筒狀部件、圖像形成裝置用筒狀部件、電子照相感光體、圖像形成裝置和處理盒的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種筒狀部件、圖像形成裝置用筒狀部件、電子照相感光體、圖像形成裝置和處理盒。筒狀部件包括鋁，并且其中，外周面的晶體顆粒的平均面積小于內(nèi)周面的晶體顆粒的平均面積。
【專利說明】筒狀部件、圖像形成裝置用筒狀部件、電子照相感光體、圖
像形成裝置和處理盒
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種筒狀部件、圖像形成裝置用筒狀部件、電子照相感光體、圖像形成
裝置和處理盒。
【背景技術(shù)】
[0002]由于鋁或鋁合金具有諸如重量輕、高強度和高可加工性的特性，因此，使用了由鋁制成的各種筒狀部件，例如，筒狀容器(例如，用于飲料的容器和用于油性筆的容器)以及用于圖像形成裝置的構(gòu)件(例如，電子照相感光體、導(dǎo)電輥和定影輥)的支撐體。
[0003]例如，JP-A-61-044148公開了一種用于感光鼓的鋁板，其中，F(xiàn)e的含量為0.3wt%至1.0wt%, Si的含量為0.2wt%至0.8wt%, Fe/Si < 3，板表面的平均晶體粒徑為35 μ m以下，拉延比(毛坯直徑/沖頭直徑)為2，并且制耳率處于3%以內(nèi)。
[0004]日本專利N0.3661416,3871003,3941238和3633287公開了一種使用通過沖壓制
造的圓筒狀基板、圖像形成裝置等等。
[0005]日本專利N0.4145594公開了一種用于通過沖壓制造具有橢圓形截面的金屬管的裝置和方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種抑制了由于外部沖擊導(dǎo)致的永久變形的筒狀部件。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種筒狀部件，其包括鋁，并且其中，外周面的晶體顆粒的平均面積小于內(nèi)周面的晶體顆粒的平均面積。
[0008]本發(fā)明的第二方面提供了根據(jù)第一方面的筒狀部件，其中，外周面的晶體顆粒的平均面積SI與內(nèi)周面的晶體顆粒的平均面積S2的比率(S1/S2X 100)為20%至45%。
[0009]本發(fā)明的第三方面提供了根據(jù)第一方面的筒狀部件，其中，外周面的晶體顆粒的平均面積SI與內(nèi)周面的晶體顆粒的平均面積S2的比率(S1/S2X 100)為24%至38%。
[0010]本發(fā)明的第四方面提供了根據(jù)第一方面的筒狀部件，其中，外周面的晶體顆粒的平均面積SI為0.9 μ m2至1.25 μ m2。
[0011]本發(fā)明的第五方面提供了根據(jù)第一方面的筒狀部件，其中，內(nèi)周面的晶體顆粒的平均面積S2為2.76 μ m2至4.54 μ m2。
[0012]本發(fā)明的第六方面提供了根據(jù)第一方面的筒狀部件，其中，在從內(nèi)周面到外周面的厚度方向上減小晶體顆粒的平均面積。
[0013]本發(fā)明的第七方面提供了根據(jù)第一方面的筒狀部件，其中，鋁含量為99.5%以上。
[0014]本發(fā)明的第八方面提供了根據(jù)第一方面的筒狀部件，其中，鋁含量為99.6%以上。
[0015]本發(fā)明的第九方面提供了根據(jù)第一方面的筒狀部件，其中，筒狀部件的厚度為
0.3臟至0.9臟。
[0016]本發(fā)明的第十方面提供了根據(jù)第一方面的筒狀部件，其中，筒狀部件的厚度為0.4mm 至 0.6mm。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的第十一方面，提供了一種在圖像形成裝置中使用的圖像形成裝置用筒狀部件，該圖像形成裝置包括根據(jù)第一至第十方面中的任一方面的筒狀部件和布置在筒狀部件的外周面上的樹脂層或橡膠層。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的第十二方面，提供了一種電子照相感光體，其包括根據(jù)第十一方面的圖像形成裝置用筒狀部件。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的第十三方面，提供了一種圖像形成裝置，其包括根據(jù)第十一方面的圖像形成裝置用筒狀部件。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的第十四方面，提供了一種圖像形成裝置，其包括根據(jù)第十二方面的電子照相感光體；充電單元，其使電子照相感光體的表面帶電；靜電潛像形成單元，其在帶電的電子照相感光體的表面上形成靜電潛像；顯影單元，其利用包括色調(diào)劑的顯影劑使形成在電子照相感光體的表面上的靜電潛像顯影以形成色調(diào)劑圖像；以及轉(zhuǎn)印單元，其將形成在電子照相感光體的表面上的色調(diào)劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)上。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的第十五方面，提供了一種處理盒，其可從圖像形成裝置拆卸，包括根據(jù)第十一方面的圖像形成裝置用筒狀部件。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的第十六方面，提供了一種處理盒，其可從圖像形成裝置拆卸，包括根據(jù)第十二方面的電子照相感光體。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的第一方面，與包括鋁并且外周面的晶體顆粒的平均面積沒有小于內(nèi)周面的晶體顆粒的平均面積的情況相比，提供了抑制了由于外部沖擊導(dǎo)致的永久變形的筒狀部件。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的第二方面，與外周面的晶體顆粒的平均面積SI與內(nèi)周面的晶體顆粒的平均面積S2的比率(S/S2X 100)沒有處于20%至45%的范圍內(nèi)的情況相比，提供了抑制了由于外部沖擊導(dǎo)致的永久變形的筒狀部件。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的第三方面，與外周面的晶體顆粒的平均面積SI與內(nèi)周面的晶體顆粒的平均面積S2的比率(S/S2X100)沒有處于24%至38%的范圍內(nèi)的情況相比，提供了抑制了由于外部沖擊導(dǎo)致的永久變形的筒狀部件。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的第四方面，與外周面的晶體顆粒的平均面積SI沒有處于0.9 μ m2至
1.25 μ m2的范圍內(nèi)的情況相比，提供了抑制了由于外部沖擊導(dǎo)致的永久變形的筒狀部件。
[0027]根據(jù)本發(fā)明的第五方面，與內(nèi)周面的晶體顆粒的平均面積S2沒有處于2.76 μ m2至4.54μ m2的范圍內(nèi)的情況相比，提供了抑制了由于外部沖擊導(dǎo)致的永久變形的筒狀部件。
[0028]根據(jù)本發(fā)明的第六方面，與沒有在從內(nèi)周面到外周面的厚度方向上減小晶體顆粒的平均面積的情況相比，提供了抑制了由于外部沖擊導(dǎo)致的永久變形的筒狀部件。
[0029]根據(jù)本發(fā)明的第七和第八方面，與鋁含量小于99.5%的情況相比，提供了抑制了由于外部沖擊導(dǎo)致的永久變形的筒狀部件。
[0030]根據(jù)本發(fā)明的第九和第十方面，即使在筒狀部件的厚度為0.3mm至0.9mm時也能夠提供抑制了由于外部沖擊導(dǎo)致的永久變形的筒狀部件。
[0031]根據(jù)本發(fā)明的第十一和第十二方面，與提供包括鋁并且其中外周面的晶體顆粒的平均面積沒有小于內(nèi)周面的晶體顆粒的平均面積并且還包括布置在筒狀部件的外周面上的樹脂層或橡膠層的筒狀部件的情況相比，提供了抑制了由于外部沖擊導(dǎo)致的樹脂層或橡膠層的剝離的圖像形成裝置用筒狀部件和電子照相感光體。
[0032]根據(jù)本發(fā)明的第十三、第十四、第十五和第十六方面，與提供包括包括鋁并且其中外周面的晶體顆粒的平均面積沒有小于內(nèi)周面的晶體顆粒的平均面積并且還包括布置在筒狀部件的外周面上的樹脂層或橡膠層的筒狀部件的圖像形成裝置用筒狀部件的情況相t匕，提供了抑制了由于外部沖擊導(dǎo)致的樹脂層或橡膠層的剝離而引起的圖像缺陷的圖像形成裝置和處理盒。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]將基于附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實施方式，其中:
[0034]圖1是示出根據(jù)示例性實施方式的電子照相感光體的構(gòu)造的示例的示意性部分截面圖；
[0035]圖2是示出根據(jù)示例性實施方式的電子照相感光體的構(gòu)造的另一示例的示意性部分截面圖；
[0036]圖3是示出根據(jù)示例性實施方式的電子照相感光體的構(gòu)造的又一示例的示意性部分截面圖；
[0037]圖4是示出根據(jù)示例性實施方式的電子照相感光體的構(gòu)造的再一示例的示意性部分截面圖；
[0038]圖5是示出根據(jù)示例性實施方式的電子照相感光體的構(gòu)造的另一示例的示意性部分截面圖；
[0039]圖6A至圖6C是示出制造根據(jù)示例性實施方式的筒狀部件的工藝的一部分(沖壓)的不意圖；
[0040]圖7A和圖7B是示出制造根據(jù)示例性實施方式的筒狀部件的工藝的一部分(拉延和變薄拉伸)的示意圖；
[0041]圖8是示出根據(jù)示例性實施方式的圖像形成裝置的示例的構(gòu)造的示意圖；以及
[0042]圖9是示出根據(jù)示例性實施方式的圖像形成裝置的另一示例的構(gòu)造的示意圖。
【具體實施方式】
[0043]下面，將參考附圖描述本發(fā)明的示例性實施方式。在附圖中，由相同的附圖標(biāo)記表示具有相同功能的元件，并且將省略重復(fù)的描述。
[0044]筒狀部件
[0045]根據(jù)本示例性實施方式的筒狀部件包括鋁，并且外周面的晶體顆粒的平均面積小于內(nèi)周面的晶體顆粒的平均面積。
[0046]根據(jù)本示例性實施方式的筒狀部件抑制了由于外部沖擊而導(dǎo)致的永久變形，原因如下。
[0047]一般來說，由鋁制成的筒狀部件由于其硬度很高而不容易由于外部沖擊而變形。然而，當(dāng)筒狀部件也很硬時，其容易在受到強烈沖擊時而發(fā)生永久變形。
[0048]然而，在根據(jù)本示例性實施方式的筒狀部件中，外周面的晶體顆粒小于內(nèi)周面的晶體顆粒，并且因此，認(rèn)為，外周面具有較高的硬度，但是內(nèi)周面具有較低的硬度并且比外周面更容易發(fā)生彈性形變。因此，認(rèn)為，由于外周面的較小的晶體顆粒結(jié)構(gòu)而使得抑制了由于相對較弱的沖擊而發(fā)生的變形，并且甚至在發(fā)生與較強的沖擊有關(guān)的變形時，也由于內(nèi)周面的較大的晶體顆粒結(jié)構(gòu)的彈性變形而容易恢復(fù)到原始形狀。
[0049]根據(jù)本示例性實施方式的筒狀部件的使用沒有特別的限制。然而，由于筒狀部件不容易發(fā)生永久變形，因此，其適合用作支撐物。例如，筒狀部件適合于在圖像形成裝置中使用的圖像形成裝置用筒狀部件的支撐件，化妝品外殼、電池外殼等等。
[0050]圖像形成裝置用筒狀部件
[0051]圖像形成裝置用筒狀部件的示例包括:圖像形成裝置用筒狀部件，該圖像形成裝置用筒狀部件具有本示例性實施方式的筒狀部件和布置在筒狀部件的外周面上的樹脂層、橡膠層、海綿或刷。具體示例包括電子照相感光體、導(dǎo)電輥、定影輥、清潔海綿輥、清潔刷輥
坐坐寸寸ο
[0052]下面，將描述使用根據(jù)本示例性實施方式的筒狀部件的電子照相感光體作為代表示例。
[0053]電子照相感光體
[0054]根據(jù)本示例性實施方式的電子照相感光體具有根據(jù)本示例性實施方式的筒狀部件(導(dǎo)電支撐體)和布置在筒狀部件上的感光層。
[0055]圖1是示出根據(jù)示例性實施方式的電子照相感光體7A的構(gòu)造的示例的示意性部分截面圖。圖1中所示的電子照相感光體7A具有下述結(jié)構(gòu)，其中底涂層1、電荷產(chǎn)生層2和電荷輸送層3按順序?qū)盈B在導(dǎo)電支撐體4上,并且電荷生成層2和電荷輸送層3構(gòu)成感光層5。
[0056]圖2至圖5是示出根據(jù)示例性實施方式的電子照相感光體的構(gòu)造的其它示例的示意性部分截面圖。
[0057]圖2和圖3中所示的電子照相感光體7B和7C設(shè)置有其中功能被分離到電荷生成層2和電荷輸送層3的感光層5 (與圖1中所示的電子照相感光體7A的情況一樣)，并且保護(hù)層6形成為最外層。圖2中所示的電子照相感光體7B具有下述結(jié)構(gòu)，其中底涂層1、電荷生成層2、電荷輸送層3和保護(hù)層6順序地層疊在導(dǎo)電支撐體4上。圖3中所示的電子照相感光體7C具有下述結(jié)構(gòu)，其中底涂層1、電荷輸送層3、電荷生成層2和保護(hù)層6順序地層疊在導(dǎo)電支撐體4上。
[0058]在圖4和圖5中所示的電子照相感光體7D和7E中，電荷生成材料和電荷輸送材料包含在同一層(單層型感光層10)中以集成這些功能。圖4中所示的電子照相感光體7D具有下述結(jié)構(gòu)，其中，底涂層I和單層型感光層10順序地層疊在導(dǎo)電支撐體4上。圖5中所示的電子照相感光體7E具有下述結(jié)構(gòu)，其中底涂層1、單層型感光層10和保護(hù)層6順序地層疊在導(dǎo)電支撐體4上。
[0059]在各電子照相感光體7A至7E中，可以不需要提供底涂層I。
[0060]下面，將基于圖2中所示的電子照相感光體7B來描述各元件。在下面的描述中，當(dāng)表示圖2至圖5中所示的電子照相感光體7A至7E中的任一個時，可以使用電子照相感光體7的表述。
[0061]導(dǎo)電支撐體
[0062]導(dǎo)電支撐體4由包括鋁(鋁或鋁合金)的金屬制成，并且外周面的晶體顆粒的平均面積小于內(nèi)周面的晶體顆粒的平均面積。這里“導(dǎo)電”表示體電阻率小于1013Qcm。
[0063]構(gòu)成導(dǎo)電支撐體4的鋁合金的示例包括下述鋁合金，其除了鋁之外還包含S1、Fe、Cu、Mn、Mg、Cr、Zn 和 Ti。
[0064]構(gòu)成導(dǎo)電支撐體4的鋁合金優(yōu)選地為所謂的Ixxx鋁組，并且從可加工性、導(dǎo)電性和耐腐蝕性的角度看，鋁含量(質(zhì)量比)優(yōu)選地為99.5%以上，并且更優(yōu)選地為99.6%以上。
[0065]導(dǎo)電支撐體4的外周面的晶體顆粒的平均面積SI與內(nèi)周面的晶體顆粒的平均面積S2的比率(S1/S2X 100)優(yōu)選地為20%至45%，并且更優(yōu)選地為24%至38%。
[0066]具體地，外周面的晶體顆粒的平均面積SI為0.9 μ m2至1.25 μ m2，并且內(nèi)周面的晶體顆粒的平均面積S2為2.76 μ m2至4.54 μ m2。
[0067]另外，導(dǎo)電支撐體4的晶體顆粒的平均面積優(yōu)選地在從內(nèi)周面到外周面的厚度方向上減小。
[0068]在該示例性實施方式中，晶體顆粒的面積是通過掃描電子顯微鏡(SEM)觀察和測量的值。外周面和內(nèi)周面的晶體顆粒的平均面積是通過測量筒狀部件的外周面或內(nèi)周面中的12個晶體顆粒的面積并且取平均值而獲得的值，并且厚度方向上的晶體顆粒的平均面積是通過測量垂直于筒狀部件的軸的厚度方向上切割的表面中的12個晶體顆粒的面積并且取平均值而獲得的值。
[0069]通過加工方法、加工之后的處理等等來控制導(dǎo)電支撐體4的晶體顆粒的平均面積。
[0070]制造本示例性實施方式的導(dǎo)電支撐體4的方法沒有后特別的限制。然而，通過組合沖壓和變薄拉伸，制造具有較小的厚度并且其中外周面的晶體顆粒的平均面積小于內(nèi)周面的晶體顆粒的平均面積的筒狀導(dǎo)電支撐體4。
[0071]圖6A至圖6C示出通過沖壓將鋁或鋁合金加工材料(下面稱為“熔渣”)成型為圓筒形的工藝的示例，并且圖7A和圖7B示出通過在通過沖壓成型的圓筒形成型產(chǎn)品的外周面上執(zhí)行變薄拉伸而制造根據(jù)本示例性實施方式的導(dǎo)電支撐體4的工藝的示例。
[0072]沖壓
[0073]首先，如圖6A中所示，在設(shè)置在沖模(母模)20中的圓孔24中提供并放置涂布有潤滑油(例如，油)的鋁或鋁合金熔渣(slag)30。接下來，如圖6B中所示，由圓柱形沖頭(公模)21沖壓設(shè)置在沖模20中的熔渣30。因此，熔渣30被成型為擴(kuò)展為圓筒形狀以從沖模20的圓孔覆蓋沖頭21的附近。在成型之后，如圖6C中所示，沖頭21被提升通過脫模機22的中央孔23，并且因此，沖頭21被拉出并且獲得圓筒形狀的成型品4A。
[0074]根據(jù)這樣的沖壓，通過加工硬化增加了硬度并且制造了具有較小厚度和較高硬度的由鋁或鋁合金制成的圓筒形成型品4A。
[0075]成型品4A的厚度沒有特別的限制。然而，從保持用于電子照相感光體的導(dǎo)電支撐體的硬度并且通過接下來的變薄拉伸加工為例如0.3mm至0.9mm的厚度的觀點，由沖壓成型的成型品4A的厚度優(yōu)選地為0.4mm至0.8mm,并且更優(yōu)選地為0.4mm至0.6mm。
[0076]變薄拉伸
[0077]接下來，如果必要，則利用圓柱形沖頭31從內(nèi)部將通過沖壓成型的圓筒形成型品4A擠壓為塊32 (如圖7A中所示)以進(jìn)行拉延并且減小直徑，并且然后，如圖7B中所示，成型品被擠壓為塊33，其直徑已經(jīng)進(jìn)一步減小以進(jìn)行變薄拉伸。[0078]可以在沒有拉延的情況下執(zhí)行變薄拉伸，或者可以以多個步驟來執(zhí)行變薄拉伸。根據(jù)變薄拉伸操作的次數(shù)來調(diào)整成型品4B的外周面的晶體顆粒，并且一般來說，通過重復(fù)地執(zhí)行變薄拉伸來減小晶體顆粒。
[0079]另外，在變薄拉伸之前，可以執(zhí)行退火以釋放應(yīng)力。
[0080]從保持用于電子照相感光體的導(dǎo)電支撐體的硬度并且抑制由于外部沖擊導(dǎo)致的永久變形的角度看，變薄拉伸之后的成型品4B的厚度優(yōu)選地為0.3mm至0.9mm,并且更優(yōu)選地為 0.4mm 至 0.6mm。
[0081]以該方式，由于通過沖壓來成型成型品4A并且然后對成型品4A進(jìn)行變薄拉伸，因此獲得了下述筒狀部件(導(dǎo)電支撐體)4，其具有小的厚度和低重量并且其中外周面的晶體顆粒小于內(nèi)周面的晶體顆粒。
[0082]可以執(zhí)行退火作為加工之后的熱處理。根據(jù)退火的溫度和時間來調(diào)整晶體顆粒的大小。
[0083]另外，當(dāng)加工之前的熔渣被預(yù)處理以制備熔渣時，可以執(zhí)行下述處理，其包括壓延為平板形狀以進(jìn)行壓縮，沖壓為熔渣形狀，通過對熔渣進(jìn)行加熱來退火以執(zhí)行均質(zhì)化。
[0084]當(dāng)在激光打印機中使用感光體7時，激光的振蕩波長優(yōu)選地為350nm至850nm，并且波長越短，解析度越高。導(dǎo)電支撐體4的表面優(yōu)選地粗化以具有0.04 μ m至0.5 μ m的中線平均粗糙度Ra，以便于防止在激光照射中引起干涉條紋。當(dāng)Ra為0.04 μ m以上時，獲得了防止干涉的效果，并且當(dāng)Ra為0.5μ m以下時，有效地抑制了圖像質(zhì)量粗糙的趨勢。
[0085]當(dāng)非相干光用作光源時，不特別地要求用于防止干涉條紋的粗化處理。這由于防止了由導(dǎo)電支撐體4的表面的粗化引起缺陷而更適合于壽命的延長。
[0086]粗化方法的示例包括其中研磨劑懸浮在水中并且被吹到支撐體的濕衍磨處理、其中支撐體被使得與旋轉(zhuǎn)的磨石壓接并且連續(xù)地執(zhí)行磨削的無心磨削處理、陽極氧化處理、形成包含有機或無機半導(dǎo)體顆粒的方法等等。
[0087]陽極氧化處理是通過在電解液中氧化作為陽極的鋁來在鋁的表面上形成氧化物膜的處理。電解液的示例包括硫酸溶液、草酸溶液等等。然而，處理之后的多孔陽極氧化物膜本身是化學(xué)活性的并且容易被污染。另外，其根據(jù)環(huán)境的電阻波動也比較大。因此，陽極氧化物膜優(yōu)選地以下述方式進(jìn)行密封:利用加壓蒸汽或沸水(可以向其添加諸如鎳的金屬鹽)進(jìn)行處理以通過由于細(xì)孔水化反應(yīng)導(dǎo)致的體積膨脹而改變?yōu)榉€(wěn)定的氫氧化物進(jìn)行封孔處理。
[0088]陽極氧化物膜的厚度優(yōu)選地為0.3 μ m至15 μ m。當(dāng)厚度小于0.3 μ m時，針對注入的阻擋性質(zhì)較差，并且因此，效果不夠。另外，當(dāng)厚度大于15 μ m時，可以引起由于重復(fù)使用導(dǎo)致的殘余電勢的上升。
[0089]本示例性實施方式的電子照相感光體7的表面可以進(jìn)行使用酸處理液的處理或勃母石處理。
[0090]使用由磷酸、鉻酸和氫氟酸形成的酸處理液如下地執(zhí)行使用酸處理液的處理。關(guān)于酸處理液中的磷酸、鉻酸和氫氟酸的混合比率，磷酸按質(zhì)量計的含量為10%至11%，鉻酸按質(zhì)量計的含量為3%至5%，并且氫氟酸按質(zhì)量計的含量為0.5%至2%。酸的總濃度優(yōu)選地按質(zhì)量計為13.5%至18%。處理溫度為42°C至48°C。處理溫度保持得越高，更快速地形成更厚的膜。膜的厚度優(yōu)選地為0.3μπι至15μπι。[0091]通過下述步驟來執(zhí)行勃母石處理:將導(dǎo)電支撐體4浸沒在90°C至100°C的溫度的純水中5分鐘至60分鐘，或者使導(dǎo)電支撐體4與90°C至120°C的熱蒸汽接觸5分鐘至60分鐘。膜的厚度優(yōu)選地為0.1 μ m至5 μ m?？梢允褂镁哂械湍と芙舛鹊碾娊赓|(zhì)溶液來對膜進(jìn)行進(jìn)一步陽極氧化，所述電解質(zhì)溶液例如為己二酸、硼酸、硼酸鹽、磷酸鹽、鄰苯二甲酸酯、馬來酸、苯甲酸、酒石酸和檸檬酸。
[0092]底涂層
[0093]底涂層I包含有機金屬化合物和粘合劑樹脂。有機金屬化合物的示例包括諸如鋯螯合化合物、鋯醇鹽化合物和鋯偶聯(lián)劑的有機鋯化合物、諸如如鈦螯合物、鈦醇鹽化合物和鈦偶聯(lián)劑的有機鈦化合物、諸如鋁螯合化合物、鋁醇鹽化合物和鋁偶聯(lián)劑的有機鋁化合物、銻醇鹽化合物、鍺醇鹽化合物、銦醇鹽化合物、錳螯合化合物、錫醇鹽化合物、錫螯合化合物、鋁硅醇鹽化合物、鋁鈦醇鹽化合物、鋁鋯醇鹽化合物等等。特別地，作為有機金屬化合物，有機鋯化合物、有機鈦化合物和有機鋁化合物由于較低的殘余電勢和優(yōu)異的電子照相特性而是優(yōu)選使用的。
[0094]作為粘合劑樹脂，可使用公知的粘合劑樹脂，其實例包括:聚乙烯醇、聚乙烯基-甲基醚、聚N-乙烯基咪唑、聚氧化乙烯、乙基纖維素、甲基纖維素、乙烯-丙烯酸共聚物、聚酰胺、聚酰亞胺、酪蛋白、明膠、聚乙烯、聚酯、苯酚樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、環(huán)氧樹脂、聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙烯吡啶、聚氨酯、聚谷氨酸、聚丙烯酸、縮丁醛樹脂等等。適當(dāng)?shù)卦O(shè)置其混合比率。
[0095]另外，底涂層I可以包含硅烷偶聯(lián)劑。硅烷偶聯(lián)劑的示例包括乙烯基三氯硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-氛基丙基二乙氧基娃燒、3_氣丙基二甲氧基娃燒、3_ (2_氛基乙基氛基)丙基二甲氧基娃燒、3-疏基丙基二甲氧基娃燒、3_服基丙基二乙氧基娃燒、2_(3，4-環(huán)氧基環(huán)己基)二甲氧基娃燒等。
[0096]另外，電子輸送顏料可以混合或分散在底涂層I中。電子輸送顏料的示例包括諸如JP-A-47-30330中描述的二萘嵌苯顏料、二苯并咪唑二萘嵌苯顏料、多環(huán)醌顏料、靛青顏料和喹吖啶酮顏料的有機顏料、具有諸如氰基、硝基、亞硝基和鹵素原子吸電子取代基的諸如雙偶氮顏料和酞菁顏料的有機顏料和諸如氧化鋅和氧化鈦的無機顏料。在所述顏料中，因為高電子輸送性質(zhì)而優(yōu)選使用二萘嵌苯顏料、二苯并咪唑二萘嵌苯顏料、多環(huán)苯醌顏料、氧化鋅、氧化鈦。
[0097]另外，可以利用偶聯(lián)劑、粘合劑樹脂等等來處理顏料的表面，以便于控制分散性和電荷輸送性質(zhì)。當(dāng)電子輸送顏料的量太大時，底涂層的強度降低并且引起涂布缺陷。因此，電子輸送顏料的使用量優(yōu)選地按質(zhì)量計為95%以下并且更優(yōu)選地為90%以下。
[0098]使用包含上述各組成材料的用于底涂層形成的涂布液來構(gòu)成底涂層I。
[0099]作為混合或分散用于底涂層形成的涂布液的方法，應(yīng)用通常的使用球磨機、輥磨機、砂磨機、攪磨機、超聲波等等的方法。在有機溶劑中執(zhí)行混合或分散，但是有機溶劑可以是任意有機溶劑，只要該有機溶劑溶解有機金屬化合物和粘合劑樹脂并且沒有在電子輸送顏料的混合或分散過程中弓I起凝膠化或聚合。
[0100]有機溶劑的示例包括通常的溶劑，例如，甲醇、乙醇、正丙醇、正丁醇、苯甲醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酮、甲基乙基酮、環(huán)己酮、乙酸甲酯、乙酸正丁酯、二氧六環(huán)、四氫呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯和甲苯。這些溶劑可以單獨使用或者以兩種或更多種的混合物來使用。
[0101]另外，作為當(dāng)提供底涂層I時使用的涂布方法，使用通常的方法，例如，刮刀涂布法、絲棒(線棒)涂布法、噴涂法、浸涂法、珠涂法、氣刀涂布法或幕涂法。
[0102]在涂布之后，對涂布膜進(jìn)行干燥并且因此獲得底涂層。然而，一般來說，在溶劑蒸發(fā)的溫度執(zhí)行干燥以形成膜。特別地，進(jìn)行酸溶液處理和勃母石處理的導(dǎo)電支撐體4容易不充分地隱藏其缺陷，并且因此，優(yōu)選地形成底涂層I。
[0103]底涂層I的厚度優(yōu)選地為0.1 μ m至30 μ m，并且更優(yōu)選地為0.2 μ m至25 μ m。
[0104]電荷生成層
[0105]電荷生成層2包含電荷生成材料或者包含電荷生成材料和粘合劑樹脂。
[0106]作為電荷生成材料，使用已知的電荷生成材料。已知的電荷生成材料的示例包括諸如雙偶氮和三偶氮的偶氮顏料、諸如二溴蒽嵌蒽醌的稠環(huán)芳族顏料、諸如二萘嵌苯顏料、吡咯并吡咯顏料和酞菁顏料的有機顏料以及諸如三方硒和氧化鋅的無機顏料。當(dāng)使用具有380nm至500nm的曝光波長的光源時，無機顏料優(yōu)選地作為電荷生成材料，并且當(dāng)使用具有700nm至800nm的曝光波長的光源時，金屬或非金屬酞菁顏料優(yōu)選地作為電荷生成材料。在這些顏料當(dāng)中，JP-A-5-263007和JP-A-5-279591中公開的羥基酞菁鎵、JP-A-5-98181中公開的氯代酞菁鎵、JP-A-5-140472和JP-A-5-140473中公開的二氯酞菁錫以及JP-A-4-189873和JP-A-5-43813中公開的酞菁氧鈦是特別優(yōu)選的。
[0107]另外，作為電荷生成材料，關(guān)于CuKa特性X射線在7.5°、9.9° ,12.5° ,16.3°、18.6° ,25.1°和28.3°的布拉格角(2 Θ ±0.2 ° )處具有衍射峰的羥基酞菁鎵、關(guān)于CuKa特性X射線在27.2°的布拉格角(2 Θ ±0.2° )處具有衍射峰的酞菁氧鈦和關(guān)于CuKa特性X射線在7.4°、16.6° ,25.5°和28.3°的布拉格角(2 Θ ±0.2° )處具有衍射峰的氯代酞菁鎵也是優(yōu)選的。
[0108]構(gòu)成電荷生成層2的粘合劑樹脂選自各種絕緣樹脂。另外，粘合劑樹脂可以選自諸如聚N-乙烯基咔唑，聚乙烯基蒽，聚乙烯基芘和聚硅烷的有機感光聚合物。粘合劑樹脂的優(yōu)選示例包括(但不限于)絕緣樹脂，例如聚乙烯醇縮丁醛樹脂，聚丙烯酸酯樹脂(例如，雙酚和芳族二價羧酸的縮聚物，例如雙酚A和鄰苯二甲酸的縮聚物)、聚碳酸酯樹脂、聚酯樹脂、苯氧基樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚酰胺樹脂、丙烯酸類樹脂、聚丙烯酰胺樹月旨、聚乙烯基吡啶樹脂、纖維素樹脂、聚氨酯樹脂、環(huán)氧樹脂、酪蛋白、聚乙烯醇樹脂和聚乙烯基吡咯烷酮樹脂。這些粘合劑樹脂可以單獨使用或者作為兩種或更多種的混合物來使用。
[0109]電荷生成層2通過使用電荷生成材料的沉積來形成，或者可以使用包含電荷生成材料和粘合劑樹脂的用于電荷生成層形成的涂布液來形成。
[0110]用于電荷生成層形成的涂布液中的電荷生成材料和粘合劑樹脂的混合比率(質(zhì)量t匕)優(yōu)選地為10:1至1:10。另外，作為分散電荷生成材料和粘合劑樹脂的方法，使用諸如球磨分散方法、攪磨機分散方法或砂磨分散方法的通常方法。根據(jù)這些分散方法，抑制了由于分散導(dǎo)致的電荷生成材料的晶體形式的變化。
[0111]此外，在分散中，有效的是，將顆粒大小調(diào)整為優(yōu)選地0.5μπι以下，更優(yōu)選地0.3 μ m以下并且進(jìn)一步優(yōu)選地0.15 μ m以下。
[0112]在分散中使用的溶劑的示例包括通常的有機溶劑，例如甲醇、乙醇、正丙醇、正丁醇、苯甲醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酮、甲基乙基酮、環(huán)己酮、乙酸甲酯、乙酸正丁酯、二氧六環(huán)、四氫呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯和甲苯。這些可以單獨地使用或者可以作為兩種或跟多種的混合物來使用。
[0113]作為當(dāng)提供電荷生成層2時使用的涂布方法，可以使用通常的方法，例如刮刀涂布法、絲棒涂布法、噴涂法、浸涂法、珠涂法、氣刀涂布法或幕涂法。
[0114]電荷生成層2的厚度優(yōu)選地為0.1 μ m至5 μ m，并且更優(yōu)選地為0.2 μ m至2.0 μ m。
[0115]電荷輸送層
[0116]電荷輸送層3包含電荷輸送材料和粘合劑樹脂,或者包含聚合的電荷輸送材料。
[0117]電荷輸送材料的不例包括(但不限于)電子輸送化合物和空穴輸送化合物，電子輸送化合物例如為諸如對苯醌、四氯代苯醌、四溴代苯醌和蒽醌、四氰基喹啉并二甲烷類化合物的醌-類化合物、諸如2，4，7-三硝基芴酮、氧雜蒽酮類化合物、二苯甲酮類化合物、氰基乙烯基類化合物的芴酮化合物和乙烯類化合物，并且空穴輸送化合物例如為三芳基胺類化合物、聯(lián)苯胺類化合物、芳烷烴類化合物、芳基取代的乙烯類化合物、均二苯乙烯類化合物、蒽類化合物和腙類化合物。這些電荷輸送材料可以單獨使用或者作為兩種或更多種的混合物來使用。
[0118]另外，作為電荷輸送材料，從遷移率的角度，由下面的化學(xué)式(a-l)、(a_2)或(a-3)表示的化合物是優(yōu)選的。
[0119]
【權(quán)利要求】
1.一種筒狀部件，所述筒狀部件包括鋁，并且其中，外周面的晶體顆粒的平均面積小于內(nèi)周面的晶體顆粒的平均面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的筒狀部件， 其中，所述外周面的晶體顆粒的平均面積SI與所述內(nèi)周面的晶體顆粒的平均面積S2的比率 S1/S2X 100 為 20% 至 45%ο
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的筒狀部件， 其中，所述外周面的晶體顆粒的平均面積SI與所述內(nèi)周面的晶體顆粒的平均面積S2的比率 S1/S2X 100 為 24% 至 38%ο
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的筒狀部件， 其中，所述外周面的晶體顆粒的平均面積SI為0.9 μ m2至1.25 μ m2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的筒狀部件， 其中，所述內(nèi)周面的晶體顆粒的平均面積S2為2.76μπι2至4.54μπι2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的筒狀部件， 其中，晶體顆粒的平均面積在從所述內(nèi)周面到所述外周面的厚度方向上減小。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的筒狀部件， 其中，鋁含量為99.5%以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的筒狀部件， 其中，鋁含量為99.6%以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的筒狀部件， 其中，所述筒狀部件的厚度為0.3_至0.9_。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的筒狀部件， 其中，所述筒狀部件的厚度為0.4mm至0.6mm。
11.一種在圖像形成裝置中使用的圖像形成裝置用筒狀部件，所述圖像形成裝置用筒狀部件包括: 根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項所述的筒狀部件；以及 布置在所述筒狀部件的外周面上的樹脂層或橡膠層。
12.一種電子照相感光體，所述電子照相感光體包括: 根據(jù)權(quán)利要求11所述的圖像形成裝置用筒狀部件。
13.一種圖像形成裝置，所述圖像形成裝置包括: 根據(jù)權(quán)利要求11所述的圖像形成裝置用筒狀部件。
14.一種圖像形成裝置，所述圖像形成裝置包括: 根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子照相感光體； 充電單元，所述充電單元使所述電子照相感光體的表面帶電； 靜電潛像形成單元，所述靜電潛像形成單元在帶電的電子照相感光體的表面上形成靜電潛像； 顯影單元，所述顯影單元利用包括色調(diào)劑的顯影劑使形成在所述電子照相感光體的所述表面上的所述靜電潛像顯影以形成色調(diào)劑圖像；以及 轉(zhuǎn)印單元，所述轉(zhuǎn)印單元將形成在所述電子照相感光體的所述表面上的所述色調(diào)劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)上。
15.一種處理盒，所述處理盒能夠從圖像形成裝置拆卸，所述處理盒包括:根據(jù)權(quán)利要求11所述的圖像形成裝置用筒狀部件。
16.一種處理盒，所述處理盒能夠從圖像形成裝置拆卸，所述處理盒包括:根據(jù)權(quán)利要求12所述的電·子照相感光體。
【文檔編號】G03G15/00GK103576474SQ201310072156
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年3月7日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月10日
【發(fā)明者】山下敬之, 我妻優(yōu), 莊司義史, 安藤裕喜, 須藤敏之 申請人:富士施樂株式會社