電潤(rùn)濕顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種電潤(rùn)濕顯示裝置（1），其包括至少一個(gè)圖像元件（8），所述電潤(rùn)濕顯示裝置具有第一支撐板（2）和第二支撐板（3）以及第一支撐板（2）與第二支撐板（3）之間的空間（9），所述空間（9）包括互不混溶的至少一種第一流體（13）和第二流體（14），所述第二流體（14）是導(dǎo)電的或極性的；所述第一支撐板（2）包括壁（6），其限定所述圖像元件的范圍，所述壁（6）具有一個(gè)形狀；電極（15），其用于將電場(chǎng)施加在所述電極與所述第二流體（14）之間，所述電極具有邊緣（28-35）、低部分（42）以及高部分（41），所述高部分比所述低部分更靠近所述第二支撐板，所述高部分鄰近所述壁布置并且具有比所述低部分的面積更小的面積；所述電極的所述高部分具有使所述空間內(nèi)電場(chǎng)增大的切口（37、38、39），并且所述電極的鄰近所述切口的所述邊緣（28、29、30、31）的至少一部分遵循所述壁的形狀。
【專利說(shuō)明】電潤(rùn)濕顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種電潤(rùn)濕顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]國(guó)際專利申請(qǐng)W02009/071694公開了一種包括多個(gè)圖像元件的電潤(rùn)濕顯示裝置，所述電潤(rùn)濕顯示裝置具有第一支撐板和第二支撐板。所述支撐板之間的空間用互不混溶的第一流體和第二流體填充；所述第二流體是導(dǎo)電的。
[0003]每個(gè)圖像元件的范圍都由環(huán)繞圖像元件的壁確定。所述壁將第一流體限定在圖像元件內(nèi)。所述申請(qǐng)的圖7公開了一種在圖像元件內(nèi)具有低部分和高部分的電極，所述高部分比所述低部分更靠近第二支撐板。高部分布置在壁的兩個(gè)拐角之間。在將電壓施加至電極時(shí)，電極的高部分上方的增大的電場(chǎng)將迫使第一流體離開壁，從而減少所述第一流體在壁上的附著。
[0004]本發(fā)明的目的在于改進(jìn)對(duì)第一流體的運(yùn)動(dòng)的控制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)本發(fā)明，提供了一種電潤(rùn)濕顯示裝置，其包括至少一個(gè)圖像元件，所述電潤(rùn)濕顯示裝置具有第一支撐板和第二支撐板以及所述第一支撐板與所述第二支撐板之間的空間，所述空間包括互不混溶的至少一種第一流體和第二流體，所述第二流體是導(dǎo)電的或極性的；所述第一支撐板包括:
[0006]壁，其限定圖像元件的范圍，所述壁具有一個(gè)形狀，
[0007]電極，其用于將電場(chǎng)施加在所述電極與第二流體之間，所述電極具有邊緣、低部分以及高部分，所述高部分比低部分更靠近第二支撐板，所述高部分鄰近壁布置并且具有比所述低部分的面積更小的面積；
[0008]電極的高部分具有使空間內(nèi)電場(chǎng)增大的切口，并且電極的鄰近切口的邊緣的至少一部分遵循所述壁的形狀。
[0009]當(dāng)電極與第二流體之間未施加電壓時(shí)，第一流體在第一支撐板上形成一個(gè)層。電極的高部分上方的第一流體層比電極的低部分上方的流體層更薄。在將電壓施加在電極與第二流體之間時(shí)，電極中的切口產(chǎn)生邊緣電場(chǎng)。所述邊緣場(chǎng)相對(duì)較強(qiáng)并且在切口附近具有相對(duì)較短的范圍。由于切口布置在高部分內(nèi)，所以邊緣場(chǎng)將對(duì)高部分上方的薄的第一流體層產(chǎn)生相對(duì)較強(qiáng)的影響。因此，在升高電壓時(shí)，切口附近的增大的電場(chǎng)將使第一流體開始優(yōu)先在切口附近移動(dòng)。
[0010]對(duì)第一流體的運(yùn)動(dòng)啟動(dòng)地點(diǎn)的控制改進(jìn)了對(duì)第一流體的運(yùn)動(dòng)的控制?，F(xiàn)有技術(shù)電極的高部分確實(shí)改進(jìn)了第一流體離開壁的運(yùn)動(dòng)，但并未提供沿著壁的明確限定的啟動(dòng)地點(diǎn)。因此，現(xiàn)有技術(shù)圖像元件中的啟動(dòng)地點(diǎn)隨著時(shí)間發(fā)生改變并且在圖像元件之間改變。根據(jù)本發(fā)明的在圖像元件中的切口附近啟動(dòng)第一流體運(yùn)動(dòng)避免了啟動(dòng)地點(diǎn)隨著時(shí)間的改變和在圖像元件之間的改變。切口導(dǎo)致對(duì)油運(yùn)動(dòng)實(shí)質(zhì)上更好的控制，從而改進(jìn)顯示裝置的性倉(cāng)泛。
[0011]高部分在垂直于壁的方向上和在第一支撐板平面上的線性范圍優(yōu)選小于顯示區(qū)域尺寸的20%并且更優(yōu)選小于10%。
[0012]當(dāng)在垂直于第一支撐板平面的方向上觀察時(shí)，切口是電極邊緣的形狀，其中所述邊緣并不遵循鄰近電極的壁的形狀并且電極的鄰近切口的邊緣的至少一部分確實(shí)遵循壁的形狀。
[0013]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)以下參照附圖僅以實(shí)例方式給出的對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案的描述而變得顯而易見。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1是現(xiàn)有技術(shù)圖像元件的截面；
[0015]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的圖像元件的俯視圖；
[0016]圖3示出了具有導(dǎo)電元件的圖像元件的俯視圖；
[0017]圖4是圖像元件的截面；
[0018]圖5是圖像元件的截面；
[0019]圖6示出了圖像元件的替代實(shí)施方案的俯視圖；以及
[0020]圖7示出了圖像元件的另一實(shí)施方案的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)顯示裝置I的一系列圖像元件的截面。所述裝置包括第一支撐板2和第二支撐板3。第一支撐板2包括親水性壁4、5、6，所述親水性壁4、5、6可由例如光致抗蝕劑材料(如SU8)制成。圖像元件的范圍是在第一支撐板的平面中由壁的中心包圍的區(qū)域；壁的中心由虛線7指示。圖像元件8具有由第一支撐板2、第二支撐板3以及壁5和6的中心限定的空間9。第一支撐板2包括上面布置有電極11的基板10,例如玻璃板或塑料板。每個(gè)圖像元件都具有連接至控制線以用于提供電壓的電極。電極被例如由非晶含氟聚合物AF1600制成的疏水層12覆蓋。第一支撐板可包括所述圖中未示出的其它元件如晶體管和絕緣層。
[0022]空間9包括由壁5和6限定在所述空間內(nèi)的第一流體13 (優(yōu)選液體)和導(dǎo)電或極性的第二流體14 (優(yōu)選液體)。第一流體可以是例如油，第二流體是例如水。所述流體是不混溶的。當(dāng)電極15與第二流體14之間未施加電壓時(shí)，所述第二流體與所述電極之間不存在電場(chǎng)；第一流體13散布在圖像元件中并且在第二流體14與第一支撐板2之間形成鄰接疏水層12的一個(gè)層，如針對(duì)圖像元件8所示。在施加電壓時(shí)，所得電場(chǎng)使第一流體在所述壁的一個(gè)附近收縮，如針對(duì)圖像元件16所示。短語(yǔ)“壁附近”意指鄰接壁或靠近壁；它排除了在疏水層12上在圖像元件中間的收縮。在國(guó)際專利申請(qǐng)W02003/071346中更完整地描述了第一流體在施加的電場(chǎng)作用下的運(yùn)動(dòng)，即所謂的電潤(rùn)濕效應(yīng)。在油和/或水具有吸收、反射和/或透射光的特殊光學(xué)特性時(shí)，圖像元件可在顯示裝置中用作光閥。所述顯示裝置可以是反射類型、透射類型或半透反射類型。
[0023]圖2示出了沿圖1中的線A-A的和從空間9可見的根據(jù)本發(fā)明的第一支撐板20的俯視圖。圖2示出了一個(gè)圖像元件8和八個(gè)相鄰圖像元件的一部分。所述圖示出了圖像元件的壁21和數(shù)個(gè)導(dǎo)電元件。所述壁具有四個(gè)拐角22至25。拐角具有與180度相差超過(guò)20度的角。所示的實(shí)施方案的四個(gè)拐角具有90度的角。圖像元件在第一支撐板2的平面中的范圍是壁21的中心內(nèi)的區(qū)域。限定了第一流體的壁的內(nèi)側(cè)之間的區(qū)域被稱為顯示區(qū)域26。圖像元件的顯示效果出現(xiàn)在這個(gè)區(qū)域中。從空間9可見的元件的邊緣通過(guò)繪制線示出，由另一元件覆蓋的元件的邊緣通過(guò)虛線示出；所述圖中未示出疏水層。顯示區(qū)域的典型尺寸是145微米乘以145微米。壁具有10微米的典型寬度。為清晰起見，所述圖提供了根據(jù)本發(fā)明的主要針對(duì)圖像元件20而非針對(duì)相鄰圖像元件的細(xì)節(jié)。
[0024]在圖2中，電極27覆蓋了顯示區(qū)域26的主要部分。在所示的實(shí)施方案中，電極具有由虛線28至31和邊緣32至35指示的邊緣。在虛線位置處，電極在壁21下方延伸。四個(gè)邊緣32至35形成另外的方形電極的切口 36至39。切口是電極的一部分，其中所述電極的邊緣不遵循壁的形狀，即壁的面向顯示區(qū)域26的側(cè)邊40的形狀。邊緣的鄰近每個(gè)切口的部分28至31確實(shí)遵循壁的形狀。切口也可定義為電極邊緣的凹部。
[0025]電極27包括線43的相對(duì)側(cè)上的高部分41和低部分42。在所示的實(shí)施方案中，所述高部分布置在所述低部分周圍。電極的高部分布置在第一支撐板20的凸出部上并且比低部分更靠近顯示裝置的第二支撐板。高部分鄰近壁21布置并且從線43延伸至壁的內(nèi)偵U。高部分的面積小于低部分的面積。始于壁的側(cè)邊40的高區(qū)域的線性范圍可取決于布置在第一支撐板中的導(dǎo)電元件，如下文所解釋。在圖2的特定實(shí)施方案中，所述線性范圍是在邊緣28和31附近5微米，在邊緣29附近25微米以及在邊緣30附近15微米。
[0026]雖然在圖2所示的實(shí)施方案中，電極的高部分41沿壁21的整個(gè)內(nèi)部延伸，但所述高部分也可僅局部地布置在所述拐角的一個(gè)中，優(yōu)選布置在與切口 36相對(duì)的拐角中，或布置在兩個(gè)或三個(gè)拐角中。沿著壁在兩個(gè)相鄰拐角之間延伸的高部分增大了沿著壁的那部分的電場(chǎng)并且激勵(lì)第一流體移動(dòng)離開所述壁。高部分的切口可以是沿電極27的邊緣的任何地方。鄰近角部具有切口的高部分具有最小化光學(xué)損耗如對(duì)比率或孔徑比的損耗的優(yōu)點(diǎn)。圖2中的高部分41具有三個(gè)切口 37、38以及39。所述高部分的切口分別布置在拐角23、24以及25中。切口 38的尺寸優(yōu)選大于切口 37和39的尺寸。
[0027]圖3示出了與圖2中相同、但具備導(dǎo)電元件的位置的第一支撐板20的圖像元件8的俯視圖。所述元件形成一個(gè)電路圖，所述電路圖與國(guó)際申請(qǐng)W02009071694的圖2中的電路圖相似，對(duì)有源矩陣類型的圖像元件來(lái)說(shuō)是普遍的。電路將源極控制線50和柵極控制線52經(jīng)由薄膜晶體管(TFT)連接至電極27。源極控制線50連接至源極51并且柵極控制線52連接至TFT的柵極53。TFT的漏極54連接至存儲(chǔ)電容器的頂板55。存儲(chǔ)電容器的底板56連接至存儲(chǔ)控制線57。直通連接部57，又稱“通路(via)”，將頂板55連接至電極27?；蛘?，單個(gè)TFT可用串聯(lián)的兩個(gè)TFT替換。所述控制線和電容器板由導(dǎo)電材料例如金屬(如鋁或鋁鑰)或者透明材料(如銦錫氧化物(ITO))制成。導(dǎo)電層的厚度可在IOOnm與300nm之間。
[0028]源極控制線50布置在第一支撐板20的凸出部中，在高部分41下方，鄰近邊緣30。所述一個(gè)或兩個(gè)TFT布置在高部分的較寬部分下方，鄰近邊緣29。這種元件布置的有利之處在于，所述凸出部既用于形成高部分所必需的高度又用于為電路元件提供空間。
[0029]圖4示出了沿圖3的線B-B的第一支撐板20的截面。疏水層12示出為單層。所述層可由例如AF1600制成，AF1600的厚度在200nm與IOOOnm之間。圖中未示出的例如厚度在IOOnm與150nm之間的SiNx或SiOx的保護(hù)層可布置成與疏水層接觸并且在疏水層下方。
[0030]電極27從切口邊緣35延伸至切口邊緣32。所述電極具有由虛線62分開的高部分60和低部分61。虛線指示圖2中的線43的位置。虛線標(biāo)記出電極的高度在低部分的位置上方開始增加的地點(diǎn)。切口 36位于低部分中；切口 39位于高部分中。如果切口邊緣的主要部分位于低/高部分中，那么所述切口就被視為位于所述低/高部分中。切口邊緣優(yōu)選布置在高部分的最高部分上，在所述最高部分處，所述切口邊緣對(duì)第一流體的運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生最大影響。在圖4中，由于邊緣35在虛線62的高側(cè)上，所以所述邊緣35位于高部分中；由于邊緣32在虛線65的低側(cè)上，所以所述邊緣32位于低部分中，從而指示線43在圖像元件的另一側(cè)上的位置。
[0031]高部分60布置在第一支撐板20的凸出部66上。所述凸出部可以是有機(jī)材料層。高部分60和低部分61具有由線64指示的、在電極面向空間9的那一側(cè)上測(cè)量的最大高度差。所述最大高度差典型地是2微米，但可例如在I微米與4微米之間。壁21布置在凸出部66上并且可具有在I微米與4微米之間的高度；值典型地是2微米。
[0032]圖5示出了第一支撐板20的沿圖3的線C-C的另一截面。柵極控制線53和電容器底板56由絕緣層70覆蓋，所述絕緣層70例如由氮化硅(SiNx)制成，可具有在150nm與300nm之間的厚度。非晶硅層71布置在層70與源極51和漏極54之間。TFT和存儲(chǔ)電容器由與層70相似的絕緣層72覆蓋并且可具有在200nm與800nm之間的厚度。在所述顯示裝置是透射類型時(shí)，電極27和導(dǎo)電層53、54、56優(yōu)選由透明的導(dǎo)電材料如ITO制成。在所述顯示裝置是反射類型時(shí)，所述電極可具有反射器功能并且可由厚度在IOOnm與150nm之間的鋁釹制成。所述電極通過(guò)貫穿絕緣層72的直通連接部57連接至電容器頂層55。所述直通連接部是電極中的局部凹陷。電極的低部分與高部分之間的分隔由虛線73和74示出。
[0033]電極27的邊緣29和31在壁21的下方延伸，如圖5中所示。因此，在電極與第二流體14之間產(chǎn)生的電場(chǎng)一直到壁21之前都將保持相對(duì)恒定，從而提供驅(qū)動(dòng)力，以用于使第一流體13離開所述壁并且減少所述第一流體到所述壁的粘附。如果壁由不透明材料制成，那么電極可由金屬制成；在那種情況下，穿過(guò)第二支撐板3落到所述壁上的環(huán)境光將不會(huì)在所述電極的在所述壁下方延伸的部分上反射。如果壁由透明材料如SU8制成，那么電極的在所述壁下方的部分優(yōu)選由透明材料如ITO制成，以避免環(huán)境光在其上的反射，所述反射可能會(huì)減少所述顯示裝置的對(duì)比度。這種電極可按照國(guó)際申請(qǐng)W02009/071694中對(duì)圖4的元件46和64的陳述來(lái)布置。
[0034]現(xiàn)將參考圖4來(lái)解釋電極27中的切口對(duì)第一流體13的運(yùn)動(dòng)的影響。當(dāng)在第二流體14與電極27之間施加電壓時(shí)，其間產(chǎn)生電場(chǎng)，所述電場(chǎng)的強(qiáng)度與所述電極與凹凸透鏡67之間的距離成反比。因此，在電極的高部分60上方產(chǎn)生的電場(chǎng)將強(qiáng)于電極的低部分61上方的電場(chǎng)。電極27的邊緣32和35將在第一流體13中產(chǎn)生邊緣場(chǎng)。所述邊緣場(chǎng)在距邊緣幾微米內(nèi)相對(duì)較強(qiáng)。因此，與邊緣32的邊緣場(chǎng)相比，邊緣35的邊緣場(chǎng)將在凹凸透鏡附近施加更強(qiáng)的力。邊緣場(chǎng)和高部分上方的更強(qiáng)的場(chǎng)的作用將使第一流體在在更高的部分中沒(méi)有切口時(shí)更低的施加電壓下移動(dòng)離開高部分。因此，用于啟動(dòng)第一流體的運(yùn)動(dòng)的閾值電壓變得更低。第一流體的位置對(duì)所施加電壓的遲滯也變小。[0035]雖然圖2的實(shí)施方案示出了電極的高部分中的三個(gè)切口，但單個(gè)切口也將對(duì)第一流體的運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生重大影響。例如，在實(shí)施方案僅在高部分中具有切口 38時(shí)，第一流體將在圖像元件的拐角24中開始移動(dòng)。在更高的電壓下，第一流體將在切口 36中，在相對(duì)拐角22中的低部分中收縮。由于對(duì)于這個(gè)實(shí)施方案來(lái)說(shuō)，切口較大，例如半徑約40微米，所以拐角附近的電場(chǎng)將變低并且所述切口將用作聚集區(qū)域，其中所述第一流體優(yōu)選在較高的施加電壓下聚集。電極可布置在切口 36中來(lái)減小所述切口上方區(qū)域中的電場(chǎng)，所述切口保持處于與所述第二流體相同的電壓。
[0036]已發(fā)現(xiàn),較大尺寸的切口對(duì)啟動(dòng)第一流體的運(yùn)動(dòng)更有效。然而,切口的尺寸不應(yīng)太大，以避免切口內(nèi)的區(qū)域上方的電場(chǎng)變得很小以至于第一流體在施加電壓時(shí)不再移動(dòng)。對(duì)于145微米的方形圖像元件來(lái)說(shuō)，切口尺寸的常見范圍是4微米至35微米，優(yōu)選鄰接約2微米的第一流體層；示例性值是10微米、20微米以及30微米。半徑如在圖2的實(shí)施方案中被視為圓形切口的尺寸。
[0037]當(dāng)在電極的高部分中例如在相鄰拐角中使用兩個(gè)或更多個(gè)相等尺寸的切口時(shí)，第二流體幾乎在增大施加電壓的同時(shí)開始移動(dòng)。這允許第一流體大致平行于壁21的直邊移動(dòng)。高部分中沿著壁的一個(gè)或多個(gè)切口可實(shí)現(xiàn)相同的結(jié)果。后面的這些切口可與拐角中的切口結(jié)合以刺激平行運(yùn)動(dòng)。
[0038]當(dāng)在電極的高部分中使用兩個(gè)或更多個(gè)具有不同尺寸的切口時(shí)，對(duì)第一流體的運(yùn)動(dòng)的控制可進(jìn)一步得到改進(jìn)。在圖2的實(shí)施方案中，較大的切口 38具有30微米的半徑并且較小的切口 37和39具有15微米的半徑。在增大施加電壓時(shí)，第一流體將在其中邊緣場(chǎng)較強(qiáng)的較大切口的拐角24內(nèi)開始移動(dòng)并且隨后在更高的電壓下在拐角23和25內(nèi)移動(dòng)。這種改進(jìn)的控制增大了圖像元件的所有第一流體將在拐角22中聚集的可能性。
[0039]圖6示出了圖像元件80的替代實(shí)施方案的俯視圖，其中電極81具有處于低部分中并且用作聚集區(qū)域的切口 82。電極可布置在切口 82中來(lái)減小所述切口上方區(qū)域中的電場(chǎng)，所述切口保持處于與所述第二流體相同的電壓。電極在高部分中具有三個(gè)切口 83、84以及85。圖像元件的尺寸是150微米乘以150微米并且切口 85的尺寸是30微米，這從鄰近拐角86沿著圖像元件的對(duì)角線至穿過(guò)所述切口的邊緣87的平均直線的測(cè)量測(cè)得。切口83和84的尺寸是15微米。切口 83至85具有一個(gè)邊緣，所述邊緣包括至少三個(gè)拐角，包括終止所述邊緣的拐角。邊緣中至少一個(gè)拐角的存在增大了第一流體上的電場(chǎng)。圖6中所示的切口具有五個(gè)拐角，每個(gè)拐角都是90度?；蛘?，拐角的角可能并非90度。拐角的數(shù)量可例如是O (切口具有圓邊)、1、2 (如圖2的實(shí)施方案中所示)、3、5或7。
[0040]電極81的兩個(gè)鄰近邊緣87和88布置在壁的內(nèi)側(cè)中，而另兩個(gè)鄰近邊緣89和90在壁的下方延伸。與邊緣89和90相比，邊緣87和88將在第一流體中在壁附近產(chǎn)生更大的邊緣場(chǎng)。因此，與移動(dòng)離開邊緣89和90附近的壁相比，第一流體將傾向于在更低的電壓下移動(dòng)離開邊緣87和88附近的壁，從而實(shí)施第一流體朝向聚集區(qū)域82的運(yùn)動(dòng)。這種特征可用于本發(fā)明的任何實(shí)施方案中。
[0041]圖7示出了與圖6的實(shí)施方案相似的、但在高部分的最大切口 93的邊緣92中具有九個(gè)拐角的圖像元件91的另一個(gè)實(shí)施方案的俯視圖。
[0042]以上實(shí)施方案應(yīng)被理解為是本發(fā)明的說(shuō)明性實(shí)例。能夠設(shè)想出本發(fā)明的其它實(shí)施方案。例如，在電極27或81是反射式的時(shí)，優(yōu)選具有與所述電極相同的材料的反射層可布置在高部分的一個(gè)或多個(gè)切口中，但不電連接至所述電極。這種反射層增強(qiáng)了圖像元件的反射性。應(yīng)理解的是，所描述的關(guān)于任何一個(gè)實(shí)施方案的任何特征可單獨(dú)使用，或與所描述的其它特征結(jié)合使用，并且也可與任何其它實(shí)施方案或任何其它實(shí)施方案的任何組合的一個(gè)或多個(gè)特征結(jié)合使用。此外，在不脫離隨附權(quán)利要求書中限定的本發(fā)明的范圍的情況下也可采用上文未描述的等效物和修改。
【權(quán)利要求】
1.一種電潤(rùn)濕顯示裝置，包括至少一個(gè)圖像元件，所述電潤(rùn)濕顯示裝置具有第一支撐板和第二支撐板以及介于所述第一支撐板與所述第二支撐板之間的空間，所述空間包括互不混溶的至少一種第一流體和第二流體，所述第二流體是導(dǎo)電的或極性的；所述第一支撐板包括 壁，限定所述圖像元件的范圍，所述壁具有一形狀， 電極，用于將電場(chǎng)施加在所述電極與所述第二流體之間，所述電極具有邊緣、低部分以及高部分，所述高部分比所述低部分更靠近所述第二支撐板，所述高部分鄰近所述壁布置并且具有比所述低部分的面積更小的面積； 所述電極的所述高部分具有使所述空間中的電場(chǎng)增大的切口，并且所述電極的鄰近所述切口的所述邊緣的至少一部分遵循所述壁的形狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述壁具有拐角并且所述高部分的所述切口鄰近所述拐角布置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述壁具有第一拐角和第二拐角并且所述電極具有帶切口的至少第一高部分和第二高部分，所述切口分別鄰近所述第一拐角和第二拐角布置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其中，所述高部分沿所述壁在兩個(gè)相鄰拐角之間延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，所述高部分具有鄰近所述拐角的第一切口和第二切口。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，所述高部分具有至少第一切口和第二切口，并且所述第一切口的尺寸大于所述第二切口的尺寸。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，所述切口的邊緣具有至少一個(gè)拐角。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，所述高部分布置在所述第一支撐板的凸出部上，并且所述壁布置在所述凸出部上。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，在未將電壓施加至所述電極時(shí)，所述第一流體在所述第一支撐板上形成一個(gè)層，所述層在所述高部分上延伸。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，所述圖像元件在所述第一支撐板上具有聚集空間，在所述聚集空間中，所述第一流體在施加電壓時(shí)聚集。
【文檔編號(hào)】G02B26/00GK103890634SQ201280041241
【公開日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2012年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月24日
【發(fā)明者】安德烈亞·希拉爾多, 尼古拉斯·貝格龍, 約·奧貝特 申請(qǐng)人:利奎阿維斯塔股份有限公司