光學(xué)屏蔽系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及使得光電系統(tǒng)（熱感照相機(jī)、照相機(jī)、雙筒望遠(yuǎn)鏡、瞄準(zhǔn)器等）無法使用（光學(xué)變暗）。本發(fā)明的光學(xué)屏蔽系統(tǒng)通過破壞光電設(shè)備的光學(xué)部件阻止對(duì)光電設(shè)備的重新使用，其實(shí)質(zhì)上包含：至少一個(gè)光學(xué)組，其由光電系統(tǒng)的光學(xué)部件組成；至少一個(gè)破壞單元，其破壞光學(xué)組；至少一個(gè)觸發(fā)單元，其激活破壞單元；至少一個(gè)管理中心，其向觸發(fā)單元發(fā)布命令以啟動(dòng)光學(xué)屏蔽。
【專利說明】光學(xué)屏蔽系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及通過屏蔽光路(光學(xué)屏蔽)使得光電系統(tǒng)(熱感照相機(jī)、照相機(jī)、雙筒望遠(yuǎn)鏡、瞄準(zhǔn)器等)失效/無法使用。
【背景技術(shù)】
[0002]今日光電系統(tǒng)被廣泛用于軍事上，在空中、陸地和海上交通工具和手持系統(tǒng)中都有應(yīng)用。這些被用來完成不同功能的系統(tǒng)向用戶提供了各種優(yōu)點(diǎn)。但有一個(gè)問題是光電系統(tǒng)可能被一些人或團(tuán)體獲取，而我們并不想讓這些人和團(tuán)體持有光電系統(tǒng)，這在使用手持系統(tǒng)時(shí)特別有可能發(fā)生。在這些情況下，我們不想讓其持有的人或團(tuán)體將利用由光電系統(tǒng)提供的優(yōu)點(diǎn)。
[0003]有各種方法來阻止獲取光電系統(tǒng)的人或團(tuán)體利用該系統(tǒng)。這些方法的其中一種是使光電系統(tǒng)中提供的電子元件無法使用。這隨之也會(huì)帶來問題，例如修理或替換光電系統(tǒng)中被破壞的電子部件，并且設(shè)備由此可以再次使用。
[0004]為了阻止不打算和不想讓其持有光電設(shè)備的用戶(他們獲取了光電設(shè)備)利用設(shè)備，使光學(xué)部件無法使用是更為有效的方法。但是根據(jù)目前的知識(shí)，沒有為此目的而利用光學(xué)屏蔽的。
[0005]歐洲專利文檔N0.EP0823653 (其作為現(xiàn)有技術(shù)的申請(qǐng))披露了一種具有光學(xué)性質(zhì)的部件，其在帶液晶擴(kuò)散的電致變色或光致變色型聚合物薄膜之間具有可變的透射和吸收。
[0006]日本專利文檔N0.JP2005173265 (其作為現(xiàn)有技術(shù)的申請(qǐng))披露了利用液體來阻止兩種光學(xué)材料之間的光線。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明提供一種系統(tǒng)，其使得光電系統(tǒng)的光學(xué)部件與使得電子部件無法使用或失效相比更難以重新使用。
【具體實(shí)施方式】
[0008]本發(fā)明的光學(xué)屏蔽系統(tǒng)通過破壞光電設(shè)備的光學(xué)部件阻止對(duì)光電設(shè)備的重新使用，其實(shí)質(zhì)上包含:
至少一個(gè)光學(xué)組，其由光電系統(tǒng)的光學(xué)部件組成；
至少一個(gè)破壞單元，其使得光學(xué)組無法使用；
至少一個(gè)觸發(fā)單元，其激活破壞單元；
至少一個(gè)管理中心，其向觸發(fā)單元發(fā)布命令以啟動(dòng)光學(xué)變暗(optical darkening)。
[0009]光學(xué)組位于設(shè)備的光路內(nèi)。該部件由一個(gè)或更多個(gè)元件構(gòu)成，所述元件接收來自遠(yuǎn)方或非常微弱的可見光，或者靠近的紅外光，并且使得光變得達(dá)到可見程度和產(chǎn)生圖像。
[0010]當(dāng)破壞單元被激活時(shí)，它破壞或改變光學(xué)組的性質(zhì)。性質(zhì)改變的光學(xué)組無法完成其功能。光電設(shè)備因?yàn)榫哂械墓鈱W(xué)部件無法完成其功能而變得無法使用。
[0011]破壞單元由觸發(fā)單元激活。根據(jù)啟動(dòng)光學(xué)屏蔽的命令(該命令以無線方式到達(dá)觸發(fā)單元)，觸發(fā)單元激活破壞單元。
[0012]來自管理中心的用于啟動(dòng)光學(xué)屏蔽的數(shù)據(jù)以無線方式送至觸發(fā)單元。
[0013]管理中心負(fù)責(zé)向觸發(fā)單元發(fā)送啟動(dòng)光學(xué)屏蔽的命令。命令被以無線方式發(fā)送至觸發(fā)單元并且經(jīng)觸發(fā)單元轉(zhuǎn)送至破壞單元。
[0014]在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，將具有光學(xué)功能的涂覆多層薄膜的襯底(例如抗反射AR或高反射HR)用作光學(xué)組并且將電極組件用作破壞單元。通過執(zhí)行金屬涂覆在光學(xué)組的兩面形成電極，金屬涂覆方式使得它們未被設(shè)置在光路上或者不會(huì)影響光學(xué)功能。觸發(fā)單元利用其以無線方式從管理中心接收的命令激活破壞單元。當(dāng)作為電極組件的破壞單元被觸發(fā)單元激活時(shí)，與其上包含光學(xué)膜的光學(xué)組相連的電極使得電壓被施加到光學(xué)組上。被施加電壓的光學(xué)兀件開始被加熱。由于構(gòu)成光學(xué)組的襯底和其上的多層薄膜具有不同的膨脹系數(shù)，所以因?yàn)闊崃慷鴮?dǎo)致機(jī)械張力。由于該張力，在光學(xué)膜的涂層上形成裂縫。所述裂縫使光學(xué)涂層的透射/反射率性質(zhì)變形并且因此光電系統(tǒng)變得無法使用和不可逆地變暗。
[0015]在本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施例中，在光學(xué)組結(jié)構(gòu)中采用在70-150°C的溫度下顯露出性能變差/熔化的聚合物(例如磷酸三苯脂、聚苯乙烯等)，并且將以涂覆薄膜的金屬氧化物薄膜層和電極組件用作破壞單元。金屬氧化物薄膜層以低于I微米的厚度水平涂覆，涂覆方式使得其均勻地覆蓋襯底表面并且電阻在0.5-100k0hm的范圍內(nèi)。電極通過執(zhí)行金屬涂覆形成于金屬氧化物薄膜層的兩面上，涂覆方式使得電極不影響光學(xué)功能。在金屬涂層的頂部涂覆具有較低熔化/性能變差溫度的聚合物層，例如聚苯乙烯、磷酸三苯脂或它們的衍生物。電極通過執(zhí)行金屬涂覆形成于光學(xué)組的兩面上，涂覆方式使得電極未被設(shè)置在光路上。當(dāng)作為電極組件的破壞單元被觸發(fā)單元激活時(shí)，與低熔化溫度材料制成的光學(xué)組相連并且形成于金屬氧化物薄膜上的電極使得電壓施加在光學(xué)組上。被施加電壓的光學(xué)組開始被加熱。金屬氧化物薄膜層被加熱至150°C的溫度并且在形成于其上的聚合物層到達(dá)熔化/性能變差溫度時(shí)經(jīng)歷相變。有關(guān)的相變與聚合物層的化學(xué)性質(zhì)直接相關(guān)。例如，當(dāng)利用聚苯乙烯化學(xué)制品制造的涂層在100-110°C的溫度下開始變暗時(shí)，由于單體組的交聯(lián)受到的影響，磷酸三苯脂在更低的溫度下迅速熔化。
[0016]當(dāng)光學(xué)組到達(dá)制作其的材料的熔化溫度時(shí)，其經(jīng)歷相變。已經(jīng)經(jīng)歷相變的光學(xué)組無法在光路上完成其功能，并且因此光電系統(tǒng)變得無法使用和被不可逆地屏蔽。
[0017]在本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施例中，當(dāng)在光學(xué)組結(jié)構(gòu)中采用AgCl (氯化銀)或紫外線輻射時(shí)其性質(zhì)暫時(shí)或永久性地改變/變差的材料被用作光學(xué)膜和/光學(xué)窗口材料，并且至少一個(gè)發(fā)出紫外線波段(UV)的發(fā)光二極管(LED)被用作破壞單元。當(dāng)觸發(fā)單元激活一個(gè)或多個(gè)發(fā)光二極管時(shí)，該一個(gè)或多個(gè)二極管開始發(fā)射紫外光線。光學(xué)組元件的透射/反射率性質(zhì)因易受紫外光線的影響而變化。因此光電系統(tǒng)被屏蔽并且變得無法使用。
[0018]在本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施例中，在濕氣和/水中可溶解的KBr (溴化鉀)材料被用于光學(xué)組結(jié)構(gòu)中，并且密封殼體中的水被用作破壞單元。KBr是一種具有高的光透射的材料，特別是在可見光波長(zhǎng)上。但是它在水中或存在水蒸氣(濕氣)的環(huán)境中迅速分解和性能變差。當(dāng)觸發(fā)單元激活殼體時(shí)，它釋放殼體內(nèi)的液體。接觸光學(xué)組的液體與光學(xué)組元件的結(jié)構(gòu)中的KBr反應(yīng)。作為KBr材料與液體反應(yīng)的結(jié)果，光學(xué)組結(jié)構(gòu)性能變差并且光學(xué)組無法在光路上完成其功能。因此光電系統(tǒng)變得無法使用并且被不可逆地屏蔽。
[0019]借助于本發(fā)明的“光學(xué)變暗系統(tǒng)”，如果用于軍事用途的光電系統(tǒng)(熱感照相機(jī)、照相機(jī)、瞄準(zhǔn)器、雙筒望遠(yuǎn)鏡等)被不想讓其持有的人或團(tuán)體獲取，作為應(yīng)對(duì)措施，所述系統(tǒng)可以被不可逆地破壞?，F(xiàn)有技術(shù)的下列問題因此得以消除:在光電系統(tǒng)被破壞后有可能通過更換其部件或經(jīng)反向工程制造變形部件的等同部件而使系統(tǒng)能再次使用。因此借助“光學(xué)變暗系統(tǒng)”，阻止了不想讓其持有系統(tǒng)的人和團(tuán)體利用系統(tǒng)，這些系統(tǒng)在密切接觸時(shí)向用戶提供了優(yōu)點(diǎn)。
[0020]在本基本概念的范圍內(nèi)，可以開發(fā)出本發(fā)明的光學(xué)屏蔽系統(tǒng)的各種實(shí)施例。本發(fā)明并不局限于這里所述的實(shí)例，并且其實(shí)質(zhì)上如在權(quán)利要求書中被限定的那樣。
【權(quán)利要求】
1.一種光學(xué)屏蔽系統(tǒng)，其通過破壞光電設(shè)備的光學(xué)部件阻止對(duì)光電設(shè)備的重新使用，其實(shí)質(zhì)上包含: 至少一個(gè)光學(xué)組，其由光電系統(tǒng)的光學(xué)部件組成，并且其特征在于: 至少一個(gè)破壞單元，其破壞所述光學(xué)組； 至少一個(gè)觸發(fā)單元，其激活所述破壞單元； 至少一個(gè)管理中心，其向所述觸發(fā)單元發(fā)布命令以啟動(dòng)光學(xué)屏蔽。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)屏蔽系統(tǒng)，其特征在于，所述光學(xué)組為具有抗反射AR或高反射HR涂層的光學(xué)膜，并且所述破壞單元為電極組件。
3.如前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光學(xué)屏蔽系統(tǒng)，其特征在于，光學(xué)組包含光學(xué)膜和位于該膜上的涂層，它們的膨脹系數(shù)互不相同。
4.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)屏蔽系統(tǒng)，其特征在于，所述光學(xué)組在其結(jié)構(gòu)中具有低熔化溫度的聚合物層，并且所述破壞單元為電極組件。
5.如前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光學(xué)屏蔽系統(tǒng)，其特征在于，所述破壞單元將電壓施加在所述光學(xué)組上。
6.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)屏蔽系統(tǒng)，其特征在于，所述光學(xué)組的光學(xué)膜和/或光學(xué)窗口材料為AgCl，并且所述破壞單元為在紫外線波段發(fā)光的一個(gè)或多個(gè)二極管。
7.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)屏蔽系統(tǒng)，其特征在于，所述光學(xué)組在其結(jié)構(gòu)中具有KBr，并且所述破壞單元為密封的液體殼體。
8.如權(quán)利要求1和7所述的光學(xué)屏蔽系統(tǒng)，其特征在于，所述破壞單元為密封的液體殼體并且在從所述觸發(fā)單元接收到命令時(shí)釋放其中的液體。
【文檔編號(hào)】G02F1/01GK103765485SQ201280027166
【公開日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2012年12月3日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月2日
【發(fā)明者】O.卡拉曼吉, A.E.S.奧滋漢, C.杜魯坎, H.亞瓦斯, C.D.厄茲蒂爾塞爾丘克 申請(qǐng)人:阿塞桑電子莎娜依和提卡瑞特有限公司