感光材料和光刻方法
【專利摘要】感光材料和形成圖案的方法，包括提供可通過操作浮動到由感光材料形成的層的頂部區(qū)域的感光材料的組分成分。在實例中，感光層包括具有氟原子(例如，烷基氟化物基團)的第一組分。在形成感光層后，第一組分浮動到感光層的頂面。此后，圖案化感光層。本發(fā)明提供了感光材料和光刻方法。
【專利說明】感光材料和光刻方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體制造，更具體而言，涉及感光材料和光刻方法。
【背景技術】
[0002]半導體集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了快速增長。在IC材料、設計和制造工具方面的技術改進已經(jīng)產(chǎn)生了數(shù)代1C，其中每一代都具有比前一代更小且更復雜的電路。在這些改進的發(fā)展過程中，制造方法、工具和材料方面努力實現(xiàn)更小的部件尺寸。
[0003]光刻是一種機制，通過該機制可將圖案投射到在其上形成有感光層的襯底(如半導體晶圓)上。通常通過使輻射穿過圖案化的光掩模誘導圖案。盡管光刻工具和方法在減小成像元件的線寬方面經(jīng)歷了重大的改進，但是可能需要進一步的改進。例如，感光材料的成像部件的輪廓可能使在襯底上準確地再現(xiàn)期望的圖案所需的圖案失真。例如，在成像和顯影之后可能留下不想要的、殘留的感光材料，或者可能去除或以其他方式破壞需要作為掩模元件的部分感光材料。

【發(fā)明內容】

[0004]為了解決上述技術問題，一方面，本發(fā)明提供了一種感光材料，包括:溶劑；光生酸劑(PAG)組分；以及猝滅劑組分，其中，所述PAG組分和所述猝滅劑組分中的至少一種包
含烷基氟化物基團。
[0005]在所述的感光材料中，所述猝滅劑組分包含烷基氟化物基團。
[0006]在所述的感光材料中，所述烷基氟化物基團是C2F5。
[0007]在所述的感光材料中，所述PAG組分包含烷基氟化物基團。
[0008]在所述的感光材料中，所述PAG組分包含烷基氟化物基團，其中，所述烷基氟化物基團連接到所述PAG組分的陰離子組分。
[0009]在所述的感光材料中，所述PAG組分包含烷基氟化物基團，其中，所述烷基氟化物基團連接到所述PAG組分的陽離子組分。
[0010]另一方面，本發(fā)明提供了一種在襯底上形成圖案的方法，包括:提供半導體襯底；在所述半導體襯底上形成感光層，其中所述感光層包括具有氟原子的第一組分；在形成所述感光層后，使所述第一組分浮動到所述感光層的頂面；以及此后，圖案化所述感光層。
[0011]在所述的方法中，所述第一組分包括光生酸劑(PAG)。
[0012]在所述的方法中，所述第一組分包括猝滅劑。
[0013]在所述的方法中，所述第一組份包括光產(chǎn)堿劑(PBG)和光分解猝滅劑(TOQ)中的
至少一種。
[0014]在所述的方法中，所述第一組分包含烷基氟化物基團。
[0015]在所述的方法中，所述第一組分包含C2F5基團。
[0016]在所述的方法中，所述第一組分具有下式:
[0017]
【權利要求】
1.一種感光材料，包括: 溶劑； 光生酸劑(PAG)組分；以及 猝滅劑組分，其中，所述PAG組分和所述猝滅劑組分中的至少一種包含烷基氟化物基團。
2.根據(jù)權利要求1所述的感光材料，其中，所述猝滅劑組分包含烷基氟化物基團。
3.根據(jù)權利要求1所述的感光材料，其中，所述烷基氟化物基團是C2F5。
4.根據(jù)權利要求1所述的感光材料，其中，所述PAG組分包含烷基氟化物基團。
5.根據(jù)權利要求4所述的感光材料，其中，所述烷基氟化物基團連接到所述PAG組分的陰離子組分或者連接到所述PAG組分的陽離子組分。
6.一種在襯底上形成圖案的方法，包括: 提供半導體襯底； 在所述半導體襯底上形成感光層，其 中所述感光層包括具有氟原子的第一組分； 在形成所述感光層后，使所述第一組分浮動到所述感光層的頂面；以及 此后，圖案化所述感光層。
7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中，所述第一組分包括光生酸劑(PAG)或猝滅劑。
8.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中，所述第一組分包括光產(chǎn)堿劑(PBG)和光分解猝滅劑(PDQ)中的至少一種。
9.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中，所述第一組分具有下式:
10.一種制造半導體器件的方法，包括: 確定與形成第一部件相關的輪廓問題； 確定感光材料配方從而補償所述輪廓問題；在襯底上形成具有確定的感光材料配方的感光材料層；以及圖案化所述感光材料層從而提供所`述第一部件。
【文檔編號】G03F7/00GK103454856SQ201310024509
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2013年1月23日 優(yōu)先權日:2012年6月1日
【發(fā)明者】張慶裕 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司