專利名稱：一種tft陣列基板及液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示器領(lǐng)域,尤其涉及一種薄膜晶體管(Thin FilmTransistor,TFT)陣列基板及液晶顯示器。
背景技術(shù)：
在薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)是利用設(shè)置在液晶層上電場強(qiáng)度的變化，改變液晶分子的旋轉(zhuǎn)程度，從而控制透光的強(qiáng)弱來顯示圖像的。隨著液晶顯示器尺寸的減小，TFT陣列基板周邊區(qū)域的布線相應(yīng)會受到空間的限制，如此，在TFT陣列基板制造中逐漸采用兩種金屬布線結(jié)構(gòu)，能夠減小金屬線之間的間距，充分利用空間，優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。但是，使用兩種金屬布線結(jié)構(gòu)時，在四道掩模板(4mask)工藝中，由于不同的金屬層存在斷差，會導(dǎo)致集成芯片(IC)與TFT陣列基板的連接(Pad)區(qū)域的接觸電阻不一樣，具體可參考圖1，圖1中，TFT陣列基板I與IC 2進(jìn)行粘合(bonding)時，由于Pad區(qū)域使用不同的金屬層(如圖1所示的Gate金屬層4和源漏(SD)金屬層5)，因此，位于表層的透明電極(圖1中以銦錫氧化物(ITO) 9進(jìn)行示意)并沒有位于同一個高度，由此，在IC 2和TFT陣列基板進(jìn)行bonding時，導(dǎo)電膠粒子3在Gate金屬層4、SD金屬層5上的壓合程度是不同的，最終bonding的效果也會不同，進(jìn)而造成接觸電阻的差異，使得驅(qū)動信號的傳輸產(chǎn)生差異以及顯示亮線的產(chǎn)生。

實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種TFT陣列基板及液晶顯示器，能夠使TFT陣列基板Pad區(qū)域位于過孔外部的透明電極處于同一個水平高度，提高良品率。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:本實(shí)用新型提供一種薄膜晶體管TFT陣列基板，包括基板，所述基板上設(shè)置有周邊布線區(qū)域，所述周邊布線區(qū)域設(shè)置有透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層包括第一導(dǎo)電層區(qū)域和第二導(dǎo)電層區(qū)域，所述第一導(dǎo)電層區(qū)域下方設(shè)置有保護(hù)層，且所述第一導(dǎo)電層區(qū)域的導(dǎo)電層的上表面處于與所述基板平行的同一平面上。具體的，所述陣列基板還包括柵金屬層和形成于所述柵金屬層上的柵極保護(hù)層，所述保護(hù)層包括第一保護(hù)層區(qū)域和第二保護(hù)層區(qū)域，所述第一保護(hù)層區(qū)域設(shè)置于數(shù)據(jù)金屬層上，所述第二保護(hù)層區(qū)域設(shè)置于柵極保護(hù)層上，所述第一保護(hù)層區(qū)域的保護(hù)層的厚度小于所述第二保護(hù)層區(qū)域的保護(hù)層的厚度。具體的，所述陣列基板還包括形成于柵極保護(hù)層上且位于數(shù)據(jù)金屬層下方的半導(dǎo)體層。具體的，所述第一區(qū)域的保護(hù)層與第二區(qū)域的保護(hù)層的厚度之差為數(shù)據(jù)金屬層與半導(dǎo)體層厚度之和與柵金屬層厚度的差值。[0011]本實(shí)用新型還提供一種液晶顯示器，包括上述的陣列基板。具體的，還包括IC電路板，所述電路板通過導(dǎo)電膠與所述陣列基板連接。具體的,所述導(dǎo)電膠包含導(dǎo)電金球。本實(shí)用新型通過調(diào)整保護(hù)層的厚度，使得TFT陣列基板周邊布線區(qū)域位于第一區(qū)域的透明導(dǎo)電層的上表面處于與基板平行的同一平面內(nèi)，減少了由于厚度問題造成的段差區(qū)域，從而降低由于段差造成的產(chǎn)品不良的發(fā)生率，提高良品率。

圖1為現(xiàn)有的液晶面板與IC電路板連接后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型提供的TFT陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型提供的液晶面板與IC電路板連接后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4 圖8為形成不同厚度的保護(hù)層的工藝流程圖。附圖標(biāo)記:1-基板；2_IC電路板；3_導(dǎo)電膠粒子(金球)；4_柵金屬層；5_數(shù)據(jù)金屬層；6-柵保護(hù)層；7_半導(dǎo)體層；8_保護(hù)層；9_透明導(dǎo)電層；1_第一導(dǎo)電層區(qū)域；I1-第二導(dǎo)電層區(qū)域；A-第一保護(hù)層區(qū)域；B-第二保護(hù)層區(qū)域；12_光刻膠不保留區(qū)域；13_光刻膠部分保留區(qū)；14_光刻膠保留區(qū)域；15_半色調(diào)掩模板。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下舉實(shí)施例并參照附圖，對本實(shí)用新型進(jìn)一步詳細(xì)說明。本實(shí)用新型提供一種TFT陣列基板，包括基板，所述基板上設(shè)置有周邊布線區(qū)域，所述周邊布線區(qū)域設(shè)置有透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層包括第一導(dǎo)電層區(qū)域和第二導(dǎo)電層區(qū)域，所述第一導(dǎo)電層區(qū)域下方設(shè)置有保護(hù)層，且所述第一導(dǎo)電層區(qū)域的導(dǎo)電層的上表面處于與所述基板平行的同一平面上。其中，所述陣列基板還包括柵金屬層和形成于所述柵金屬層上的柵絕緣層，所述保護(hù)層包括第一保護(hù)層區(qū)域和第二保護(hù)層區(qū)域，所述第一保護(hù)層區(qū)域設(shè)置于數(shù)據(jù)金屬層上，所述第二保護(hù)層區(qū)域設(shè)置于柵極保護(hù)層上，所述第一保護(hù)層區(qū)域的保護(hù)層的厚度小于所述第二保護(hù)層區(qū)域的保護(hù)層的厚度。進(jìn)一步地，所述陣列基板還包括形成于柵絕緣層上且位于數(shù)據(jù)金屬層下方的半導(dǎo)體層。其中，所述第一區(qū)域的保護(hù)層與第二區(qū)域的保護(hù)層的厚度之差為數(shù)據(jù)金屬層與半導(dǎo)體層厚度之和與柵金屬層厚度的差值。本實(shí)用新型還提供一種液晶顯示器，包括如上所述的陣列基板。進(jìn)一步地，所述液晶顯示器，還包括IC電路板，所述電路板通過導(dǎo)電膠與所述陣列基板連接。其中，所述導(dǎo)電膠包含導(dǎo)電金球。下面結(jié)合一具體實(shí)施例對上述陣列基板進(jìn)行具體說明，圖2示出了本實(shí)用新型TFT陣列基板周邊布線區(qū)的剖面結(jié)構(gòu)，如圖2所示，周邊布線區(qū)域設(shè)置有透明導(dǎo)電層9，透明導(dǎo)電層9包括第一導(dǎo)電層區(qū)域I，第二導(dǎo)電層區(qū)域11，第一導(dǎo)電區(qū)域I下方設(shè)置有保護(hù)層8，第一導(dǎo)電層區(qū)域的導(dǎo)電層的上表面處于與基板I平行的同一平面上。具體的，保護(hù)層8包括有第一保護(hù)層區(qū)域A和第二保護(hù)層區(qū)域B，第一保護(hù)層區(qū)域A的保護(hù)層的厚度小于第二保護(hù)層區(qū)域B的保護(hù)層的厚度。第一保護(hù)層區(qū)域A設(shè)置于數(shù)據(jù)金屬層5上，第二保護(hù)層區(qū)域A設(shè)置于柵極保護(hù)層6上。具體的，陣列基板還包括形成于數(shù)據(jù)金屬層5下方的半導(dǎo)體層7。優(yōu)選地，第一區(qū)域A的保護(hù)層與第二區(qū)域B的保護(hù)層的厚度之差為數(shù)據(jù)金屬層5與半導(dǎo)體層7厚度之和與柵金屬層4厚度的差值。這里，為了保證位于第一導(dǎo)電層區(qū)域處于與基板平行的同一個平面內(nèi)，需要保證第一保護(hù)層區(qū)域的保護(hù)層的厚度是第二保護(hù)層區(qū)域保護(hù)層的厚度與半導(dǎo)體層的厚度之和，如此，在TFT陣列基板I的制造工藝中，可在進(jìn)行過孔掩模工藝時，在周邊布線區(qū)域進(jìn)行半色調(diào)掩模工藝，調(diào)整第二保護(hù)層區(qū)域B的保護(hù)層的厚度，使得第一保護(hù)層區(qū)域A的保護(hù)層的厚度與半導(dǎo)體層7厚度之和為第二保護(hù)層區(qū)域B的保護(hù)層的厚度。進(jìn)一步地，所述柵金屬層4和數(shù)據(jù)金屬層5的厚度相同，具體可以為1800A-3000 A之間，較常采用22oaL例如，柵極保護(hù)層通常采用4000 A,半導(dǎo)體層的厚度通常采用2300，此時，第一保護(hù)層區(qū)域A的保護(hù)層厚度可以設(shè)置為2500 A,第二保護(hù)層區(qū)域B的保護(hù)層的厚度可以設(shè)置為4800人,以保證沉積透明導(dǎo)電層后，第一導(dǎo)電層區(qū)域的導(dǎo)電層的上表面處于與基板平行的同一平面上。圖3示出了 IC驅(qū)動板與基板連接后的面板的剖面圖，從圖中可以看出，經(jīng)過上述結(jié)構(gòu)的改進(jìn)，存在段差的區(qū)域減少，因此提高了產(chǎn)品的良率。本實(shí)用新型通過調(diào)整保護(hù)層的厚度，使得TFT陣列基板周邊布線區(qū)域位于第一區(qū)域的透明導(dǎo)電層的上表面處于與基板平行的同一平面內(nèi)，減少了由于厚度問題造成的段差區(qū)域，從而降低由于由于段差造成的產(chǎn)品不良的發(fā)生率，提高良品率。為了進(jìn)一步說明通過半色調(diào)掩膜工藝的調(diào)整過程，下面結(jié)合圖3至圖8進(jìn)行具體說明。圖4示出了為形成圖2所示TFT陣列基板過程中的過孔掩膜時基板的剖面結(jié)構(gòu)，具體地，在玻璃基板上進(jìn)行Gate金屬層沉積、光刻、刻蝕等工藝后，形成所需要的柵金屬層4，然后利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)依次沉積柵極保護(hù)層、半導(dǎo)體層、數(shù)據(jù)金屬層及保護(hù)層，并在保護(hù)層上涂覆光刻膠，通過半色調(diào)掩膜工工藝，得到光刻膠保留區(qū)域，光刻膠不保留區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)域，對光刻膠不保留區(qū)域進(jìn)行刻蝕工藝，刻掉光刻膠不保留區(qū)域的保護(hù)層，形成所需的過孔，之后進(jìn)行灰化，去除部分保留區(qū)的光刻膠，對露出的保護(hù)層進(jìn)行刻蝕，之后去除保留區(qū)區(qū)域的光刻膠，形成不同厚度的保護(hù)層。例如，上述過程中，涂覆光刻膠的厚度可以設(shè)定為18000人,經(jīng)過曝光后，光刻膠保留區(qū)域的厚度為18000人,光刻膠部分保留區(qū)域的厚度為5000人,光刻膠不保留區(qū)域完全去除。涂覆光刻膠后的陣列基板如圖4所示，涂覆光刻膠的厚度可以設(shè)定為18(X)(XL圖5為經(jīng)過半色調(diào)掩膜工藝后的陣列基板的示意圖。具體的，對涂覆光刻膠后的基板采用半色調(diào)掩膜版15進(jìn)行曝光，形成光刻膠保留區(qū)域14，光刻膠不保留區(qū)域12，光刻膠部分保留區(qū)域13，刻蝕光刻膠不保留區(qū)域的保護(hù)層和柵極保護(hù)層，形成所需過孔，形成的結(jié)構(gòu)如圖6所示。[0041]對圖6中光刻膠的部分保留區(qū)域進(jìn)行灰化工藝，去除部分保留區(qū)域13的光刻膠，對露出的保護(hù)層進(jìn)行刻蝕，得到所需的厚度，形成第一保護(hù)層區(qū)域。如保護(hù)層的厚度可以為2500人，形成的結(jié)構(gòu)如圖7所示。去除圖7中所示的陣列基板上剩余的光刻膠，形成具有不同厚度的保護(hù)層，如圖8所示。需要說明的是，如果保護(hù)層采用的為光敏樹脂材料，則可不用涂覆光刻膠，直接采用半色調(diào)掩膜版進(jìn)行曝光、顯影等工藝即可，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的技術(shù)，在此不再贅述。以上所述，僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種薄膜晶體管TFT陣列基板，包括基板，所述基板上設(shè)置有周邊布線區(qū)域，其特征在于，所述周邊布線區(qū)域設(shè)置有透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層包括第一導(dǎo)電層區(qū)域和第二導(dǎo)電層區(qū)域，所述第一導(dǎo)電層區(qū)域下方設(shè)置有保護(hù)層，且所述第一導(dǎo)電層區(qū)域的導(dǎo)電層的上表面處于 與所述基板平行的同一平面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括柵金屬層和形成于所述柵金屬層上的柵極保護(hù)層，所述保護(hù)層包括第一保護(hù)層區(qū)域和第二保護(hù)層區(qū)域，所述第一保護(hù)層區(qū)域設(shè)置于數(shù)據(jù)金屬層上，所述第二保護(hù)層區(qū)域設(shè)置于柵極保護(hù)層上，所述第一保護(hù)層區(qū)域的保護(hù)層的厚度小于所述第二保護(hù)層區(qū)域的保護(hù)層的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括形成于柵極保護(hù)層上且位于數(shù)據(jù)金屬層下方的半導(dǎo)體層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一區(qū)域的保護(hù)層與第二區(qū)域的保護(hù)層的厚度之差為數(shù)據(jù)金屬層與半導(dǎo)體層厚度之和與柵金屬層厚度的差值。
5.一種液晶顯示器，其特征在于，包括權(quán)利要求1 4任一所述的陣列基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示器，其特征在于，還包括IC電路板，所述電路板通過導(dǎo)電膠與所述陣列基板連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示器，其特征在于，所述導(dǎo)電膠包含導(dǎo)電金球。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種TFT陣列基板及液晶顯示器，包括基板，所述基板上設(shè)置有周邊布線區(qū)域，所述周邊布線區(qū)域設(shè)置有透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層包括第一導(dǎo)電層區(qū)域和第二導(dǎo)電層區(qū)域，所述第一導(dǎo)電層區(qū)域下方設(shè)置有保護(hù)層，且所述第一導(dǎo)電層區(qū)域的導(dǎo)電層的上表面處于與所述基板平行的同一平面上。本實(shí)用新型通過調(diào)整保護(hù)層的厚度，使得TFT陣列基板周邊布線區(qū)域位于第一區(qū)域的透明導(dǎo)電層的上表面處于與基板平行的同一平面內(nèi)，減少了由于厚度問題造成的段差區(qū)域，從而降低由于段差造成的產(chǎn)品不良的發(fā)生率，提高良品率。
文檔編號G02F1/1362GK203084391SQ20122070720
公開日2013年7月24日 申請日期2012年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月19日
發(fā)明者史文森, 李鑫, 任健 申請人:北京京東方光電科技有限公司