專(zhuān)利名稱(chēng)：陣列基板、液晶面板及顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種陣列基板、液晶面板及顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
隨著TFT-1XD (薄膜晶體管液晶顯示器)面板生產(chǎn)線(xiàn)的高世代化及面板的大尺寸化，各種不良發(fā)生的比例也有所加重，在面板修復(fù)和面板的不良分析中，像素的精確定位已成為一個(gè)顯著的問(wèn)題，特別是在使用掃描電鏡、3D顯微鏡，原子力顯微鏡、紅外光譜儀等進(jìn)行分析時(shí)，在制樣過(guò)程中均需要將面板進(jìn)行切割，而如何保證在切割前后不良區(qū)的精確定位已經(jīng)成為了 一個(gè)重要的問(wèn)題。傳統(tǒng)的面板定位方式主要采用相對(duì)坐標(biāo)的方法，也即:將面板置于基臺(tái)上，通過(guò)坐標(biāo)的變化記錄不良區(qū)域的坐標(biāo)，再進(jìn)行修復(fù)和分析，但是該方法存在明顯的不足，首先采用相對(duì)坐標(biāo)時(shí)，離開(kāi)儀器的基臺(tái)之后，容易產(chǎn)生定位的紊亂，其次大尺寸基板在某些小基臺(tái)的分析儀器上(SEM/3D 0M)，無(wú)法實(shí)現(xiàn)相對(duì)的坐標(biāo)定位，再次通過(guò)相對(duì)坐標(biāo)在基板不良區(qū)附近標(biāo)記激光Mark時(shí)，是否會(huì)對(duì)不良區(qū)的不良現(xiàn)象產(chǎn)生影響，仍需質(zhì)疑。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型技術(shù)方案的目的是提供一種陣列基板、液晶面板及顯示設(shè)備，用于解決現(xiàn)有技術(shù)面板修復(fù)和分析過(guò)程中難以對(duì)像素精確定位的問(wèn)題。本實(shí)用新型提供一種陣列基板，包括多個(gè)像素電極，其中，所述陣列基板上設(shè)置有用于對(duì)特定像素電極進(jìn)行坐標(biāo)標(biāo)記的行列標(biāo)記。優(yōu)選地，上述所述的陣列基板，所述行列標(biāo)記包括行號(hào)標(biāo)記和列號(hào)標(biāo)記，其中所述行號(hào)標(biāo)記表示所述特定像素電極所對(duì)應(yīng)柵線(xiàn)的行號(hào)，所述列號(hào)標(biāo)記用于表示所述特定像素電極所對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線(xiàn)的列號(hào)。優(yōu)選地，上述所述的陣列基板，所述行列標(biāo)記設(shè)置于所標(biāo)記所述特定像素電極的周邊。優(yōu)選地，上述所述的陣列基板，所述行列標(biāo)記是利用所述陣列基板的柵線(xiàn)金屬層制成。優(yōu)選地，上述所述的陣列基板，所述行列標(biāo)記位于所述特定像素電極所對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線(xiàn)位置上。優(yōu)選地，上述所述的陣列基板，所述行列標(biāo)記是利用所述陣列基板的鈍化層或數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層制成。優(yōu)選地，上述所述的陣列基板，所述行列標(biāo)記位于所述特定像素電極所對(duì)應(yīng)的柵線(xiàn)位置上。優(yōu)選地，上述所述的陣列基板，所述行列標(biāo)記為兩個(gè)，其中第一行列標(biāo)記是利用所述陣列基板的柵線(xiàn)金屬層制成，第二行列標(biāo)記是利用所述陣列基板的鈍化層或數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層制成。本實(shí)用新型還提供一種包括上述陣列基板的液晶面板。本實(shí)用新型另一方面還提供一種包括上述陣列基板的顯示設(shè)備。本實(shí)用新型具體實(shí)施例上述技術(shù)方案中的至少一個(gè)具有以下有益效果:本實(shí)用新型通過(guò)在陣列基板的亞像素周邊標(biāo)記該亞像素的行號(hào)和列號(hào)，實(shí)現(xiàn)了像素的絕對(duì)坐標(biāo)標(biāo)記，無(wú)論是在哪種儀器的基臺(tái)，也無(wú)論基板的切割與否都能夠快速準(zhǔn)確的找到不良區(qū)，從而進(jìn)行地址定位，能有效提高修復(fù)和分析的效率及準(zhǔn)確性。

圖1為用于表示本實(shí)用新型第一實(shí)施例所述陣列基板上行列標(biāo)記的俯視圖；圖2為用于表不第一實(shí)施例中所述陣列基板上的第一行列標(biāo)記在A-A ^方向上的剖面圖；圖3為用于表示第一實(shí)施例中所述陣列基板上的第二行列標(biāo)記在B-B '方向上的剖面圖；圖4為用于表示第一實(shí)施例中所述第一行列標(biāo)記第一步驟制備的俯視圖；圖5為用于表示第一實(shí)施例中所述第一行列標(biāo)記第一步驟制備在B-B丨方向的剖面圖； 圖6為用于表示第一實(shí)施例中所述第二行列標(biāo)記第一步驟制備的俯視圖；圖7為用于表示第一實(shí)施例中所述第二行列標(biāo)記第一步驟制備在B-B丨方向的剖面圖；圖8為用于表示第一實(shí)施例中所述第二行列標(biāo)記第二步驟制備的俯視圖；圖9用于表示第一實(shí)施例中所述第二行列標(biāo)記第二步驟制備在B-B ’方向剖面圖；圖10用于表不第二實(shí)施例中所述陣列基板的俯視圖；圖11用于表示第二實(shí)施例中所述陣列基板的第二行列標(biāo)記在B-B ^方向上的剖面圖。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)描述。本實(shí)用新型具體實(shí)施例所述陣列基板，包括多個(gè)像素電極，其中所述陣列基板還設(shè)置有用于對(duì)特定像素電極進(jìn)行坐標(biāo)標(biāo)記的行列標(biāo)記。通過(guò)在陣列基板上標(biāo)記特定像素電極(也即為所需要標(biāo)記的像素電極)的行號(hào)和列號(hào)，實(shí)現(xiàn)了像素的絕對(duì)坐標(biāo)標(biāo)記，無(wú)論是在哪種儀器的基臺(tái)，也無(wú)論基板的切割與否都能夠快速準(zhǔn)確地找到不良區(qū)，從而進(jìn)行地址定位，能有效提高修復(fù)和分析的效率及準(zhǔn)確性。優(yōu)選地，所述行列標(biāo)記設(shè)置于需要標(biāo)記的像素電極(亞像素)的周邊，且位于需要標(biāo)記的像素電極相對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線(xiàn)的正下方，使用柵極層金屬制作，能夠?qū)崿F(xiàn)不拆盒即能夠看到需要標(biāo)記的像素電極。此外，優(yōu)選地，所述行列標(biāo)記設(shè)置于需要標(biāo)記的像素電極(亞像素)相對(duì)應(yīng)TFT(薄膜場(chǎng)效應(yīng)管)的周邊，可使用鈍化層(PVX層)或數(shù)據(jù)線(xiàn)(Date層)金屬層制作，采用該行列標(biāo)記使得拆盒后仍然能夠看到需要標(biāo)記的像素電極。以下將對(duì)本實(shí)用新型具體實(shí)施例所述陣列基板的結(jié)構(gòu)及其制備過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)描述。如圖1為用于表示本實(shí)用新型第一實(shí)施例所述陣列基板上行列標(biāo)記的俯視圖；圖2為用于表示第一實(shí)施例中所述陣列基板上的第一行列標(biāo)記在A-A'方向上的剖面圖；圖3為用于表示第一實(shí)施例中所述陣列基板上的第二行列標(biāo)記在B-B丨方向上的剖面圖。參閱圖1、圖2及圖3，本實(shí)用新型第一實(shí)施例以ADS顯示模式的像素結(jié)構(gòu)為例，且圖中以“100-210”為例標(biāo)記像素電極，其中“100”為行號(hào)標(biāo)記，用于表示所需要標(biāo)記的像素電極對(duì)應(yīng)的柵線(xiàn)行號(hào)為100，“210”為列號(hào)標(biāo)記，用于表示所需要標(biāo)記的像素電極對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線(xiàn)列號(hào)為210，依此其他位置的像素電極的行列標(biāo)記可以據(jù)此可得。如圖所示，本實(shí)用新型具體實(shí)施例所述陣列基板包括:一玻璃基板10 ；—公共電極線(xiàn)ITO層5,直接沉積于玻璃基板10上；一公共電極線(xiàn)金屬層I和柵線(xiàn)金屬層2 (柵線(xiàn)2)，直接沉積于玻璃基板10上；一柵線(xiàn)絕緣層7，直接沉積于上述刻蝕后的柵線(xiàn)金屬層2及玻璃基板10上；一有源層3和數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層4 (數(shù)據(jù)線(xiàn)4)，直接沉積于柵線(xiàn)絕緣層7上；一鈍化層(PVX層)8，涂覆于上述各層之上；一像素電極6，沉積于鈍化層8之上。結(jié)合參閱圖1及圖2，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中，在需要標(biāo)記的像素電極6的數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層4的正下方設(shè)置有行列標(biāo)記11，該行列標(biāo)記使用柵線(xiàn)金屬層2制作。該行列標(biāo)記的設(shè)置，使得在不需要拆盒的情況下即能夠看到需要標(biāo)記的像素電極。結(jié)合參閱圖1及圖3，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中，在需要標(biāo)記的像素電極6所對(duì)應(yīng)柵線(xiàn)金屬層2的正上方設(shè)置有行列標(biāo)記12，該行列標(biāo)記12使用鈍化層8制作。該行列標(biāo)記12的設(shè)置，使得拆盒后仍然能夠看到需要標(biāo)記的像素電極6。以下將對(duì)陣列基板制備中，上述行列標(biāo)記11和行列標(biāo)記12的制作過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)描述。如圖4與圖5所示，其中，制作行列標(biāo)記11時(shí)的過(guò)程包括:步驟一，在玻璃基板10上沉積公共電極線(xiàn)ITO層5 ;步驟二，在玻璃基板10上沉積柵線(xiàn)金屬層2，刻蝕后形成各柵線(xiàn)，并且在刻蝕形成柵線(xiàn)的同時(shí)，在數(shù)據(jù)線(xiàn)方向中保留一塊柵線(xiàn)金屬層2的金屬，如圖4所示，刻蝕后在該位置處形成為行列標(biāo)記11。其中，制作行列標(biāo)記12時(shí)的過(guò)程如圖6至圖9所示，包括:步驟一，采用傳統(tǒng)工藝方法在玻璃基板10上依次做出:公共電極線(xiàn)ITO層5、柵線(xiàn)金屬層2、柵線(xiàn)絕緣層7、有源層3以及數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層4，其中在數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層4刻蝕形成數(shù)據(jù)線(xiàn)時(shí)，需要在柵線(xiàn)上方的對(duì)應(yīng)位置保留一塊數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層4的金屬，如圖6和圖7所示；步驟二，在數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層4上沉積鈍化層8，并采用干刻工藝刻蝕過(guò)孔，同時(shí)采用過(guò)孔制備工藝，制備行列標(biāo)記12，如圖8和圖9所示；步驟三，在鈍化層8上方沉積像素電極層6，并進(jìn)行刻蝕，但行列標(biāo)記12區(qū)域的像素電極層6的像素電極保留，最終完成陣列基板的制作，如圖1和圖3所示。上述實(shí)施例中，行列標(biāo)記12采用鈍化層8制作，但也可以采用數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層4制作。本實(shí)用新型第二實(shí)施例，所述陣列基板上包括背面的行列標(biāo)記11和背面的行列標(biāo)記12，其中所述行列標(biāo)記11使用柵線(xiàn)金屬層制成，所述行列標(biāo)記12使用數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層制成，結(jié)合參閱圖4、圖5、圖10及圖11，所述陣列基板的制作過(guò)程包括以下步驟:步驟一，在玻璃基板10上沉積公共電極線(xiàn)ITO層5 ;步驟二，在玻璃基板10上沉積柵線(xiàn)金屬層2，刻蝕后形成各柵線(xiàn)，并且在刻蝕形成柵線(xiàn)的同時(shí)，在數(shù)據(jù)線(xiàn)方向中保留一塊柵線(xiàn)金屬層2的金屬，如圖4所示，在該位置處形成為行列標(biāo)記11 ;步驟三，采用傳統(tǒng)工藝方法在玻璃基板10上依次做出:公共電極線(xiàn)ITO層5、柵線(xiàn)金屬層2、柵線(xiàn)絕緣層7、有源層3以及數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層4，其中在數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層4刻蝕形成數(shù)據(jù)線(xiàn)時(shí)，需要在柵線(xiàn)上方的對(duì)應(yīng)位置保留一塊數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層4的金屬，對(duì)該處的金屬進(jìn)行刻蝕，制成正面的行列標(biāo)記12,如圖10和圖11所示；步驟四，在上述各層上依次沉積并形成鈍化層8和像素電極層6，最終完成陣列基板的制作。根據(jù)以上，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該能夠理解所述行列標(biāo)記的制作工藝，在此不再詳細(xì)描述。此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，本實(shí)用新型具體實(shí)施例所述陣列基板，用于對(duì)特定像素電極進(jìn)行坐標(biāo)標(biāo)記的行列標(biāo)記，并不僅限于設(shè)置于上述位置，且不限于采用數(shù)字構(gòu)成行號(hào)和列號(hào)的方式進(jìn)行絕對(duì)坐標(biāo)標(biāo)記，本領(lǐng)域人員可以采用其他方式進(jìn)行位置標(biāo)記，在此不一一列舉。本實(shí)用新型具體實(shí)施例另一方面還提供一種具有上述陣列基板結(jié)構(gòu)的液晶面板和顯示設(shè)備，具體可以參閱上述，在此不再贅述。以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括多個(gè)像素電極，其特征在于，所述陣列基板上設(shè)置有用于對(duì)特定像素電極進(jìn)行坐標(biāo)標(biāo)記的行列標(biāo)記。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述行列標(biāo)記包括行號(hào)標(biāo)記和列號(hào)標(biāo)記，其中所述行號(hào)標(biāo)記表示所述特定像素電極所對(duì)應(yīng)柵線(xiàn)的行號(hào)，所述列號(hào)標(biāo)記用于表示所述特定像素電極所對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線(xiàn)的列號(hào)。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述行列標(biāo)記設(shè)置于所標(biāo)記所述特定像素電極的周邊。
4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述行列標(biāo)記是利用所述陣列基板的柵線(xiàn)金屬層制成。
5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述行列標(biāo)記位于所述特定像素電極所對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線(xiàn)位置上。
6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述行列標(biāo)記是利用所述陣列基板的鈍化層或數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層制成。
7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述行列標(biāo)記位于所述特定像素電極所對(duì)應(yīng)的柵線(xiàn)位置上。
8.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述行列標(biāo)記為兩個(gè)，其中第一行列標(biāo)記是利用所述陣列基板的柵線(xiàn)金屬層制成，第二行列標(biāo)記是利用所述陣列基板的鈍化層或數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層制成。
9.一種液晶面板,包括如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的陣列基板。
10.一種顯示設(shè)備，包括如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的陣列基板。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型提供一種陣列基板、液晶面板及顯示設(shè)備，所述陣列基板包括多個(gè)像素電極，其中所述陣列基板上設(shè)置有用于對(duì)特定像素電極進(jìn)行坐標(biāo)標(biāo)記的行列標(biāo)記。本實(shí)用新型通過(guò)在陣列基板的亞像素周邊標(biāo)記該亞像素的行號(hào)和列號(hào)，實(shí)現(xiàn)了像素的絕對(duì)坐標(biāo)標(biāo)記，無(wú)論是在哪種儀器的基臺(tái)，也無(wú)論基板的切割與否都能夠快速準(zhǔn)確的找到不良區(qū)，從而進(jìn)行地址定位，能有效提高修復(fù)和分析的效率及準(zhǔn)確性。本實(shí)用新型還提供一種包括上述陣列基板的液晶面板。本實(shí)用新型另一方面還提供一種包括上述陣列基板的顯示設(shè)備。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK202975550SQ20122072936
公開(kāi)日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2012年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月26日
發(fā)明者王明超, 林鴻濤, 王俊偉 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司