于液晶顯示領(lǐng)域。該水平電場(chǎng)模式液晶顯示面板,包括彩膜基板和陣列基板,其中,所述彩膜基板上設(shè)置有透明導(dǎo)電層,所述透明導(dǎo)電層通過(guò)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述陣列基板上的接地點(diǎn)連接。本實(shí)用新型的技術(shù)方案能夠提高水平電場(chǎng)模式液晶顯示面板的抗靜電能力。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK203084387SQ20122063361
公開日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2012年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月26日
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