覆蓋預(yù)測的方法
【專利摘要】一種方法包括：接收襯底，該襯底具有內(nèi)嵌在襯底中的材料部件，其中，接收襯底包括接收形成材料部件時(shí)所生成的第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)和第一覆蓋數(shù)據(jù)；在襯底上沉積抗蝕膜；以及使用預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)對抗蝕膜進(jìn)行曝光，以形成覆蓋襯底上的材料部件的抗蝕圖案，其中，使用預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)包括生成第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)并使用第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)、第一覆蓋數(shù)據(jù)和第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)計(jì)算預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)。本發(fā)明還提供了覆蓋預(yù)測的方法。
【專利說明】覆蓋預(yù)測的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地來說，涉及半導(dǎo)體器件的圖案化方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了指數(shù)式增長。IC材料和設(shè)計(jì)方面的技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)制造了多代1C，每一代都具有比上一代更小且更復(fù)雜的電路。在IC發(fā)展的過程中，功能密度(即，單位芯片面積上互連器件的數(shù)量)通常增加，而幾何尺寸(即，使用制造工藝可以制造的最小部件(或線路))減小。這種逐漸縮小的工藝是包括更精確的光刻的多種工藝改變和改進(jìn)的結(jié)果。這種逐漸縮小也增加了處理和制造IC的復(fù)雜性，對于這些要被實(shí)現(xiàn)的進(jìn)步，需要IC處理和制造方面的類似發(fā)展。
[0003]隨著部件變得越來越小以及圖案化技術(shù)變得越來越精確，其上制造部件的襯底的形貌變得越來越重要。例如，如果半導(dǎo)體晶圓的形貌變成非平面的或者復(fù)雜的，則結(jié)果會(huì)對光刻曝光工具的對準(zhǔn)性能產(chǎn)生負(fù)面影響。而且，結(jié)果會(huì)對抗蝕圖案對內(nèi)嵌在半導(dǎo)體晶圓中的材料部件的覆蓋產(chǎn)生負(fù)面影響。因此，需要一種方法來提高用于曝光諸如半導(dǎo)體晶圓的襯底的圖案化工藝。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種形成抗蝕圖案的方法，所述方法包括:接收襯底，所述襯底具有內(nèi)嵌在所述襯底中的材料部件，其中，接收所述襯底包括接收形成所述材料部件時(shí)所生成的第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)和第一覆蓋數(shù)據(jù)；在所述襯底上沉積抗蝕膜；以及使用預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)對所述抗蝕膜進(jìn)行曝光，以形成覆蓋所述襯底上的所述材料部件的抗蝕圖案，其中，使用所述預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)包括生成第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)并使用所述第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)、所述第一覆蓋數(shù)據(jù)和所述第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)計(jì)算所述預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)。
[0005]該方法進(jìn)一步包括:對曝光的抗蝕膜進(jìn)行顯影。
[0006]該方法，進(jìn)一步包括:進(jìn)行所述第一覆蓋數(shù)據(jù)的覆蓋測量。
[0007]在該方法中，計(jì)算所述預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)包括計(jì)算所述預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)的區(qū)域間校正數(shù)據(jù)。
[0008]該方法進(jìn)一步包括:使用所述第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)和所述第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)之間的水準(zhǔn)差值數(shù)據(jù)來修正所述區(qū)域間校正數(shù)據(jù)。
[0009]該方法進(jìn)一步包括:使用所述水準(zhǔn)差值數(shù)據(jù)計(jì)算Z高度圖。
[0010]在該方法中，計(jì)算所述預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)包括計(jì)算所述預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)的區(qū)域內(nèi)校正數(shù)據(jù)。
[0011]該方法進(jìn)一步包括:使用所述第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)和所述第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)之間的水準(zhǔn)差值數(shù)據(jù)修正所述區(qū)域內(nèi)校正數(shù)據(jù)。[0012]該方法進(jìn)一步包括:使用所述水準(zhǔn)差值數(shù)據(jù)計(jì)算Z高度圖。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種形成抗蝕圖案的方法，所述方法包括:接收襯底，所述襯底具有內(nèi)嵌在所述襯底中的材料部件，其中，接收所述襯底包括接收形成與所述襯底上的所述材料部件相關(guān)的第一抗蝕圖案時(shí)所生成的第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)和第一覆蓋數(shù)據(jù)；在所述襯底上沉積抗蝕膜；以及使用預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)，根據(jù)一圖案對所述抗蝕膜進(jìn)行曝光，以形成覆蓋所述襯底上的所述材料部件的第二抗蝕圖案，其中，使用所述預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)包括生成第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)并使用所述第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)、所述第一覆蓋數(shù)據(jù)和所述第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)計(jì)算所述預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)。
[0014]該方法進(jìn)一步包括:進(jìn)行覆蓋測量。
[0015]在該方法中，計(jì)算所述預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)包括使用所述第一覆蓋數(shù)據(jù)計(jì)算所述預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)的區(qū)域間校正數(shù)據(jù)。
[0016]該方法進(jìn)一步包括:使用所述第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)和所述第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)之間的水準(zhǔn)差值數(shù)據(jù)修正所述區(qū)域間校正數(shù)據(jù)。
[0017]該方法進(jìn)一步包括:使用所述水準(zhǔn)差值數(shù)據(jù)計(jì)算Z高度圖。
[0018]在該方法中，計(jì)算所述預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)包括使用所述第一覆蓋數(shù)據(jù)計(jì)算所述預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)的區(qū)域內(nèi)校正數(shù)據(jù)。
[0019]該方法進(jìn)一步包括:使用所述第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)和所述第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)之間的水準(zhǔn)差值數(shù)據(jù)修正所述區(qū)域內(nèi)校正數(shù)據(jù)。
[0020]該方法進(jìn)一步包括:使用所述水準(zhǔn)差值數(shù)據(jù)計(jì)算Z高度圖。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種圖案化襯底的方法，所述方法包括:對所述襯底上的第一圖案進(jìn)行曝光并獲得第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)；確定第一覆蓋數(shù)據(jù)；通過所述第一圖案處理所述襯底；將處理過的襯底與第二圖案對準(zhǔn)并獲得第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)；根據(jù)所述第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)和所述第一覆蓋數(shù)據(jù)預(yù)測第二覆蓋數(shù)據(jù)；以及使用所述第二覆蓋數(shù)據(jù)對所述襯底上的所述第二圖案進(jìn)行曝光。
[0022]在該方法中，所述第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)和所述第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)是與所述襯底的頂面相對應(yīng)的z高度圖。
[0023]在該方法中，所述襯底是涂覆有抗蝕劑的晶圓。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以更好地理解本發(fā)明。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各種部件沒有被按比例繪制并且僅僅用于說明的目的。實(shí)際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增加或減少。
[0025]圖1a和Ib是根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的形成抗蝕圖案的示例性方法的流程圖；
[0026]圖2a和2b是有益于一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的光刻曝光工具的不意圖；
[0027]圖3a至圖4e是根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的區(qū)域間參數(shù)和區(qū)域內(nèi)參數(shù)的示例；
[0028]圖5是有益于一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的使用水準(zhǔn)數(shù)據(jù)(leveling data)的示例。
【具體實(shí)施方式】
[0029]以下發(fā)明提供了用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的不同特征的多種不同實(shí)施例或?qū)嵗Ｒ韵聦⒚枋霾考筒贾玫奶囟▽?shí)例以簡化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅是實(shí)例并且不旨在限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括以直接接觸的方式形成第一部件和第二部件的實(shí)施例，也可以包括其他部件形成在第一部件和第二部件之間使得第一部件和第二部件不直接接觸的實(shí)施例。另外，本發(fā)明可以在多個(gè)實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字符。這種重復(fù)是為了簡化和清楚，且其本身沒有規(guī)定所述多個(gè)實(shí)施例和/或結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系。
[0030]以下發(fā)明將參照圖1a和Ib來描述用于實(shí)施本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的方法。以下發(fā)明也參照圖2a和2b描述了用于實(shí)施圖1a和Ib的方法的示例性系統(tǒng)。此后，參照圖3a至5，以下發(fā)明提供了與圖1b的方法的不同實(shí)施例相對應(yīng)的示例。
[0031]參照圖la，用參考標(biāo)號(hào)100指示根據(jù)本公開一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的圖案化襯底的方法。該方法用于在襯底上形成多個(gè)圖案，其中，這些圖案彼此對準(zhǔn)。在步驟102處開始執(zhí)行，其中，將襯底提供給工具，并且對襯底進(jìn)行掃描以通過工具確定襯底的整體平整度。從而獲得用于襯底的第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)。此外，在襯底上形成第一材料部件(例如，圖案)。在步驟104處，確定用于第一材料部件的第一覆蓋數(shù)據(jù)，在步驟106處，存儲(chǔ)該第一覆蓋數(shù)據(jù)以備將來使用。當(dāng)使用覆蓋工具對襯底進(jìn)行覆蓋測量時(shí)，生成第一覆蓋數(shù)據(jù)。
[0032]該方法進(jìn)行到步驟108，其中，在襯底上實(shí)施一種或多種處理操作，諸如，沉積各種薄膜層和/或去除沉積的層的部分。
[0033]在步驟110處，實(shí)施對準(zhǔn)操作。該對準(zhǔn)操作將形成在襯底中的第一材料部件與待形成在襯底中的第二材料部件對準(zhǔn)。該對準(zhǔn)操作包括生成第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)的水準(zhǔn)操作。在步驟112處，使用來自步驟110的第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)以及來自步驟106的第一覆蓋數(shù)據(jù)以預(yù)測第二覆蓋數(shù)據(jù)。在步驟114處，第二材料部件形成在襯底上。使用第二覆蓋數(shù)據(jù)，第二材料部件進(jìn)一步與第一材料部件對準(zhǔn)。
[0034]圖2a描述用于實(shí)施圖1的方法100的覆蓋系統(tǒng)150的實(shí)施例。該系統(tǒng)150包括圖案化工具152、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)154以及覆蓋工具156。圖2b描述圖案化工具152的實(shí)施例，并且下文中單獨(dú)討論。計(jì)算機(jī)154是標(biāo)準(zhǔn)的、通用計(jì)算機(jī)，其包括處理器、存儲(chǔ)器和接口。計(jì)算機(jī)可以是單個(gè)計(jì)算機(jī)或者分布式計(jì)算機(jī)，并且連接至光刻系統(tǒng)152和覆蓋工具156的多個(gè)部件，包括但不限于圖2a所示的連接。計(jì)算機(jī)154包括用于計(jì)算并預(yù)測覆蓋數(shù)據(jù)的一個(gè)或多個(gè)軟件程序。
[0035]覆蓋工具156被配置成連接至計(jì)算機(jī)系統(tǒng)154。該覆蓋工具156接收襯底，實(shí)施襯底的材料部件的覆蓋測量并將覆蓋測量數(shù)據(jù)發(fā)送至計(jì)算機(jī)。覆蓋工具可以是傳統(tǒng)的掃描器件，諸如，通常用于顯影后檢查(ADI)。
[0036]參照圖2b，為了進(jìn)一步的示例，圖案化工具152是光刻系統(tǒng)。光刻系統(tǒng)152用于對沉積在襯底上的抗蝕膜進(jìn)行曝光。在本實(shí)施例中，光刻曝光系統(tǒng)也稱為曝光系統(tǒng)。光刻曝光系統(tǒng)152包括輻射源182、輻射束184、聚光透鏡186、圖案生成器188和工作臺(tái)190。然而，其他結(jié)構(gòu)和包括或者省略曝光系統(tǒng)152也是可能的。
[0037]在本實(shí)施例中，輻射源182包括提供輻射束184的源。輻射源182包括光刻曝光系統(tǒng)中的光源或者帶電粒子光刻曝光系統(tǒng)中的帶電粒子源。例如，在光刻曝光系統(tǒng)中，福射源182包括提供具有UV波長(諸如，G線(436nm)或者I線(365nm))的光的汞燈或者提供具有諸如248nm、193nm或157nm的DUV波長或者13.7nm的EUV波長的光的激光。在另一實(shí)例中，在帶電粒子光刻曝光系統(tǒng)中，輻射源182包括提供電子束的電子源或者提供離子束的離子源。
[0038]聚光透鏡186包括光刻曝光系統(tǒng)中的多個(gè)光學(xué)透鏡或者帶電粒子光刻曝光系統(tǒng)中的多個(gè)電磁透鏡。聚光透鏡186被設(shè)置成引導(dǎo)平行于圖案生成器188的輻射束184，以生成圖案化的輻射束。在光刻曝光系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例中，圖案生成器188包括掩模。掩模阻擋一部分輻射束184并提供輻射束184的虛像。掩模包括二元掩模(BM)或者相移掩模(PSM)。相移掩?？梢允墙惶嫘拖嘁蒲谀?alt.PSM)或者衰減型相移掩模(att.PSM)。掩模也稱為光掩模或者中間掩模(reticle)。
[0039]圖案生成器188也包括多個(gè)光學(xué)物鏡，用于將輻射束184的虛像引導(dǎo)至沉積在襯底上的抗蝕膜，其中，襯底固定在工作臺(tái)190上。在本實(shí)施例中，光學(xué)透鏡可以包括透射鏡或者反射透鏡。在帶電粒子光刻曝光系統(tǒng)的另一實(shí)施例中，圖案生成器188包括生成圖案化的帶電粒子的多個(gè)孔。圖案生成器188也包括多個(gè)電磁物鏡用，用于將圖案化的帶電粒子引導(dǎo)至沉積在襯底上的抗蝕膜，其中，襯底固定在工作臺(tái)190上。
[0040]襯底工作臺(tái)190包括電動(dòng)機(jī)、滾子導(dǎo)向件以及工作臺(tái)，并通過真空固定襯底；并且，在光刻曝光系統(tǒng)152中在對準(zhǔn)、聚焦、水準(zhǔn)以及曝光步驟過程中在X、Y和Z方向提供襯底的精確位置和移動(dòng)，使得以重復(fù)的方式將掩模圖像或者圖案化的電子束的圖像轉(zhuǎn)印到襯底上。光刻曝光系統(tǒng)152或者其部分可以包括其他零件，諸如，真空單元、環(huán)境控制單元以及晶圓處理單元。
[0041]參照圖2a，圖案化工具152為用于計(jì)算預(yù)測的覆蓋數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)154提供第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)和第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)。圖案化工具152接收預(yù)測的覆蓋數(shù)據(jù)作為覆蓋校正數(shù)據(jù)，以對沉積在具有內(nèi)嵌在晶圓中的材料部件的晶圓上的抗蝕膜進(jìn)行曝光，以在晶圓上形成抗蝕圖案，使得最小化抗蝕圖案與材料部件的覆蓋誤差。圖案化工具152也為覆蓋工具156提供抗蝕圖案形成在其上的晶圓，該覆蓋工具156實(shí)施用于第一覆蓋數(shù)據(jù)的覆蓋測量。
[0042]圖1b詳細(xì)描述了圖1a的方法100，并且根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，通過分別使用圖2a和圖2b的覆蓋系統(tǒng)150和光刻曝光系統(tǒng)152，描述了在襯底上形成抗蝕圖案的方法200。
[0043]該方法200開始于接收晶圓的步驟202。為了示例，晶圓包括半導(dǎo)體襯底，并且可以包括位于襯底上方的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電或非導(dǎo)電薄膜。半導(dǎo)體襯底包括硅?？蛇x地或者另外地，晶圓包括其他元素半導(dǎo)體，諸如，鍺；化合物半導(dǎo)體，包括碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦；或者合金半導(dǎo)體，包括SiGe、GaAsP, AlInAs, AlGaAs, GaInAs,GaInP和/或GaInAsP。在又一可選實(shí)施例中，晶圓是絕緣體上半導(dǎo)體(SOI)。多個(gè)導(dǎo)電和非導(dǎo)電薄膜可以包括絕緣體或者導(dǎo)電材料。例如，半導(dǎo)體材料包括諸如鋁(Al)、銅(Cu)、鎢(W)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、金(Au)和鉬(Pt)的金屬以及其金屬合金。絕緣材料可以包括氧化娃和氮化娃。
[0044]繼續(xù)該示例，半導(dǎo)體襯底可以包括通過離子注入或者擴(kuò)散形成的摻雜部件，諸如，η型阱和/或P型阱，或者通過外延(EPI)生長所形成的變形部件。材料部件也可以包括諸如淺溝槽隔離件(STI)的各種隔離部件，其中，通過諸如包括蝕刻以形成多個(gè)溝槽、然后進(jìn)行沉積以用介電材料填充溝槽的工藝的工藝來形成各種隔離部件。
[0045]方法200進(jìn)行到步驟204，其中，例如，通過旋涂工藝在晶圓上沉積抗蝕膜。在本實(shí)施例中，抗蝕膜也稱為光刻膠膜。抗蝕膜可以包括單個(gè)抗蝕層或多個(gè)抗蝕層。步驟204可以包括對晶圓施加抗蝕膜之前進(jìn)行脫水工藝，從而可以提高抗蝕膜與晶圓的粘附力。脫水工藝可以包括:在高溫下持續(xù)烘烤晶圓，或者在高溫下對晶圓施加諸如六甲基二硅胺烷(HMDS)的化學(xué)物質(zhì)。步驟204也可以包括軟烘(SB)，從而從沉積在晶圓上的抗蝕膜中逐出溶劑，并且增加抗蝕膜的機(jī)械強(qiáng)度。步驟204可以包括:施加底部抗反射涂層(BARC)，用于改善抗蝕圖案輪廓。
[0046]在步驟206處，將晶圓提供給曝光工具，確定第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)并且在晶圓上形成第一材料部件(例如，圖案)。在本實(shí)施例中，晶圓置于光刻曝光系統(tǒng)152(圖2b)中的卡盤上并確定晶圓上表面的形貌。下文中，參照步驟214和圖3a至圖5來進(jìn)一步描述水準(zhǔn)數(shù)據(jù)。在確定第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)之后，光刻曝光系統(tǒng)152對抗蝕膜進(jìn)行曝光以形成第一抗蝕圖案。步驟206包括在曝光的抗蝕膜上施加顯影劑，諸如，四甲基氫氧化銨(TMAH)。步驟206可以包括曝光后烘烤(PEB)、顯影后烘烤(TOB)或者這兩者。步驟208也包括最后的沖洗工藝。
[0047]在步驟208處，確定第一覆蓋數(shù)據(jù)。覆蓋測量在晶圓坐標(biāo)系測量點(diǎn)(X，Y)處提供沿X方向的抗蝕圖案位移Dx和沿Y方向的抗蝕圖案位移DY。Dx和Dy用于計(jì)算如公式I至5所述的預(yù)測的覆蓋數(shù)據(jù)。步驟208包括在襯底上對區(qū)域間水平面進(jìn)行多點(diǎn)測量。步驟208也包括在襯底上對在區(qū)域內(nèi)水平面進(jìn)行多點(diǎn)測量。步驟208還包括將Dx和Dy傳輸至步驟220，以計(jì)算用于接下來的水平面抗蝕圖案的預(yù)測的覆蓋數(shù)據(jù)。下面，參照步驟220和圖3a至5進(jìn)一步討論覆蓋數(shù)據(jù)。
[0048]在步驟210處，晶圓經(jīng)歷多個(gè)工藝，諸如，蝕刻工藝、注入/擴(kuò)散工藝、薄膜沉積工藝(例如，化學(xué)汽相沉積(CVD)、物理汽相沉積(PVD)或者電鍍)或者化學(xué)機(jī)械拋光工藝(CMP)。這些工藝可能會(huì)影響抗蝕圖案相對于材料部件的覆蓋精確性。
[0049]方法200繼續(xù)到步驟212，該步驟在晶圓上沉積另一抗蝕膜。該步驟可以類似于上面討論的步驟204。
[0050]繼續(xù)執(zhí)行到步驟214，該步驟首先進(jìn)行對準(zhǔn)操作。該對準(zhǔn)操作將投射在抗蝕膜上的圖案化的電磁波圖像與形成在晶圓上的(先前的)材料部件(圖案)對準(zhǔn)。該對準(zhǔn)操作包括使用改進(jìn)的對準(zhǔn)方法進(jìn)行階段對準(zhǔn)以設(shè)置TIS板和SPM之間的關(guān)系。對準(zhǔn)操作還包括使用改進(jìn)的對準(zhǔn)方法進(jìn)行晶圓的粗對準(zhǔn)操作。晶圓的粗對準(zhǔn)操作包括使用形成在晶圓中的一個(gè)或多個(gè)對準(zhǔn)標(biāo)記。對準(zhǔn)操作還包括進(jìn)行晶圓細(xì)對準(zhǔn)操作。
[0051]步驟214也包括進(jìn)行水準(zhǔn)操作以產(chǎn)生第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)。對沉積在晶圓上的抗蝕膜進(jìn)行水準(zhǔn)操作，其中，晶圓固定在晶圓臺(tái)上。水準(zhǔn)操作使得抗蝕膜處于圖案化的電磁波圖像(其投射在抗蝕膜上)的聚焦范圍內(nèi)。水準(zhǔn)操作包括使用調(diào)零傳感器(zero sensor)進(jìn)行調(diào)零操作以使抗蝕膜變平。該調(diào)零操作也包括粗調(diào)零、細(xì)調(diào)零、相位捕獲(phase capture)、明場(bright field,BF)調(diào)零。例如,抗蝕膜的水準(zhǔn)從粗調(diào)零處的大約ΙΟμπι達(dá)到BF調(diào)零處的大約0.1ym0水準(zhǔn)操作進(jìn)一步包括生成沉積在晶圓上的抗蝕膜的全局水準(zhǔn)輪廓(globalleveling contour, GLC) 0生成GLC包括測量抗蝕膜邊緣拓?fù)?。水?zhǔn)操作也包括生成Z型圖。生成Z型圖包括使用水準(zhǔn)傳感器測量局部抗蝕劑高度形貌。
[0052]步驟214包括為步驟220提供第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)，步驟220用于使用第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)、第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)和第一覆蓋數(shù)據(jù)計(jì)算預(yù)測的覆蓋數(shù)據(jù)。
[0053]描述的用于220的以下公式是通常的覆蓋校正和對準(zhǔn)校正參數(shù)(也稱為6參數(shù))。然而，隨著透鏡開發(fā)的發(fā)展，覆蓋校正能力已經(jīng)被延伸到“全域校正(per-fieldcorrection)”。步驟220使用第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)和在形成與內(nèi)嵌在晶圓中的(先前的)材料部件相關(guān)的先前的抗蝕圖案(第一抗蝕圖案)時(shí)生成的第一覆蓋數(shù)據(jù)以及在步驟214處生成的第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)來計(jì)算預(yù)測的覆蓋數(shù)據(jù)。
[0054]在本實(shí)施例中，步驟220包括使用第一覆蓋數(shù)據(jù)生成區(qū)域間或柵格參數(shù)，諸如，沿X、Y方向的區(qū)域間平移、區(qū)域間均勻和不均勻放大以及區(qū)域間均勻和不均勻旋轉(zhuǎn)。步驟220也包括使用第一覆蓋數(shù)據(jù)生成區(qū)域內(nèi)參數(shù)，諸如，沿X、Y方向的區(qū)域內(nèi)平移、區(qū)域內(nèi)均勻和/或不均勻放大以及區(qū)域內(nèi)均勻和/或不均勻旋轉(zhuǎn)。在本實(shí)施例中，區(qū)域間參數(shù)也稱為區(qū)域間覆蓋校正數(shù)據(jù)，而區(qū)域內(nèi)參數(shù)也稱為區(qū)域內(nèi)覆蓋校正數(shù)據(jù)。
[0055]在本實(shí)施例中，通過以下公式計(jì)算區(qū)域間參數(shù):
[0056]
【權(quán)利要求】
1.一種形成抗蝕圖案的方法，所述方法包括: 接收襯底，所述襯底具有內(nèi)嵌在所述襯底中的材料部件，其中，接收所述襯底包括接收形成所述材料部件時(shí)所生成的第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)和第一覆蓋數(shù)據(jù)； 在所述襯底上沉積抗蝕膜；以及 使用預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)對所述抗蝕膜進(jìn)行曝光，以形成覆蓋所述襯底上的所述材料部件的抗蝕圖案，其中，使用所述預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)包括生成第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)并使用所述第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)、所述第一覆蓋數(shù)據(jù)和所述第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)計(jì)算所述預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括:對曝光的抗蝕膜進(jìn)行顯影。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括:進(jìn)行所述第一覆蓋數(shù)據(jù)的覆蓋測量。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，計(jì)算所述預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)包括計(jì)算所述預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)的區(qū)域間校正數(shù)據(jù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，進(jìn)一步包括:使用所述第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)和所述第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)之間的水準(zhǔn)差值數(shù)據(jù)來修正所述區(qū)域間校正數(shù)據(jù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，進(jìn)一步包括:使用所述水準(zhǔn)差值數(shù)據(jù)計(jì)算Z高度圖。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，計(jì)算所述預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)包括計(jì)算所述預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)的區(qū)域內(nèi)校正數(shù)據(jù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括:使用所述第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)和所述第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)之間的水準(zhǔn)差值數(shù)據(jù)修正所述區(qū)域內(nèi)校正數(shù)據(jù)。
9.一種形成抗蝕圖案的方法，所述方法包括: 接收襯底，所述襯底具有內(nèi)嵌在所述襯底中的材料部件，其中，接收所述襯底包括接收形成與所述襯底上的所述材料部件相關(guān)的第一抗蝕圖案時(shí)所生成的第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)和第一覆蓋數(shù)據(jù)； 在所述襯底上沉積抗蝕膜；以及 使用預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)，根據(jù)一圖案對所述抗蝕膜進(jìn)行曝光，以形成覆蓋所述襯底上的所述材料部件的第二抗蝕圖案，其中，使用所述預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)包括生成第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)并使用所述第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)、所述第一覆蓋數(shù)據(jù)和所述第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)計(jì)算所述預(yù)測的覆蓋校正數(shù)據(jù)。
10.一種圖案化襯底的方法，所述方法包括: 對所述襯底上的第一圖案進(jìn)行曝光并獲得第一水準(zhǔn)數(shù)據(jù)； 確定第一覆蓋數(shù)據(jù)； 通過所述第一圖案處理所述襯底； 將處理過的襯底與第二圖案對準(zhǔn)并獲得第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)； 根據(jù)所述第二水準(zhǔn)數(shù)據(jù)和所述第一覆蓋數(shù)據(jù)預(yù)測第二覆蓋數(shù)據(jù)；以及 使用所述第二覆蓋數(shù)據(jù)對所述襯底上的所述第二圖案進(jìn)行曝光。
【文檔編號(hào)】G03F7/20GK103779188SQ201310014649
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年1月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月19日
【發(fā)明者】陳立銳, 梁輔杰, 謝弘璋 申請人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司