專(zhuān)利名稱(chēng)：一種陣列基板及液晶顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及液晶顯示面板。
背景技術(shù)：
ADS模式是平面電場(chǎng)寬視角核心技術(shù)，具體地，通過(guò)同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。隨著高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)(Advanced Super Dimension Switch,ADS)液晶顯不產(chǎn)品需求量的不斷增加，高開(kāi)口率，較高良品率是每一個(gè)廠家不斷追求的目標(biāo)。參見(jiàn)圖1，為一種高開(kāi)口率的陣列基板。包括交叉設(shè)置的柵線101和數(shù)據(jù)線102、公共電極線103以及由數(shù)據(jù)線102和柵線101圍設(shè)形成的亞像素單元(圖1僅示出相鄰兩列亞像素單元中的上下兩個(gè)亞像素單元)，每個(gè)亞像素單元包括一個(gè)TFT104和一個(gè)像素電極105 ;相鄰兩行柵線101位于相鄰兩行亞像素單元之間，該相鄰兩行亞像素單元中位于同一列的TFT的柵極交錯(cuò)相向，相鄰兩行公共電極線103之間相隔兩行亞像素單元。如圖1，位于同一列上一行的亞像素單元的TFT104的漏電極與像素電極105的第一過(guò)孔106，位于下一行亞像素單元的TFT104的柵線101的區(qū)域內(nèi)，在透光方向上，該第一過(guò)孔106的投影完全落在下一行的亞像素單元的柵線101的投影內(nèi)，這樣的設(shè)計(jì)方式開(kāi)口率較高，但是存在一個(gè)閃爍不良(flicker)現(xiàn)象。具體地，每一 TFT與相對(duì)設(shè)置的柵線在垂直方向的投影有重疊區(qū)域，也就是說(shuō)，像素電極的電壓隨柵線電壓的變化如圖2所示，像素電極的電壓在第一柵線充電完成后會(huì)出現(xiàn)一次下降，這就是常說(shuō)的Λ Vp，但是由于像素電極與相鄰的第二柵線存在垂直方向的重疊區(qū)域，使得相鄰柵線的電壓降會(huì)降影響本像素電極的電壓，會(huì)使得電壓再下拉一次。因此會(huì)使得圖像顯示出現(xiàn)閃爍不良現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及液晶顯示面板，用以解決圖像顯示存在閃爍不良(flicker)的問(wèn)題。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板，包括基板，基板上交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線和柵線，以及由數(shù)據(jù)線和柵線圍設(shè)而成的亞像素單元，各亞像素單元包括TFT和像素電極，TFT的源電極與所述數(shù)據(jù)線連接，TFT的漏電極與所述像素電極相連，TFT的柵電極與所述柵線相連；分別驅(qū)動(dòng)相鄰兩行相對(duì)設(shè)置的亞像素單元的柵線位于所述兩行亞像素單元之間，所述漏電極與所述柵線在垂直方向的投影無(wú)重疊區(qū)域。較佳地，所述相鄰兩行亞像素單元之間的兩條柵線中，上一行的柵線與下一行亞像素單元連接，下一行柵線與上一行亞像素單元連接，兩條柵線分別驅(qū)動(dòng)與之相連的亞像素單元。較佳地，所述各亞像素單元的TFT設(shè)置在驅(qū)動(dòng)該亞像素單元的柵線上，所述TFT的漏電極與所述亞像素單元中的像素電極連接。較佳地，所述像素電極包括位于兩條柵線之間的部分以及位于兩條柵線兩側(cè)的部分，所述漏電極與所述像素電極中所述位于兩條柵線之間的部分連接。較佳地，還包括公共電極，所述公共電極與所述柵線和像素電極位于不同層且相絕緣，所述公共電極位于所述像素電極下方以及所述柵線上方；所述柵線位于所述公共電極在垂直方向的投影區(qū)域內(nèi)。 較佳地，所述漏電極與所述像素電極位于不同層，且通過(guò)第一過(guò)孔電性連接。較佳地，還包括位于公共電極下方與公共電極相絕緣的多條公共電極線，所述各公共電極線通過(guò)第二過(guò)孔與所述公共電極連接。較佳地，所述多條公共電極線分布在顯示區(qū)域和外圍區(qū)域，分布在外圍區(qū)域的公共電極線與公共電極連接的所述第二過(guò)孔的數(shù)量至少為兩個(gè)。本發(fā)明實(shí)施例提供一種液晶顯示面板，包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板和所述陣列基板。較佳地，所述柵線的投影落在所述彩膜基板上黑矩陣的投影內(nèi)。較佳地，在彩膜基板側(cè)，當(dāng)一個(gè)像素單元由三種顏色的亞像素單元組成時(shí)，所述柵線位置對(duì)應(yīng)的黑矩陣與所述公共電極線位置對(duì)應(yīng)的黑矩陣寬度相同；當(dāng)一個(gè)像素單元由至少四種顏色的亞像素單元組成時(shí)，所述柵線位置對(duì)應(yīng)的黑矩陣與所述公共電極線位置對(duì)應(yīng)的黑矩陣寬度不相同。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板及液晶顯示面板，通過(guò)設(shè)置滿足如下條件的陣列基板:TFT的漏電極與柵線在垂直方向的投影無(wú)重疊區(qū)域，避免圖像顯示存在閃爍不良(flicker)的問(wèn)題。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中TFT陣列基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖2為圖1所示的陣列基板中柵線和像素電極工作時(shí)序圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種采用一字型TFT的陣列基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖4為圖3所述的陣列基板在A-A’向的截面示意圖；圖5為圖4所示的第一過(guò)孔與第二柵線之間位置關(guān)系的局部放大圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的具有第二過(guò)孔的陣列基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種采用一字型TFT的陣列基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖8為發(fā)明實(shí)施例提供的一種采用U型TFT的陣列基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖9為發(fā)明實(shí)施例提供的一種采用L型TFT的陣列基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的由R、G、B亞像素單元組成的像素單元的前提下，黑矩陣設(shè)置結(jié)構(gòu)示意圖；圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的由R、G、B、W亞像素單元組成的像素單元的前提下，黑矩陣設(shè)置結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及液晶顯示面板，用以解決液晶顯示面板在顯示圖像的過(guò)程中，存在閃爍不良(flicker)的問(wèn)題。下面通過(guò)附圖具體說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案。參見(jiàn)圖3，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，包括:基板1，位于基板I上的多條呈橫縱交叉設(shè)置的柵線2和數(shù)據(jù)線3 ；(如圖3中橫向設(shè)置的柵線2和縱向設(shè)置的數(shù)據(jù)線3);以及多條橫向設(shè)置的公共電極線4。柵線2、數(shù)據(jù)線3以及公共電極線4圍成一個(gè)亞像素單元；多個(gè)亞像素單元呈矩陣周期排列，如圖3中虛線框所圍區(qū)域?yàn)橐粋€(gè)亞像素單元。亞像素單元所在陣列基板的區(qū)域?yàn)橥腹鈪^(qū)域，相鄰亞像素單元之間的區(qū)域?yàn)椴煌腹鈪^(qū)域，如陣列基板上公共電極線4、數(shù)據(jù)線3和柵線2所在的區(qū)域?yàn)椴煌腹鈪^(qū)域。如圖3，相鄰兩行亞像素單元之間設(shè)置有兩條間隔有一定距離的柵線2 ;設(shè)這兩條柵線2為一組柵線；公共電極線4位于相鄰的兩組柵線之間。S卩，在基板I的不透光區(qū)域，公共電極線4和兩條緊鄰的柵線2間隔排列。公共電極線4位于兩行相鄰的亞像素單元之間，兩條緊鄰的柵線2位于其他兩行相鄰的亞像素單元之間。如圖3，緊鄰的兩條柵線兩側(cè)的亞像素單元，且屬于同一列的亞像素單元相對(duì)設(shè)置。本發(fā)明實(shí)施例，距離上一行亞像素單元最近的柵線(稱(chēng)為上一行柵線)可以驅(qū)動(dòng)上一行亞像素單元，也可以驅(qū)動(dòng)下一行亞像素單元；相應(yīng)地，下一行柵線驅(qū)動(dòng)未被上一行柵線驅(qū)動(dòng)的下一行亞像素單元或者上一行亞像素單元。即包括兩種驅(qū)動(dòng)方式。第一種驅(qū)動(dòng)方式:距離上一行亞像素單元最近的柵線與下一行亞像素單元對(duì)應(yīng)，即距離上一行亞像素單元最近的柵線驅(qū)動(dòng)下一行亞像素單元。距離下一行亞像素單元最近的柵線(靠下的柵線)與上一行亞像素單元對(duì)應(yīng)，即，距離下一行亞像素單元最近的柵線驅(qū)動(dòng)上一行亞像素單元。第二種驅(qū)動(dòng)方式:距離上一行亞像素單元最近的柵線與該上一行亞像素單元對(duì)應(yīng)，即距離上一行亞像素單元最近的柵線驅(qū)動(dòng)該上一行亞像素單元。距離下一行亞像素單元最近的柵線(靠下的柵線)與該下一行亞像素單元對(duì)應(yīng)，即，距離該下一行亞像素單元最近的柵線驅(qū)動(dòng)上一行亞像素單元。圖3所示的陣列基板的柵線驅(qū)動(dòng)方式為上述第一種驅(qū)動(dòng)方式。如圖3所示，每一亞像素單元包括:位于不透光區(qū)域的TFT5和位于透光區(qū)域的像素電極6 ;TFT5的源電極與數(shù)據(jù)線3電性連接，TFT5的漏電極與像素電極6電性相連，TFT5的柵電極與柵線2相連。其中，漏電極與任何一條柵線在垂直方向的投影無(wú)重疊區(qū)域。漏電極與像素電極6連接位置如圖3所示的連接區(qū)域7，當(dāng)漏電極與柵線2在垂直方向的投影無(wú)重疊區(qū)域時(shí)，相應(yīng)地，連接區(qū)域7與柵線2在垂直方向的投影無(wú)重疊區(qū)域。較佳地，圖3所示的連接區(qū)域7可以位于透光區(qū)域或不透光區(qū)域。如果連接區(qū)域設(shè)置在透光區(qū)域會(huì)引起像素的開(kāi)口率降低的問(wèn)題。較佳地，連接區(qū)域7位于不透光區(qū)域時(shí)，位于透光區(qū)域的像素電極6還包括位于不透光區(qū)域的凸起部分，TFT5的漏電極與像素電極6位于不透光區(qū)域的凸起部分電性連接。這樣可以避免像素的開(kāi)口率降低的問(wèn)題。屬于同一列相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)像素電極6上的凸起部分相對(duì)交錯(cuò)設(shè)置。較佳地，分別與所述相鄰兩條柵線連接的TFT的漏電極與相對(duì)設(shè)置的亞像素單元中的像素電極連接，該漏電極與像素電極的連接區(qū)域與相對(duì)設(shè)置的柵線在垂直方向的投影無(wú)重疊區(qū)域。為了更清楚說(shuō)明上述實(shí)施例提供的陣列基板上各部分之間的位置關(guān)系。下面通過(guò)圖4說(shuō)明，圖4為圖3所示的陣列基板在A-A’向的截面圖。參見(jiàn)圖4,陣列基板的部分截面示意圖包括:基板I;位于基板I上的第一柵極21和第二柵線22 ;第一柵極21與圖3所示的陣列基板中的靠下的一條柵線對(duì)應(yīng)。第二柵線22為圖3所示的陣列基板中的靠上的一條柵線。還包括:第一柵極21和第二柵線22上方的柵極絕緣層(GI )8，以及位于第一柵極21上方的有源層9 (ACT)，位于有源層9上方的源漏極層10，位于源漏極層10上方的以及第二柵線22上方的樹(shù)脂層11 ;第一柵極21、柵極絕緣層(GI )8、有源層9，以及源漏極層10構(gòu)成一個(gè)TFT，也即構(gòu)成一個(gè)與圖3所示的右上方的像素電極相連的TFT。還包括:位于樹(shù)脂層11上方的像素電極6。像素電極6包括位于透光區(qū)域的部分和位于不透光區(qū)域的部分。不透光區(qū)域的像素電極部分通過(guò)第一過(guò)孔15與位于其下方的源漏極層10電性相連。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，相鄰兩行亞像素單元之間的兩條柵線分別用于驅(qū)動(dòng)所述相鄰的兩行亞像素單元中的其中之一行。本發(fā)明中，TFT位于陣列基板的非透光區(qū)域，不影響每一亞像素單元的開(kāi)口率。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，位于非透光區(qū)域的TFT的漏電極與位于非透光區(qū)域的像素電極部分電性相連，保證不影響像素的開(kāi)口率。另外，漏電極與與相對(duì)設(shè)置的柵線在垂直方向的投影無(wú)重疊區(qū)域。這樣，可以解決顯示圖像存在閃爍不良(flicker)的問(wèn)題。這是因?yàn)?，flicker不良主要是由于TFT柵線的影響所致，具體地，是因?yàn)橄袼仉姌O與柵線之間在垂直方向有重疊區(qū)域，導(dǎo)致像素電極與柵線之間存在一定的正向電容C，相應(yīng)地會(huì)使得已經(jīng)充電后的電壓處于一定值的像素電極的電壓被拉低。電壓的拉低產(chǎn)生AVp，而如果處理不好就會(huì)在顯示圖像產(chǎn)生的抖動(dòng)現(xiàn)象，也即圖像存在flicker的現(xiàn)象，這種現(xiàn)象稱(chēng)為flicker不良。本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)設(shè)置陣列基板滿足如下條件:漏電極與像素電極的連接區(qū)域與相對(duì)設(shè)置的柵線在垂直方向的投影無(wú)重疊區(qū)域。實(shí)現(xiàn)漏電極與像素電極的連接區(qū)域與柵線之間不存在正對(duì)電容C，減小了 Λ Vp，也就使得像素電極的電壓在充電完成之后不會(huì)連續(xù)兩次被拉低，從而解決了 flicker嚴(yán)重的問(wèn)題。參見(jiàn)圖4，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板還包括位于像素電極6與樹(shù)脂層11之間的公共電極16 ;公共電極16通過(guò)第二過(guò)孔(圖4中未示出)與圖3所示的公共電極線4相連。如圖4所示的陣列基板部分截面示意圖,包括公共電極16,以及位于公共電極16和像素電極6之間的鈍化保護(hù)層(PVX) 17。較佳地，為了避免圖5所示像素電極6受其下方的第二柵線22的影響，從而避免第二柵線22對(duì)像素電極6的工作電壓造成下拉，引起flicker不良，本發(fā)明實(shí)施例提供的公共電極16覆蓋整個(gè)第二柵線22，從而防止第二柵線22對(duì)像素電極6下拉的影響。即公共電極16位于像素電極6下方以及第二柵線22上方；第二柵線22位于公共電極16在垂直方向的投影區(qū)域。圖4所示的第一過(guò)孔15的最大截面在垂直方向的投影與第二柵線22無(wú)重疊區(qū)域。如圖5所示為第二柵線22與公共電極16和第一過(guò)孔15的最大截面之間的位置關(guān)系局部放大示意圖。第二柵線22位于公共電極16在垂直方向的投影區(qū)域內(nèi)，且第一過(guò)孔15位于第二柵線22所在的區(qū)域之外。公共電極線位于陣列基板上周期性或者非周期性地排列。圖3所示的陣列基板，公共電極線位于陣列基板上周期性排列。也就是說(shuō)，相鄰兩行公共電極線之間可以間隔多行亞像素單元，任意相鄰兩行公共電極線之間的亞像素單元的行數(shù)可以相同或不同。多條共電極線可以通過(guò)在顯示區(qū)域內(nèi)與公共電極連接，也可以在周邊非顯示區(qū)域內(nèi)連接。公共電極線與公共電極的連接關(guān)系為:各公共電極線通過(guò)第二過(guò)孔與所述公共電極連接。具體地，公共電極線通過(guò)第二過(guò)孔周期性地和位于其上方的公共電極電性連接，起到并聯(lián)電阻減小公共電極電阻的作用。參見(jiàn)圖6，為基板I上的公共電極線4與位于其上方的公共電極16通過(guò)第二過(guò)孔18連接的俯視示意圖。或者僅位于外圍區(qū)域的公共電極線4通過(guò)第二過(guò)孔18與所述公共電極16連接。如圖6所示，通過(guò)過(guò)孔與公共電極相連的公共電極線中，每一公共電極線4與公共電極連接的第二過(guò)孔18的數(shù)量至少為兩個(gè)。圖3所示的TFT陣列基板，還可以采用如圖7所示的變形。其中，區(qū)別僅在TFT所處的位置不同。另外，圖3和圖7中所示的TFT采用的是“一”字型TFT，本發(fā)明并不限制與此結(jié)構(gòu)的TFT，例如還可以采用“U”型和“L”型的TFT，分別如圖8和圖9所示。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中數(shù)據(jù)線的連接并不限于上述及附圖中的連接方式，也可以采用其他的數(shù)據(jù)線連接形狀；漏電極和像素電極也可以不通過(guò)過(guò)孔連接，也可以采取其他的方式，如通過(guò)搭接的方式進(jìn)行連接，只要實(shí)現(xiàn)連接即可。上述TFT陣列基板，應(yīng)用于本發(fā)明提供的一種液晶顯示面板，即該顯示面板包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板和上述陣列基板。較佳地，該液晶顯示面板中，所述陣列基板上柵線的投影落在彩膜基板上黑矩陣的投影內(nèi)。較佳地，所述液晶顯示面板，在彩膜基板側(cè)，所述柵線位置對(duì)應(yīng)的黑矩陣與所述公共電極線對(duì)應(yīng)的黑矩陣形狀可以也可以相同，視情況而論。當(dāng)一個(gè)像素單元由三個(gè)亞像素單元組成時(shí)，柵線位置對(duì)應(yīng)的黑矩陣與所述公共電極線對(duì)應(yīng)的黑矩陣形狀相同，可以避免橫紋不良現(xiàn)象。例如:當(dāng)一個(gè)像素單元由紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)亞像素單元組成時(shí)，柵線位置對(duì)應(yīng)的黑矩陣與所述公共電極線對(duì)應(yīng)的黑矩陣形狀相同，可以避免橫紋不良現(xiàn)象。如圖10所示，為一個(gè)像素單元由紅色亞像素單元(R)、綠色亞像素單元(G)、藍(lán)色亞像素單元(B)組成的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖。每一行亞像素單元中，相鄰的三個(gè)R、G、B亞像素單元組成一個(gè)像素單元。如圖10所示，柵線2所在的不透光區(qū)域(對(duì)應(yīng)虛線框所圍區(qū)域)對(duì)應(yīng)彩膜基板上的黑矩陣的寬度，柵線所在的不透光區(qū)域?qū)?yīng)彩膜基板上的黑矩陣的寬度為A。公共電極線4所在的不透光區(qū)域(對(duì)應(yīng)虛線框所圍區(qū)域)對(duì)應(yīng)彩膜基板上的黑矩陣的寬度，柵線所在的不透光區(qū)域?qū)?yīng)彩膜基板上的黑矩陣的寬度為B，其中A=B。也就是說(shuō)，一個(gè)像素單元由紅色亞像素單元(R)、綠色亞像素單元(G)、藍(lán)色亞像素單元(B)組成時(shí)，彩膜基板上的對(duì)柵線對(duì)應(yīng)區(qū)域的黑矩陣的寬度等于對(duì)公共電極線對(duì)應(yīng)區(qū)域的黑矩陣的寬度。由于上下相鄰兩個(gè)像素TFT相對(duì)，所以黑矩陣BM遮擋外沿和柵極線外沿平行，常規(guī)RGB并列排布的方式下，形成和公共電極線上方寬度相同的外形平整的BM遮擋，即A=B，這樣所有像素的開(kāi)口大小相同外觀一致，避免了相鄰行BM差異而產(chǎn)生的橫紋。當(dāng)然，組成一個(gè)像素單元的三種顏色的亞像素單元不限于上述的紅、綠、藍(lán)三種。當(dāng)一個(gè)像素單元由至少四種顏色的亞像素單元組成時(shí)，柵線位置對(duì)應(yīng)的黑矩陣與所述公共電極線對(duì)應(yīng)的黑矩陣形狀不相同。例如:當(dāng)一個(gè)像素單元由紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)和白(W)色亞像素單元組成時(shí)，柵線位置對(duì)應(yīng)的黑矩陣與所述公共電極線對(duì)應(yīng)的黑矩陣形狀不相同。如圖11所示，一個(gè)像素單元(如黑粗線框中所示的R、G、B、W)由位于兩行的R、G、B、W四個(gè)子像素組成時(shí)，但如果是R、G、B、W、因?yàn)樯舷?個(gè)亞像素單元構(gòu)成了一個(gè)像素單元，因此柵線(或者TFT)上方BM寬度和公共電極線上方BM寬度也可以不相同，即A古B。由于R、G、B、W作為一個(gè)像素單元，該像素單元內(nèi)不會(huì)出現(xiàn)橫紋，且像素單元之間的設(shè)置是周期性等大設(shè)置的，像素單元之間不會(huì)出現(xiàn)橫紋。同理，組成一個(gè)像素單元的四種顏色的亞像素單元不限于上述的紅、綠、藍(lán)、白四種。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括所述液晶顯示面板。顯示裝置可以為ADS豐旲式的液晶面板、液晶顯不器、液晶電視等。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置，通過(guò)設(shè)置滿足如下條件的陣列基板=TFT的漏電極與柵線在垂直方向的投影無(wú)重疊區(qū)域，來(lái)避免圖像顯示存在閃爍不良flicker的問(wèn)題。同時(shí)避免了像素電極正下方的柵極或柵線對(duì)像素電極圖像顯示的影響，更進(jìn)一步避免了 flicker不良的發(fā)生，提高圖像的顯示質(zhì)量。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括基板，基板上交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線和柵線，以及由數(shù)據(jù)線和柵線圍設(shè)而成的亞像素單元，各亞像素單元包括TFT和像素電極，TFT的源電極與所述數(shù)據(jù)線連接，TFT的漏電極與所述像素電極相連，TFT的柵電極與所述柵線相連；分別驅(qū)動(dòng)相鄰兩行相對(duì)設(shè)置的亞像素單元的柵線位于所述兩行亞像素單元之間，其特征在于，所述漏電極與所述柵線在垂直方向的投影無(wú)重疊區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述相鄰兩行亞像素單元之間的兩條柵線中，上一行的柵線與下一行亞像素單元連接，下一行柵線與上一行亞像素單元連接，兩條柵線分別驅(qū)動(dòng)與之相連的亞像素單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述各亞像素單元的TFT設(shè)置在驅(qū)動(dòng)該亞像素單元的柵線上，所述TFT的漏電極與所述亞像素單元中的像素電極連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極包括位于兩條柵線之間的部分以及位于兩條柵線兩側(cè)的部分，所述漏電極與所述像素電極中所述位于兩條柵線之間的部分連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括公共電極，所述公共電極與所述柵線和像素電極位于不同層且相絕緣，所述公共電極位于所述像素電極下方以及所述柵線上方；所述柵線位于所述公共電極在垂直方向的投影區(qū)域內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述漏電極與所述像素電極位于不同層，且通過(guò)第一過(guò)孔電性連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，還包括位于公共電極下方與公共電極相絕緣的多條公共電極線，所述各公共電極線通過(guò)第二過(guò)孔與所述公共電極連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述多條公共電極線分布在顯示區(qū)域和外圍區(qū)域，分布在外圍區(qū)域的公共電極線與公共電極連接的所述第二過(guò)孔的數(shù)量至少為兩個(gè)。
9.一種液晶顯示面板，包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板和陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為如權(quán)利要求Γ8任一權(quán)利要求所述的陣列基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述柵線的投影落在所述彩膜基板上黑矩陣的投影內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示面板，其特征在于，在彩膜基板側(cè)，當(dāng)一個(gè)像素單元由三種顏色的亞像素單元組成時(shí)，所述柵線位置對(duì)應(yīng)的黑矩陣與所述公共電極線位置對(duì)應(yīng)的黑矩陣寬度相同； 當(dāng)一個(gè)像素單元由至少四種顏色的亞像素單元組成時(shí)，所述柵線位置對(duì)應(yīng)的黑矩陣與所述公共電極線位置對(duì)應(yīng)的黑矩陣寬度不相同。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板及液晶顯示面板，用以在保證像素區(qū)域開(kāi)口率的同時(shí)，解決顯示圖像出現(xiàn)的閃爍的問(wèn)題，以提高顯示質(zhì)量。所述陣列基板，包括基板，基板上交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線和柵線，以及由數(shù)據(jù)線和柵線圍設(shè)而成的亞像素單元，各亞像素單元包括TFT和像素電極，TFT的源電極與所述數(shù)據(jù)線連接，TFT的漏電極與所述像素電極相連，TFT的柵電極與所述柵線相連；分別驅(qū)動(dòng)相鄰兩行相對(duì)設(shè)置的亞像素單元的柵線位于所述兩行亞像素單元之間，所述漏電極與所述像素電極的連接區(qū)域，與所述柵線在垂直方向的投影無(wú)重疊區(qū)域。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK103116238SQ20131004614
公開(kāi)日2013年5月22日 申請(qǐng)日期2013年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月5日
發(fā)明者姜文博, 薛海林, 董學(xué), 車(chē)春城, 陳東 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司