專利名稱：一種穩(wěn)定藍(lán)相液晶晶體結(jié)構(gòu)的方法、顯示裝置及制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種穩(wěn)定藍(lán)相液晶晶體結(jié)構(gòu)的方法、顯示裝置及制作方法。
背景技術(shù)：
近年來，為例提高液晶顯示器的顯示質(zhì)量，具有快速應(yīng)答特性和寬視角特性的藍(lán)相液晶材料漸漸受到重視。如圖1所示，藍(lán)相液晶分子是一種立方晶格結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)接近于晶體，分子排列規(guī)整，在這個(gè)狀態(tài)下，液晶顯示呈暗態(tài)；當(dāng)在通電的情況下，藍(lán)相液晶分子破壞立方晶格結(jié)構(gòu)，液晶分子沿長(zhǎng)軸發(fā)生旋轉(zhuǎn)，顯示呈亮態(tài)，實(shí)現(xiàn)顯示。經(jīng)試驗(yàn)證明，藍(lán)相液晶從光學(xué)各向同性態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楣鈱W(xué)各向異性態(tài)的相應(yīng)時(shí)間不到1ms，比普通液晶的響應(yīng)速率快了一個(gè)數(shù)量級(jí)，此外，藍(lán)相液晶還具有寬視角等其他優(yōu)點(diǎn)，被譽(yù)為是最具有革命性的下一代平板顯示材料。藍(lán)相液晶作為膽留相液晶的一種相態(tài)，其是在向列液晶中加手性化合物形成的。雖然藍(lán)型液晶具有許多光學(xué)特性，但其存在的溫度范圍非常小，大概只在rc左右，大大限制了藍(lán)相液晶材料在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種穩(wěn)定藍(lán)相液晶晶體結(jié)構(gòu)的方法、顯示裝置及制作方法，通過在藍(lán)相液晶中添加碳納米管，可以穩(wěn)定藍(lán)相液晶的立方晶格結(jié)構(gòu)，使其存在的溫度范圍更廣。為達(dá)到上述目的，本發(fā) 明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:本發(fā)明實(shí)施例提供了一種穩(wěn)定藍(lán)相液晶晶體結(jié)構(gòu)的方法，其是向藍(lán)相液晶中添加碳納米管，并攪拌混合?？蛇x的，所述藍(lán)相液晶的手性化合物的含量為2%_10%?？蛇x的，所述藍(lán)相液晶的手性化合物的含量為2%?？蛇x的，碳納米管和藍(lán)相液晶的混合物中碳納米管的含量為1%_10%?？蛇x的，碳納米管和藍(lán)相液晶的混合物中碳納米管的含量為2%。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括:對(duì)盒成型的陣列基板和彩膜基板以及填充在所述陣列基板和彩膜基板之間的液晶，其中，所述顯示裝置為常黑型顯示裝置，所述液晶為藍(lán)相液晶，且所述藍(lán)相液晶中混合有碳納米管?？蛇x的，所述藍(lán)相液晶的手性化合物的含量為2%_10%。可選的，所述藍(lán)相液晶的手性化合物的含量為2%?？蛇x的，碳納米管和藍(lán)相液晶的混合物中碳納米管的含量為1%_10%?？蛇x的，碳納米管和藍(lán)相液晶的混合物中碳納米管的含量為2%?？蛇x的，顯示裝置的陣列基板上設(shè)置有公共電極和像素電極?？蛇x的，所述公共電極位于所述像素電極的上面。
可選的，所述像素電極位于所述公共電極的上面?？蛇x的，所述公共電極和所述像素電極同層設(shè)置?？蛇x的，所述陣列基板上還設(shè)置有取向?qū)?，且所述取向?qū)訛槠矫嫒∠驅(qū)?；所述彩膜基板上設(shè)置有取向?qū)?，且所述取向?qū)訛槠矫嫒∠驅(qū)?。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置的制作方法，包括:制備包括藍(lán)相液晶和碳納米管的混合物；制作陣列基板以及彩膜基板；將包括藍(lán)相液晶和碳納米管的混合物填充在陣列基板和彩膜基板之間。可選的，所述制備包括藍(lán)相液晶和碳納米管的混合物具體為:將藍(lán)相液晶和碳納米管混合并攪拌?？蛇x的，所述制作陣列基板包括:在基板上形成像素電極和公共電極?？蛇x的，所述制作陣列基板包括:在基板上形成平面取向?qū)印？蛇x的，所述制備彩膜基板包括:在基板上形成平面取向?qū)印１景l(fā)明實(shí)施例提供的一種穩(wěn)定藍(lán)相液晶晶體結(jié)構(gòu)的方法、顯示裝置及制作方法，通過在藍(lán)相液晶中添加碳納米管，所述碳納米管的線性結(jié)構(gòu)具有一定錨定力，可以穩(wěn)定藍(lán)相液晶的立方晶格結(jié)構(gòu)，使其存在的溫度范圍更廣。


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圖1為藍(lán)相液晶的立方晶格結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為碳納米管的微觀結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電壓與顯示面板的透過率的曲線圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的ADS型液晶顯示裝置未加電壓的液晶顯示示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的ADS型液晶顯示裝置加電壓后的液晶顯示示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置中陣列基板上公共電極和像素電極示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制作顯示裝置的方法示意圖；附圖標(biāo)記:10-彩膜基板；20_陣列基板；30_藍(lán)相液晶；40_碳納米管；22_公共電極；21_像素電極。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種穩(wěn)定藍(lán)相液晶晶體結(jié)構(gòu)的方法，具體為向藍(lán)相液晶中添加碳納米管，并攪拌混合。需要說明的是，藍(lán)相液晶的晶體結(jié)構(gòu)如圖1所示，是立方晶格結(jié)構(gòu)，其存在的溫度范圍非常小，僅在l°c左右，其他溫度條件下晶體結(jié)構(gòu)被破壞。如圖2所示，碳納米管的納米結(jié)構(gòu)為線性結(jié)構(gòu)，其具有一定錨定力，可用于穩(wěn)固藍(lán)相液晶的立方晶格結(jié)構(gòu)，可以使其可以存在更大的溫度范圍內(nèi)。
可選的，所述藍(lán)相液晶的手性化合物的含量為2%_10%。需要說明的是，藍(lán)相液晶是通過在向列相液晶中添加手性化合物形成的，其中手性化合物的含量不能太高和太低，太高或者太低都形成不了藍(lán)相液晶。優(yōu)選的，所述藍(lán)相液晶中手性化合物的含量為2%。且本發(fā)明實(shí)施例中均以所述藍(lán)相液晶中手性化合物的含量為2%為例進(jìn)行詳細(xì)說明。可選的，所述碳納米管和藍(lán)相液晶的混合物中碳納米管的含量為1%_10%。且進(jìn)一步優(yōu)選的，所述碳納米管的含量為碳納米管和藍(lán)相液晶的混合物的2%。且本發(fā)明實(shí)施例中均以所述碳納米管的含量為碳納米管和藍(lán)相液晶的混合物的2%為例進(jìn)行詳細(xì)說明。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括:對(duì)盒成型的陣列基板和彩膜基板以及填充在所述陣列基板和彩膜基板之間的液晶，其中，所述顯示裝置為常黑型顯示裝置，所述液晶為藍(lán)相液晶，且所述藍(lán)相液晶中混合有碳納米管。藍(lán)相液晶的晶體結(jié)構(gòu)如圖1所示，是立方晶格結(jié)構(gòu)，其存在的溫度范圍非常小，僅在1°C左右，其他溫度條件下晶體結(jié)構(gòu)被破壞。所述碳納米管，如圖2所示，其為線性結(jié)構(gòu)，具有一定錨定力，能穩(wěn)定藍(lán)相液晶的立方晶格結(jié)構(gòu)，進(jìn)而可以使其適用于更大的溫度范圍，可用于液晶顯示。且具體的一條碳納米管可以穩(wěn)定多個(gè)藍(lán)相液晶的立方晶格結(jié)構(gòu)。需要說明的是液晶顯示裝置根據(jù)加電壓和不加電壓其光的透過性將其分為NW(Normally White，常白)型液晶顯示裝置和NB (Normally Black，常黑)型液晶顯示裝置。具體的，常白液晶顯示裝置是在不施加電壓時(shí)，液晶透光，顯示亮的畫面；施加電壓時(shí)，液晶不透光，顯示暗的畫面。常見的常白型液晶顯示裝置如TN(Twist Nematic，扭曲向列)型液晶顯示裝置。常黑型液晶顯示裝置是在不施加電壓時(shí)，液晶不透光，顯示暗的畫面；施加電壓時(shí)，液晶透光，顯示亮的畫面。常見的常黑型液晶顯示裝置如:VA(Vertical Alignment,多疇垂直取向(型、ADS (Advanced-Super Dimensional Switching,高級(jí)超維場(chǎng)開關(guān))型以及IPS (In Plane Switch,橫向電場(chǎng)效應(yīng))型液晶顯示裝置。本發(fā)明實(shí)施例提供的所述顯示裝置可以適用于常黑型液晶顯示裝置。具體的,如圖4、圖5所示，以ADS型液晶顯示裝置為例進(jìn)行詳細(xì)說明，ADS型液晶顯示裝置是利用邊緣電場(chǎng)誘導(dǎo)液晶進(jìn)行顯示，其中包括陣列基板20、彩膜基板10以及填充于陣列基板20和彩膜基板10之間的藍(lán)相液晶30以及混合在藍(lán)相液晶30中的碳納米管40。其中，陣列基板20包括:像素電極21和公共電極22。當(dāng)顯示面板不通電時(shí)，如圖4所示，藍(lán)相液晶呈立方晶格結(jié)構(gòu)，顯示面板不透光，顯示暗態(tài)；當(dāng)顯示面板通電時(shí)，如圖5所示,像素電極21和公共電極22形成邊緣電場(chǎng)，藍(lán)相液晶的立方晶格結(jié)構(gòu)被電場(chǎng)破壞，液晶分子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)顯示效果。當(dāng)撤去電場(chǎng)之后，由于碳納米管對(duì)液晶分子具有錨定作用，液晶分子又會(huì)恢復(fù)到通電之前的藍(lán)相液晶的排布狀態(tài)，即如圖4所示的狀態(tài)。需要說明的是，如圖
4、圖5所示，每一個(gè)碳納米管其可以穩(wěn)定多個(gè)藍(lán)相液晶晶格結(jié)構(gòu)。對(duì)于IPS型以及VA型等其他常黑型液晶顯示裝置，其顯示原理與ADS型液晶顯示裝置的顯示原理相同，在這里就不作贅述。本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置，所述顯示裝置采用藍(lán)相液晶，并通過在藍(lán)相液晶中混合碳納米管穩(wěn)固藍(lán)相液晶的立方晶格結(jié)構(gòu)，使得藍(lán)相液晶可用于顯示，且藍(lán)相液晶用于顯示裝置，其響應(yīng)速度快，視角更寬。液晶顯示裝置利 用電場(chǎng)通過液晶控制光透性以顯示圖像。根據(jù)驅(qū)動(dòng)液晶的電場(chǎng)方向，將液晶顯示裝置大致分為垂直電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)型和水平電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)型。垂直電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)型液晶顯示裝置在上下基板上相對(duì)設(shè)置公共電極和像素電極，在所述公共電極和像素電極之間形成垂直的電場(chǎng)以驅(qū)動(dòng)液晶，如VA型液晶顯示裝置。水平電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)型液晶顯示裝置在下基板上設(shè)置公共電極和像素電極，在公共電極和像素電極之間形成水平的電場(chǎng)以驅(qū)動(dòng)液晶如ADS型、IPS型液晶顯示裝置。優(yōu)選的，所述顯示裝置在陣列基板上設(shè)置有公共電極和像素電極。即所述顯示裝置為水平電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)型液晶顯示裝置。進(jìn)一步的，所述陣列基板上的公共電極位于所述像素電極的上面。如圖4、圖5所示，陣列基板20上公共電極22位于所述像素電極21的上面。具體的，當(dāng)所述公共電極位于所述像素電極的上面，則所述公共電極為具有狹縫的條狀結(jié)構(gòu)，所述像素電極為平面的板狀結(jié)構(gòu)。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中，所述“上”“下”以制作薄膜晶體管的先后順序?yàn)橐罁?jù)，例如在先制作的在“下”，在后制作的在“上”。當(dāng)然，所述像素電極也可以設(shè)置在所述公共電極的上面，且所述像素電極位于所述公共電極的上面，則像素電極為具有狹縫的條狀結(jié)構(gòu)，所述公共電極為平面的板狀結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實(shí)施例僅以如圖4、圖5所示的，公共電極位于像素電極的上面為例進(jìn)行詳細(xì)說明?？蛇x的，所述公共電極與像素電極同層設(shè)置。具體的，如圖6所示，當(dāng)所述公共電極和像素電極同層設(shè)置時(shí)，公共電極22和像素電極21成相對(duì)的梳狀，在公共電極和像素電極之間形成水平電場(chǎng)以驅(qū)動(dòng)液晶偏轉(zhuǎn)進(jìn)行顯示。可選的，所述陣列基板上還設(shè)置有取向?qū)樱宜鋈∠驅(qū)訛槠矫嫒∠驅(qū)?；所述彩膜基板上設(shè)置有取向?qū)?，所述取向?qū)訛槠矫嫒∠驅(qū)?。需要說明的是，無論是對(duì)于ADS型或者IPS型液晶顯示裝置，其陣列基板以及彩膜基板上均設(shè)置有取向?qū)?，且本發(fā)明實(shí)施例中所述兩種顯示裝置在陣列基板和彩膜基板上的取向?qū)訛槠矫嫒∠驅(qū)?，其中所述取向?qū)佑绊懸壕У腻^定力?？蛇x的，所述藍(lán)相液晶的手性化合物的含量為2%_10%。且進(jìn)一步優(yōu)選的，所述藍(lán)相液晶中手性化合物的含量為2%。且本發(fā)明實(shí)施例中以所述藍(lán)相液晶的手性化合物的含量為2%為例進(jìn)行詳細(xì)說明。

可選的，所述碳納米管和藍(lán)相液晶的混合物中碳納米管的含量為1%_10%。需要說明的是，在藍(lán)相液晶中添加碳納米管之后，由于碳納米管的錨定作用，驅(qū)動(dòng)電壓相對(duì)較大，如圖3所示，為通過實(shí)驗(yàn)獲得的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電壓與顯示面板的透過率的曲線圖，如圖所示，顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電壓Vop接近11.5v，且在施加電壓的過程中，液晶面板的透過率隨著電壓的增大而增大，達(dá)到一定峰值之后，隨著電壓的增大而減小。且其隨著電壓的減小，透過率相應(yīng)降低。其最大透過率接近10%左右。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述碳納米管的含量為碳納米管和藍(lán)相液晶的混合物的2%。本發(fā)明實(shí)施例中的附圖3以所述碳納米管的含量為碳納米管和藍(lán)相液晶的混合物的2%為基準(zhǔn)得出。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置的制作方法，如圖7所示，包括:步驟S101、制備包括藍(lán)相液晶和碳納米管的混合物。具體的，制備包括藍(lán)相液晶和碳納米管的混合物具體為:將藍(lán)相液晶和碳納米管混合并攪拌。其中，控制藍(lán)相液晶和碳納米管的混合比例，使得所述碳納米管的含量為混合后的藍(lán)相液晶的1%_10%。進(jìn)一步優(yōu)選的，碳納米管和藍(lán)相液晶的混合物中碳納米管的含量為2% O步驟S102、制作陣列基板以及彩膜基板。
當(dāng)然，制作陣列基板和彩膜基板的步驟也可以是在步驟SlOl之前或者與所述步驟SlOl同時(shí)進(jìn)行。且制作陣列基板具體包括:在基板上形成像素電極和公共電極。即通過在陣列基板上設(shè)置公共電極和像素電極，形成水平電場(chǎng)。可選的，制作陣列基板包括:在基板上形成平面取向?qū)?。具體的，在基板上通過沉積等方式形成薄膜，所述薄膜可以是PI(Polyimide，聚酰亞胺)薄膜，再對(duì)所述薄膜進(jìn)行摩擦，在PI薄膜表面形成溝槽(經(jīng)摩擦后的PI薄膜可以稱為取向?qū)印Ｈ∠驅(qū)由系臏喜塾绊懸壕У腻^定力。需要說明的是，與現(xiàn)有的陣列基板相同，陣列基板上不僅包括上述公共電極、像素電極以及取向?qū)?，其還包括柵金屬層、柵絕緣層等其他薄膜或?qū)咏Y(jié)構(gòu)。例如，取向?qū)右话阄挥陉嚵谢宓淖钌厦嬉粚?，則在形成所述取向?qū)又?，基板上還形成有包括柵金屬層、柵絕緣層、公共電極以及像素電極等其他薄膜或?qū)咏Y(jié)構(gòu)。本發(fā)明實(shí)施例中，所述陣列基板上的薄膜或?qū)咏Y(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的陣列基板上的薄膜或?qū)咏Y(jié)構(gòu)相同，故在此就不作贅述?？蛇x的，所述制備彩膜基板包括:在基板上形成平面取向?qū)?。?dāng)然，彩膜基板上還包括其他薄膜或?qū)咏Y(jié)構(gòu)，例如彩膜基板還包括彩色膜層以及黑矩陣膜層等，且彩膜基板上的平面取向?qū)釉O(shè)置在彩膜基板的最上面。具體的，在彩膜基板上形成平面取向?qū)优c在陣列基板上形成平面取向?qū)拥姆椒ㄏ嗤?，在此就不作贅述。步驟S103、將包括藍(lán)相液晶和碳納米管的混合物填充在陣列基板和彩膜基板之間。具體的，將包括碳納米管和藍(lán)相液晶的混合物在脫泡機(jī)中進(jìn)行脫泡處理，再通過真空對(duì)盒的方法經(jīng)其封裝在陣列基板和彩膜基板之間。具體的，將包括碳納米管和藍(lán)相液晶的混合物封裝在陣列基板和彩膜基板的方法和步驟與現(xiàn)有技術(shù)中封裝向列相液晶的方法相同，本發(fā)明實(shí)施例不作贅述，只需參照現(xiàn)有技術(shù)即可。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為
準(zhǔn)。·
權(quán)利要求
1.一種穩(wěn)定藍(lán)相液晶晶體結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，向藍(lán)相液晶中添加碳納米管，并攪拌混合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述藍(lán)相液晶的手性化合物的含量為2%-10%。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述藍(lán)相液晶的手性化合物的含量為2%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，碳納米管和藍(lán)相液晶的混合物中碳納米管的含量為1%_10%。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述碳納米管和藍(lán)相液晶的混合物中碳納米管的含量為2%。
6.一種顯示裝置，包括:對(duì)盒成型的陣列基板和彩膜基板以及填充在所述陣列基板和彩膜基板之間的液晶，其特征在于，所述顯示裝置為常黑型顯示裝置，所述液晶為藍(lán)相液晶，且所述藍(lán)相液晶中混合有碳納米管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述藍(lán)相液晶的手性化合物的含量為 2%-10%。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，所述藍(lán)相液晶的手性化合物的含量為2% ο
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，碳納米管和藍(lán)相液晶的混合物中碳納米管的含量為1%-10%。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于，所述碳納米管和藍(lán)相液晶的混合物中碳納米管的含量為2%。
11.根據(jù)權(quán)利要求6-10任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于，顯示裝置的陣列基板上設(shè)置有公共電極和像素電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其特征在于，所述公共電極位于所述像素電極的上面。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其特征在于，所述像素電極位于所述公共電極的上面。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其特征在于，所述公共電極和所述像素電極同層設(shè)置。
15.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述陣列基板上設(shè)置有取向?qū)?，且所述取向?qū)訛槠矫嫒∠驅(qū)?；所述彩膜基板上設(shè)置有取向?qū)?，且所述取向?qū)訛槠矫嫒∠驅(qū)印?br> 16.一種顯示裝置的制作方法，其特征在于，包括: 制備包括藍(lán)相液晶和碳納米管的混合物； 制作陣列基板以及彩膜基板； 將包括藍(lán)相液晶和碳納米管的混合物填充在陣列基板和彩膜基板之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制作方法，其特征在于，所述制備包括藍(lán)相液晶和碳納米管的混合物具體為:將藍(lán)相液晶和碳納米管混合并攪拌。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制 作方法，其特征在于，所述制作陣列基板包括:在基板上形成像素電極和公共電極。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制作方法，其特征在于，所述制作陣列基板包括:在基板上形成平面取向?qū)印?br> 20.根據(jù)權(quán)利要 求16所述的制作方法，其特征在于，所述制作彩膜基板包括:在基板上形成平面取向?qū)印?br> 全文摘要
本發(fā)明提供了一種穩(wěn)定藍(lán)相液晶晶體結(jié)構(gòu)的方法、顯示裝置及制作方法，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，解決了藍(lán)相液晶存在溫度范圍小的問題。一種穩(wěn)定藍(lán)相液晶晶體結(jié)構(gòu)的方法，其主要是向藍(lán)相液晶中添加碳納米管，并攪拌混合。本發(fā)明適用于藍(lán)相液晶顯示裝置的制造。
文檔編號(hào)G02F1/1333GK103242864SQ201310175288
公開日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2013年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2013年5月13日
發(fā)明者郭仁煒, 王建 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司