用于選擇性反射來(lái)自太陽(yáng)光波長(zhǎng)譜的電磁輻射的多層體系及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于選擇性反射來(lái)自太陽(yáng)光波長(zhǎng)譜的電磁輻射的多層體系，并涉及在合適的優(yōu)選聚合物載體材料上制備所述體系的方法。本發(fā)明的該多層體系使用至少一個(gè)由銀或銀合金構(gòu)成的層形成，其在兩個(gè)表面的整個(gè)面積上分別涂布有種子層和覆蓋層。其中，種子層和覆蓋層由介電材料形成。這些介電材料是ZnO和/或ZnO:X。其中，至少一個(gè)該多層體系在柔性聚合物基材上，優(yōu)選在可見(jiàn)光譜范圍中光學(xué)透明的膜上形成。
【專利說(shuō)明】用于選擇性反射來(lái)自太陽(yáng)光波長(zhǎng)譜的電磁輻射的多層體系及其制造方法
[0001]本發(fā)明涉及用于選擇性反射來(lái)自太陽(yáng)光波長(zhǎng)譜的電磁輻射的多層體系，并涉及用于在合適的優(yōu)選聚合物載體材料上制造所述體系的方法。
[0002]由這些多層體系與所述載體構(gòu)成的該復(fù)合材料的優(yōu)選但非唯一的用途是與其它聚合物粘合膜和玻璃結(jié)合的層壓復(fù)合窗玻璃的制造。
[0003]另一用途是該復(fù)合材料與其它的涂布膜或非涂布膜和粘合劑的組合來(lái)用作后續(xù)涂覆在窗玻璃上的“窗膜”。
[0004]該多層體系被用于針對(duì)性、選擇性地影響由太陽(yáng)發(fā)射的電磁輻射的透射和反射，并通過(guò)已知的真空涂布工藝，尤其是PVD工藝，在對(duì)電磁輻射透明的基材上作為薄層形成，所述基材例如尤其是玻璃或聚合物膜。相關(guān)的目標(biāo)是將盡可能大量的非可見(jiàn)范圍(例如太陽(yáng)能范圍或近紅外譜范圍)的輻射反射，使得透過(guò)的太陽(yáng)能的量最低。一個(gè)特殊的目標(biāo)是將透射通過(guò)在該載體上設(shè)有該多層體系的復(fù)合窗玻璃的總太陽(yáng)光透射率值Tts (根據(jù)DINISO 13837計(jì)算，情形I)限制至最大為由太陽(yáng)發(fā)射并擊中地球表面的電磁輻射的40%。由此，房間或車輛內(nèi)部的加熱將會(huì)最低，并且為位于內(nèi)部的人員產(chǎn)生舒適的環(huán)境氣候所需的能量會(huì)被降低。但是，與上述相反的是，可見(jiàn)光范圍中盡可能高的輻射量不應(yīng)被反射，并且也盡可能不被吸收，從而使得人眼可見(jiàn)的太陽(yáng)光輻射的百分率(Tvis，根據(jù)ASTM E 308計(jì)算，照明源為A，觀察者在2° )可保持高于70%。對(duì)于Tvis的該要求由用于車輛窗玻璃的法律所規(guī)定。
[0005]為此目的，已長(zhǎng)期使用在基材(玻璃或塑料)上形成的多層體系。這些多層體系可以是交替的層體系，其中相互形成具有高折射和低折射的介電材料的層。
[0006]與薄介電層(氧化物和氮化物)交替的薄金屬層也被頻繁使用。這些氧化物和氮化物應(yīng)具有的550 nm波長(zhǎng)下的光學(xué)折射系數(shù)在1.8-2.5的范圍。
[0007]除了其它反射性金屬，例如金或銅之外，優(yōu)選將銀或銀合金(Ag-Au、Ag-Cu> Ag-Pd等)用于金屬層，其對(duì)于這些應(yīng)用具有非常良好的光學(xué)性能。
[0008]由此有利的是在種子層(Keimschicht)上沉積銀層或銀合金層。
[0009]為了涂覆由一系列氧化物層和Ag層組成的復(fù)雜的多層體系，常規(guī)地在反應(yīng)性濺射工藝中用氧化物涂布在已被涂覆/沉積的Ag層上。
[0010]已知在氧化性介質(zhì)，例如O2或％0的存在下，并且特別在包含這些氣體的反應(yīng)性等離子體中，Ag易氧化。氧化伴隨著Ag性能的明顯劣化，使得一般在不使用特殊對(duì)策下達(dá)不到該多層體系所希望的視覺(jué)和能量性能。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的一項(xiàng)保護(hù)性措施是在銀層上涂覆
非常薄的金屬層。
[0011]目前，常規(guī)地將具有〈5nm的常規(guī)層厚度的Ti或NiCr合金用作覆蓋層。這是為了避免銀在層表面上的氧化，因?yàn)樵诮殡妼拥暮罄m(xù)形成中可避免表面與氧以及環(huán)境(等離子體)的其它反應(yīng)性成分的直接接觸。以此形式保護(hù)銀避免降解，而金屬覆蓋層可能氧化。
[0012]由于在用于薄覆蓋層的沉積的涂布機(jī)中需要單獨(dú)的涂布站，所以其不能用于(層體系的光學(xué)作用所需的)介電材料的沉積。這通常造成更長(zhǎng)的涂布時(shí)間和由此而來(lái)的提高的涂布成本。
[0013]在多層體系中，界面粗糙度通常隨著層數(shù)的增加而增加。在薄銀層的情況中，這可能造成多層體系中的第二和第三銀層在相當(dāng)?shù)暮穸认戮哂休^差的電學(xué)和光學(xué)性能。這可例如通過(guò)測(cè)量電阻而間接驗(yàn)證。另外，由于對(duì)于銀和介電層之間的粗糙界面的附加的吸收效果，使得對(duì)于可見(jiàn)光波長(zhǎng)下的電磁輻射的透射率降低。
[0014]因此，本發(fā)明的目的是提供具有改進(jìn)性能的用于車輛窗玻璃的“玻璃層壓件”或“窗膜”的應(yīng)用情況所用的多層體系。
[0015]一方面，這些多層體系是在可見(jiàn)光譜范圍下高透射且低反射的，并且在另一方面對(duì)于來(lái)自不可見(jiàn)光譜范圍(近紅外范圍)的輻射部分是低透射且高反射的。
[0016]同時(shí)，本發(fā)明的另一目的是提供用于在合適的載體上沉積的方法，所述方法適于該多層體系的工業(yè)生產(chǎn)。特別地，本發(fā)明的目的是提供在可用于卷對(duì)卷工藝中使用的在聚合物載體材料上經(jīng)濟(jì)性涂覆的方法。
[0017]根據(jù)本發(fā)明，使用包括權(quán)利要求1的特征的多層體系實(shí)現(xiàn)該目的。由權(quán)利要求8限定用于這些多層體系的生產(chǎn)方法。由從屬權(quán)利要求中所述的特征可實(shí)現(xiàn)有利的實(shí)施方案和擴(kuò)展方案。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的用于選擇性反射來(lái)自太陽(yáng)光波長(zhǎng)譜的電磁輻射的多層體系由至少一個(gè)銀或銀合金的層形成，該層在兩個(gè)表面上分別完全由種子層和覆蓋層涂布，種子層和覆蓋層由介電材料形成。種子層和覆蓋層由ZnO和/或ZnO:X形成。至少一個(gè)該多層體系在柔性聚合物基材上，優(yōu)選在可見(jiàn)光譜范圍光學(xué)透明的膜上形成。種子層和覆蓋層可由純ZnO或由摻雜氧化鋅形成，可選地，所述兩層之一可由ZnO形成，并且另一層由摻雜的ZnO形成。除了純銀之外，還可使用其中包含少量的Au、Pd或Cu的銀合金。以下將該層一般稱為銀層。在銀合金中包含的其它金屬的量應(yīng)非常小，如可能，其低于2%。
[0019]該多層體系或多個(gè)這些多層體系可在基材上相互疊置而形成。常規(guī)的真空涂布工藝，特別是PVD工藝，并且特別有利的是磁控管濺射可用于這些目的。
[0020]塑料基材(聚合物膜)上的涂布經(jīng)常以間歇操作實(shí)施，因?yàn)檫@些基材通常以具有無(wú)限長(zhǎng)度的卷的形式可獲得。
[0021]為此目的，有利的是如果種子層和覆蓋層可從相同的靶材料濺射。也就是說(shuō)，原則上相同的材料滿足相應(yīng)的功能。由此，可在各涂布步驟中配合一方面用于種子層，另一方面用于覆蓋層的供入涂布區(qū)域的相應(yīng)氣體混合物，以便以該方式優(yōu)化相應(yīng)功能。其通過(guò)向后和向前的卷繞允許特別經(jīng)濟(jì)的向前和向后的涂布(在各次卷繞下沉積具有種子層-銀-覆蓋層的體系)。該多層體系可不在耗時(shí)的通風(fēng)步驟下生產(chǎn)，以使甚至具有多個(gè)銀層、以及種子層和覆蓋層的卷移掛他處(Umhhgen )。用于形成種子層、銀層和覆蓋層的靶在基材供料軸的方向上連續(xù)布置。用于形成種子層和覆蓋層的靶可由相同材料形成。
[0022]如果在涂布過(guò)程中，從卷對(duì)卷卷繞基材，則可根據(jù)基材供料方向交替變換地分別使用一種靶一次性地形成種子層和在相反供料方向形成覆蓋層。由此，特別在具有分別被種子層和覆蓋層封閉的多個(gè)銀層的多層體系時(shí)，可降低用于生產(chǎn)的時(shí)間和花費(fèi)。
[0023]為了這些目的，并非絕對(duì)必要的是通過(guò)向后和向前的卷繞來(lái)沉積多個(gè)根據(jù)本發(fā)明的多層體系。另一可能是在各涂布步驟(用于沉積多層體系)之后，移開(kāi)經(jīng)涂布的卷，將卷加載在原始的展開(kāi)站點(diǎn)，并恰如涂布步驟I進(jìn)行涂布。[0024]混合氧化物ZnO:X，其中X例如是Al203、Ga203、Sn02、In2O3或MgO可用于形成種子層和覆蓋層。為了這些目的，具有各自組成的相應(yīng)的靶，也就是純ZnO或至少一種其它所述的氧化物可用于涂布。除了 ZnO之外的種子層和覆蓋層中包含的這些氧化物的百分比應(yīng)不大于20質(zhì)量％，并且10質(zhì)量％是優(yōu)選的，特別是為了確保種子層的晶體結(jié)構(gòu)的成形。
[0025]種子層和/或覆蓋層應(yīng)具有范圍為5 nm-15 nm的層厚度，銀層應(yīng)具有在5 nm-25nm之間,優(yōu)選為10 nm的層厚度。
[0026]形成附加的介電層可以是有利的，其在兩面上圍封該多層體系。
[0027]為了實(shí)現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的多層的銀層體系，根據(jù)圖2，在涂布步驟的次序下將在基材上沉積兩個(gè)或更多個(gè)單銀層體系，優(yōu)選三個(gè)單銀層體系。單銀層體系是指具有介電層、薄種子層、銀層、覆蓋層和圍封的介電層(參見(jiàn)圖1)的結(jié)構(gòu)。
[0028]為了能夠?qū)崿F(xiàn)理想的光學(xué)性能，銀層的厚度和介電層的厚度應(yīng)是配合的。介電層在550 nm波長(zhǎng)下具有η > 1.8的折射率、以及較低的吸收性，并且可優(yōu)選由In2O3形成。
[0029]在兩個(gè)銀層之間形成的介電層結(jié)構(gòu)，其由覆蓋層、介電層和種子層構(gòu)成，在光學(xué)過(guò)濾體系中具有介電間隔層的效果，介電間隔層用于限定光譜透射范圍的位置和現(xiàn)有技術(shù)中已知的復(fù)合玻璃的顏色感覺(jué)。本發(fā)明具有特別的益處，其在于種子層和覆蓋層的厚度對(duì)介電間隔層的層厚度起作用，這是因?yàn)樗鼈儺a(chǎn)生相當(dāng)于其它介電材料的光學(xué)效果，并且總體上對(duì)光學(xué)效果起作用。種子層和覆蓋層對(duì)于層體系中的介電厚度的作用可考慮為在多層體系的結(jié)構(gòu)中它們的光學(xué)折射率和幾何厚度。根據(jù)沉積條件，在550 nm波長(zhǎng)下ZnO的光學(xué)折射率為約1.95 - 2.05。由于種子層和/或覆蓋層中包含的附加氧化物的百分比，該光學(xué)折射率可略微與此偏差。因此可與由其它材料構(gòu)成的其它介電層組合配合理想的光學(xué)效果。
[0030]在多層體系的形成中，三個(gè)靶可用于真空涂布以形成銀層和形成種子層和覆蓋層，在涂布過(guò)程中將靶依次布置在進(jìn)料軸向，和/或可將其使用。特別地，當(dāng)從卷對(duì)卷涂布時(shí)，正如其在膜基材涂布間歇操作中進(jìn)行的，這具有的優(yōu)點(diǎn)是在層結(jié)構(gòu)的形成中(其上將相互形成幾個(gè)本發(fā)明的多層體系)，可減少涉及的設(shè)備結(jié)構(gòu)和時(shí)間消耗。由此，獨(dú)立于基材的移動(dòng)方向，首先可用陶瓷靶ZnO和/或ZnO: X形成種子層，然后可用銀靶的銀層和使用第二 ZnO和/或ZnO:X靶形成覆蓋層。工藝條件，并且在該情況中，特別是供入用于種子層/覆蓋層的涂布區(qū)域的氣體組成可在各涂布步驟中保持恒定或相同。
[0031]在種子層和覆蓋層的形成過(guò)程中，所使用的氣體混合物(濺射氣體)應(yīng)由氬氣、氧氣和氫氣構(gòu)成，并且具有適于種子層和覆蓋層的組合。濺射氣體中的氧氣和氫氣的百分比應(yīng)在特定范圍(取向值〈10%，但可由于各涂布設(shè)備，例如氣體進(jìn)口和泵布置而有偏差)以一方面實(shí)現(xiàn)對(duì)有利影響隨后涂覆的銀層的層生長(zhǎng)的最優(yōu)種子效果所希望的層結(jié)構(gòu)，而另一方面沉積光學(xué)透明(無(wú)吸收)的層。在涂布范圍內(nèi)，涂布可在0.4-1.0 Pa的通常壓力下進(jìn)行為。
[0032]還應(yīng)選擇合適的氣體組成用于銀上的覆蓋層，以此確保足夠的保護(hù)作用。在此，氧氣濃度應(yīng)保持較低(取向值為氣體總量的〈10%)。為此，額外有利地是選擇高于氧氣百分比的氫氣百分比(取向值為氣體總量的〈15%)。
[0033]通過(guò)使用根據(jù)本發(fā)明的由ZnO和/或ZnO:X形成的種子層和覆蓋層，可改進(jìn)銀層的質(zhì)量。這可一方面通過(guò)改進(jìn)的銀生長(zhǎng)，另一方面通過(guò)覆蓋層的相應(yīng)保護(hù)作用進(jìn)行解釋。另一有利影響是種子層和隨后的銀層之間、以及沉積的銀層和涂布在其上的覆蓋層之間的非常平滑的邊界層的形成。
[0034]已知由于因生長(zhǎng)而調(diào)節(jié)的結(jié)構(gòu)性能，薄銀層具有顯著不同于固體材料并且限制層體系的可實(shí)現(xiàn)性能的性能。
[0035]通過(guò)涂覆影響生長(zhǎng)的薄種子層(英語(yǔ)稱為“種子層(seed layer) ”)可以實(shí)現(xiàn)通過(guò)與已在低層厚度下使用的規(guī)律性生長(zhǎng)(層形成)而達(dá)到更好的與固體Ag類似的性能。這在本發(fā)明的情況中特別成功，這是由于由ZnO和/或ZnO:X形成的種子層具有與銀結(jié)構(gòu)具有外延關(guān)系的晶體結(jié)構(gòu)。
[0036]特別地，重要的是涂布條件允許種子層a)以主要是結(jié)晶的方式生長(zhǎng)、以及b)同時(shí)具有對(duì)于意圖在其上規(guī)律性的銀層生長(zhǎng)特定的結(jié)晶優(yōu)選方向。
[0037]在其上相互形成多個(gè)多層體系的多銀層體系中，還可通過(guò)面電阻測(cè)量證實(shí)第二、第三以及第四銀層的電導(dǎo)率與第一銀層相當(dāng)。也就是說(shuō)，因此可顯示出在由幾個(gè)這樣的層序(參見(jiàn)圖3)構(gòu)成的層堆疊體中實(shí)現(xiàn)了銀層的層質(zhì)量和邊界層的低粗糙度。
[0038]在非常有效的用于汽車結(jié)構(gòu)的窗玻璃的防太陽(yáng)光層中，可實(shí)現(xiàn)〈40%的理想的總太陽(yáng)光透射率，并且Tvis > 70%和Rvis < 10%。但是，具有更高的Rvis值的層體系也是可能的。
[0039]還可選擇種子層和覆蓋層的層厚度，使得它們可以有針對(duì)性地用于干涉特定的電磁輻射。在具有多個(gè)銀層的多層體系中，種子層和/或覆蓋層還可具有不同的層厚度，使得它們?cè)诓煌ㄩL(zhǎng)下形成干涉。
[0040]由此，在根據(jù)本發(fā)明的多層體系結(jié)構(gòu)中，透射的輻射的總百分比可保持在Tts <40%，可見(jiàn)光波長(zhǎng)譜中的透射的輻射的百分比保持在Tvis > 70%，并且可見(jiàn)光波長(zhǎng)譜中的反射的輻射的百分比保持在Rvis < 10%，其中所述多層體系結(jié)構(gòu)在作為基材的PET膜上具有三個(gè)分別被種子層和覆蓋層以及介電層包圍的銀層，并在玻璃層壓件中使用由此涂布的膜(圖 4)。
[0041 ] 下面以示例的方式進(jìn)一步解釋本發(fā)明。
[0042]在附圖中:
圖1示意性地示出了一個(gè)實(shí)例，其中銀層被種子層和覆蓋層圍封；
圖2示意性地示出了一個(gè)實(shí)例，其中在多層體系結(jié)構(gòu)中存在三個(gè)銀層，其各具有種子層和覆蓋層；
圖3示出了在多層體系中具有不同數(shù)量的銀層的情況下計(jì)算和測(cè)量的面電阻的圖；以
及
圖4示出了包括在復(fù)合玻璃中埋嵌的塑料膜的根據(jù)本發(fā)明的多層體系的結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0043]在涂布步驟中將具有銀層4的多層體系的圖1中示出的實(shí)例涂覆在PET基材I上。通過(guò)磁控管濺射，在反應(yīng)性工藝中使用金屬銦靶涂覆層厚度為25 nm的In2O3層2作為介電層。在后續(xù)的涂布站中，從摻雜2% Al2O3的陶瓷ZnO: X靶沉積8 nm層厚度的種子層3。分別將約5%的氧氣和氫氣混入濺射氣體氬氣。通過(guò)磁控管霧化，在氬氣等離子體中進(jìn)行10nm的金屬銀層4的沉積。對(duì)于覆蓋層5 (層厚度為7 nm)的沉積，也使用摻雜2% Al2O3的ZnO:X靶。在該情況下，將5%的氧氣和8%的氫氣混入氬氣。進(jìn)而通過(guò)反應(yīng)性工藝，使用金屬銦祀實(shí)現(xiàn)具有30 nm層厚度的由In2O3形成的最后介電層6。[0044]對(duì)于該單銀層體系，在一個(gè)銀層4的情況下，實(shí)現(xiàn)6.2歐姆平方的面電阻。
[0045]通過(guò)三個(gè)涂布步驟實(shí)現(xiàn)圖2中示出的多層體系結(jié)構(gòu)，其具有分別在種子層3和覆蓋層5之間形成的三個(gè)銀層4。為了證實(shí)種子層3和覆蓋層5的功能，連續(xù)三次同樣地涂布圖1中所示的多層體系。
[0046]但是，為了實(shí)現(xiàn)所需的關(guān)于TTS、Tvis和Rvis的性能，In2O3層2和6的厚度和銀層4的厚度需配合。在各涂布步驟中，在相同條件下制備種子層3和覆蓋層5。
[0047]圖2示出了一種結(jié)構(gòu)，其中在PET基材I上，形成分別由種子層3、銀層3和覆蓋層5形成的根據(jù)本發(fā)明的三個(gè)多層體系。種子層3和覆蓋層5的層厚度和組成對(duì)應(yīng)于圖1中的實(shí)例。
[0048]由此，在基材I上形成的由In2O3構(gòu)成的介電層2應(yīng)具有20 nm-50 nm的層厚度，在種子層3和覆蓋層5之間形成的由In2O3構(gòu)成的介電層應(yīng)具有40 nm-150 nm范圍的厚度。背對(duì)基材I的外表面上形成的由In2O3構(gòu)成的介電層應(yīng)具有20 nm-70 nm范圍的厚度。所有的銀層應(yīng)具有7 nm-25 nm范圍的層厚度。
[0049]通過(guò)在具有銀層且層厚度為10 nm的多層體系上試驗(yàn)性地測(cè)定的面電阻，估計(jì)具有額外的10 nm銀層的平行電路的面電阻。將經(jīng)確定的在具有多個(gè)銀層的多層體系結(jié)構(gòu)中測(cè)定的電阻與理論計(jì)算值比較。圖3示出了計(jì)算值與對(duì)于兩個(gè)、三個(gè)和四個(gè)銀層的體系的測(cè)試值一致。這確認(rèn)了即使兩個(gè)、三個(gè)和四個(gè)銀層也可在多層體系中制備，其具有相當(dāng)好的銀性能。該狀況來(lái)自圖3中示出的圖，并且證明了當(dāng)銀層數(shù)量增多時(shí)，銀層的界面粗糙度沒(méi)有增大。
[0050]此外，由三個(gè)根據(jù)本發(fā)明的相互疊加形成的多層體系而構(gòu)成的多層體系可通過(guò)調(diào)節(jié)單個(gè)層厚度進(jìn)行優(yōu)化，從而在玻璃層壓件中實(shí)現(xiàn)性能Tts < 40%,Tvis > 70%且Rvis < 10%。圖4中示出了“玻璃層壓件”的結(jié)構(gòu)。其包括PET基材1、具有三個(gè)銀層4的根據(jù)本發(fā)明的多層體系7、PVB (聚乙烯醇縮丁醛)層8·和玻璃9。
[0051]在圖4中示出的實(shí)例中，種子層3的層厚度保持為8 nm，并且覆蓋層5的厚度保持在7 nm。銀層4具有以下厚度(從基材I開(kāi)始):第一銀層=8.7 nm、第二銀層=16.9nm且第三銀層=13.7 nm。由In2O3制備介電層6，并且其具有以下厚度，同樣從基材I開(kāi)始:由In2O3構(gòu)成的第一層=24 nm、由In2O3構(gòu)成的第二層=76 nm、由In2O3構(gòu)成的第三層=90 nm和由In2O3構(gòu)成的第四層=32 nm。
[0052]在“玻璃層壓件”中使用該層體系實(shí)現(xiàn)以下值:
Tvis (A, 2° ) = 72.4%
Rvis (A, 2° ) = 9.1%
Tts (ISO) = 38.1%。
【權(quán)利要求】
1.用于選擇性反射來(lái)自太陽(yáng)光波長(zhǎng)譜的電磁輻射的多層體系，其在柔性聚合物基材上由至少一個(gè)銀層或銀合金層形成，所述層在兩個(gè)表面上分別完全涂布有種子層和覆蓋層，其中該種子層和覆蓋層由介電材料形成，其特征在于所述種子層(3)和所述覆蓋層(5)由ZnO和/或ZnO:X形成。
2.權(quán)利要求1的多層體系，其特征在于X選自A1203、Ga203、SnO2,In2O3或MgO，并且存在的比例為最大20質(zhì)量％。
3.前述權(quán)利要求之一的多層體系，其特征在于所述種子層(3)和/或所述覆蓋層(5)的層厚度在5 nm-15 nm的范圍，并且所述銀層⑷的層厚度在5 nm-25 nm之間。
4.前述權(quán)利要求之一的多層體系，其特征在于由優(yōu)選In2O3的介電材料構(gòu)成的層在覆蓋層(5)和種子層(3)之間形成，其中該覆蓋層(5)在銀層(4)上形成，而該種子層(3)在另一銀層(4)之下形成。
5.前述權(quán)利要求之一的多層體系，其特征在于以疊置的方式形成至少兩個(gè)、優(yōu)選三個(gè)多層體系，其各自在基材(I)上具有銀層(4)。
6.前述權(quán)利要求之一的多層體系，其特征在于介電層(2)在基材(I)和多層體系之間形成，該介電層(2)的層厚度為20 nm-50 nm范圍。
7.前述權(quán)利要求之一的多層體系，其特征在于在各具有銀層(4)的多層體系之間，形成層厚度在40 nm-150 nm范圍的介電層(6)，和/或在背離基材(I)的外表面上形成層厚度在20 nm-70 nm范圍的另一介電層(6)。
8.用于制備前述權(quán)利要求之一的多層體系的方法，其特征在于在真空涂布工藝中，特別是磁控管濺射中，將靶用于所述種子層(3)、銀層(4)和覆蓋層(5)的形成，所述層在基材(I)的供料軸方向上連續(xù)布置，并且其中由相同材料形成用于形成所述種子層(3)和覆蓋層(5)的革巴。
9.權(quán)利要求8的方法，其特征在于用于形成所述種子層(3)和覆蓋層(5)的氣體混合物配合用于種子層(3)和覆蓋層(5)的相應(yīng)層形成。
10.權(quán)利要求9的方法，其特征在于在用于形成所述覆蓋層(5)的氣體混合物中維持比在形成所述種子層(3)時(shí)更低比例的氧氣和更高比例的氫氣。
11.權(quán)利要求8-10之一的方法,其特征在于在從卷對(duì)卷的涂布過(guò)程中卷繞所述基材，從而根據(jù)基材的供料方向交替變換地分別用一種靶一次性地形成種子層(3)，并且在相反的供料方向時(shí)形成覆蓋層(5)。
【文檔編號(hào)】G02B5/20GK103874939SQ201280050161
【公開(kāi)日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2012年9月28日 優(yōu)先權(quán)日:2011年10月13日
【發(fā)明者】R.蒂爾施, R.克萊恩亨佩爾, A.瓦爾 申請(qǐng)人:韶華歐洲有限責(zé)任公司