專利名稱：一種提高光掩模板關(guān)鍵尺寸均一性的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種提高光掩模板關(guān)鍵尺寸均一性的方法。
背景技術(shù)：
在集成電路制造工藝中，通常通過激光束或電子束將設(shè)計好的電路轉(zhuǎn)移到掩模板上，再通過曝光的方式將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上。但是，由于電子束易在光掩?；灞砻媾c曝光腔體內(nèi)反復(fù)反射(霧化效應(yīng))，導(dǎo)致曝光區(qū)域圖形面積比重較大的區(qū)域的光阻比其他區(qū)域的光阻接受更多的電子。由此，在同樣的曝光能量下，顯影完后，正性光阻的掩模板曝光區(qū)域圖形面積比重較大的區(qū)域光阻的關(guān)鍵尺寸較其他區(qū)域的區(qū)域光阻的關(guān)鍵尺寸小；負(fù)性光阻的掩模板則相反，即負(fù)性光阻的掩模板曝光區(qū)域圖形面積比重較大的區(qū)域光阻的關(guān)鍵尺寸較其他區(qū)域的區(qū)域光阻的關(guān)鍵尺寸大。因此，希望提供一種能夠解決由掩模板曝光時的霧化效應(yīng)造成的關(guān)鍵尺寸均一性不良的問題，最終提升掩模板整體的關(guān)鍵尺寸均一性的技術(shù)方案。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠解決由掩模板曝光時的霧化效應(yīng)造成的關(guān)鍵尺寸均一性不良的問題，最終提升掩模板整體的關(guān)鍵尺寸均一性的方法。為了實現(xiàn)上述技術(shù)目的，本發(fā)明提供了一種提高光掩模板關(guān)鍵尺寸均一性的方法，其包括:第一步驟，用于執(zhí)行初始掩模板版圖設(shè)計；第二步驟，用于對設(shè)計出來的初始掩模板版圖進(jìn)行區(qū)塊劃分；第三步驟，用于計算初始掩模板版圖各區(qū)塊的曝光圖形密度；第四步驟，用于根據(jù)各區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形密度分布確定各區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度；第五步驟，用于根據(jù)所確定的各區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度調(diào)整各區(qū)塊的關(guān)鍵尺寸，以得到更新的掩模板版圖；第六步驟，用于根據(jù)更新的掩模板版圖執(zhí)行掩模板制造。優(yōu)選地，所述各區(qū)塊周邊區(qū)域是以該區(qū)塊中心為圓心，以給定距離為半徑的圓所覆蓋的范圍內(nèi)的區(qū)域。優(yōu)選地，所述的給定距離的范圍是0.1mm至152.4mm。優(yōu)選地，在所述第四步驟中，所述的各區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度的范圍是Inm至5優(yōu)選地，各區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形密度分布包括:該區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形至該區(qū)塊的距離、以及該區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形的密度；在所述第四步驟中，所述各區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度可由該區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形至該區(qū)塊的距離、以及該區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形的密度決定。優(yōu)選地，在所述第四步驟中，區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形至該區(qū)塊的距離越小，則該區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度越大；區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形的密度越大，則該區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度越大。優(yōu)選地，在第五步驟中，對于使用正性掩模板光阻的掩模板，根據(jù)所確定的各區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度，將曝光區(qū)域圖形密度較大的透光圖形關(guān)鍵尺寸調(diào)小，曝光區(qū)域圖形密度較小的透光圖形關(guān)鍵尺寸調(diào)大；對于使用負(fù)性掩模板光阻的掩模板，根據(jù)所確定的各區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度，將曝光區(qū)域圖形密度較大的透光圖形關(guān)鍵尺寸調(diào)大，曝光區(qū)域圖形密度較小的透光圖形關(guān)鍵尺寸調(diào)小。優(yōu)選地，在第二步驟中，按照固定尺寸來進(jìn)行區(qū)塊劃分。在本發(fā)明中，提供了 一種提高光掩模板關(guān)鍵尺寸均一性的方法；其中，在掩模板設(shè)計之后，針對各數(shù)據(jù)區(qū)域周圍的圖形密度情況，來調(diào)整該區(qū)域的關(guān)鍵尺寸的大小，以彌補由霧化效應(yīng)帶來的各區(qū)域關(guān)鍵尺寸的差異，最終提高掩模板整體的關(guān)鍵尺寸均一性。


結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中:圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的提高光掩模板關(guān)鍵尺寸均一性的方法的流程圖。圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的提高光掩模板關(guān)鍵尺寸均一性的方法生產(chǎn)的掩模板的關(guān)鍵尺寸分布圖。圖3示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的生產(chǎn)的掩模板的關(guān)鍵尺寸分布圖。需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號。
具體實施例方式為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的提高光掩模板關(guān)鍵尺寸均一性的方法的流程圖。更具體地說，如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的提高光掩模板關(guān)鍵尺寸均一性的方法包括:第一步驟SI，用于執(zhí)行初始掩模板版圖設(shè)計；其中，可通過現(xiàn)有技術(shù)中已知的任何方式來執(zhí)行初始掩模板版圖設(shè)計。第二步驟S2，用于對設(shè)計出來的初始掩模板版圖進(jìn)行區(qū)塊劃分；其中，優(yōu)選地，可以按照固定尺寸來進(jìn)行區(qū)塊劃分，例如，可將20umX20um大小的單元格作為一個區(qū)塊。第三步驟S3，用于計算初始掩模板版圖各區(qū)塊的曝光圖形密度。其中，曝光圖形密度指的是曝光區(qū)域圖形面積除以區(qū)塊總面積之商。
第四步驟S4，用于根據(jù)各區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形密度分布確定各區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度；其中，優(yōu)選地，所述各區(qū)塊周邊區(qū)域是以該區(qū)塊中心為圓心，以給定距離為半徑的圓所覆蓋的范圍內(nèi)的區(qū)域。優(yōu)選地，所述的給定距離的范圍是0.1mm至152.4mm。優(yōu)選地，所述的各區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度的范圍是Inm至500nm。優(yōu)選地，在具體實施例中，各區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形密度分布包括:該區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形至該區(qū)塊的距離、以及該區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形的密度；由此所述各區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度可由該區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形至該區(qū)塊的距離、以及該區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形的密度決定。其中，該區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形至該區(qū)塊的距離越小，則該區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度越大；此外，該區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形的密度越大，則該區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度越大。第五步驟S5，用于根據(jù)所確定的各區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度調(diào)整各區(qū)塊的關(guān)鍵尺寸，以得到更新的掩模板版圖。具體地說，在第五步驟S5中，對于使用正性掩模板光阻的掩模板來說，根據(jù)所確定的各區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度，將曝光區(qū)域圖形密度較大的透光圖形關(guān)鍵尺寸調(diào)小，曝光區(qū)域圖形密度較小的透光圖形關(guān)鍵尺寸調(diào)大；對于使用負(fù)性掩模板光阻的掩模板，根據(jù)所確定的各區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度，將曝光區(qū)域圖形密度較大的透光圖形關(guān)鍵尺寸調(diào)大，曝光區(qū)域圖形密度較小的透光圖形關(guān)鍵尺寸調(diào)小。第六步驟S6，用于根據(jù)更新的掩模板版圖執(zhí)行掩模板制造。圖2和圖3不出了本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)的對比的一個不例。圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的提高光掩模板關(guān)鍵尺寸均一性的方法生產(chǎn)的掩模板的關(guān)鍵尺寸分布圖P1，其中整片掩模板的關(guān)鍵尺寸波動為lonm。圖3示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的生產(chǎn)的掩模板的關(guān)鍵尺寸分布圖P2，其中整片掩模板的關(guān)鍵尺寸波動為37nm?？梢钥闯觯趹?yīng)用本發(fā)明之后，整片掩模板的關(guān)鍵尺寸波動從37nm下降至10nm。由此，在本發(fā)明上述實施例中，提供了一種提高光掩模板關(guān)鍵尺寸均一性的方法；其中，在掩模板設(shè)計之后，針對各數(shù)據(jù)區(qū)域周圍的曝光區(qū)域圖形密度情況，來調(diào)整該區(qū)域的關(guān)鍵尺寸的大小，以彌補由霧化效應(yīng)帶來的各區(qū)域關(guān)鍵尺寸的差異，最終提高掩模板整體的關(guān)鍵尺寸均一性。此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等?？梢岳斫獾氖?，雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種提高光掩模板關(guān)鍵尺寸均一性的方法，其特征在于包括: 第一步驟，用于執(zhí)行初始掩模板版圖設(shè)計； 第二步驟，用于對設(shè)計出來的初始掩模板版圖進(jìn)行區(qū)塊劃分； 第三步驟，用于計算初始掩模板版圖各區(qū)塊的曝光圖形密度； 第四步驟，用于根據(jù)各區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形密度分布確定各區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度； 第五步驟，用于根據(jù)所確定的各區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度調(diào)整各區(qū)塊的關(guān)鍵尺寸，以得到更新的掩模板版圖； 第六步驟，用于根據(jù)更新的掩模板版圖執(zhí)行掩模板制造。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高光掩模板關(guān)鍵尺寸均一性的方法，其特征在于，所述各區(qū)塊周邊區(qū)域是以該區(qū)塊中心為圓心，以給定距離為半徑的圓所覆蓋的范圍內(nèi)的區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提高光掩模板關(guān)鍵尺寸均一性的方法，其特征在于，所述的給定距離的范圍是0.1mm至152.4mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提高光掩模板關(guān)鍵尺寸均一性的方法，其特征在于，在所述第四步驟中，所述的各區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度的范圍是Inm至500nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提高光掩模板關(guān)鍵尺寸均一性的方法，其特征在于，各區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形密度分布包括:該區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形至該區(qū)塊的距離、以及該區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形的密度；在所述第四步驟中，所述各區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度可由該區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形至該區(qū)塊的距離、以及該區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形的密度決定。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提高光掩模板關(guān)鍵尺寸均一性的方法，其特征在于，在所述第四步驟中，區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形至該區(qū)塊的距離越小，則該區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度越大；區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形的密度越大，則該區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度越大。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提高光掩模板關(guān)鍵尺寸均一性的方法，其特征在于，在第五步驟中，對于使用正性掩模板光阻的掩模板，根據(jù)所確定的各區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度，將曝光區(qū)域圖形密度較大的透光圖形關(guān)鍵尺寸調(diào)小，曝光區(qū)域圖形密度較小的透光圖形關(guān)鍵尺寸調(diào)大；對于使用負(fù)性掩模板光阻的掩模板，根據(jù)所確定的各區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度，將曝光區(qū)域圖形密度較大的透光圖形關(guān)鍵尺寸調(diào)大，曝光區(qū)域圖形密度較小的透光圖形關(guān)鍵尺寸調(diào)小。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提高光掩模板關(guān)鍵尺寸均一性的方法，其特征在于，在第二步驟中，按照固定尺寸來進(jìn)行區(qū)塊劃分。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種提高光掩模板關(guān)鍵尺寸均一性的方法，包括第一步驟，用于執(zhí)行初始掩模板版圖設(shè)計；第二步驟，用于對設(shè)計出來的初始掩模板版圖進(jìn)行區(qū)塊劃分；第三步驟，用于計算初始掩模板版圖各區(qū)塊的曝光圖形密度；第四步驟，用于根據(jù)各區(qū)塊周邊區(qū)域內(nèi)的曝光圖形密度分布確定各區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度；第五步驟，用于根據(jù)所確定的各區(qū)塊關(guān)鍵尺寸的調(diào)整幅度調(diào)整各區(qū)塊的關(guān)鍵尺寸，以得到更新的掩模板版圖；第六步驟，用于根據(jù)更新的掩模板版圖執(zhí)行掩模板制造。
文檔編號G03F1/72GK103091976SQ20131006256
公開日2013年5月8日 申請日期2013年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月27日
發(fā)明者闞歡, 魏芳, 張旭升 申請人:上海華力微電子有限公司