專利名稱：一種液晶顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器之分辨率持續(xù)提升，但環(huán) 保節(jié)能的需求亦提升，為了符合前述趨勢(shì)，需要提升開口率，目前已有利用透明電極作為存儲(chǔ)電極的設(shè)計(jì)。京東方專利CN200910078374.4中提出了一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法，其是在陣列基板的像素區(qū)域中增加一層Ι 、以及像素電極ITO形成存儲(chǔ)電容，由于ITO是透明薄膜，在形成存儲(chǔ)電容的時(shí)候不會(huì)影響到像素區(qū)的透過率，從而提高開口率和顯示亮度，從整體上提高了顯示質(zhì)量。這樣雖然可以形成較大存儲(chǔ)電容，減小回踢電壓和漏電。但由于像素區(qū)域中ITO層為雙層結(jié)構(gòu)，就需要增加一道光罩，光罩?jǐn)?shù)較多(6道)，且其ITO形成的公共電極由于像素設(shè)計(jì)限制，需要用接觸孔將各個(gè)像素之間公共電極相連，眾所周知，接觸孔形成的電阻很大，在百歐數(shù)量級(jí)，對(duì)公共電極層上電壓的均勻性來(lái)說(shuō)考驗(yàn)較大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明揭示一種利用IGZO在形成半導(dǎo)體層的時(shí)候同時(shí)形成透明公共電極的液晶顯示面板及其制造方法，本發(fā)明節(jié)約光罩mask制程。本發(fā)明提供一種液晶顯示面板，其包括:位于基板上縱橫交叉的數(shù)據(jù)線和掃描線，所述數(shù)據(jù)線和掃描線交叉限定像素區(qū)域內(nèi)的像素電極和薄膜晶體管，所述像素區(qū)域內(nèi)還包括與所述像素電極一起構(gòu)成儲(chǔ)存電容的透明公共電極；所述薄膜晶體管包括與掃描線一起形成的柵極、與數(shù)據(jù)線電性連接的源極、以及與像素電極電性連接的漏極，本液晶顯示面板還包括與透明公共電極一起形成的半導(dǎo)體層，且所述半導(dǎo)體層與透明公共電極均位于基板上。本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板的制造方法，包括如下步驟:第一步:在基板上濺射形成一層IGZO層，形成半導(dǎo)體層和透明公共電極；第二步:在形成上述第一步圖案的基礎(chǔ)上形成第一絕緣膜；再在第一絕緣膜上濺射形成第一金屬層，即形成掃描線和與掃描線連接的柵極；再通過刻蝕形成第一絕緣層與第一金屬層的疊層圖案，該疊層的第一絕緣層和柵極在半導(dǎo)體層上位于預(yù)定TFT溝道區(qū)；第三步:在形成上述第二步圖案的基礎(chǔ)上用離子注入，使得未被第一絕緣層和柵極遮住的IGZO層成為導(dǎo)體，即:形成具有導(dǎo)體特性的源漏極、以及透明公共電極；第四步:在形成上述第三步圖案的基礎(chǔ)上先覆蓋形成第二絕緣膜，再在第二絕緣膜上濺射形成與掃描線空間垂直的數(shù)據(jù)線；第五步:在形成上述第四步圖案的基礎(chǔ)上又先覆蓋第三絕緣膜，再在第三絕緣膜相應(yīng)的位置形成若干接觸孔，并定義靠近源極的數(shù)據(jù)線上的接觸孔為第一接觸孔、位于源極上的接觸孔為第二接觸孔、以及位于漏極上的接觸孔為第三接觸孔；第六步:在形成上述第五步圖案的基礎(chǔ)上形成ITO層，形成通過第三接觸孔連接漏極的像素電極、以及通過第一接觸孔和第二接觸孔連接源極和數(shù)據(jù)線的連接部。
本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板的制造方法，包括如下步驟:第一步:在基板上濺射形成一層IGZO層，形成半導(dǎo)體層和透明公共電極；第二步:在形成上述第一步圖案的基礎(chǔ)上形成第一絕緣膜；再在第一絕緣膜上濺射形成第一金屬層，即形成掃描線和與掃描線連接的柵極；再通過刻蝕形成第一絕緣層與第一金屬層的疊層圖案，該疊層的第一絕緣層和柵極在半導(dǎo)體層上位于預(yù)定TFT溝道區(qū)；第三步:在形成第二步圖案的基礎(chǔ)上濺射一層Al膜，再將Al膜在高溫氧氣的氣氛下高溫退火I小時(shí)左右，使得未被第一絕緣層和柵極遮住的IGZO層成為導(dǎo)體，即:形成具有導(dǎo)體的源漏極、以及透明公共電極具有導(dǎo)電性，并形成一層Al2O3保護(hù)膜保護(hù)IGZO半導(dǎo)體層；第四步:在形成上述第三步圖案的基礎(chǔ)上先覆蓋形成第二絕緣膜，再在第二絕緣膜上濺射形成與掃描線空間垂直的數(shù)據(jù)線；第五步:在形成上述第四步圖案的基礎(chǔ)上又先覆蓋第三絕緣膜，再在第三絕緣膜相應(yīng)的位置形成若干接觸孔，并定義靠近源極的數(shù)據(jù)線上的接觸孔為第一接觸孔、位于源極上的接觸孔為第二接觸孔、以及位于漏極上的接觸孔為第三接觸孔；第六步:在形成上述第五步圖案的基礎(chǔ)上形成ITO層，形成通過第三接觸孔連接漏極的像素電極、以及通過第一接觸孔和第二接觸孔連接源極和數(shù)據(jù)線的連接部。
本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板的制造方法，包括如下步驟:第一步:在基板上濺射形成一層IGZO層，形成半導(dǎo)體層和透明公共電極；第二步:在形成上述第一步圖案的基礎(chǔ)上形成第一絕緣膜；再在第一絕緣膜上濺射形成第一金屬層，即形成掃描線和與掃描線連接的柵極；再通過刻蝕形成第一絕緣層與第一金屬層的疊層圖案，該疊層的第一絕緣層和柵極在半導(dǎo)體層上位于預(yù)定TFT溝道區(qū)；第三步:在形成上述第二步圖案的基礎(chǔ)上用離子注入，使得未被第一絕緣層和柵極遮住的IGZO層成為導(dǎo)體，即:形成具有導(dǎo)體特性的源漏極、以及透明公共電極；第四步:在形成上述第三步圖案的基礎(chǔ)上先覆蓋第二絕緣膜，再在第二絕緣膜相應(yīng)的位置形成若干接觸孔，定義位于源極上的接觸孔為第一接觸孔、以及位于漏極上的接觸孔為第二接觸孔；第五步:在形成上述第四步的基礎(chǔ)上，先形成通過第一接觸孔和第二接觸孔連接源極和漏極的ITO層，再在其上濺射形成第二金屬層，最后在其上形成光刻膠；第六步:在形成上述第五步的基礎(chǔ)上，用半色調(diào)掩模進(jìn)行曝光，該半色調(diào)掩模在位于預(yù)定數(shù)據(jù)線的位置為不透光部分、位于預(yù)定像素電極的位置為半透光部分、其余位置都是透光部分，通過半色調(diào)掩模曝光、顯影、刻蝕，使得位于預(yù)定數(shù)據(jù)線的位置仍保留ITO層、第二金屬層、以及光刻膠，使得位于預(yù)定像素電極的位置的光刻膠被刻蝕薄一些，使得位于其余位置的ITO層、第二金屬層、以及光刻膠都被刻蝕掉；第七步:在形成上述第六步的基礎(chǔ)上，繼續(xù)對(duì)半色調(diào)掩模進(jìn)行灰化處理，使得位于預(yù)定像素電極的位置的光刻膠全部被剝離掉，使得位于預(yù)定數(shù)據(jù)線的位置的光刻膠被刻蝕薄一些；第八步:在形成上述第七步的基礎(chǔ)上，通過刻蝕工藝，將位于預(yù)定像素電極的位置上覆蓋的第二金屬層刻蝕掉，露出ITO像素電極；第九步:在形成上述第八步的基礎(chǔ)上，將第二金屬層上余留的光刻膠剝離掉。本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板的制造方法，包括如下步驟:第一步:在基板上濺射形成一層IGZO層，形成半導(dǎo)體層和透明公共電極；第二步:在形成上述第一步圖案的基礎(chǔ)上形成第一絕緣膜；再在第一絕緣膜上濺射形成第一金屬層，即形成掃描線和與掃描線連接的柵極；再通過刻蝕形成第一絕緣層與第一金屬層的疊層圖案，該疊層的第一絕緣層和柵極在半導(dǎo)體層上位于預(yù)定TFT溝道區(qū)；第三步:在形成第二步圖案的基礎(chǔ)上濺射一層Al膜，再將Al膜在高溫氧氣的氣氛下高溫退火I小時(shí)左右，使得未被第一絕緣層和柵極遮住的IGZO層成為導(dǎo)體，S卩:形成具有導(dǎo)體的源漏極、以及透明公共電極具有導(dǎo)電性，并形成一層Al2O3保護(hù)膜保護(hù)IGZO半導(dǎo)體層；第四步:在形成上述第三步圖案的基礎(chǔ)上先覆蓋第二絕緣膜，再在第二絕緣膜相應(yīng)的位置形成若干接觸孔，定義位于源極上的接觸孔為第一接觸孔、以及位于漏極上的接觸孔為第二接觸孔；第五步:在形成上述第四步的基礎(chǔ)上，先形成通過第一接觸孔和第二接觸孔連接源極和漏極的ITO層，再在其上濺射形成第二金屬層，最后在其上形成光刻膠；第六步:在形成上述第五步的基礎(chǔ)上，用半色調(diào)掩模進(jìn)行曝光，該半色調(diào)掩模在位于預(yù)定數(shù)據(jù)線的位置為不透光部分、位于預(yù)定像素電極的位置為半透光部分、其余位置都是透光部分，通過半色調(diào)掩模曝光、顯影、刻蝕，使得位于預(yù)定數(shù)據(jù)線的位置仍保留ITO層、第二金屬層、以及光刻膠，使得位于預(yù)定像素電極的位置的光刻膠被刻蝕薄一些，使得位于其余位置的ITO層、第二金屬層、以及光刻膠都被刻蝕掉；第七步:在形成上述第六步的基礎(chǔ)上，繼續(xù)對(duì)半色調(diào)掩模進(jìn)行灰化處理，使得位于預(yù)定像素電極的位置的光刻膠全部被剝離掉，使得位于預(yù)定數(shù)據(jù)線的位置的光刻膠被刻蝕薄一些；第八步:在形成上述第七步的基礎(chǔ)上，通過刻蝕工藝，將位于預(yù)定像素電極的位置上覆蓋的第二金屬層刻蝕掉，露出ITO像素電極；第九步:在形成上述第八步的基礎(chǔ)上，將第二金屬層上余留的光刻膠剝離掉本發(fā)明液晶顯示面板及其制造方法，由于制程中限制不多，可以形成相鄰像素之間透明公共電極的直接連接，減小了透明公共電極上的阻抗，公共電極上電壓分布更加均勻，且本發(fā)明是一種節(jié)省mask的制程方式，可以將帶有透明存儲(chǔ)電容的液晶面板制造方法縮減至5道或4道光罩，可以提高產(chǎn)能，節(jié)約成本。


圖1A所示為本發(fā)明第一實(shí)施例液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖1B是圖1A的局部剖視圖；圖2A所示為本發(fā)明第三實(shí)施例液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2B是圖2A的局部剖視 圖；圖3A所不為圖1A液晶顯不面板的第一步的制造步驟的不意圖；圖3B是圖3A的局部剖視圖；圖4A所示為圖1A液晶顯示面板的第二步的制造步驟的示意圖；圖4B是圖4A的局部剖視圖；圖5A所不為圖1A液晶顯不面板的第二步的制造步驟的不意圖；圖5B是圖5A的局部剖視圖；圖6A所示為圖1A液晶顯示面板的第四步的制造步驟的示意圖；圖6B是圖6A的局部剖視圖；圖7A所不為圖1A液晶顯不面板的第五步的制造步驟的不意圖；圖7B是圖7A的局部剖視圖；圖8A所不為圖1A液晶顯不面板的第TK步的制造步驟的不意圖；圖8B是圖8A的局部剖視圖；圖9所示為第二實(shí)施例液晶顯示面板的的第三步的制造步驟的示意圖；圖1OA所示為圖2A液晶顯示面板的第四步的制造步驟的示意圖1OB是圖1OA的局部剖視圖；圖1lA所不為圖2A液晶顯不面板的第五步的制造步驟的不意圖；圖1lB是圖1lA的局部剖視圖；圖12A所不為圖2A液晶顯不面板的第TK步的制造步驟的不意圖；圖12B是圖12A的局部剖視圖；圖13A所示為圖2A液晶顯示面板的第七步的制造步驟的示意圖；圖13B是圖13A的局部剖視圖；圖14A所示為圖2A液晶顯示面板的第八步的制造步驟的示意圖；圖14B是圖14A的局部剖視圖；圖15A所不為圖2A液晶顯不面板的第九步的制造步驟的不意圖；圖15B是圖15A的局部剖視圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板，其包括:位于基板上縱橫交叉的數(shù)據(jù)線和掃描線，所述數(shù)據(jù)線和掃描線交叉限定像素區(qū)域內(nèi)的像素電極、薄膜晶體管、以及半導(dǎo)體層，所述薄膜晶體管包括與掃描線一起形成的柵極、與數(shù)據(jù)線電性連接的源極、以及與像素電極電性連接的漏極，所述像素區(qū)域內(nèi)還包括與所述像素電極一起構(gòu)成儲(chǔ)存電容的透明公共電極，所述半導(dǎo)體層、透明公共電極、源極、以及漏極均位于基板上由IGZO同時(shí)形成。本發(fā)明半導(dǎo)體層、透明公共電極、源極、以及漏極形成方式、以及數(shù)據(jù)線和像素電極的形成方式有不同的實(shí)施例，以下詳細(xì)敘述。如圖1A和圖1B所示為本發(fā)明液晶顯示面板第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板，本液晶顯示面板通過IGZO形成透明公共電極,其包括:位于基板100上的IGZO半導(dǎo)體層10、IGZO透明公共電極層12 ;在IGZO半導(dǎo)體層10的之上的第一絕緣膜20，以及第一絕緣膜20之上的金屬柵極層(金屬柵極層包括連接在一起的掃描線31柵極32)，其中第一絕緣膜20和金屬柵極層為同I次光罩形成，也就是形成相同的形狀；再通過離子注入方式使得半導(dǎo)體層10沒有被第一絕緣層20和柵極32覆蓋的兩端成為具有導(dǎo)體的源漏極11、以及透明公共電極12具有良好的導(dǎo)電性；在金屬柵極層之上形成第二絕緣膜40，這是本實(shí)施例的第2次光罩；在第二絕緣膜40之上形成第二金屬層50，該第二金屬層形成像素的數(shù)據(jù)線走線，這是本實(shí)施例的第3次光罩；在第二金屬層50之上形成第三絕緣膜60，并在第三絕緣膜60上形成接觸孔，這是本實(shí)施例的第4次光罩；在第三絕緣膜60之上形成與漏極連接的ITO像素電極80、以及通過ITO連接源極和數(shù)據(jù)線50，這是本實(shí)施例的第5次光罩。通過上述六個(gè)步驟完成本液晶顯示面板的制造步驟，其優(yōu)點(diǎn)是:一種節(jié)省mask的制程方式，可以將帶 有透明存儲(chǔ)電容的液晶面板制造方法縮減至5道光罩，可以提高產(chǎn)能，節(jié)約成本，且本發(fā)明由于制程中限制不多，可以形成相鄰像素之間透明公共電極的直接連接，減小了透明公共電極上的阻抗，公共電極上電壓分布更加均勻。
如圖9所示為本發(fā)明液晶顯示面板第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，本第二實(shí)施例與上述第一實(shí)施例區(qū)別點(diǎn)是:上述第一實(shí)施例形成源漏極和使得透明公共電極12具有良好的導(dǎo)電性是通過離子注入的方式，本第二實(shí)施例是通過Al膜來(lái)使得IGZO暴露出來(lái)部分導(dǎo)電特性增強(qiáng)，成為導(dǎo)體；并會(huì)在Al完全氧化為Al2O3保護(hù)膜后形成較致密的鈍化層，隔絕水汽，對(duì)IGZO半導(dǎo)體溝道也有很好的保護(hù)。如圖2A和圖2B所示為本發(fā)明液晶顯示面板第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，本第三實(shí)施例也是通過IGZO形成透明公共電極的液晶顯示面板，本第三實(shí)施例與上述第一實(shí)施例主要區(qū)別點(diǎn)在于:第I次光罩和第2次光罩是相同的,上述實(shí)施例的第3至第5次光罩的三次光罩在本第三實(shí)施例中至需要兩次光罩，其具體方式如下:在第二絕緣膜40’相應(yīng)的位置形成若干接觸孔，定義位于源極上的接觸孔為第一接觸孔41’、以及位于漏極上的接觸孔為第二接觸孔42’ ；在第二絕緣膜40’之上形成ITO層80’和第二金屬層50’，再采用用半色調(diào)掩模(half tone mask)90’使ITO層80’形成像素電極80’、、第二金屬層50’形成像素的數(shù)據(jù)線50’ 。本第三實(shí)施例通過半色調(diào)掩模(half tone mask)的技術(shù),將mask光罩制成減少，只需要4道光罩，節(jié)約成本的同時(shí)縮短生產(chǎn)時(shí)間，提高生產(chǎn)節(jié)拍，提高產(chǎn)能。本發(fā)明三個(gè)實(shí)施例都是通過IGZO形成的透明公共電極層，IGZO在形成透明公共電極層時(shí)在形狀上沒有特別限制，可以根據(jù)實(shí)際需要形成特定的形狀，如圓形，矩形，菱形，三角形等，像素間的公共電極連接線寬度也沒有特別的限制，若需要公共電極與Data走線之間寄生電容小就可設(shè)計(jì)更窄的公共電極連接線寬度；若需要公共電極上的阻抗較小就可設(shè)計(jì)較寬的公共電極連接線寬度。以下圖3A至圖8B為本發(fā)明液晶顯示面板的第一實(shí)施例的制造步驟:第一步:如圖3A和圖3B所不,在基板100上派射形成一層IGZO層,形成半導(dǎo)體層10和透明公共電極12,該IGZO層的厚度為45nm-55nm,最好為50nm。第二步:如圖4A和圖4B所示，在形成上述第一步圖案的基礎(chǔ)上形成第一絕緣膜20 ;再在第一絕緣膜20上濺射形成第一金屬層，即形成掃描線31和與掃描線連接的柵極32 ;再先通過濕刻或干刻工藝形成第一金屬層圖案(即形成掃描線31柵極32圖案)，接著通過干刻工藝形成第一絕緣層20圖案。通過刻蝕后形成的第一絕緣層20和第一金屬層的疊層圖案，該第一絕緣層20和柵極32的疊層圖案在半導(dǎo)體層10上時(shí)位于預(yù)定TFT溝道區(qū)，且第一絕緣層20和柵極32寬度基本相同，位于半導(dǎo)體層10中間部位的第一絕緣層20和柵極32使得半導(dǎo)體層10兩側(cè)露出部分距離，該露出的兩側(cè)分別為源漏極11 ;柵極32圖案剛好覆蓋在第一絕緣層20之上，且柵極層30與第一絕緣層20的兩端剛好對(duì)齊。所述第一絕緣膜20的材料是SiO2或SiNx，其膜厚250_350nm，最好為300nm，由于第一絕緣膜20是非金屬材料制成的，故需要通過干刻工藝進(jìn)行刻蝕；柵極層的材料為Mo、Al、或Ti等金屬，其膜厚350-450nm，最好為400nm。第三步:如圖5A和圖5B所示，在形成上述第二步圖案的基礎(chǔ)上用離子注入，使得未被第一絕緣層20和柵極32遮住的IGZO層成為導(dǎo)體，即:半導(dǎo)體層10沒有被第一絕緣層20和柵極32覆蓋的兩端成為具有導(dǎo)體的源漏極11、以及透明公共電極12具有良好的導(dǎo)電性。
第四步:如圖6A和圖6B所示，在形成上述第三步圖案的基礎(chǔ)上先覆蓋形成第二絕緣膜40，再在第二絕緣膜40上濺射形成與掃描線31空間垂直的數(shù)據(jù)線50。其中，第二絕緣膜40的材料為SiO2或SiNx，其膜厚為250_350nm，最好為300nm ；數(shù)據(jù)線50的材料為Ti/Al/Ti合成金屬，其膜厚也為250-350nm，最好為300nm。第五步:如圖7A和圖7B所示，在形成上述第四步圖案的基礎(chǔ)上又先覆蓋第三絕緣膜60，再在第三絕緣膜60相應(yīng)的位置形成若干接觸孔，定義靠近源極的數(shù)據(jù)線50上的接觸孔為第一接觸孔61、位于源極上的接觸孔為第二接觸孔62、以及位于漏極上的接觸孔為第三接觸孔63。其中，第三絕緣膜60的材料為SiO2或SiNx，其膜厚為250_350nm，最好為300nm。第六步:如圖8A和圖SB所示，在形成上述第五步圖案的基礎(chǔ)上形成ITO層，形成通過第三接觸孔63連接漏極的像素電極80、以及通過第一接觸孔61和第二接觸孔62連接源極和數(shù)據(jù)線50的連接部70。圖9本發(fā)明液晶顯示面板第二實(shí)施例的制造步驟，本第二實(shí)施例與上述第一實(shí)施例區(qū)別點(diǎn)是:上述實(shí)施例的第三步也可以通過其他方法使得半導(dǎo)體層10沒有被第一絕緣層20和柵極32覆蓋的兩端成為具有導(dǎo)體的源漏極11、以及透明公共電極12具有良好的導(dǎo)電性，本第二實(shí)施例的第 三步的步驟如下:第三步:如圖9示，在形成第二步圖案的基礎(chǔ)上濺射一層Al膜，該Al膜的厚度約為5nm ;再將Al膜在300°C氧氣的氣氛下高溫退火I小時(shí)左右,在半導(dǎo)體層10沒有被第一絕緣層20和柵極32覆蓋的兩端成為具有導(dǎo)體的源漏極11、以及透明公共電極12具有良好的導(dǎo)電性，并形成一層Al2O3保護(hù)膜保護(hù)IGZO半導(dǎo)體特性。圖1OA至圖15B是本發(fā)明液晶顯示面板第三實(shí)施例的制造步驟，本第三實(shí)施例與上述兩實(shí)施例區(qū)別點(diǎn)是:上述兩實(shí)施例的第四至第六步可以通過其他方法制成，本第三實(shí)施例的第四至第六步的步驟如下:第四步:如圖1OA和圖1OB所示，在形成上述第三步圖案的基礎(chǔ)上先覆蓋第二絕緣膜40’，再在第二絕緣膜40’相應(yīng)的位置形成若干接觸孔，定義位于源極上的接觸孔為第一接觸孔41’、以及位于漏極上的接觸孔為第二接觸孔42’。其中，第二絕緣膜40’的材料為Si02*SiNx，其膜厚為250-350nm，最好為300nm。第五步:如圖1lA和圖1lB所示，在形成上述第四步的基礎(chǔ)上，先形成通過第一接觸孔41’和第二接觸孔42’連接源極和漏極的ITO層80’，再在其上濺射形成第二金屬層50’，最后在其上形成光刻膠60’。其中，ITO層80’的膜厚為55-65nm，最好為60nm ;第二金屬層50’的材料為Ti/Al/Ti合成金屬制成，其膜厚為250-350nm，最好為300nm。第六步:如圖12A和圖12B所示，在形成上述第五步的基礎(chǔ)上，用半色調(diào)掩模(halftone mask) 90'進(jìn)行曝光，該半色調(diào)掩模90’在位于預(yù)定數(shù)據(jù)線的位置為不透光部分91’、位于預(yù)定像素電極的位置為半透光部分93’、其余位于都是透光部分92’，由于圖12A是圖12B的局部剖視圖，故圖12A的半色調(diào)掩模(half tone mask) 90’由不透光部分91’、透光部分92’、半透光部分93’、透光部分92’、不透光部分91’、透光部分92’組成。通過半色調(diào)掩模90’曝光、顯影、刻蝕，使得預(yù)定數(shù)據(jù)線的位置仍保留ITO層80’、第二金屬層50’、以及光刻膠60’，使得預(yù)定像素電極的位置的光刻膠60’被刻蝕薄一些，使得其余位置的ITO層80’、第二金屬層50’、以及光刻膠60’都被刻蝕掉，即形成源極和漏極之間形成溝道區(qū)、ITO像素電極與兩側(cè)的數(shù)據(jù)線部分形成空隙。第七步:如圖13A和圖13B所示，在形成上述第六步的基礎(chǔ)上，繼續(xù)對(duì)半色調(diào)掩模90’灰化處理，使得位于預(yù)定像素電極的位置的光刻膠60’全部被剝離掉，使得位于預(yù)定數(shù)據(jù)線的位置的光刻膠60’被刻蝕薄一些。第八步:如圖14A和圖14B所示，在形成上述第七步的基礎(chǔ)上，通過刻蝕工藝，將像素電極上覆蓋的第二金屬層50’刻蝕掉，露出ITO像素電極。由于第二金屬層50’由Ti/Al/Ti合成金屬制成，而Ti的刻蝕需要由干刻工藝，故本步驟的刻蝕工藝為干刻、濕刻、干刻連續(xù)的刻蝕工藝。第九步:如遇15A和圖15B，在形成上述第八步的基礎(chǔ)上，將第二金屬層50’上余留的光刻膠剝離掉。

第一、第二實(shí)施例的第四至第六步雖然由新的第四至第九步替換，但通過半色調(diào)掩模(half tone mask)的技術(shù),將光罩制成減少,只需要4道光罩,節(jié)約成本的同時(shí)縮短生廣時(shí)間，提聞生廣節(jié)拍，提聞廣能。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示面板，其包括:位于基板上縱橫交叉的數(shù)據(jù)線和掃描線，所述數(shù)據(jù)線和掃描線交叉限定像素區(qū)域內(nèi)的像素電極和薄膜晶體管，其特征在于:所述像素區(qū)域內(nèi)還包括與所述像素電極一起構(gòu)成儲(chǔ)存電容的透明公共電極；所述薄膜晶體管包括與掃描線一起形成的柵極、與數(shù)據(jù)線電性連接的源極、以及與像素電極電性連接的漏極，本液晶顯示面板還包括與透明公共電極一起形成的半導(dǎo)體層，且所述半導(dǎo)體層與透明公共電極均位于基板上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于:所述源極和漏極也均與透明公共電極及半導(dǎo)體層同時(shí)形成，且源極和漏極、透明公共電極表面均設(shè)有離子成為導(dǎo)體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于:所述源極和漏極也均與透明公共電極及半導(dǎo)體層同時(shí)形成，且源極和漏極、透明公共電極表面均通過高溫退火成為導(dǎo)體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于:所述數(shù)據(jù)線下方還設(shè)有形成像素電極的ITO層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于:掃描線和柵極下面設(shè)有第一絕緣膜，該第一絕緣膜與掃描線和柵極是層疊結(jié)構(gòu)，且第一絕緣膜具有與掃描線和柵極相同的形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要 求5所述的液晶顯示面板，其特征在于:第一絕緣層和柵極的層疊結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體層上位于預(yù)定TFT溝道區(qū)。
7.一種液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟: 第一步:在基板上濺射形成一層IGZO層，形成半導(dǎo)體層和透明公共電極； 第二步:在形成上述第一步圖案的基礎(chǔ)上形成第一絕緣膜；再在第一絕緣膜上濺射形成第一金屬層，即形成掃描線和與掃描線連接的柵極；再通過刻蝕形成第一絕緣層與第一金屬層的疊層圖案，該疊層的第一絕緣層和柵極在半導(dǎo)體層上位于預(yù)定TFT溝道區(qū)； 第三步:在形成上述第二步圖案的基礎(chǔ)上用離子注入，使得未被第一絕緣層和柵極遮住的IGZO層成為導(dǎo)體，即:形成具有導(dǎo)體特性的源漏極、以及透明公共電極； 第四步:在形成上述第三步圖案的基礎(chǔ)上先覆蓋形成第二絕緣膜，再在第二絕緣膜上濺射形成與掃描線空間垂直的數(shù)據(jù)線； 第五步:在形成上述第四步圖案的基礎(chǔ)上又先覆蓋第三絕緣膜，再在第三絕緣膜相應(yīng)的位置形成若干接觸孔，并定義靠近源極的數(shù)據(jù)線上的接觸孔為第一接觸孔、位于源極上的接觸孔為第二接觸孔、以及位于漏極上的接觸孔為第三接觸孔； 第六步:在形成上述第五步圖案的基礎(chǔ)上形成ITO層，形成通過第三接觸孔連接漏極的像素電極、以及通過第一接觸孔和第二接觸孔連接源極和數(shù)據(jù)線的連接部。
8.一種液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟: 第一步:在基板上濺射形成一層IGZO層，形成半導(dǎo)體層和透明公共電極； 第二步:在形成上述第一步圖案的基礎(chǔ)上形成第一絕緣膜；再在第一絕緣膜上濺射形成第一金屬層，即形成掃描線和與掃描線連接的柵極；再通過刻蝕形成第一絕緣層與第一金屬層的疊層圖案，該疊層的第一絕緣層和柵極在半導(dǎo)體層上位于預(yù)定TFT溝道區(qū)； 第三步:在形成第二步圖案的基礎(chǔ)上濺射一層Al膜，再將Al膜在高溫氧氣的氣氛下高溫退火I小時(shí)左右，使得未被第一絕緣層和柵極遮住的IGZO層成為導(dǎo)體，即:形成具有導(dǎo)體的源漏極、以及透明公共電極具有導(dǎo)電性，并形成一層Al2O3保護(hù)膜保護(hù)IGZO半導(dǎo)體層；第四步:在形成上述第三步圖案的基礎(chǔ)上先覆蓋形成第二絕緣膜，再在第二絕緣膜上濺射形成與掃描線空間垂直的數(shù)據(jù)線； 第五步:在形成上述第四步圖案的基礎(chǔ)上又先覆蓋第三絕緣膜，再在第三絕緣膜相應(yīng)的位置形成若干接觸孔，并定義靠近源極的數(shù)據(jù)線上的接觸孔為第一接觸孔、位于源極上的接觸孔為第二接觸孔、以及位于漏極上的接觸孔為第三接觸孔； 第六步:在形成上述第五步圖案的基礎(chǔ)上形成ITO層，形成通過第三接觸孔連接漏極的像素電極、以及通過第一接觸孔和第二接觸孔連接源極和數(shù)據(jù)線的連接部。
9.一種液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟: 第一步:在基板上濺射形成一層IGZO層，形成半導(dǎo)體層和透明公共電極； 第二步:在形成上述第一步圖案的基礎(chǔ)上形成第一絕緣膜；再在第一絕緣膜上濺射形成第一金屬層，即形成掃描線和與掃描線連接的柵極；再通過刻蝕形成第一絕緣層與第一金屬層的疊層圖案，該疊層的第一絕緣層和柵極在半導(dǎo)體層上位于預(yù)定TFT溝道區(qū)； 第三步:在形成上述第二步圖案的基礎(chǔ)上用離子注入，使得未被第一絕緣層和柵極遮住的IGZO層成為導(dǎo)體，S卩:形成具有導(dǎo)體特性的源漏極、以及透明公共電極； 第四步:在形成上述第三步圖案的基礎(chǔ)上先覆蓋第二絕緣膜，再在第二絕緣膜相應(yīng)的位置形成若干接觸孔，定義位于源極上的接觸孔為第一接觸孔、以及位于漏極上的接觸孔為第二接觸孔； 第五步:在形成上述第四步的基礎(chǔ)上，先形成通過第一接觸孔和第二接觸孔連接源極和漏極的ITO層，再在其上濺射形成第二金屬層，最后在其上形成光刻膠； 第六步:在形成上述第五步的基礎(chǔ)上，用半色調(diào)掩模進(jìn)行曝光，該半色調(diào)掩模在位于預(yù)定數(shù)據(jù)線的位置為不透光部分 、位于預(yù)定像素電極的位置為半透光部分、其余位置都是透光部分，通過半色調(diào)掩模曝光、顯影、刻蝕，使得位于預(yù)定數(shù)據(jù)線的位置仍保留ITO層、第二金屬層、以及光刻膠，使得位于預(yù)定像素電極的位置的光刻膠被刻蝕薄一些，使得位于其余位置的ITO層、第二金屬層、以及光刻膠都被刻蝕掉； 第七步:在形成上述第六步的基礎(chǔ)上，繼續(xù)對(duì)半色調(diào)掩模進(jìn)行灰化處理，使得位于預(yù)定像素電極的位置的光刻膠全部被剝離掉，使得位于預(yù)定數(shù)據(jù)線的位置的光刻膠被刻蝕薄一ith.--， 第八步:在形成上述第七步的基礎(chǔ)上，通過刻蝕工藝，將位于預(yù)定像素電極的位置上覆蓋的第二金屬層刻蝕掉，露出ITO像素電極； 第九步:在形成上述第八步的基礎(chǔ)上，將第二金屬層上余留的光刻膠剝離掉。
10.一種液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟: 第一步:在基板上濺射形成一層IGZO層，形成半導(dǎo)體層和透明公共電極； 第二步:在形成上述第一步圖案的基礎(chǔ)上形成第一絕緣膜；再在第一絕緣膜上濺射形成第一金屬層，即形成掃描線和與掃描線連接的柵極；再通過刻蝕形成第一絕緣層與第一金屬層的疊層圖案，該疊層的第一絕緣層和柵極在半導(dǎo)體層上位于預(yù)定TFT溝道區(qū)；第三步:在形成第二步圖案的基礎(chǔ)上濺射一層Al膜，再將Al膜在高溫氧氣的氣氛下高溫退火I小時(shí)左右，使得未被第一絕緣層和柵極遮住的IGZO層成為導(dǎo)體，S卩:形成具有導(dǎo)體的源漏極、以及透明公共電極具有導(dǎo)電性，并形成一層Al2O3保護(hù)膜保護(hù)IGZO半導(dǎo)體層； 第四步:在形成上述第三步圖案的基礎(chǔ)上先覆蓋第二絕緣膜，再在第二絕緣膜相應(yīng)的位置形成若干接觸孔，定義位于源極上的接觸孔為第一接觸孔、以及位于漏極上的接觸孔為第二接觸孔； 第五步:在形成上述第四步的基礎(chǔ)上，先形成通過第一接觸孔和第二接觸孔連接源極和漏極的ITO層，再在其上濺射形成第二金屬層，最后在其上形成光刻膠； 第六步:在形成上述第五步的基礎(chǔ)上，用半色調(diào)掩模進(jìn)行曝光，該半色調(diào)掩模在位于預(yù)定數(shù)據(jù)線的位置為不透光部分、位于預(yù)定像素電極的位置為半透光部分、其余位置都是透光部分，通過半色調(diào)掩模曝光、顯影、刻蝕，使得位于預(yù)定數(shù)據(jù)線的位置仍保留ITO層、第二金屬層、以及光刻膠，使得位于預(yù)定像素電極的位置的光刻膠被刻蝕薄一些，使得位于其余位置的ITO層、第二金屬層、以及光刻膠都被刻蝕掉； 第七步:在形成上述第六步的基礎(chǔ)上，繼續(xù)對(duì)半色調(diào)掩模進(jìn)行灰化處理，使得位于預(yù)定像素電極的位置的光刻膠全部被剝離掉，使得位于預(yù)定數(shù)據(jù)線的位置的光刻膠被刻蝕薄一ith.--， 第八步:在形成上述第七步的基礎(chǔ)上，通過刻蝕工藝，將位于預(yù)定像素電極的位置上覆蓋的第二金屬層刻蝕掉，露出ITO像素電極； 第九步:在形成上述第八步的基礎(chǔ)上， 將第二金屬層上余留的光刻膠剝離掉。
全文摘要
本發(fā)明公開一種液晶顯示面板及其制造方法，其包括位于基板上縱橫交叉的數(shù)據(jù)線和掃描線，所述數(shù)據(jù)線和掃描線交叉限定像素區(qū)域內(nèi)的像素電極和薄膜晶體管，所述像素區(qū)域內(nèi)還包括與所述像素電極一起構(gòu)成儲(chǔ)存電容的透明公共電極；所述薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極，本液晶顯示面板還包括與透明公共電極一起形成的半導(dǎo)體層，且所述半導(dǎo)體層與透明公共電極均位于基板上。本發(fā)明由于制程中限制不多，可以形成相鄰像素之間透明公共電極的直接連接，減小了透明公共電極上的阻抗，公共電極上電壓分布更加均勻，且本發(fā)明是一種節(jié)省mask的制程方式，可以將帶有透明存儲(chǔ)電容的液晶面板制造方法縮減至5道或4道光罩，可以提高產(chǎn)能，節(jié)約成本。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK103235455SQ20131009858
公開日2013年8月7日 申請(qǐng)日期2013年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月25日
發(fā)明者吳劍龍 申請(qǐng)人:南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司