低彎曲損耗光纖的制作方法
【專利摘要】一種光纖，同時(shí)具有低宏彎損耗以及低微彎損耗。該光纖具有第一內(nèi)包覆區(qū)以及圍繞該內(nèi)包覆區(qū)的第二外包覆區(qū)，其中第一內(nèi)包覆區(qū)具有外半徑r2>8微米以及折射率Δ2，且第二外包覆區(qū)具有折射率Δ4，其中Δ1>Δ4>Δ2。Δ4與Δ2之間的差異大于0.002%。該光纖展示出小于或等于1260nm的22m光纜截止，并且r1/r2大于或等于0.25。
【專利說(shuō)明】低彎曲損耗光纖
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)根據(jù)美國(guó)35U.S.C.§119要求2011年8月19日提交、臨時(shí)申請(qǐng)序列號(hào)N0.61/525408，以及于2012年2月22日提交的61/601713的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，本申請(qǐng)的整體依賴這些申請(qǐng)的內(nèi)容且這些申請(qǐng)的內(nèi)容通過(guò)引用全部結(jié)合至此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及具有低彎曲損耗的光纖。
技術(shù)背景
[0004]存在對(duì)于低彎曲損耗光纖的需求，特別是對(duì)于應(yīng)用在所謂“接入(access)”以及光纖到戶(FTTx)光纖網(wǎng)絡(luò)的光纖的需求?？稍诖祟惥W(wǎng)絡(luò)中部署光纖以使在通過(guò)光纖傳輸?shù)墓庑盘?hào)中引起彎曲損耗?？蓮?qiáng)加諸如緊密彎曲半徑，光纖的壓縮之類的物理要求的引起彎曲損耗的某些應(yīng)用，包括光引入光纜組件中部署光纖、具有工廠安裝終端系統(tǒng)(FITS)以及松弛回路的配電光纜、位于機(jī)柜內(nèi)的連接饋線與配電光纜的小彎曲半徑多端口、以及在配電與引入光纜之間的網(wǎng)絡(luò)接入點(diǎn)的跳線。在一些光纖設(shè)計(jì)中很難同時(shí)實(shí)現(xiàn)低彎曲損耗以及低光纜截止波長(zhǎng)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]此處公開的光波導(dǎo)光纖包括中心芯區(qū)以及包覆區(qū)，中心芯區(qū)具有外半徑r1以及折射率A1，包覆區(qū)包括具有外半徑r2>8微米以及折射率A2的第一內(nèi)包覆區(qū)以及具有折射率A4的第二外包覆區(qū)，其中Λ 2之間的差異大于0.002%，且該光纖展示出MAC數(shù)>7.5。此處公開的光纖優(yōu)選地展示出小于或等于1260nm的22m光纜截止，并且在一些實(shí)施例中^Vr2大于或等于0.25,更優(yōu)選大于0.3,甚至更優(yōu)選大于0.4。在一些實(shí)施例中，八4與A2之間的差異大于0.005,而在一些實(shí)施例中大于0.01%。在一些實(shí)施例中，八4與A2之間的差異在0.03和0.06之間，且在一些實(shí)施例中A4與A2之間的差異在0.07和0.1%之間。在此處公開的光纖中，Δ4優(yōu)選大于0.0，更優(yōu)選大于0.01，且更優(yōu)選大于 0.02。
[0006]此處還公開了包括中心芯區(qū)以及包覆區(qū)的光纖，中心芯區(qū)具有外半徑1^以及折射率A1，包覆區(qū)包括具有外半徑r2>8微米以及折射率A2的第一內(nèi)包覆區(qū)以及圍繞該內(nèi)包覆區(qū)并包括折射率八4的第二外包覆區(qū)，其中Ai>A4>A2，并且八4與八2之間的差異大于0.01%，并且該光纖的中心芯區(qū)基本展現(xiàn)出具有α值小于10的α分布，優(yōu)選小于6，更優(yōu)選小于4，且更優(yōu)選在I至4之間。
[0007]此處還公開了包括中心芯區(qū)以及包覆區(qū)的光纖，中心芯區(qū)具有外半徑1^以及折射率A1，包覆區(qū)包括具有外半徑r2>8微米以及折射率A2的第一內(nèi)包覆區(qū)以及圍繞該內(nèi)包覆區(qū)并具有折射率A4的第二外包覆區(qū)，其中Λ P Λ 4> A2，并且其中芯區(qū)包含至少基本遵循超高斯分布的折射率分布，即至少基本遵循方程％ Δ (r)=% Almax -EXP(-((r/a)y))的分布，其中r是從光纖中心開始的徑向距離，a是徑向尺度參數(shù)％ Λ = (% Δ lmax/e)，e是自然對(duì)數(shù)的
底數(shù)(~2.71828......),且Y (gamma)是一個(gè)正數(shù)。優(yōu)選地，a大于4.0,更優(yōu)選大于4.6,
而最優(yōu)選大于4.7。
[0008]此處還公開了包括中心芯區(qū)以及包覆區(qū)的光纖，中心芯區(qū)具有外半徑1^以及折射率A1，包覆區(qū)包括具有外半徑r2>8微米以及折射率A2 (其中A1SA2)的第一內(nèi)包覆區(qū)，且其中芯區(qū)包含至少基本遵循超高斯分布的折射率分布，即至少基本遵循方程％八(r) =% Almax ?ΕΧΡ(-((r/a)gamma))的分布，其中r是從光纖中心開始的徑向距離，a是徑向尺度參數(shù)％A = (%Almax/e)且a >4.5，e是自然對(duì)數(shù)的底數(shù)(~2.71828……)，而Y (gamma)是一個(gè)正數(shù)。
[0009]此處公開的光纖設(shè)計(jì)導(dǎo)致光纖具有以下光學(xué)特性:符合G.652，在1310nm處在8.2至9.5微米之間的MFD，一般在1310nm處在9.0至9.4之間，零色散波長(zhǎng)入。，1300nm <λ0 < 1324nm,小于或等于1260nm的光纜截止，以及在1550nm處≤0.189dB/Km的衰減，更優(yōu)選在1550nm#< 0.185dB/Km,甚至更優(yōu)選< 0.183dB/Km。還公開了超高斯芯分布。該包覆區(qū)可包括圍繞該芯的下陷折射率。具有該下陷包覆區(qū)的光纖具有減少的微彎損耗。該下陷折射率包覆區(qū)可具有相對(duì)于外包覆層在-0.002和-0.15%Δ之間的包覆層折射率，且該下陷折射率包覆區(qū)的絕對(duì)體積在大約0.3至80%Λ微米2之間。該下陷折射率包覆區(qū)可通過(guò)對(duì)溝區(qū)進(jìn)行向下?lián)诫s(例如通過(guò)氟摻雜或通過(guò)摻雜非周期空穴)或通過(guò)向上摻雜外包形成。在其他實(shí)施例中，該光纖可既包括下陷折射率包覆區(qū)，又包括相對(duì)于二氧化硅向上摻雜的外包覆區(qū)，即包括具有足夠量的諸如氧化鍺或氯之類的折射率增加的摻雜物來(lái)明顯提高二氧化硅的折射率的包覆區(qū)。
[0010]包括超高斯分布的光纖導(dǎo)致與階躍折射率芯分布的摻雜氧化鍺的單模(在1550nm處)產(chǎn)品相比，減小0.001至0.005dB/km的較低衰減。較低的衰減將能使這些光纖在網(wǎng)絡(luò)中減少信噪比。超高斯分布還導(dǎo)致較低的宏彎損耗和微彎損耗。具有下陷型包覆區(qū)的附加實(shí)施例對(duì)于色散特性具有更多控制的新的光纖涉及。
[0011]優(yōu)選地，此處公開的光纖能夠在1550nm處展示出絲網(wǎng)覆蓋的鼓微彎損耗(B卩，從未彎狀態(tài)開始增加的衰減)小于或等于0.07dB/km,更優(yōu)選小于或等于0.05dB/km。此外，此處公開的光纖優(yōu)選地在1550nm處展示出不大于0.75dB/匝的20mm直徑彎曲損耗，在1625nm處展不出不大于1.5dB/阻的20mm直徑彎曲損耗。同時(shí)，這些光纖能夠在1550nm處提供小于或等于0.19dB/km的衰減,更優(yōu)選小于0.186dB/km,且最優(yōu)選小于0.184dB/km,以及在1310nm處小于或等于0.34dB/km的衰減,更優(yōu)選小于0.32dB/km。優(yōu)選地,在1550nm處的30mm直徑彎曲損耗不大于0.025dB/阻。在一些優(yōu)選實(shí)施例中，在1550nm處的20mm直徑彎曲損耗不大于0.4dB/匝。在其他優(yōu)選實(shí)施例中，在1550nm處的20mm直徑彎曲損耗不大于0.3dB/匝。在一些優(yōu)選實(shí)施例中，在1550nm處的30mm直徑彎曲損耗不大于0.02dB/匝。使用施加至該光纖的一次和二次涂層可達(dá)到這樣的彎曲損耗以及衰減性能數(shù)值，其中一次涂層的楊氏模量小于5，更優(yōu)選小與1MPa，且二次涂層的楊式模量大于500MPa，更優(yōu)選大于900MPa，甚至更優(yōu)選大于ll00MPa。
[0012]在一些實(shí)施例中，折射率分布還提供小于1325nm的零色散波長(zhǎng)。在優(yōu)選實(shí)施例中，折射率分布還提供1300nm與1325nm之間的零色散波長(zhǎng)。
[0013]優(yōu)選地，折射率分布還提供小于或等于1260nm的光纜截止，更優(yōu)選在1000nm與1260nm 之間。
[0014]在一些優(yōu)選實(shí)施例中，折射率分布還提供在1310nm處在8.2微米與9.5微米之間的模場(chǎng)直徑。在其他優(yōu)選實(shí)施例中，折射率分布還提供在1310nm處在8.2微米與9.0微米之間的模場(chǎng)直徑。
[0015]如此處使用的，MAC數(shù)是指在1310處的模場(chǎng)直徑(nm)除以22m光纜截止波長(zhǎng)(nm)o在一些優(yōu)選實(shí)施例中，折射率分布還提供大于7.5的MAC數(shù)。在一些優(yōu)選實(shí)施例中，折射率分布還提供大于7.6或大于7.77，或至少為8的MAC數(shù)。
[0016]優(yōu)選地，在經(jīng)受0.01atm分壓氫達(dá)至少144小時(shí)后，該光纖具有在1383nm處小于0.03dB/km的最大氫致衰減變化。優(yōu)選地，該光纖在1383nm處具有的光衰減比1310nm處的光衰減不大于0.10dB/km,甚至更優(yōu)選在1383nm處的光衰減小于在1310nm處的光衰減。
[0017]現(xiàn)在將對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)參考，這些實(shí)施例的示例將在相應(yīng)附圖中示出。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1示出了對(duì)應(yīng)于如此處公開的光波導(dǎo)光纖的實(shí)施例的折射率分布。
[0019]圖2示出了根據(jù)可選實(shí)施例包括超高斯芯分布的折射率分布。
[0020]圖3示出了根據(jù)如此處公開的光波導(dǎo)光纖的一個(gè)可選實(shí)施例包括由升高外包覆區(qū)圍繞的超高斯芯分布的折射率分布升高包覆區(qū)。
[0021]圖4示出了根據(jù)如此處公開的光波導(dǎo)光纖的一個(gè)可選實(shí)施例的折射率分布，包括由下陷型包覆區(qū)以及升高外包覆區(qū)圍繞的超高斯芯分布。 [0022]參考實(shí)施例的【具體實(shí)施方式】
[0023]在下面的詳細(xì)描述中會(huì)陳述附加特征及優(yōu)勢(shì)，通過(guò)這些描述，這些附加特性及優(yōu)勢(shì)對(duì)于該領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員是顯而易見(jiàn)的，或者他們?cè)诟鶕?jù)下面結(jié)合權(quán)利要求及附圖的描述進(jìn)行實(shí)踐后會(huì)認(rèn)識(shí)到這些附加特征及優(yōu)勢(shì)。
[0024]“折射率分布”是折射率或相對(duì)折射率以及波導(dǎo)光纖半徑之間的關(guān)系。折射率分布的每一段的半徑由縮寫A、r2、r3、r4等給出，并且此處所使用的大小寫字母可互換(例如，ι等效于R1 )。
[0025]“相對(duì)折射率百分比”被定義為Λ %=100χ (η/-η。2) /2η,2,而且如此處使用，η。是未摻雜的二氧化硅的平均折射率。除非另有指定，如此處使用的，相對(duì)折射率由△表示且其值以單位“％ ”給出。術(shù)語(yǔ):德?tīng)査?、Δ、?、％Λ、detla%，％德?tīng)査约暗聽(tīng)査俜直却颂幙山粨Q使用。在其中一個(gè)區(qū)域的折射率小于未摻雜二氧化硅的平均折射率的情況下，相對(duì)折射率百分比為負(fù)并且是指具有下陷型區(qū)域或下陷折射率。在其中一個(gè)區(qū)域的折射率大于包覆區(qū)的平均折射率的情況下，相對(duì)折射率百分比為正?！吧蠐诫s物”此處被認(rèn)為是具有相對(duì)于純的未摻雜SiO2而言提高折射率傾向的摻雜物?！跋?lián)诫s物”此處被認(rèn)為是具有相對(duì)于純的未摻雜SiO2而言降低折射率傾向的摻雜物。上摻雜物的示例包括GeO2 (氧化鍺)、A1203、P2O5, TiO2, Cl、Br。下?lián)诫s物的示例包括氟和硼。
[0026]光導(dǎo)光纖的“色彩色散”(除非另有說(shuō)明，此處被稱為“色散”)是材料色散、波導(dǎo)色散、以及模間色散的總和。在單 模光波導(dǎo)光纖的情況下，模間色散為O。零色散波長(zhǎng)是在該波長(zhǎng)下，色散的值為O。色散斜率是相對(duì)于波長(zhǎng)的色散變化率。[0027]“有效面積”被定義為:
[0028]Aeff=2 τι ( / f2r dr)2/ ( f f4r dr),
[0029]其中，積分極限為0到c?，且f是與在波導(dǎo)中傳播的光相關(guān)的電場(chǎng)橫向分量。如此處使用的，除非另有說(shuō)明，“有效面積”或“Arff”指的是1550nm波長(zhǎng)處的光學(xué)有效面積。
[0030]術(shù)語(yǔ)“α分布”指的是相對(duì)折射率分布，用Λ (r)表示，其單位為“ ％ ”，r是半徑，遵循以下方程:
[0031 ] Δ (r) = Δ (r0) (1- [ | r_r01 / (r「r0) ] α),
[0032]其中r。是Δ (r)為最大的點(diǎn)，!T1是Δ (r) %為O的點(diǎn),且r的范圍為MKrf,其中Δ已在上文中定義，&是α分布的始點(diǎn)，1>是α分布的終點(diǎn)，且α是一個(gè)實(shí)數(shù)指數(shù)。
[0033]利用彼得曼II (Peterman II)方法測(cè)量模場(chǎng)直徑(MFD)，在該方法中2w=MFD，并? W2= (2 / f2r dr/ / [df/dr]2r dr)，積分極限為 O 到00。
[0034]可通過(guò)在規(guī)定測(cè)試條件下引入的衰減，來(lái)測(cè)量波導(dǎo)光纖的抗彎性，例如圍繞指定直徑的心軸來(lái)部署或包裹光纖,例如圍繞6mm、IOmm或20mm或類似直徑(例如“ IxlOmm直徑宏彎損耗”或“1x20mm直徑宏彎損耗”)的心軸來(lái)包裹一匝，并測(cè)量每匝的衰減增加。
[0035]一種類型的彎曲測(cè)試是橫向負(fù)荷微彎測(cè)試。在這種所謂的“橫向負(fù)荷”測(cè)試(LLWM)中，將規(guī)定長(zhǎng)度的波導(dǎo)光纖放置在兩塊平板之間。#70絲網(wǎng)附連至其中一塊平板上。已知長(zhǎng)度的波導(dǎo)光纖被夾在平板之間，并且當(dāng)平板被30牛的力壓在一起時(shí)測(cè)得參考衰減。然后向平板施加70牛的力并測(cè)量衰減的增加(dB/m)。衰減的增加是指定波長(zhǎng)(一般在1200nm至1700nm之間，例如1310nm或1550nm或1625nm)處波導(dǎo)的橫向負(fù)荷衰減(dB/m)。
[0036]另一種類型的測(cè)試是絲網(wǎng)覆蓋的鼓微彎測(cè)試(WMCD)。在這種測(cè)試中，用絲網(wǎng)包裹40mm直徑的鋁鼓。網(wǎng)被沒(méi)有拉伸地緊緊包裹，并且沒(méi)有小孔、浸濕(dip)，或損傷。絲網(wǎng)材料規(guī)格=McMaster-Carr供應(yīng)公司(克利夫蘭、俄亥俄州)，部件型號(hào):85385T106，耐腐蝕型304不銹鋼織的絲布，每線性英寸網(wǎng)眼:165x165，絲徑:0.0019”，寬度開口:0.0041”，開放面積％:44.0。當(dāng)施加80(+/-1)克張力時(shí)，規(guī)定長(zhǎng)度(750米)的波導(dǎo)光纖以0.050厘米占據(jù)間距(take-up pitch)以lm/s纏繞在絲網(wǎng)鼓上。規(guī)定長(zhǎng)度光纖的兩端被帶子捆起來(lái)以保持張力并且沒(méi)有光纖交叉。在指定的波長(zhǎng)(一般在1200nm至1700nm范圍內(nèi)，例如1310nm或1550nm或1625nm)處測(cè)量該光纖的衰減；在纏繞在光滑鼓上的光纖上測(cè)量參考衰減。衰減的增加是指定波長(zhǎng)(一般在1200nm至1700nm范圍內(nèi)，例如1310nm或1550nm或1625nm)處波導(dǎo)的絲網(wǎng)覆蓋的鼓衰減(dB/m)。
[0037]“引腳陣列”彎曲測(cè)試被用于比較波導(dǎo)光纖對(duì)于彎曲的相對(duì)耐受力。為了執(zhí)行該測(cè)試，對(duì)基本沒(méi)有被引起彎曲損耗的波導(dǎo)光纖測(cè)量衰減損耗。然后，繞引腳陣列編織該波導(dǎo)光纖并再次測(cè)量其衰減。由彎曲引起的損耗是兩個(gè)所測(cè)量的衰減的差異。該引腳陣列是引`腳在平坦表面上以單行排列并保持在固定的垂直位置的一組十個(gè)圓柱引腳。引腳中心到中心間距為5mm。引腳直徑為0.67mm。在測(cè)試期間，施加足夠的張力使波導(dǎo)光纖符合引腳表面的一部分。衰減的增加是指定波長(zhǎng)(一般在1200nm至1700nm之間的范圍，例如1310nm或1550nm或1625nm)處波導(dǎo)的引腳陣列衰減(dB)。
[0038]對(duì)于給定模式，理論光纖截止波長(zhǎng)，或“理論光纖截止”，或“理論截止”，是在該波長(zhǎng)上，所引導(dǎo)的光不能在該模式中傳播?？稍凇秵文９饫w光學(xué)》(Single Mode Fiber Optics, Jeunhomme, pp.39-44，Marcel Dekker, New York, 1990)中找到其數(shù)學(xué)定義，其中理論光纖截止被描述為此處波長(zhǎng)下，該模式傳播常數(shù)變得等于外包覆區(qū)內(nèi)的平面波傳播常數(shù)。該理論波長(zhǎng)適用于無(wú)限長(zhǎng)、筆直且沒(méi)有直徑變化的光纖。
[0039]光纖截止采用標(biāo)準(zhǔn)2m光纖截止測(cè)試F0TP-80 (EIA-TIA-455-80)進(jìn)行測(cè)量以獲得“光纖截止波長(zhǎng)”，也被稱為“2m光纖截止”或“測(cè)量截止”。執(zhí)行F0TP-80標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試使用受控彎曲量去除高階模，或?qū)⒐饫w的光譜響應(yīng)歸一化為多模光纖的光譜響應(yīng)。
[0040]光纜截止波長(zhǎng)，或此處使用的“光纜截止”，我們是指22m光纜截止測(cè)試，它在EIA-445光纖測(cè)試程序中有所描述，EIA-445是EIA-TIA光纖標(biāo)準(zhǔn)，即電子工業(yè)協(xié)會(huì)_通信工業(yè)協(xié)會(huì)光纖標(biāo)準(zhǔn)，的一部分。
[0041]除非另有說(shuō)明，對(duì)LPOl模報(bào)告光學(xué)特性(諸如色散、色散斜率等)。
[0042]此處公開的光纖能夠展不出在1550nm處的有效面積大于約55微米2，優(yōu)選在55微米2至95微米2之間，甚至更優(yōu)選在大約65微米2至85微米2之間。在一些優(yōu)選實(shí)施例中，在1550nm處的光學(xué)模式有效面積在75微米2至90微米2之間。
[0043]圖1示出了一個(gè)示例性光纖10，包括含最大折射率德?tīng)査俜直華1的中心玻璃芯區(qū)I。第一下陷型內(nèi)包覆區(qū)2圍繞中心芯區(qū)1，第一內(nèi)包覆區(qū)2包含折射率德?tīng)査俜直華20外包覆區(qū)3圍繞第一內(nèi)包覆區(qū)2并含Λ4。在優(yōu)選實(shí)施例中，在圖1所示出的實(shí)施例中，區(qū)1、2、3彼此緊鄰。然而，這并非必要，且可選地，可采用附加芯或包覆區(qū)。例如，可采用外包覆區(qū)(未示出)，該外包覆區(qū)圍繞環(huán)形區(qū)3并含比環(huán)形區(qū)3更低的折射率德?tīng)査俜直劝?。
[0044]中心芯區(qū)I包含外半徑r1; 1!被定義為通過(guò)中心芯區(qū)I的折射率最大斜率畫出的切線與零德?tīng)査€相交處。芯區(qū)I優(yōu)選展示出折射率德?tīng)査俜直華1在大約0.3至0.7之間，在一些實(shí)施例中在大約0.3至0.5之間，更優(yōu)選在大約0.32至0.48之間。在一些實(shí)施例中，Δ i優(yōu)選在0.36至0.46之間。在一些實(shí)施例中，八“尤選小于0.4。芯半徑!T1優(yōu)選在3至10微米之間，更優(yōu)選在大約4.0至7.0之間。中心芯區(qū)I可包含單段，階躍折射率分布。在一些實(shí)施例中，中心芯區(qū)I展不出的阿爾法大于0.5小于10,在一些實(shí)施例中小于7.5，小于6，或小于4。然而，在其他實(shí)施例中，中心芯區(qū)I可含阿爾法在10至100之間，在一些情況下阿爾法可在15至40之間。在一些優(yōu)選實(shí)施例中，中心芯區(qū)I展示出的阿爾法大于0.5并小于10，在一些實(shí)施例中小于7.5，小于5，或小于3，且芯區(qū)I具有的折射率德?tīng)査俜直劝?在0.38至0.48之間。在一些優(yōu)選實(shí)施例中，中心芯區(qū)I基本上展示出阿爾法分布的阿爾法大于0.5小于10,而在一些實(shí)施例中小于7.5,小于5,小于3,或大于I小于3，且芯區(qū)I具有的折射率德?tīng)査俜直華1在0.38至0.70之間，且芯半徑在大約4至7微米之間。在一些優(yōu)選實(shí)施例中，中心芯區(qū)I基本上展示出的阿爾法分布的阿爾法大于或等于1.5并且小于或等于3.5，且芯區(qū)I的折射率德?tīng)査俜直圈?i在0.38至0.70之間，且芯半徑在大約4至7微米之間。
[0045]在圖1示出的實(shí)施例中，內(nèi)包覆區(qū)2圍繞中心芯區(qū)I且包含內(nèi)半徑F1以及外半徑r2，ι如上述定義，r2被定義為折射率分布曲線與零德?tīng)査€相交處。在一些情況下區(qū)域2中的折射率本質(zhì)上是平的，在一些實(shí)施例中，區(qū)域2的折射率會(huì)隨半徑增加而增加。又一些情況下，由于較小的分布設(shè)計(jì)或工藝變化的結(jié)果，可存在波動(dòng)。在一些實(shí)施例中，第一內(nèi)包覆區(qū)包含的氟小于0.02wt%。在一些實(shí)施例中，內(nèi)包覆區(qū)2包含基本上未摻雜氟或氧化鍺的二氧化硅，即這樣的區(qū)域基本上不含氟及氧化鍺。內(nèi)包覆區(qū)2包含的折射率德?tīng)査俜直取?如下計(jì)算:
【權(quán)利要求】
1.一種光纖，包括: 中心芯區(qū)，具有外半徑ri以及折射率A1 包覆區(qū)，包括具有外半徑r2>8微米以及折射率A2的第一內(nèi)包覆區(qū)，以及圍繞所述內(nèi)包覆區(qū)并包含折射率八4的第二外包覆區(qū)，其中Ai>A4>A2，并且其中八4與A2之間的差異大于0.002%, A4大于0.0%，且所述光纖展示出MAC數(shù)>7.5。
2.如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，A4與A2之間的差異大于0.005%。
3.如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，A4與A2之間的差異大于0.01%。
4.如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，所述光纖展示出22m光纜截止小于或等于1260nm。
5.如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，所述光纖的芯所展示出阿爾法小于10。
6.如權(quán)利要求1所述的光纖，所述光纖進(jìn)一步展示出在1550nm處的絲網(wǎng)覆蓋的鼓微彎損耗小于或等于0.07dB/km。
7.如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，所述第一內(nèi)包覆區(qū)包含的氟小于0.02wt%。
8.如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，所述第一內(nèi)包覆區(qū)實(shí)質(zhì)上不含氟和氧化鍺。
9.如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，對(duì)于從1*2延伸到至少30微米半徑的長(zhǎng)度，δ4> δ2。
10.如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，在所述第一內(nèi)包覆區(qū)的外半徑與30微米的徑向距離之間計(jì)算出的所述外包覆區(qū)的分布體積V3等于
11.如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，所述光纖展示出在1550nm處的衰減小于或等于 0.186dB/km。
12.如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，所述芯包含的峰值德?tīng)査∮诨虻扔?.70%ο
13.一種光纖，包括: 中心芯區(qū)，具有外半徑A以及折射率A1且阿爾法值大于I小于10 ;以及 包覆區(qū)，包括具有外半徑r2>9微米r2〈14微米以及折射率Λ 2的第一內(nèi)包覆區(qū)，以及圍繞所述內(nèi)包覆區(qū)并包含折射率A4的第二外包覆區(qū)，其中Ai>A4>A2，并且其中八4與A2之間的差異大于0.002%。
14.如權(quán)利要求13所述的光纖，其特征在于，所述光纖展示出MAC在6.5和7.5之間。
15.如權(quán)利要求13所述的光纖，其特征在于，所述光纖展示出在1550nm處的絲網(wǎng)覆蓋的鼓微彎損耗小于或等于0.07dB/km。
16.如權(quán)利要求13所述的光纖，其特征在于，所述光纖展示出在1550nm處的衰減小于或等于 0.186dB/km。
17.如權(quán)利要求13所述的光纖，其特征在于，所述光纖展示出在1550nm處的衰減小于或等于 0.184dB/km。
18.如權(quán)利要求13所述的光纖,其特征在于，T1Zr2小于0.25。
19.如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，所述光纖的芯展示出阿爾法值大于或等于1.0且小于或等于10。
20.如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，所述外包覆區(qū)所包含的氯比所述第一內(nèi)包覆區(qū)要高出多于200ppm。
21.如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，所述外包覆區(qū)所包含的氯比所述第一內(nèi)包覆區(qū)要高出多于1200ppm。
22.如權(quán)利要求13所述的光纖，其特征在于，所述第一內(nèi)包覆區(qū)包含的氟小于0.02wt%o
23.如權(quán)利要求13所述的光纖，其特征在于，所述第一內(nèi)包覆區(qū)實(shí)質(zhì)上不含氟和氧化鍺。
24.如權(quán)利要求13所述的光纖，其特征在于，對(duì)于從1*2延伸到至少30微米半徑的長(zhǎng)度，δ4> δ2。
25.如權(quán)利要求14所述的光纖，其特征在于，在所述第一內(nèi)包覆區(qū)的外半徑與30微米的徑向距離之間計(jì)算出的所述外包覆區(qū)的分布體積V3等于

26.—種光纖,包括: 中心芯區(qū)，具有外半徑A以及折射率A1 包覆區(qū)，包括具有外半徑r2>8微米以及折射率A2的第一內(nèi)包覆區(qū)，以及圍繞所述內(nèi)包覆區(qū)并包含折射率A4的第二外包覆區(qū)，其中Ai>A4>A2，并且其中芯區(qū)包括超高斯分布，所述超高斯分布至少基本遵循方程％Δ (r) =%Δ lmax -EXP (-((r/a) Y))，其中r是從光纖中心開始的徑向距離，a=對(duì)應(yīng)徑向位置％ Δ = (% Δ lmax/e)的徑向尺度參數(shù)，e是自然對(duì)數(shù)的底數(shù)，Y (gamma)是一個(gè)正數(shù)。
27.如權(quán)利要求26所述的光纖，其特征在于，a大于4.5。
28.如權(quán)利要求26所述的光纖，其特征在于，所述光纖展示出光纜截止在1000nm和1260nm 之間。
29.一種光纖，包括: 中心芯區(qū)，具有外半徑A以及折射率A1 包覆區(qū)，包括具有外半徑r2>8微米以及折射率A2，其中Ai>A2，的第一內(nèi)包覆區(qū)，并且其中所述芯區(qū)包括超高斯分布，所述超高斯分布至少基本遵循方程％八(r) =%Δ lmax.EXP(-((r/a) Y)),其中r是從光纖中心開始的徑向距離，a是對(duì)應(yīng)徑向位置％A = (%Alniax/e)的徑向尺度參數(shù)，e是自然對(duì)數(shù)的底數(shù)，Y (gamma)是一個(gè)正數(shù)。
30.如權(quán)利要求29所述的光纖，其特征在于，a大于4.5。
31.如權(quán)利要求30所述的光纖，其特征在于，所述光纖展示出光纜截止在1000nm和1260nm 之間。
【文檔編號(hào)】G02B6/036GK103827709SQ201280040234
【公開日】2014年5月28日 申請(qǐng)日期:2012年8月17日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月19日
【發(fā)明者】S·R·別克漢姆, D·C·布克班德, J·庫(kù)恩, M-J·李, S·K·米斯拉, P·坦登, J·A·韋斯特 申請(qǐng)人:康寧股份有限公司