一種對(duì)基板進(jìn)行標(biāo)記的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種對(duì)基板進(jìn)行標(biāo)記的方法，在基板的構(gòu)圖工藝中，利用帶有標(biāo)記圖案的掩膜版對(duì)所述基板進(jìn)行曝光，在所述基板上形成與所述標(biāo)記圖案相對(duì)應(yīng)的標(biāo)識(shí)。本發(fā)明利用曝光工藝直接實(shí)現(xiàn)打標(biāo)，在進(jìn)行曝光工藝的同時(shí)為基板上的面板區(qū)域賦予面板區(qū)域ID，從而省去了打標(biāo)機(jī)打標(biāo)的時(shí)間，因此有利于縮短生產(chǎn)時(shí)間，提高產(chǎn)能。
【專利說明】一種對(duì)基板進(jìn)行標(biāo)記的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示器領(lǐng)域，尤其涉及一種對(duì)基板進(jìn)行標(biāo)記的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在液晶顯示器的生產(chǎn)過程中，為了對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行跟蹤，需要對(duì)液晶顯示器中的面板區(qū)域打標(biāo)，為不同面板區(qū)域賦予不同的面板區(qū)域ID。
[0003]上述的打標(biāo)是一道單獨(dú)的工序，一般該工序在柵(Gate)極形成過程中，具體的方法通常為:通過紫外燈將圖案形成在基板上。由于在液晶顯示器的生成過程中加了上述打標(biāo)這道工序，因此會(huì)極大地降低產(chǎn)能，同時(shí)也需要對(duì)該工序的工藝參數(shù)進(jìn)行監(jiān)控和調(diào)整，不便于生產(chǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種對(duì)基板進(jìn)行標(biāo)記的方法，以縮短生產(chǎn)時(shí)間，提聞廣能。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0006]一種對(duì)基板進(jìn)行標(biāo)記的方法，該方法包括:
[0007]在基板的構(gòu)圖工藝中，利用帶有標(biāo)記圖案的掩膜版對(duì)所述基板進(jìn)行曝光，在所述基板上形成與所述標(biāo)記圖案相對(duì)應(yīng)的標(biāo)識(shí)。
[0008]與所述標(biāo)記圖案相對(duì)應(yīng)的標(biāo)識(shí)是通過對(duì)所述基板進(jìn)行一次曝光而形成的。
[0009]所述標(biāo)記圖案包括多個(gè)標(biāo)記符號(hào)，與所述標(biāo)記圖案相對(duì)應(yīng)的標(biāo)識(shí)是通過對(duì)所述基板進(jìn)行多次曝光而形成的，其中每次曝光在所述基板上形成至少一個(gè)所述標(biāo)記符號(hào)對(duì)應(yīng)的標(biāo)識(shí)。
[0010]所述每次曝光在所述基板上形成至少一個(gè)所述標(biāo)記符號(hào)，包括:每次曝光時(shí)，在所述基板上形成至少一個(gè)所述標(biāo)記符號(hào)，同時(shí)保留之前曝光時(shí)所形成的標(biāo)記符號(hào)。
[0011]所述基板包括多個(gè)面板區(qū)域，每個(gè)面板區(qū)域有對(duì)應(yīng)的標(biāo)記圖案；
[0012]在所述基板上形成與所述標(biāo)記圖案相對(duì)應(yīng)的標(biāo)識(shí)，包括:在每個(gè)面板區(qū)域上形成與該面板區(qū)域?qū)?yīng)的標(biāo)記圖案所對(duì)應(yīng)的標(biāo)識(shí)。
[0013]所述方法還包括:在用于對(duì)基板進(jìn)行曝光的掩膜版上設(shè)置所述標(biāo)記圖案。
[0014]所述構(gòu)圖工藝過程包括多次曝光，曝光次數(shù)與所述掩膜版數(shù)目相等；每個(gè)掩膜版上帶有至少一個(gè)所述標(biāo)記符號(hào)。
[0015]除了第一次曝光時(shí)所應(yīng)用的掩膜版以外，在各掩膜版上設(shè)置與前一次曝光所形成的標(biāo)識(shí)符號(hào)相對(duì)應(yīng)的顯露圖案。
[0016]設(shè)置所述顯露圖案的方法為:
[0017]在掩膜版上與所述基板上因第一次曝光之后的曝光而被覆蓋的標(biāo)記圖案的位置相對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置顯露圖案；
[0018]所述顯露圖案的形狀與被覆蓋的所述標(biāo)記圖案的形狀相同或包含被覆蓋的標(biāo)記圖案的形狀。
[0019]該方法還包括:
[0020]在進(jìn)行所述第一次曝光之后的一次曝光時(shí)，曝光與掩膜版上所設(shè)置的顯露圖案相對(duì)應(yīng)的基板上覆蓋標(biāo)記圖案的區(qū)域，將基板上被該區(qū)域所覆蓋的之前一次曝光所形成的標(biāo)記圖案顯露出來。
[0021]所述掩膜版包括第一掩膜版、第二掩膜版；
[0022]構(gòu)圖工藝過程包括多次曝光時(shí)，所述曝光的過程包括:將第一掩膜版覆蓋在基板上并進(jìn)行曝光，在基板上形成設(shè)置于第一掩膜版上的標(biāo)記圖案；之后將第二掩膜版覆蓋在基板上并進(jìn)行曝光，在所述基板上形成設(shè)置于第二掩膜版上的標(biāo)記圖案，最終在基板上形成由設(shè)置于第一掩膜版上的標(biāo)記圖案以及設(shè)置于第二掩膜版上的標(biāo)記圖案組成的標(biāo)記圖案。
[0023]所述將第一掩膜版覆蓋在基板上并進(jìn)行曝光的操作位于形成柵極金屬層的曝光工藝中；
[0024]所述將第二掩膜版覆蓋在基板上并進(jìn)行曝光的操作位于形成源漏極金屬層的曝光工藝中。
[0025]所述標(biāo)記圖案包括數(shù)字、字母、其它具有標(biāo)識(shí)作用的形狀中的至少一種。
[0026]本發(fā)明對(duì)基板進(jìn)行標(biāo)記的方法利用曝光工藝直接實(shí)現(xiàn)打標(biāo)，在進(jìn)行曝光工藝的同時(shí)為基板上的面板區(qū)域賦予面板區(qū)域ID，從而省去了打標(biāo)機(jī)打標(biāo)的時(shí)間，因此有利于縮短生廣時(shí)間，提聞廣能。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的掩膜版示意圖；
[0028]圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的基于圖1中的掩膜版形成標(biāo)識(shí)后的基板示意圖；
[0029]圖3為本發(fā)明又一實(shí)施例的基于圖1中的掩膜版形成標(biāo)識(shí)后的基板示意圖；
[0030]圖4為本發(fā)明再一實(shí)施例的基于圖1中的掩膜版形成標(biāo)識(shí)后的基板示意圖；
[0031]圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例的掩膜版不意圖；
[0032]圖6為本發(fā)明一實(shí)施例的基于圖2中的掩膜版形成標(biāo)識(shí)后的基板示意圖；
[0033]圖7為本發(fā)明又一實(shí)施例的基于圖2中的掩膜版形成標(biāo)識(shí)后的基板示意圖；
[0034]圖8為本發(fā)明再一實(shí)施例的基于圖2中的掩膜版形成標(biāo)識(shí)后的基板示意圖；
[0035]圖9為本發(fā)明一實(shí)施例的基于圖1和圖5中的掩I旲版形成標(biāo)識(shí)后的基板不意圖；
[0036]圖10為本發(fā)明又一實(shí)施例的基于圖1和圖5中的掩膜版形成標(biāo)識(shí)后的基板示意圖；
[0037]圖11為本發(fā)明再一實(shí)施例的基于圖1和圖5中的掩膜版形成標(biāo)識(shí)后的基板示意圖；
[0038]圖12為本發(fā)明實(shí)施例對(duì)基板進(jìn)行標(biāo)記的流程簡圖；
[0039]附圖標(biāo)記說明:
[0040]1、掩膜版；2、基板。
【具體實(shí)施方式】[0041]在實(shí)際應(yīng)用中，可以在用于對(duì)基板進(jìn)行曝光的掩膜版上設(shè)置要打標(biāo)在基板上的標(biāo)識(shí)所對(duì)應(yīng)的標(biāo)記圖案，該標(biāo)記圖案可以包括如下標(biāo)記符號(hào):數(shù)字、字母、其它任何具有標(biāo)識(shí)作用的形狀中的至少一種。當(dāng)需要對(duì)基板上的面板區(qū)域打標(biāo)時(shí)，通過對(duì)覆蓋在基板上的所述掩膜版進(jìn)行曝光(如用于形成gate極金屬層或源漏(SD)極金屬層等膜層的曝光工藝)，這樣就在基板上形成了設(shè)置于所述掩膜版上的標(biāo)記圖案。即基板上的面板區(qū)域被所述標(biāo)記圖案標(biāo)識(shí)，這樣就實(shí)現(xiàn)了對(duì)基板上的面板區(qū)域的打標(biāo)。并且，基板中可以包括多個(gè)面板區(qū)域，每個(gè)面板區(qū)域有對(duì)應(yīng)的標(biāo)記圖案。
[0042]上述方案中，對(duì)基板上的面板區(qū)域的打標(biāo)是通過一次曝光完成的。在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，也可以通過兩次或兩次以上的曝光完成對(duì)基板上的面板區(qū)域的打標(biāo)。這種情況下，需要應(yīng)用到與曝光次數(shù)相對(duì)應(yīng)的用于對(duì)基板進(jìn)行曝光的掩膜版，并在各掩膜版上的各掩膜版間不相重疊的位置設(shè)置要打標(biāo)在基板上的標(biāo)識(shí)所對(duì)應(yīng)的標(biāo)記圖案，該標(biāo)記圖案可以包括一個(gè)或多個(gè)標(biāo)記符號(hào)，如:數(shù)字、字母、其它任何具有標(biāo)識(shí)作用的形狀中的至少一種?？梢愿鶕?jù)曝光順序?qū)⒏餮谀ぐ嬉来畏Q為第一掩膜版、第二掩膜版等。
[0043]當(dāng)需要對(duì)基板上的面板區(qū)域打標(biāo)時(shí)，將第一掩膜版覆蓋在基板上并進(jìn)行曝光(如用于形成gate極金屬層的曝光工藝)，這樣就在基板上形成了設(shè)置于第一掩膜版上的標(biāo)記圖案。之后，轉(zhuǎn)而將第二掩膜版覆蓋在基板上并進(jìn)行曝光(如用于形成SD極金屬層的曝光工藝)，這樣就在基板上形成了設(shè)置于第二掩膜版上的標(biāo)記圖案。經(jīng)過上述的兩次或兩次以上曝光后，就在基板上形成了設(shè)置于用于對(duì)基板進(jìn)行曝光的所述各掩膜版上的標(biāo)記圖案，即基板上的面板區(qū)域被所述標(biāo)記圖案標(biāo)識(shí)，這樣就實(shí)現(xiàn)了對(duì)基板上的面板區(qū)域的打標(biāo)。
[0044]需要說明的是，在通過兩次或兩次以上的曝光完成對(duì)基板打標(biāo)的情況下，進(jìn)行用于對(duì)基板打標(biāo)的第一次曝光之后的一次曝光(相鄰的下一次曝光或不相鄰的后續(xù)的曝光)時(shí)，在之前一次曝光過程中對(duì)基板打標(biāo)時(shí)所形成的標(biāo)記圖案會(huì)被覆蓋，這時(shí)需要對(duì)覆蓋標(biāo)記圖案的區(qū)域進(jìn)行曝光以使被覆蓋的標(biāo)記圖案顯露出來，因此需要在進(jìn)行所述第一次曝光之后的一次曝光所應(yīng)用的掩膜版上設(shè)置位置與被覆蓋的標(biāo)記圖案相對(duì)應(yīng)的顯露圖案，該顯露圖案的形狀與被覆蓋的標(biāo)記圖案的形狀相同或包含被覆蓋的標(biāo)記圖案的形狀。這樣，在進(jìn)行所述第一次曝光之后的一次曝光時(shí)，與掩膜版上所設(shè)置的顯露圖案相對(duì)應(yīng)的基板上覆蓋標(biāo)記圖案的區(qū)域會(huì)被曝光，因此基板上被該區(qū)域所覆蓋的之前一次曝光所形成的標(biāo)記圖案就顯露出來了。
[0045]可見，除了第一次曝光時(shí)所應(yīng)用的掩膜版以外，在各掩膜版上設(shè)置與前一次曝光所形成的標(biāo)識(shí)符號(hào)相對(duì)應(yīng)的顯露圖案。
[0046]通常，除了第一次曝光時(shí)所應(yīng)用的第一掩膜版以外，其它的用于對(duì)基板進(jìn)行曝光的掩膜版上都設(shè)置有與前一次標(biāo)記圖案相對(duì)應(yīng)(如:掩膜版上設(shè)置的顯露圖案位置與被覆蓋的標(biāo)記圖案的位置相對(duì)應(yīng)，以及顯露圖案的形狀與被覆蓋的標(biāo)記圖案的形狀相同或包含被覆蓋的標(biāo)記圖案的形狀)的顯露圖案。這樣，在進(jìn)行相鄰的下一次曝光時(shí)，之前一次曝光所形成的標(biāo)記圖案就能夠顯露出來。
[0047]基于上述技術(shù)描述，在具體應(yīng)用中，可以在如圖1所示的掩膜版I上設(shè)置以數(shù)字表示的標(biāo)記圖案1、2、3、4、5，并在生成gate時(shí)(即gate掩膜版工藝)應(yīng)用如圖1所示的掩膜版I曝光以在基板2上分別形成如圖2、3、4所示的標(biāo)記圖案1、2、3，標(biāo)記圖案2、3、4，以及標(biāo)記圖案3、4、5。[0048]另外，還可以在如圖5所示的掩膜版3上設(shè)置以字母表示的標(biāo)記圖案A、B、C、D、E，并在掩膜版3上設(shè)置位置與掩膜版I上的標(biāo)記圖案1、2、3、4、5相對(duì)應(yīng)的顯露圖案(圖中未示出)。在形成如圖2、3、4所示的標(biāo)記圖案后，在生成SD時(shí)應(yīng)用如圖5所示的掩膜版3分別覆蓋在圖2、3、4所示的基板2上(即SD掩膜版工藝)曝光以在基板2上分別形成如圖
6、7、8所示的標(biāo)記圖案A、B、C,標(biāo)記圖案C、D、E,以及標(biāo)記圖案B、C、D。并且，由于設(shè)置了顯露圖案，因此在應(yīng)用掩膜版3進(jìn)行上述曝光的同時(shí)，基板2上覆蓋標(biāo)記圖案1、2、3，標(biāo)記圖案
2、3、4，以及標(biāo)記圖案3、4、5的區(qū)域會(huì)被曝光，使得標(biāo)記圖案1、2、3，標(biāo)記圖案2、3、4，以及標(biāo)記圖案3、4、5顯露出來。這樣，就在基板2上最終形成了分別如圖9、10、11所示的數(shù)字與字母組合的面板區(qū)域ID:標(biāo)記圖案1A、2B、3C，標(biāo)記圖案2C、3D、4E，以及標(biāo)記圖案3B、4C、?。
[0049]結(jié)合以上描述可見，本發(fā)明對(duì)基板進(jìn)行標(biāo)記的操作思路可以表示為如圖12所示的流程，該流程包括以下步驟:
[0050]步驟1201:在基板的構(gòu)圖工藝中，利用帶有標(biāo)記圖案的掩膜版對(duì)所述基板進(jìn)行曝光;
[0051]步驟1202:在所述基板上形成與所述標(biāo)記圖案相對(duì)應(yīng)的標(biāo)識(shí)。
[0052]需要說明的是，與所述標(biāo)記圖案相對(duì)應(yīng)的標(biāo)識(shí)可以是通過對(duì)所述基板進(jìn)行一次曝光而形成的。
[0053]所述標(biāo)記圖案可以包括多個(gè)標(biāo)記符號(hào)，與所述標(biāo)記圖案相對(duì)應(yīng)的標(biāo)識(shí)可以通過對(duì)所述基板進(jìn)行多次曝光而形成的，其中每次曝光在所述基板上形成至少一個(gè)所述標(biāo)記符號(hào)對(duì)應(yīng)的標(biāo)識(shí)。
[0054]所述每次曝光在所述基板上形成至少一個(gè)所述標(biāo)記符號(hào)，包括:每次曝光時(shí)，在所述基板上形成至少一個(gè)所述標(biāo)記符號(hào)，同時(shí)保留之前曝光時(shí)所形成的標(biāo)記符號(hào)。
[0055]所述基板包括多個(gè)面板區(qū)域，每個(gè)面板區(qū)域有對(duì)應(yīng)的標(biāo)記圖案；
[0056]在所述基板上形成與所述標(biāo)記圖案相對(duì)應(yīng)的標(biāo)識(shí)，包括:在每個(gè)面板區(qū)域上形成與該面板區(qū)域?qū)?yīng)的標(biāo)記圖案所對(duì)應(yīng)的標(biāo)識(shí)。
[0057]所述方法還包括:在用于對(duì)基板進(jìn)行曝光的掩膜版上設(shè)置所述標(biāo)記圖案。
[0058]所述構(gòu)圖工藝過程包括多次曝光，曝光次數(shù)與所述掩膜版數(shù)目相等；每個(gè)掩膜版上帶有至少一個(gè)所述標(biāo)記符號(hào)。
[0059]除了第一次曝光時(shí)所應(yīng)用的掩膜版以外，在各掩膜版上設(shè)置與前一次曝光所形成的標(biāo)識(shí)符號(hào)相對(duì)應(yīng)的顯露圖案。
[0060]設(shè)置所述顯露圖案的方法為:
[0061]在掩膜版上與所述基板上因第一次曝光之后的曝光而被覆蓋的標(biāo)記圖案的位置相對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置顯露圖案；
[0062]所述顯露圖案的形狀與被覆蓋的所述標(biāo)記圖案的形狀相同或包含被覆蓋的標(biāo)記圖案的形狀。
[0063]該方法還包括:
[0064]在進(jìn)行所述第一次曝光之后的一次曝光時(shí)，曝光與掩膜版上所設(shè)置的顯露圖案相對(duì)應(yīng)的基板上覆蓋標(biāo)記圖案的區(qū)域，將基板上被該區(qū)域所覆蓋的之前一次曝光所形成的標(biāo)記圖案顯露出來。
[0065]所述掩膜版包括第一掩膜版、第二掩膜版；[0066]構(gòu)圖工藝過程包括多次曝光時(shí)，所述曝光的過程包括:將第一掩膜版覆蓋在基板上并進(jìn)行曝光，在基板上形成設(shè)置于第一掩膜版上的標(biāo)記圖案；之后將第二掩膜版覆蓋在基板上并進(jìn)行曝光，在所述基板上形成設(shè)置于第二掩膜版上的標(biāo)記圖案，最終在基板上形成由設(shè)置于第一掩膜版上的標(biāo)記圖案以及設(shè)置于第二掩膜版上的標(biāo)記圖案組成的標(biāo)記圖案。
[0067]所述將第一掩膜版覆蓋在基板上并進(jìn)行曝光的操作位于形成柵極金屬層的曝光工藝中；
[0068]所述將第二掩膜版覆蓋在基板上并進(jìn)行曝光的操作位于形成源漏極金屬層的曝光工藝中。
[0069]所述標(biāo)記圖案包括數(shù)字、字母、其它具有標(biāo)識(shí)作用的形狀中的至少一種。
[0070]綜上所述可見，本發(fā)明對(duì)基板進(jìn)行標(biāo)記的方法利用曝光工藝直接實(shí)現(xiàn)打標(biāo)，在進(jìn)行曝光工藝的同時(shí)為基板上的面板區(qū)域賦予面板區(qū)域ID，從而省去了打標(biāo)機(jī)打標(biāo)的時(shí)間，因此有利于縮短生產(chǎn)時(shí)間，提高產(chǎn)能。
[0071]以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種對(duì)基板進(jìn)行標(biāo)記的方法，其特征在于，該方法包括: 在基板的構(gòu)圖工藝中，利用帶有標(biāo)記圖案的掩膜版對(duì)所述基板進(jìn)行曝光，在所述基板上形成與所述標(biāo)記圖案相對(duì)應(yīng)的標(biāo)識(shí)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，與所述標(biāo)記圖案相對(duì)應(yīng)的標(biāo)識(shí)是通過對(duì)所述基板進(jìn)行一次曝光而形成的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述標(biāo)記圖案包括多個(gè)標(biāo)記符號(hào)，與所述標(biāo)記圖案相對(duì)應(yīng)的標(biāo)識(shí)是通過對(duì)所述基板進(jìn)行多次曝光而形成的，其中每次曝光在所述基板上形成至少一個(gè)所述標(biāo)記符號(hào)對(duì)應(yīng)的標(biāo)識(shí)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述每次曝光在所述基板上形成至少一個(gè)所述標(biāo)記符號(hào)，包括:每次曝光時(shí)，在所述基板上形成至少一個(gè)所述標(biāo)記符號(hào)，同時(shí)保留之前曝光時(shí)所形成的標(biāo)記符號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板包括多個(gè)面板區(qū)域，每個(gè)面板區(qū)域有對(duì)應(yīng)的標(biāo)記圖案； 在所述基板上形成與所述標(biāo)記圖案相對(duì)應(yīng)的標(biāo)識(shí)，包括:在每個(gè)面板區(qū)域上形成與該面板區(qū)域?qū)?yīng)的標(biāo)記圖案所對(duì)應(yīng)的標(biāo)識(shí)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括:在用于對(duì)基板進(jìn)行曝光的掩膜版上設(shè)置所述 標(biāo)記圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述構(gòu)圖工藝過程包括多次曝光，曝光次數(shù)與所述掩膜版數(shù)目相等；每個(gè)掩膜版上帶有至少一個(gè)所述標(biāo)記符號(hào)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，除了第一次曝光時(shí)所應(yīng)用的掩膜版以外，在各掩膜版上設(shè)置與前一次曝光所形成的標(biāo)識(shí)符號(hào)相對(duì)應(yīng)的顯露圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，設(shè)置所述顯露圖案的方法為: 在掩膜版上與所述基板上因第一次曝光之后的曝光而被覆蓋的標(biāo)記圖案的位置相對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置顯露圖案； 所述顯露圖案的形狀與被覆蓋的所述標(biāo)記圖案的形狀相同或包含被覆蓋的標(biāo)記圖案的形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，該方法還包括: 在進(jìn)行所述第一次曝光之后的一次曝光時(shí)，曝光與掩膜版上所設(shè)置的顯露圖案相對(duì)應(yīng)的基板上覆蓋標(biāo)記圖案的區(qū)域，將基板上被該區(qū)域所覆蓋的之前一次曝光所形成的標(biāo)記圖案顯露出來。
11.根據(jù)權(quán)利要求3至10任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述掩膜版包括第一掩膜版、第二掩膜版； 構(gòu)圖工藝過程包括多次曝光時(shí)，所述曝光的過程包括:將第一掩膜版覆蓋在基板上并進(jìn)行曝光，在基板上形成設(shè)置于第一掩膜版上的標(biāo)記圖案；之后將第二掩膜版覆蓋在基板上并進(jìn)行曝光，在所述基板上形成設(shè)置于第二掩膜版上的標(biāo)記圖案，最終在基板上形成由設(shè)置于第一掩膜版上的標(biāo)記圖案以及設(shè)置于第二掩膜版上的標(biāo)記圖案組成的標(biāo)記圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于， 所述將第一掩膜版覆蓋在基板上并進(jìn)行曝光的操作位于形成柵極金屬層的曝光工藝中；所述將第二掩膜版覆蓋在基板上并進(jìn)行曝光的操作位于形成源漏極金屬層的曝光工藝中。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述標(biāo)記圖案包括數(shù)字、字母、其它具有標(biāo)識(shí)作用的形狀中的至少一種。
【文檔編號(hào)】G03F7/20GK103969943SQ201310030975
【公開日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2013年1月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月25日
【發(fā)明者】王亮, 郭建 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司