光耦合器件以及制造該器件的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種光耦合器件以及制造該器件的方法。該光耦合器件在透明基底13之上形成有耦合斑4，在兩者之間夾有包層2。一個(gè)或多個(gè)波導(dǎo)芯1與該耦合斑接觸，并在其平面內(nèi)延伸。光穿過透明基底13和包層2，并進(jìn)入耦合斑4，在此其被散射元件散射。至少有一部分光進(jìn)入波導(dǎo)芯1。在耦合斑4面對透明基底13的表面上形成有第一反射鏡5，其上具有供光穿過的光孔。在耦合斑4上與透明基底13相對一側(cè)的表面上提供有背反射鏡6?？梢栽诎鼘?與透明基底13之間形成第二反射鏡7。
【專利說明】光耦合器件以及制造該器件的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及光耦合器件以及制造該器件的方法。具體而言，涉及光耦合器件的架 構(gòu)和構(gòu)造，諸如適用于光纖網(wǎng)絡(luò)的光耦合器件。

【背景技術(shù)】
[0002] 已知有多種方式可用于在光發(fā)射元件或光接收元件與光波導(dǎo)之間進(jìn)行光耦合。這 通常涉及改變光束的方向，例如改變90度。遺憾的是，這些技術(shù)的光耦合效率通常較低。
[0003] 首先，衍射光柵已被用于通過衍射來改變光的方向，使入射光的角度改變?yōu)樗?的角度。然而，衍射光柵僅限于特定波長的光。此外，在采用衍射光柵的應(yīng)用場合中，光源 與波導(dǎo)之間的耦合效率通常低。為獲得良好的耦合效率，需要采用昂貴的集成式技術(shù)。
[0004] 45度角反射鏡也被用于以反射方式將光線方向改變90度。然而，在采用此類反 射鏡的應(yīng)用場合中，光源與波導(dǎo)之間的耦合效率通常低。此外，反射鏡角度、位置的精度和 表面平直度都會(huì)影響耦合效率。反射鏡或反射器的對準(zhǔn)也是一個(gè)問題。反射鏡角度對于實(shí) 現(xiàn)所需結(jié)果至關(guān)重要。當(dāng)波導(dǎo)尺寸減小、例如當(dāng)波導(dǎo)厚度小于50 時(shí)，這些問題會(huì)更為嚴(yán) 重。
[0005] 棱鏡耦合被用于使用高折射率棱鏡對波導(dǎo)內(nèi)的傳播常數(shù)和入射光內(nèi)的傳播常數(shù) 進(jìn)行相位匹配。然而，棱鏡通常較為昂貴，且光耦合仍然需要一定的對準(zhǔn)度。還采用了衰減 波方法，由此激發(fā)出一種傳播方向模式，以便于實(shí)現(xiàn)光耦合。然而，這種方法采用的是非常 細(xì)的波導(dǎo)，例如小于50 iim，其效率通常不會(huì)很高。
[0006] 仍然需要有一種使光被高效率地耦合到波導(dǎo)內(nèi)且成本可接受的光耦合結(jié)構(gòu)。
[0007] 鑒于上述問題，本發(fā)明人此前已提出一種可解決其中一些問題的光耦合器。在PCT 申請?zhí)枮镻CT/SG2011/000317的申請中對此進(jìn)行了說明，該申請?jiān)诒旧暾埖? 優(yōu)先權(quán)日:尚未 公布，但其公開內(nèi)容整體并入本申請。
[0008] PCT/SG2011/00317的光耦合器有一個(gè)耦合斑（coupling spot)，其被布置為將光 傳輸進(jìn)入一個(gè)或多個(gè)波導(dǎo)。在圖1中示出了一個(gè)這樣的光耦合器的橫截面。圖1示出了兩 個(gè)長形的波導(dǎo)芯1，其延伸到圖的任何一側(cè)。波導(dǎo)芯1位于包層2上方。在兩個(gè)波導(dǎo)芯之間 是一個(gè)由嵌入有納米級顆粒的聚合物基體組成的耦合斑4。本文中使用的"納米顆粒"一詞 用于指代最大直徑小于1微米的顆粒（即亞微米顆粒）。理想情況下，所有顆粒的直徑均處 于亞微米范圍內(nèi)。應(yīng)注意，光耦合器可能包含其他未在圖1中示出的與耦合斑4接觸的波 導(dǎo)芯，其未被示出的原因是它們不在示意圖平面內(nèi)。它們在圖平面之外的各種方向上遠(yuǎn)離 耦合斑4延伸。
[0009] f禹合斑4的上表面攜帶有第一反射鏡5 (以橫截面不出），其包括一個(gè)中心光孔。 入射光11 (示為在圖中向下傳播）可通過第一反射鏡5上的光孔進(jìn)入耦合斑4。在耦合斑 4處，光被耦合斑內(nèi)的納米顆粒散射到周圍的波導(dǎo)芯1內(nèi)。包層2的折射率比波導(dǎo)芯材料的 折射率低，以將被f禹合的光限制在波導(dǎo)芯內(nèi)。在包層2與f禹合斑4之間有一個(gè)背反射鏡6， 以使得未被散射或向前散射的光被背反射鏡6反射出去，在此過程中，還有可能被納米顆 粒散射并耦合到周圍的波導(dǎo)1內(nèi)。第一反射鏡5阻擋光向上射出耦合斑。應(yīng)注意，耦合斑 4及其反射鏡5、6起到光學(xué)腔的作用。
[0010] 圖1的布置比上述已被公知的系統(tǒng)具備顯著的優(yōu)勢，具體而言，即光耦合進(jìn)入波 導(dǎo)芯1的效率高，且對準(zhǔn)容差低。
[0011] 圖2中示出了用于制造此類光耦合器的一種方便的方法（未在PCT/ SG2011/000317中明示）。圖3示出了此方法的步驟。起始點(diǎn)為圖2(a)所示的基底3。在 步驟21 (在圖3上示出）中，在基底3上沉積厚度為所需值（例如5 iim)的包層2,如圖 2(b)所示。在步驟22中，背反射鏡6被沉積到包層2上，如圖2(c)所示。然后在步驟23 中，波導(dǎo)芯1被沉積，如圖2(d)所示，在它們與背反射鏡6的上方之間留出一個(gè)腔。然后， 如圖2(e)所示，在步驟24中，包含散射元件的液體聚合物被施加到腔內(nèi)并被固化，以形成 耦合斑4。在固化之后，第一反射鏡5在耦合斑4之上形成，如圖2(f)所示。具體形成方 式為，在步驟25中，采用光刻技術(shù)形成一個(gè)圖案化的光致抗蝕劑結(jié)構(gòu)（沉積一層光致抗蝕 齊U，通過經(jīng)圖案化光掩模向光致抗蝕劑上照射紫外（UV)光的方式，去除光致抗蝕劑層的所 選部分，隨后在一個(gè)顯影步驟中，去除掉暴露于紫外光的光致抗蝕劑部分），在步驟26中， 在圖案化的光致抗蝕劑結(jié)構(gòu)的頂部沉積一個(gè)金屬層，并執(zhí)行剝離過程，在此過程中，圖案化 的光致抗蝕劑結(jié)構(gòu)及其之上的金屬層部分被去除。
[0012] 然而，本發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)，對于某些聚合物制劑，對液體聚合物固化的結(jié)果是如圖 4 (a)所示結(jié)構(gòu)，而非圖2 (e)所示結(jié)構(gòu)。也就是說，聚合物在固化時(shí)可能出現(xiàn)收縮。在此情況 下，耦合斑4的高度并非均勻地與波導(dǎo)處于同一高度，耦合斑的上表面不平整。圖4 (b) - (f) 示出了在形成第一反射鏡5的步驟中的這種后果。如上所述，此過程涉及在圖4(a)的結(jié)構(gòu) 上沉積一層光致抗蝕劑131，如圖4(b)所示，并如圖4(c)所示，將其一部分通過光掩模133 暴露到紫外光中。隨后是一個(gè)顯影階段，在此階段，將暴露于紫外光的光致抗蝕劑部分去除 掉。由此使光致抗蝕劑131形成圖案。
[0013] 此后，如圖4(d)所示，表面被涂覆金屬原子135(例如通過蒸發(fā)、濺射或化學(xué)氣相 沉積（CVD))，以生成圖4(e)所示的結(jié)構(gòu)。然后將光致抗蝕劑131去除，留下圖4(f)所示 的結(jié)構(gòu)，包括第一反射鏡5。第一反射鏡5由未被沉積到光致抗蝕劑131上的金屬原子135 構(gòu)成。如圖4(f)所示，第一反射鏡5并不平。整個(gè)布置可能存在尺寸不精確的問題。具體 而言，此技術(shù)可能無法以非常好的保真度再現(xiàn)光孔圖案。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0014] 本發(fā)明的目的是提供一種新的有用的光耦合器件，以及用于制造該器件的方法。
[0015] 本發(fā)明基于PCT/SG2011/000317的原理。概括而言，本發(fā)明提出在透明基底上形 成耦合斑，在使用中，光通過透明基底進(jìn)入耦合斑。由此，在固化過程中可能變得不平整的 耦合斑表面就是與光進(jìn)入耦合斑所經(jīng)表面相對的表面。這樣就降低了任何不平整情況的重 要程度。這種反向的配置可實(shí)現(xiàn)一種可減輕耦合斑材料在固化時(shí)發(fā)生收縮的影響的制造方 法。
[0016] 如PCT/SG2011/000317中所述，耦合斑被夾在背反射鏡與帶有光孔的第一反射鏡 之間。然而，與圖1所示安排不同，第一反射鏡位于朝向透明基底的耦合斑的表面上。在制 造耦合斑之前進(jìn)行第一反射鏡的制造，由此可最大限度減小、甚至消除在耦合斑材料固化 時(shí)光孔中發(fā)生的任何變化。
[0017] 同樣如PCT/SG2011/000317中所述，光耦合器件包括一個(gè)包層。此包層在透明層 之上、且在耦合斑之下形成（即耦合斑在透明層之上，但不與之接觸；耦合斑至少通過包層 而與透明層隔開）。
[0018] 在包層與透明層之間優(yōu)選提供一個(gè)第二反射鏡，其上有一個(gè)與第一反射鏡上的光 孔配準(zhǔn)的光孔。這樣可最大限度減少雜散光，由此提高在光介質(zhì)中數(shù)據(jù)傳輸?shù)男旁氡取５?二反射鏡有兩個(gè)作用。第一，光孔的尺寸用于控制從耦合斑反射出的雜散光的入射角，這樣 可將光孔配置為最大限度減少雜散光在透明基底內(nèi)的內(nèi)部反射。第二，第二反射鏡用于通 過在雜散光每次被反射時(shí)吸收其一部分，由此消散掉在透明基底內(nèi)傳播的任何雜散光。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019] 通過閱讀對本發(fā)明的實(shí)施例的以下說明，并結(jié)合附圖，可以更加容易地明晰了解 本發(fā)明的優(yōu)勢。在附圖中：
[0020] 圖1為PCT/SG2011/000317中光耦合器件的簡圖。
[0021] 圖2由圖2(a)_2(f)組成，其是圖1所示器件的一種生產(chǎn)方法的步驟的示意圖。
[0022] 圖3為圖4的工序的流程圖。
[0023] 圖4由圖4(a)_4(f)組成，示出了圖2和圖3中工序的一種可能的問題。
[0024] 圖5所示為具有第一和第二反射鏡的本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的橫截面。
[0025] 圖6所示為沒有第二反射鏡的本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的橫截面，以及在第二個(gè)實(shí) 施例中從耦合斑反射出的雜散光可能經(jīng)過的路徑。
[0026] 圖7為圖5的實(shí)施例的頂視圖。
[0027] 圖8為圖5的實(shí)施例的中心部分的放大頂視圖。
[0028] 圖9為在圖5的實(shí)施例中從耦合斑反射出的雜散光可能經(jīng)過的路徑的示意圖。
[0029] 圖10為在圖5的實(shí)施例中可以如何計(jì)算從耦合斑反射出的雜散光的最大入射角 的示意圖。
[0030] 圖11為圖5的實(shí)施例中傳播損耗與包層模的函數(shù)關(guān)系圖。
[0031] 圖12為圖5的實(shí)施例中所需包層最小厚度與透明基底折射率之間的函數(shù)關(guān)系圖。
[0032] 圖13為在圖5的實(shí)施例中沿透明基底傳播的雜散光可能如何被第二反射鏡削弱 強(qiáng)度的示意圖。
[0033] 圖14為雜散光的入射角可能如何被圖5的實(shí)施例的第一和第二反射鏡的光孔控 制的示意圖。
[0034] 圖15由圖15(a)_15(g)組成，其是圖6的實(shí)施例的加工工序的步驟的示意圖。
[0035] 圖16為圖15的工序的流程圖。
[0036] 圖17由圖17(a)_17(g)組成，其是圖5的實(shí)施例的加工工序的步驟的示意圖。
[0037] 圖18為圖17的工序的流程圖。
[0038] 實(shí)施例的詳細(xì)說明
[0039] 現(xiàn)在將參照圖5對本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例進(jìn)行說明。圖1和2中的參考數(shù)字具有相 同的意義。此實(shí)施例是一個(gè)光耦合器件，包括一個(gè)透明基底13,在透明基底上形成一個(gè)包 層2。在包層2上形成耦合斑4。耦合斑4與由波導(dǎo)芯材料形成的多個(gè)波導(dǎo)芯1共面。波 導(dǎo)芯1處于一個(gè)波導(dǎo)平面內(nèi)。圖1中只有兩個(gè)波導(dǎo)芯1可見，但如下文所述，本實(shí)施例包括 其他未示出的波導(dǎo)芯，其未示出的原因是它們并未處于此圖的平面內(nèi)。本文中的術(shù)語"光" 用于指代具有在400nm至1600nm范圍內(nèi)的任何波長值的一個(gè)或多個(gè)分量的電磁輻射。
[0040] 入射光21穿過透明基底13的下表面進(jìn)入光耦合器件。透明基底13允許所需波 長的光穿過，而不發(fā)生實(shí)質(zhì)性的干涉和吸收。隨后光穿過包層2,從下方進(jìn)入耦合斑4。耦 合斑包括對入射光21的頻率的光可透射的聚合物基體，以及起散射中心作用的納米顆粒。 更具體而言，聚合物基體和透明基底對至少一個(gè)波長A可透射，使得a/A < 1，其中a為平 均顆粒直徑。
[0041] 在耦合斑4內(nèi)，光被納米顆粒散射到周圍的波導(dǎo)芯1內(nèi)。入射光21優(yōu)選為垂直于 波導(dǎo)平面，因?yàn)檫@樣可實(shí)現(xiàn)散射光更好的徑向強(qiáng)度分布。包層2的折射率低于波導(dǎo)芯材料 的折射率，以將f禹合的光限制在波導(dǎo)芯內(nèi)部。在包層2與f禹合斑4之間有第一反射鏡5,使 背散射的光在第一反射鏡5上被反射出，在此過程中，還有可能被納米散射器散射，并被耦 合到周圍的波導(dǎo)芯1內(nèi)。第一反射鏡上的光孔讓入射光21進(jìn)入耦合斑4。背反射鏡6起到 將背散射或反射的光限制在耦合斑4內(nèi)的類似作用。此外，包層2與透明基底之間有一個(gè) 第二反射鏡7。此第二反射鏡7的作用是減少雜散光的傳播。此外，第二反射鏡7的光孔還 控制著從耦合斑4逸出的光可進(jìn)入透明基底13的角度范圍。如下所述，這樣可以最大限度 降低被反射回到透明基底13內(nèi)的光的比例。
[0042] 與圖1的安排相對照，圖5的反向設(shè)計(jì)可為生成耦合斑4的工藝提供便利，且無需 擔(dān)心第一反射鏡5內(nèi)的光孔因固化而出現(xiàn)的尺寸精度的問題。
[0043] 圖6所示為本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例，其與第一個(gè)實(shí)施例的區(qū)別在于它沒有第二反 射鏡。它與第一個(gè)實(shí)施例共同的優(yōu)勢在于，第一反射鏡5處于耦合斑4的下表面上，因此不 會(huì)受到固化過程的損害。
[0044] 不過，在兩個(gè)實(shí)施例中都存在一個(gè)風(fēng)險(xiǎn)，即進(jìn)入耦合斑4的光的一部分可能穿過 光孔被反射回去，并到達(dá)透明基底3。這在圖6的實(shí)施例中更為嚴(yán)重，因?yàn)橥该骰?與包 層2和波導(dǎo)芯1 一起可以支持"包層模"，其使雜散光302在波導(dǎo)芯1的層、包層2與透明基 底3之間往復(fù)行進(jìn)。這樣可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)處理中的信噪比較差，因?yàn)殡s散光在此"包層模"內(nèi) 的傳播可能影響被置于波導(dǎo)芯1通道的末端的檢測器的傳感器讀數(shù)。相比而言，在圖5的 實(shí)施例中，第二反射層意味著光無法從透明基底13再次進(jìn)入通道。此外，由于存在第一反 射鏡5和第二反射鏡7,在包層2中移動(dòng)的光會(huì)被快速消散。
[0045] 圖7所示為圖5的實(shí)施例從光耦合器件頂部觀察的視圖（從此方向看，圖6的實(shí) 施例與之很大程度上相同）?？梢钥闯觯渚哂?2個(gè)波導(dǎo)芯1，這些波導(dǎo)芯1均處于波導(dǎo)平 面內(nèi)。波導(dǎo)芯1圍繞被背反射鏡6隱藏的耦合斑4被沿徑向布置?？赏ㄟ^波導(dǎo)芯1之間的 縫隙看到未被波導(dǎo)芯1覆蓋的包層2的部分。
[0046] 圖8所示為本發(fā)明的同一實(shí)施例的近景頂視圖。除徑向布置的波導(dǎo)芯1和包層2 之外，還可看到背反射鏡6的外邊緣61。虛線示出了第一反射鏡5的外邊緣51、耦合斑4 的外邊緣41、第二反射鏡7中的光孔的輪廓71以及第一反射鏡5中的光孔的輪廓52的位 置。耦合斑4是具有中心軸線的圓柱體，其外邊緣41為圓形。應(yīng)注意，光孔52、71以及第 一反射鏡51和背反射鏡61為圓形，且與稱合斑4的中心軸線同心對齊。
[0047] 圖9為同一實(shí)施例（即圖5的實(shí)施例）的橫截面圖。具體而言，它示出了被導(dǎo)向 到耦合斑4的入射光21可能如何經(jīng)歷一次或多次散射，并可能被耦合到其中一個(gè)波導(dǎo)芯1 內(nèi)。第一反射鏡5可將部分散射光反射回耦合斑4,以進(jìn)行進(jìn)一步的散射。圖9還示出了 被反射出耦合斑4并進(jìn)入透明基底3的雜散光602可能如何被第二反射鏡7的光孔加以控 制，以使其能夠全部從透明基底3射出，而不會(huì)沿包層2以"包層模"傳播并導(dǎo)致噪音讀數(shù)。
[0048] 計(jì)算光耦合器件的尺寸
[0049] 圖10與圖9類似，但示出了若干參數(shù)的定義。它們在下文用于計(jì)算可射出耦合斑 并仍進(jìn)入透明基底的雜散光的最大入射角。繼而此值被用于設(shè)置包層2的厚度的最小適用 限值。
[0050] 為了減少雜散光，帶光孔的第二反射鏡可被作如下設(shè)計(jì)：
[0051] 首先，圖10所示的符號的定義為：
[0052] >9imn:來自第一反射鏡5中的光孔52、經(jīng)光孔71散射的光的最小入射角
[0053] 經(jīng)光孔52散射到包層/基底界面的光的最大入射角
[0054] rap :"散射光孔"（即光孔52)的半徑
[0055] rsh :"背散射光孔遮罩"（即光孔71)的半徑
[0056] tclad :包層2的厚度
[0057] nclad :包層2的折射率
[0058] nsb :透明基底13的折射率
[0059] <9r:包層/基底界面處的折射角
[0060] >9pr:基底中的導(dǎo)波的傳播角。
[0061] 從圖10所示的幾何關(guān)系可以得出：

【權(quán)利要求】
1. 一種光耦合器件，包括： 在一個(gè)平面內(nèi)延伸的一個(gè)或多個(gè)波導(dǎo)芯； 被設(shè)置在所述平面內(nèi)且包含多個(gè)散射中心的耦合斑； 平行于所述平面并沿所述一個(gè)或多個(gè)波導(dǎo)芯定位的包層； 平行于所述平面并沿所述包層定位的透明基底；以及 被置于所述耦合斑上的背反射鏡，所述背反射鏡與所述透明基底處于所述耦合斑的相 對側(cè)； 其中在光穿過所述透明基底時(shí)，至少有一部分光穿過所述包層，進(jìn)入所述耦合斑內(nèi)，并 且所述多個(gè)散射中心將至少一部分的所述光通過散射耦合到所述一個(gè)或多個(gè)波導(dǎo)芯內(nèi)。
2. 如前述任一權(quán)利要求所述的光耦合器件，還包括一個(gè)設(shè)置在所述耦合斑與所述包層 之間的第一反射鏡，其中所述第一反射鏡具有光孔，用于使光穿過所述包層，進(jìn)入所述耦合 斑。
3. 如前述任一權(quán)利要求所述的光耦合器件，還包括在所述包層與所述透明基底之間的 第二反射鏡，其中所述第二反射鏡具有光孔，用于使光穿過所述透明層，進(jìn)入所述包層。
4. 如前述任一權(quán)利要求所述的光耦合器件，其中所述耦合斑包括聚合物基體。
5. 如權(quán)利要求4所述的光耦合器件，其中所述聚合物基體包括聚合物，所述聚合物對 至少一個(gè)波長A為透明、使得a/A < 1，其中a為平均顆粒直徑。
6. 如權(quán)利要求5在引用權(quán)利要求2和3時(shí)所述的光耦合器件，其中所述包層的厚度根 據(jù)以下公式配置：
其中tdad表示所述包層的厚度， nsb表示所述透明基底的折射率， rsh表示在所述第二反射鏡中的所述光孔的半徑， n。：^表示所述包層的折射率， rap表示在所述第一反射鏡中的所述光孔的半徑， n6ffn為基于以下公式的所述基底的厚度和折射率的函數(shù)
n為正整數(shù)；以及 e in。表示從所述第一反射鏡的光孔射出的雜散光可以進(jìn)入所述第二反射鏡的光孔的 最大可能入射角。
7. 如前述任一權(quán)利要求所述的光耦合器件，其中有圍繞所述耦合斑布置的多個(gè)所述波 導(dǎo)芯，所述波導(dǎo)芯為長形，并沿各自的方向遠(yuǎn)離所述耦合斑而延伸。
8. -種制造光耦合器件的方法，包括： 在透明基底之上形成包層； 在所述包層之上形成一個(gè)或多個(gè)波導(dǎo)芯，所述一個(gè)或多個(gè)波導(dǎo)芯在一個(gè)平面內(nèi)延伸； 在所述包層之上形成耦合斑，所述耦合斑被設(shè)置在所述平面內(nèi)，并包含多個(gè)散射中心； 以及 在所述耦合斑上形成背反射鏡； 所述多個(gè)散射中心用于將穿過所述透明層和所述包層并進(jìn)入所述耦合斑的光散射到 所述一個(gè)或多個(gè)波導(dǎo)芯內(nèi)。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法，還包括：在形成所述一個(gè)或多個(gè)波導(dǎo)芯的所述步驟之前， 在所述包層之上形成第一反射鏡，所述第一反射鏡具有光孔，用于使光穿過所述包層而進(jìn) 入所述耦合斑。
10. 如權(quán)利要求8或9所述的方法，還包括：在形成所述包層的所述步驟之前，在所述 透明基底之上形成第二反射鏡，所述第二反射鏡具有光孔，用于使光穿過所述透明基底而 進(jìn)入所述包層。
11. 如權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在形成所述一個(gè)或多個(gè)波導(dǎo)芯的所 述步驟中，形成多個(gè)所述波導(dǎo)芯，并在所述波導(dǎo)芯之間限定腔； 形成所述耦合斑的所述步驟在形成所述波導(dǎo)芯的所述步驟之后執(zhí)行，并包括將材料沉 積到所述腔內(nèi)。
12. 如權(quán)利要求8至11中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述包層的厚度至少為約5 iim。
13. 如權(quán)利要求8至12中任一項(xiàng)所述的制造光耦合器件的方法，其中所述包層由旋轉(zhuǎn) 涂覆技術(shù)形成。
14. 如權(quán)利要求8至12中任何一項(xiàng)所述的制造光耦合器件的方法，其中所述包層由棒 式涂覆技術(shù)形成。
15. 如權(quán)利要求8至14中任一項(xiàng)所述的制造光耦合器件的方法，其中所述波導(dǎo)芯由旋 轉(zhuǎn)涂覆技術(shù)形成。
16. 如權(quán)利要求8至14中任一項(xiàng)所述的制造光耦合器件的方法，其中所述波導(dǎo)芯由光 刻技術(shù)形成。
17. 如權(quán)利要求9或如權(quán)利要求10至16中任一項(xiàng)在引用權(quán)利要求9時(shí)所述的制造光 耦合器件的方法，其中所述第一反射鏡采用光刻技術(shù)和隨后采用金屬圖案化技術(shù)形成。
18. 如權(quán)利要求17所述的制造光耦合器件的方法，其中所述金屬圖案化技術(shù)為金屬剝 離工藝。
19. 如權(quán)利要求9或如權(quán)利要求10至16中任一項(xiàng)在引用權(quán)利要求9時(shí)所述的制造光 耦合器件的方法，其中所述第一反射鏡采用蔭罩掩模沉積技術(shù)形成。
20. 如權(quán)利要求10或如權(quán)利要求11至19中任一項(xiàng)在引用權(quán)利要求10時(shí)所述的制造 光耦合器件的方法，其中所述第二反射鏡采用蔭罩掩模沉積技術(shù)形成。
【文檔編號】G02B6/00GK104350401SQ201280073242
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2012年5月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月17日
【發(fā)明者】高山一也, 比平塞瓦克萊姆·博拉 申請人:日東電工株式會(huì)社