光掩模、光掩模的制造方法以及圖案的轉(zhuǎn)印方法
【專利摘要】本發(fā)明獲得能夠可靠精致地轉(zhuǎn)印細(xì)微圖案的光掩模、轉(zhuǎn)印方法、以及平板顯示器的制造方法。是在透明基板上形成了包括至少對曝光光的一部分進(jìn)行遮擋的遮光部、和上述透明基板露出的透光部的轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模，上述遮光部具有以規(guī)定寬度沿上述遮光部的外周形成的邊緣區(qū)域、和在上述遮光部中形成于上述邊緣區(qū)域以外的部分的中央?yún)^(qū)域，上述中央?yún)^(qū)域形成為相對于透過上述透光部的上述曝光光所包含的代表波長的光具有大致180度的相移量，上述邊緣區(qū)域形成為與上述中央?yún)^(qū)域相比，相對于上述代表波長的光的相移量小，并且在上述邊緣區(qū)域形成有相對于上述代表波長的光具有50％以下的透過率的光學(xué)膜。
【專利說明】光掩模、光掩模的制造方法以及圖案的轉(zhuǎn)印方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及能夠高精度地轉(zhuǎn)印細(xì)微的轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模、使用了該光掩模的圖案轉(zhuǎn)印方法、以及平板顯示器的制造方法。另外，本發(fā)明涉及為了形成用于平板顯示器的制造的光掩模的光掩模坯體。
【背景技術(shù)】
[0002]在以液晶顯示裝置為代表的平板顯示器的制造中，有通過形成更細(xì)微的圖案來實現(xiàn)畫質(zhì)的提高的需求。
[0003]在專利文獻(xiàn)I記載有在用于液晶顯示裝置制造的曝光條件下，對以往不能夠析像的細(xì)微圖案進(jìn)行析像，獲得更精細(xì)的轉(zhuǎn)印圖像的光掩模。
[0004]在專利文獻(xiàn)2記載有對遮光膜進(jìn)行圖案化，使相對于i線具有180度的相位差的膜厚的相移層覆蓋遮光膜而形成的相移掩模。在專利文獻(xiàn)2記載了通過該相移掩模，能夠形成細(xì)微并且高精度的圖案。
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開2009 - 42753號公報
[0006]專利文獻(xiàn)2:日本特開2011 — 13283號公報
[0007]近些年，期望平板顯示器的布線圖案的細(xì)微化。而且，這樣的細(xì)微化不僅關(guān)系到平板顯示器的亮度的提高、反應(yīng)速度的提高這樣的圖像品質(zhì)的提升，而且從節(jié)能的觀點來看，也有優(yōu)點。隨之，對用于平板顯示器的制造的光掩模也要求細(xì)微的線寬精度。然而，單純地對光掩模的轉(zhuǎn)印用圖案進(jìn)行細(xì)微化，從而對平板顯示器的布線圖案進(jìn)行細(xì)微化并不容易。
[0008]本
【發(fā)明者】們發(fā)現(xiàn)，若對形成于光掩模的轉(zhuǎn)印用圖案進(jìn)行細(xì)微化，則存在以下問題。例如，若對具備透光部和遮光部的所謂二元掩模的圖案進(jìn)行細(xì)微化，并且遮光部以及透光部的尺寸(線寬)變小，則經(jīng)由透光部照射于形成在被轉(zhuǎn)印體上的抗蝕劑膜的透過光的光量降低。圖1示出該狀態(tài)。
[0009]這里，以圖1 (a)所示的、利用遮光膜形成的線和空間圖案為例進(jìn)行說明。圖1(b)示出在圖1 (a)所示的線和空間圖案中，使間距P逐漸減小(與此對應(yīng)，線寬ML與空間寬度MS逐漸減小)時，在形成于被轉(zhuǎn)印體上的抗蝕劑膜上產(chǎn)生的透過光的光強度分布。如圖1 (b)所示，可知將間距P從8μπι (線寬4.8 μ m，空間寬度3.2 μ m)逐漸細(xì)微化到4μπι(線寬2.8 μ m，空間寬度1.2 μ m)時，光強度分布的波型曲線的峰值位置顯著降低。并且，這里分別將線寬ML和空間寬度MS相對于間距P設(shè)定為P / 2 + 0.8 μ m, P / 2 - 0.8 μ m0
[0010]圖2示出使間距P細(xì)微化時的、被轉(zhuǎn)印體上的抗蝕劑膜所形成的抗蝕圖案的剖面形狀。該情況下，可以理解為在間距P達(dá)到5μπι (線寬3.3 μ m，空間寬度1.7 μ m)的時間點，用于在抗蝕圖案上形成線和空間圖案形狀的光量不足，不能夠形成用于后工序的蝕刻掩模的抗蝕圖案(參照圖2 (d))。
[0011]因此，作為提高轉(zhuǎn)印時的析像度，進(jìn)行更細(xì)微的圖案化的方法，考慮以往作為LSI制造用的技術(shù)而開發(fā)的、使用了曝光裝置的數(shù)值孔徑擴大、單一波長、并且短波長的曝光。然而，在應(yīng)用這些技術(shù)的情況下，需要龐大的投資和技術(shù)開發(fā)，不能取得與市場所提供的液晶顯示裝置的價格的匹配性。
[0012]然而，針對如圖1 (b)所示，光強度分布的波型曲線的峰值位置顯著降低的現(xiàn)象，作為用于彌補該光量不足的方法，考慮增加曝光裝置的照射光量。若照射光量增加，則透過空間部的光量增大，所以能夠優(yōu)化抗蝕圖案的形狀，即能夠分離成線和空間圖案的形狀(參照圖2(e))。然而，為此而將曝光裝置的光源變更為大光量并不現(xiàn)實，所以必須大幅增加曝光時的掃描曝光時間。實際上，為了使抗蝕圖案如圖2 (e)所示那樣分離，與圖2 (d)的情況相比，需要其1.5倍的照射光量。
[0013]然而，上述專利文獻(xiàn)I所記載的光掩膜是通過對形成在透明基板上的半透光膜進(jìn)行圖案化而形成了規(guī)定的圖案的、具有透光部和半透光部的光掩模，在利用透過了該光掩模的曝光光在被轉(zhuǎn)印體上形成線寬小于3 μ m的轉(zhuǎn)印圖案的光掩模中，包括由上述透光部或者上述半透光部的至少一方具有小于3 μ m的線寬部分的、上述透光部和上述半透光部構(gòu)成的圖案。
[0014]根據(jù)專利文獻(xiàn)I所記載的光掩模，能夠抑制在圖1 (b)中顯著產(chǎn)生的透光部的峰值位置的降低，能夠形成線和空間圖案形狀的抗蝕圖案。這意味著通過在透明基板上形成的半透光膜的圖案輔助包括透光部的轉(zhuǎn)印用圖案整體的透過光量，能夠使其達(dá)到可使抗蝕齊IJ(這里是正型抗蝕劑P / R)圖案化的所需要的光量。
[0015]這樣，根據(jù)上述專利文獻(xiàn)I所記載的光掩模，能夠形成在以往的IXD (LiquidCrystal Display:液晶顯示器)用曝光裝置中不能析像的小于3 μ m的圖案。然而,產(chǎn)生進(jìn)一步提高該圖案化穩(wěn)定性以及精度的需要。
[0016]在專利文獻(xiàn)2記載有根據(jù)專利文獻(xiàn)2所記載的光掩模，能夠通過相位的反轉(zhuǎn)作用形成光強度最小的區(qū)域，使曝光圖案更清晰。但根據(jù)本
【發(fā)明者】們的研究，根據(jù)通過LCD用曝光裝置在被轉(zhuǎn)印體上所得到的光強度分布，在確保用于使抗蝕劑膜感光的足夠的曝光光量，以及提高對比度的點上存在改善的余地，發(fā)現(xiàn)圖案越細(xì)微化該點越重要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0017]鑒于上述情況，本發(fā)明的目的在于提出一種能夠可靠精致地轉(zhuǎn)印細(xì)微圖案的光掩模、轉(zhuǎn)印方法、以及平板顯示器的制造方法。
[0018]本發(fā)明是以下述構(gòu)成I?8為特征的光掩模、以下述構(gòu)成9為特征的圖案轉(zhuǎn)印方法、以下述構(gòu)成10為特征的平板顯示器的制造方法、以及以下述構(gòu)成11為特征的光掩模坯體。
[0019](構(gòu)成I)
[0020]本發(fā)明涉及在透明基板上形成有包括至少對曝光光的一部分進(jìn)行遮擋的遮光部、和上述透明基板露出的透光部的轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模，其特征在于，上述遮光部具有以規(guī)定寬度沿上述遮光部的外周形成的邊緣區(qū)域、和在上述遮光部形成于上述邊緣區(qū)域以外的部分的中央?yún)^(qū)域，上述中央?yún)^(qū)域形成為相對于透過上述透光部的上述曝光光所包含的代表波長的光具有大致180度的相移量，上述邊緣區(qū)域形成為與上述中央?yún)^(qū)域相比，相對于上述代表波長的光的相移量較小，并且在上述邊緣區(qū)域形成有相對于上述代表波長的光具有50%以下的透過率的光學(xué)膜。
[0021]本發(fā)明的光掩模能夠在上述的構(gòu)成I適當(dāng)?shù)亟M合下述構(gòu)成2?8。[0022](構(gòu)成2)
[0023]在本發(fā)明的光掩模中，在上述中央?yún)^(qū)域也形成有光學(xué)膜，上述中央?yún)^(qū)域的光學(xué)膜是相對于上述代表波長的光具有大致180度的相移量的相移膜。
[0024](構(gòu)成3)
[0025]在本發(fā)明的光掩模中，上述邊緣區(qū)域的光學(xué)膜是層疊了相對于上述代表波長的光具有大致180度的相移量的相移膜、和相對于上述代表波長的光具有80%以下的透過率的透過調(diào)整膜而成的光學(xué)膜。
[0026](構(gòu)成4)
[0027]在本發(fā)明的光掩模中，上述透過調(diào)整膜相對于上述代表波長的光的透過率為0.1 %以上，并且相對于上述代表波長的光具有90?270度的相移量。
[0028](構(gòu)成5)
[0029]在本發(fā)明的光掩模中，上述透過調(diào)整膜相對于上述代表波長的光的透過率小于0.1%。
[0030](構(gòu)成6)
[0031]在本發(fā)明的光掩模中，上述相移膜相對于上述代表波長的光的透過率為20%以上。
[0032](構(gòu)成7)
[0033]在本發(fā)明的光掩模中，上述遮光部或者上述透光部的寬度為3μπι以下。
[0034](構(gòu)成8)
[0035]在本發(fā)明的光掩模中，上述轉(zhuǎn)印用圖案為線和空間圖案。
[0036](構(gòu)成9)
[0037]本發(fā)明涉及圖案轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，使用上述構(gòu)成I?8的任意一個所記載的光掩模，并使用曝光裝置將上述轉(zhuǎn)印用圖案轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上。
[0038](構(gòu)成10)
[0039]本發(fā)明涉及平板顯示器的制造方法，其特征在于，使用構(gòu)成9所記載的轉(zhuǎn)印方法。
[0040](構(gòu)成11)
[0041]本發(fā)明涉及用于形成制造平板顯示器所使用的光掩模的光掩模坯體，其特征在于，在透明基板上層疊有相對于曝光上述光掩模時的曝光光所包含的代表波長的光具有20%以上的透過率以及大致180度的相移量的相移膜、和相對于上述代表波長的光具有80%以下的透過率以及90?270度的相移量的透過調(diào)整膜。
[0042](構(gòu)成12)
[0043]本發(fā)明涉及用于形成制造平板顯示器所使用的光掩模的光掩模坯體，其特征在于，在透明基板上具有層疊相移膜和透過調(diào)整膜而成的層疊膜，上述相移膜相對于曝光上述光掩模時的曝光光所包含的代表波長的光具有20%以上的透過率以及90?270度的相移量，上述層疊膜相對于上述代表波長的光具有50%以下的透過率以及±90度以內(nèi)的相移量。
[0044]根據(jù)本發(fā)明，能夠獲得能夠可靠精致地轉(zhuǎn)印細(xì)微圖案的光掩模、轉(zhuǎn)印方法、以及平板顯示器的制造方法。具體而言，能夠消除細(xì)微圖案化引起的透過光的光量不足，或者進(jìn)一步節(jié)減曝光所需要的照射光量，并且作為蝕刻掩模形成良好形狀的抗蝕圖案?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0045]圖1 (a)是表示二元掩模的線和空間圖案的示意圖，其中，MS表示空間寬度，ML表示線寬，P表示間距，圖1 (b)是表示在將圖1 (a)的間距P逐漸從8 μ m減小到4 μ m的情況下，照射到形成在被轉(zhuǎn)印體上的抗蝕劑膜上的透過光的光強度分布的圖表，其中，ΝΑ0.08，σθ.8波長g/h/i = I:1:1, P/R-厚度1.5ym, P/R正型-酚醛樹脂(例示)。
[0046]圖2 (a)-(d)是表示由圖1 (b)的光強度分布中的間距P = 8-5 μ m的線和空間圖案的透過光形成的抗蝕圖案的剖面形狀。圖2 (e)表示在與圖2 (d)相同的間距P=5 μ m下，使曝光裝置的照射光量增加至1.5倍時的抗蝕圖案的剖面形狀。
[0047]圖3 (a)是表示本發(fā)明的光掩模的構(gòu)成的一個例子的剖面示意圖。圖3(b)是透過了< I >透光部、< 2 >邊緣區(qū)域以及< 3 >中央?yún)^(qū)域后的透過光的光強度分布成分的說明圖。圖3 (c)是表示通過本發(fā)明的光掩模的光強度分布調(diào)整來改善光強度分布的說明圖。
[0048]圖4是用于光學(xué)模擬的4種轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模的剖面示意圖，圖4 (A)是比較例(二兀)，圖4 (B)是參考例1，圖4 (C)是實施例，圖4 (D)是參考例2。
[0049]圖5是表示利用圖4所示的4種轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模進(jìn)行的透過光的光強度分布曲線的光學(xué)模擬結(jié)果的圖，其中，A是比較例，B是參考例1，C是實施例，D是參考例2。
[0050]圖6是用于對被轉(zhuǎn)印體上的抗蝕圖案 的側(cè)面形狀的傾斜角進(jìn)行說明的剖面示意圖。
[0051]圖7是表示本發(fā)明的光掩模的制造方法的一個例子的剖面示意圖以及俯視示意圖，其中圖7 (a)表示坯體，圖7 (b)表示第一層描繪、顯影一上膜蝕刻，圖7 (C)表示第一層抗蝕劑剝離，圖7 (d)表示抗蝕劑涂覆，圖7 (e)表示第二層描繪、顯影一PS膜蝕刻，圖7 (f)表示抗蝕劑剝離。
[0052]符號說明
[0053]10...透明基板，11...透光部，12...遮光部，14...邊緣區(qū)域，16...中央?yún)^(qū)域，20...相移膜，21...相移膜圖案，30…透過調(diào)整膜，31…透過調(diào)整膜圖案，40、50…抗蝕劑膜，41、51...抗
蝕圖案。
【具體實施方式】
[0054]本發(fā)明的光掩模具有以下特征。即，本發(fā)明是在透明基板10上形成有包括至少對曝光光的一部分進(jìn)行遮擋的遮光部12、和上述透明基板10露出的透光部11的轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模，其特征在于，上述遮光部12具有以規(guī)定寬度沿上述遮光部12的外周形成的邊緣區(qū)域14、和在上述遮光部12形成于上述邊緣區(qū)域14以外的部分的中央?yún)^(qū)域16，上述中央?yún)^(qū)域16形成為相對于透過上述透光部11的上述曝光光所包含的代表波長的光具有大致180度的相移量，上述邊緣區(qū)域14形成為相對于上述代表波長的光的相移量與上述中央?yún)^(qū)域16相比較小，并且在上述邊緣區(qū)域14形成有相對于上述代表波長的光具有50%以下的透過率的光學(xué)膜。
[0055]如上所述，本發(fā)明的光掩模具有用于制造所希望的器件的轉(zhuǎn)印用圖案。該轉(zhuǎn)印用圖案具有遮光部12以及透光部11。由于該遮光部12以及透光部11所具有的曝光光透過率的不同，在被轉(zhuǎn)印體(液晶面板等)上的抗蝕劑膜上形成基于轉(zhuǎn)印用圖案的光強度分布。而且，通過使根據(jù)該光強度分布進(jìn)行了感光的抗蝕劑膜顯影，能夠獲得成為對被轉(zhuǎn)印體進(jìn)行蝕刻加工時的蝕刻掩模的抗蝕圖案的立體形狀。
[0056]這里，上述抗蝕圖案是以在被轉(zhuǎn)印體上具有規(guī)定的抗蝕劑殘膜的部分、和不具有抗蝕劑殘膜的部分(顯影后殘留的部分、和溶出的部分)的2級的等級成為蝕刻掩模。換句話說，本發(fā)明的光掩模至少在上述轉(zhuǎn)印用圖案部分是2級等級(有抗蝕劑殘膜和沒有抗蝕劑殘膜)。并且，抗蝕劑膜對正型、負(fù)型沒有限制，但在本說明書中使用正型抗蝕劑膜進(jìn)行說明。
[0057]并且，本發(fā)明的透光部11和遮光部12通過透過兩者的曝光光所形成的光強度的分布起到2級的等級功能。因此，由以下說明可知，并不局限于構(gòu)成遮光部12的基板以及光學(xué)膜完全地遮擋曝光光。即，遮光部12是具有用于使曝光光的強度降低的功能的部分，例如，能夠構(gòu)成為通過使規(guī)定相位的多束光產(chǎn)生基于衍射的重疊來降低到達(dá)抗蝕劑膜的曝光光的強度。因此，當(dāng)然能夠在遮光部12上配置規(guī)定的相移膜圖案21以及規(guī)定的透過調(diào)整膜圖案31等光學(xué)膜的圖案，也能夠構(gòu)成為在遮光部12配置基板的溝槽等產(chǎn)生相移作用的構(gòu)造，使曝光光的強度降低。
[0058]圖3 (a)例示本發(fā)明的光掩模的構(gòu)成。圖3 (a)是用于在被轉(zhuǎn)印體上轉(zhuǎn)印線和空間圖案的光掩模所具有的轉(zhuǎn)印用圖案的剖面示意圖。
[0059]這里，作為透明基板10使用研磨了表面的石英玻璃基板等。不對大小進(jìn)行特別限制，根據(jù)使用該掩模來進(jìn)行曝光的基板的種類(例如平板顯示器用基板等)以及每一次曝光的拼版數(shù)量來適當(dāng)?shù)剡x定。例如作為透明基板10使用一邊300?1800mm左右的矩形基板。
[0060]本發(fā)明的光掩模在透明基板10上具有包括至少對曝光光的一部分進(jìn)行遮擋的遮光部12、和上述透明基板10露出的透光部11的轉(zhuǎn)印用圖案。在圖3 (a)所示的方式中，作為光學(xué)膜使用相對于曝光光的代表波長具有大致180度的相移量的膜(以下稱相移膜20)、和透過率相對于上述代表波長在80%以下這樣的膜(以下稱透過調(diào)整膜30)，通過對這些膜分別進(jìn)行適當(dāng)?shù)膱D案化來形成相移膜圖案21以及透過調(diào)整膜圖案31，從而形成透光部11和遮光部12。這里，遮光部12與線部對應(yīng)，透光部11與空間部對應(yīng)。
[0061]在本方式中，在使曝光光透過的透光部11中，透明基板10露出。另一方面，在遮光部12中，在透明基板10上形成有相移膜20的相移膜圖案21作為光學(xué)膜之一。而且,在該遮光部12內(nèi)，且在沿外周的規(guī)定寬度的邊緣區(qū)域14還形成有透過調(diào)整膜30的透過調(diào)整膜圖案31作為其他的光學(xué)膜。其結(jié)果，如圖3 (a)所示，遮光部12具有以規(guī)定寬度沿該遮光部12的外周形成的邊緣區(qū)域14、和該邊緣區(qū)域14以外的部分亦即中央?yún)^(qū)域16 (在圖3Ca)中遠(yuǎn)離遮光部12的外周所形成的區(qū)域)。如上所述，在邊緣區(qū)域14上層疊有相移膜圖案21和透過調(diào)整膜圖案31，在遮光部12的邊緣區(qū)域14以外(包括遮光部12的中央的部分)僅形成有相移膜圖案21。能夠任意地選擇該相移膜圖案21與透過調(diào)整膜圖案31的層疊順序，也可以與圖3 (a)所示的層疊順序上下相反。
[0062]通過這樣的構(gòu)成，圖3 (a)所示的光掩模的遮光部12具備以相對于透過透光部11的上述曝光光所包含的上述代表波長具有大致180度的相移量的方式形成的中央?yún)^(qū)域16、和由相對于上述代表波長的相移量比上述中央?yún)^(qū)域16小且相對于上述代表波長具有50%以下的透過率的光學(xué)膜形成的邊緣區(qū)域14。[0063]對本發(fā)明的光掩模的透光部11以及遮光部12的尺寸沒有特別限制。但遮光部12和透光部11的寬度的和(線和空間圖案的間距P)為5μπι以下時，能夠顯著地獲得本發(fā)明的效果。另外，在透光部11的寬度為3μπι以下時，發(fā)明的效果更顯著。是因為若間距變小，透光部11的尺寸也隨之變小，則衍射的影響變大，并且透過透光部11的光透過強度分布曲線的峰值下降，所以若要到達(dá)被轉(zhuǎn)印體的抗蝕劑膜，使抗蝕劑感光，則容易出現(xiàn)光量不足。而本發(fā)明的光掩模針對這樣的現(xiàn)象消除不良情況。在透光部11的寬度為2μπι以下的情況下，上述效果更大。
[0064]并且，在透光部11以及遮光部12的寬度為3μπι以下的情況下，本發(fā)明的效果高。在透光部11或者遮光部12的任意一個或者雙方的寬度進(jìn)一步為2.5 μ m以下的情況下，更進(jìn)一步為2.Ομπι以下的情況下，發(fā)明的效果顯著。
[0065]并且，在使用這樣的轉(zhuǎn)印用圖案在被轉(zhuǎn)印體上形成線和空間圖案時，在被轉(zhuǎn)印體上形成間距P為5 μ m以下的圖案的情況下，或者形成寬度3 μ m以下的線圖案以及/或者寬度3μπι以下的空間圖案的情況下，能夠顯著地獲得本發(fā)明的效果。
[0066]另外，優(yōu)選本發(fā)明的邊緣區(qū)域14形成為規(guī)定寬度，為固定寬度。該規(guī)定寬度是超過零的任意值的寬度，能夠以想要在被轉(zhuǎn)印體上獲得的抗蝕圖案的形狀為基礎(chǔ)來決定。在圖3 Ca)的方式中，邊緣區(qū)域14以彼此相等的寬度對置地形成于遮光部12的兩邊緣。將邊緣區(qū)域14的寬度設(shè)為所使用的曝光裝置的析像極限以下的尺寸。另外，作為具體的邊緣區(qū)域14的寬度尺寸，能夠設(shè)為0.1?2 μ m，優(yōu)選能夠設(shè)為0.1?I μ m。
[0067]若設(shè)定具有上述那樣的寬度的邊緣區(qū)域14，則能夠設(shè)計成到達(dá)被轉(zhuǎn)印體上的透過光的光強度分布曲線不對邊緣區(qū)域14獨立地進(jìn)行析像(不形成獨立的圖案形狀)，而描繪平滑地連結(jié)與透光部11對應(yīng)的光強度的峰值和與遮光部12對應(yīng)的光強度的谷值的曲線。
[0068]在本方式中，相移膜20能夠相對于用于光掩模的曝光的曝光光所包含的代表波長，使透過率為20%以上。進(jìn)一步優(yōu)選能夠使相移膜20相對于代表波長的透過率為20?80 %，進(jìn)一步優(yōu)選為30?70 %，更優(yōu)選為40?70 %。
[0069]這里，作為曝光光所包含的代表波長，在曝光光包含多種波長的情況下(例如使用包含i線、h線以及g線的光源的情況下)，能夠設(shè)為這些波長的任意一個。例如，能夠?qū)線作為代表波長。并且，進(jìn)一步優(yōu)選對i線、h線以及g線都滿足本發(fā)明的透過率以及相移量的方式。
[0070]另外，這里所說的透過率將是透明基板10的、上述代表波長的透過率設(shè)為100%的情況下的相移膜20的透過率。
[0071]另外，優(yōu)選相移膜20相對于上述代表波長的相移量為大致180度。這里，所謂的大致180度是指具有針對入射至相移膜20的曝光光的相位反轉(zhuǎn)作用，通過入射光與同相位光的干涉，使繞到遮光部12的透過光的光強度降低的度數(shù)。具體而言，相移膜20相對于上述代表波長的相移量能夠在180±60度的范圍內(nèi)。若用弧度記述，則為
[0072](2n + 2 / 3) ?(2n + 4 / 3) (η:整數(shù))
[0073]進(jìn)一步優(yōu)選相移膜20相對于上述代表波長的相移量為
[0074]180±30 度(若用弧度記述，則為(2n + 5 / 6) ?(2n + 7 / 6) π (η:整數(shù)))。
[0075]并且，如后所述，優(yōu)選相移膜20的材料在與透過調(diào)整膜30之間具有蝕刻選擇性。
[0076]優(yōu)選用于本發(fā)明的光掩模的透過調(diào)整膜30相對于上述代表波長的透過率為80%以下(B卩，O?80%)。這里，透過調(diào)整膜30也包含實際上不使光透過(光學(xué)濃度OD > 3，換句話說透過率小于0.1%)的膜。在本說明書中將這樣的實際上不使光透過的膜也稱為遮光膜。
[0077]另外，透過調(diào)整膜30也可以為使一部分光透過的膜。在該情況下(透過率為0.1%以上的情況下)，透過率為80%以下，優(yōu)選的范圍為10?80%，進(jìn)一步優(yōu)選為40?70%。
[0078]另外，在透過調(diào)整膜30的透過率為0.1 %以上的情況下，優(yōu)選透過調(diào)整膜30相對于上述代表波長的相移量為90?270度。若以弧度記述，則為
[0079](2n 十 I / 2) ?(2n 十 3 / 2) (η:整數(shù))
[0080]進(jìn)一步優(yōu)選透過調(diào)整膜30相對于上述代表波長的相移量為
[0081]120 ?240 度(若用弧度記述，則為(2n +2 / 3) ?(2n + 4 / 3) (η:整數(shù)))。
[0082]在本方式中，如上所述，邊緣區(qū)域14是相移膜20和透過調(diào)整膜30的層疊，由該層疊形成為相對于曝光光所包含的代表波長的透過率為50%以下。優(yōu)選上述層疊相對于代表波長的透過率為30?50%，進(jìn)一步優(yōu)選為35?45%。優(yōu)選上述層疊的相移量相對于上述代表波長為±90度以內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選在±60度以內(nèi)，更優(yōu)選在±45度的范圍。
[0083]如圖3 (a)所示的本發(fā)明的相移膜20以及透過調(diào)整膜30 (相移膜圖案21以及透過調(diào)整膜圖案31)分別以單層構(gòu)成，但任意一個或者雙方也可以由多層的層疊構(gòu)成。圖3(b)圖示本發(fā)明的光掩模所具有的各膜的功能。
[0084]圖3 (b)的< I >、< 2 >以及< 3 >表示使用具有圖3 (a)所示的轉(zhuǎn)印用圖案(例如線和空間圖案)的光掩模，利用曝光裝置進(jìn)行光照射時，被轉(zhuǎn)印體上的抗蝕劑膜40所受到的透過光的光強度分布成分。< I >是透過透光部11的圖案的光的強度分布。由于透過透光部11的圖案的光受衍射的影響而在與遮光部12對應(yīng)的部分也產(chǎn)生某種程度的繞入，所以如< I >的曲線所示，描繪具有某種擴寬的波型的分布。但若圖案變得細(xì)微，圖案的間距變小(例如遮光部12的圖案以及/或者透光部11的圖案的寬度為3μπι以下)，則接近圖2 Cd)所示的狀態(tài)，不能形成用于進(jìn)行線和空間圖案的蝕刻的抗蝕圖案。
[0085]因此，為了使與遮光部12相當(dāng)?shù)牟糠值墓鈴姸扔行У亟档?，在本方式中使用相移?0，形成中央?yún)^(qū)域16。圖3 (b)的< 3 >示出通過相移膜20的中央?yún)^(qū)域16的透過光的強度分布成分。由于該相移膜20具有規(guī)定的相移量，所以透過相移膜20的光與透過透光部11的曝光光中的因衍射繞至遮光部12的成分發(fā)生干涉而對其進(jìn)行抵消，使該部分的光強度降低。并且，由于相移膜20的透過光通過相移而與透過透光部11的曝光光發(fā)生干涉，從而對其進(jìn)行抵消，所以在圖3 (b)中，將< 3 >的光的強度圖示為負(fù)側(cè)的強度。
[0086]并且，在本發(fā)明的光掩模中，也可以代替相移膜20，在透明基板10的表面形成溝槽而起到相同的作用。在該情況下，能夠?qū)⑾喈?dāng)于圖3 (a)的遮光部12的區(qū)域的透明基板10從表面挖除與想要得到的相移量相應(yīng)的量的厚度。
[0087]上述的相移膜20等帶來的降低光強度的效果還是受衍射的影響而波及透光部11，所以存在透光部11的光強度分布的峰值下降的可能。因此，在本發(fā)明中，在邊緣區(qū)域14使從遮光部12繞至透光部11的反轉(zhuǎn)相位的光進(jìn)一步反轉(zhuǎn)，使與透光部11的透過光同相位的成分增加，提高透光部11的光強度峰值。因此，在本方式中，將透過調(diào)整膜30配置在遮光部12的邊緣附近。圖3 (b)的< 2 >示出透過調(diào)整膜30帶來的在邊緣區(qū)域14處的透過光的光強度分布成分。
[0088]進(jìn)行了如上所述那樣的光強度分布調(diào)整的結(jié)果，如圖3 (C)所示，針對二元掩模的透過光強度分布，能夠提高透光部11的光強度峰值，進(jìn)一步降低遮光部12的光強度谷值。由此，光強度分布曲線的對比度變高，形成在被轉(zhuǎn)印體上的抗蝕圖案形狀變得良好。即，由于抗蝕圖案的側(cè)面形狀被改善(傾斜角變大)，所以作為蝕刻掩模，有助于加工精度的提高。
[0089]并且，在上述的方式中，邊緣區(qū)域是相移膜20與透過調(diào)整膜30的層疊，但在采用其以外的構(gòu)成的情況下，作為邊緣區(qū)域的透過率與上述相同，也能夠?qū)⑾鄬τ谄毓夤獾拇聿ㄩL的透過率設(shè)為50%以下，優(yōu)選設(shè)為30-50%，進(jìn)一步優(yōu)選設(shè)為35-45%。優(yōu)選將該情況下的邊緣區(qū)域的相移量設(shè)為±90度以內(nèi)。
[0090]另外，在上述對相移膜20形成于透明基板而形成的中央?yún)^(qū)域進(jìn)行了說明，但在采用其以外的構(gòu)成的情況下，也能夠?qū)⑼高^率設(shè)為20%以上(進(jìn)一步優(yōu)選為20-80%，再進(jìn)一步優(yōu)選為30-70%，更優(yōu)選為40-70%)，將相移量設(shè)為180±60度，進(jìn)一步優(yōu)選為180±30 度。
[0091]接下來，以下參照圖7對本發(fā)明的光掩模的制造方法的例子進(jìn)行說明。
[0092](I)準(zhǔn)備相移膜20和透過調(diào)整膜30按照該順序形成在透明基板10上，并且形成有光抗蝕劑膜40的光掩 模還體。(圖7 (a))
[0093](2)使用描繪機，描繪邊緣區(qū)域14形成用圖案。
[0094](3)進(jìn)行顯影，使形成的抗蝕圖案41為掩模，對透過調(diào)整膜30進(jìn)行蝕刻。(圖7(b))
[0095](4)剝離抗蝕劑，再次在整個面上形成抗蝕劑膜40后，描繪遮光部12形成用圖案。(圖7 (c)以及⑷)
[0096](5)進(jìn)行顯影，使形成的抗蝕圖案51為掩模，對相移膜20進(jìn)行蝕刻。(圖7 Ce?
[0097](6)剝離抗蝕劑。(圖7 Cf))
[0098]并且，相移膜20以及透過調(diào)整膜30的蝕刻可以是干式蝕刻，也可以是濕式蝕刻。能夠使用已知的蝕刻劑。
[0099]作為相移膜20的材料，例如能夠列舉金屬硅化物化合物(TaxSiy、MoxSiy, WxSiy或者它們的氮化物、氮氧化物等)、Si化合物(Si02、S0G), Zr合金(ZrSixOy等)、ITO (氧化銦錫)、Zr02 (氧化錯)、Al2O3 (氧化招)、W03 (氧化鶴)以及TiO2 (氧化鈦)等。
[0100]作為透過調(diào)整膜30的材料，除了 Cr化合物(Cr的氧化物、氮化物、炭化物、氧化氮化物、氧化氮化炭化物等)、Si化合物(Si02、S0G)、Zr合金(ZrSixOy等)以及金屬娃化物化合物(TaxSiy、MoxSiy、WxSiy或者它們的氮化物、氮氧化物等)等之外，還能夠列舉作為上述相移膜20的材料列舉出的ITO (氧化銦錫)、ZrO2 (氧化鋯)、Al2O3 (氧化鋁)、W03 (氧化鎢)以及TiO2 (氧化鈦)等。但若相移膜20和透過調(diào)整膜30的材料相同，則彼此沒有蝕刻選擇性，所以優(yōu)選不同的材料。
[0101]作為兩膜組合的例子，若彼此具有蝕刻選擇性，則沒有特別限制。例如作為優(yōu)選的例子列舉出將ITO用于相移膜20，將Cr化合物用于透過調(diào)整膜30，或者將ZrO2用于相移膜20，將Cr化合物用于透過調(diào)整膜30等。
[0102]對本發(fā)明的光掩模的用途沒有特別限定。本發(fā)明的光掩模例如在平板顯示器的領(lǐng)域用于液晶顯示裝置(LCD:Liquid Crystal Display)的透明電極圖案等多種用途。這樣的用途的線和空間圖案的形成中，若線寬度為3μπι以下，則難度較高，所以本發(fā)明的效果顯著。
[0103]詳細(xì)而言，在轉(zhuǎn)印用圖案為線和空間圖案時，在間距P(轉(zhuǎn)印用圖案的線寬ML、空間寬度MS的合計)為6 μ m以下,進(jìn)一步優(yōu)選在5 μ m以下時發(fā)明效果顯著,此時,ML在2.8 μ m以下，進(jìn)一步優(yōu)選在2.5 μ m以下，更優(yōu)選在2 μ m以下時，發(fā)明效果更顯著。MS也在2.8 μ m以下，進(jìn)一步優(yōu)選在2.5 μ m以下，更優(yōu)選在2 μ m以下時，發(fā)明效果更顯著。并且，透光部的透過光量變小的ML > MS時，本發(fā)明的效果更顯著。
[0104]另外，在圖3 Ca)中，列舉了將線和空間圖案作為轉(zhuǎn)印用圖案的情況下的例子，但對本發(fā)明的光掩模的轉(zhuǎn)印用圖案的形狀也沒有限制。也可以將本發(fā)明的光掩模應(yīng)用于孔圖案。
[0105]本發(fā)明還包括使用了該光掩模的圖案轉(zhuǎn)印方法。使用了本發(fā)明的光掩模的圖案轉(zhuǎn)印方法不增加曝光裝置的照射光量，就能夠轉(zhuǎn)印細(xì)微的圖案。因此，帶來大幅節(jié)能、或者顯著縮短曝光時間、顯著提高生產(chǎn)效率的優(yōu)點。
[0106]在本發(fā)明的轉(zhuǎn)印方法中，能夠使用標(biāo)準(zhǔn)的LCD用曝光裝置。該情況下，例如能夠?qū)?shù)值孔徑NA設(shè)為0.06?0.10的范圍，將相干因子σ設(shè)為0.5?1.0的范圍。這樣的曝光裝置一般將3 μ m左右作為析像極限。作為曝光光源，優(yōu)選使用包含365?435nm (i線?g線)的光源。
[0107]當(dāng)然，也能夠在使用了更寬范圍的曝光裝置的轉(zhuǎn)印時應(yīng)用本發(fā)明。例如能夠?qū)A設(shè)為0.06?0.14的范圍、或者0.06?0.15的范圍。在NA超過0.08的高析像度的曝光裝置中也產(chǎn)生需求，也能夠應(yīng)用于這些曝光裝置。
[0108]這樣的曝光裝置作為光源包含i線、h線或者g線，能夠使用包含i線、h線或者g的全部的照射光(相對于單一光源是寬頻帶光源，所以以下也稱為寬頻帶光)。該情況下，如上所述，代表波長也可以是i線、h線以及g線的任意一個。
[0109]另外，本發(fā)明也包括使用了本發(fā)明的光掩模的平板顯示器的制造方法。例如使用本發(fā)明的光掩模進(jìn)行TFT的電極圖案形成，或者進(jìn)行TFT的接觸孔圖案的形成等，對其用途沒有限制。
[0110]并且，本發(fā)明包括能夠經(jīng)由圖案化形成上述光掩模的光掩模還體。該光掩模還體的特征在于，在透明基板10上層疊有相移膜20和透過調(diào)整膜30，其中，相移膜20相對于曝光上述光掩模時的曝光光所包含的代表波長的光具有20%以上的透過率以及大致180度的相移量，透過調(diào)整膜30相對于上述代表波長的光具有80%以下的透過率以及90?270度的相移量。
[0111]另外，作為本發(fā)明的光掩模坯體，也能夠優(yōu)選利用以下的光掩模坯體。即，該光掩模坯體的特征在于，在透明基板上具有層疊了相移膜和透過調(diào)整膜的層疊膜，上述相移膜相對于曝光上述光掩模時的曝光光所包含的代表波長的光具有20%以上的透過率以及90?270度的相移量,上述層疊膜相對于上述代表波長的光具有50%以下的透過率以及±90度以內(nèi)的相移量。
[0112]上述各膜的優(yōu)選方式如上所述。另外，能夠通過濺射法等已知的成膜法將這些膜形成在透明基板10上。
[0113]由以上所述可知，本發(fā)明的光掩模能夠消除細(xì)微圖案化所引起的透過光的光量不足，或者進(jìn)一步節(jié)減曝光所需要的照射光量，并且形成作為蝕刻掩模良好的形狀的抗蝕圖案。在以往圖案化困難的細(xì)微圖案中實現(xiàn)這樣的抗蝕圖案的意義較大。特別在以液晶顯示裝置為代表的平板顯示器的制造領(lǐng)域有利地使用本發(fā)明的光掩模。若使用本發(fā)明的光掩模，則即使在使用了以往的LCD用曝光裝置的情況下，不增加照射光量就能夠確保用于使被轉(zhuǎn)印體上的抗蝕劑膜感光的足夠的曝光光量，提高對比度，所以能夠以低成本進(jìn)行轉(zhuǎn)印圖案的細(xì)微化。
[0114]實施例
[0115]針對具有圖4所示的4個種類的轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模進(jìn)行了光強度分布曲線及基于該曲線的轉(zhuǎn)印體的抗蝕圖案形狀的光學(xué)模擬。作為模擬條件，考慮用于轉(zhuǎn)印的曝光裝置的光學(xué)條件，如下述那樣進(jìn)行設(shè)定。
[0116]間距4.0μm (1:1的線和空間圖案)
[0117]數(shù)值孔徑ΝΑ0.083
[0118]相干因子σ 0.8
[0119]各波長的強度比g:h:1 = 1:1:1
[0120]相移膜20的相移量180度
[0121]圖5示出通過利用圖4所示的4個種類的轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模進(jìn)行上述的光學(xué)模擬獲得的透過光的光強度分布曲線。圖5表示在利用曝光裝置對具有圖4所示的4個種類的轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模進(jìn)行了曝光的情況下，抗蝕劑膜40所受到的光強度分布。在圖4所示的各樣本中，是將代表波長設(shè)為h線的透過率以及相移量。
[0122]圖4所示的各樣本A、B、C以及D是將間距P = 4ym (線寬ML =空間寬度MS =2μπι)的線和空間圖案作為轉(zhuǎn)印用圖案的掩模。
[0123]樣本A (比較例，二元掩模)
[0124]形成了作為標(biāo)準(zhǔn)樣本的二元掩模(利用0D3以上的遮光膜形成了轉(zhuǎn)印用圖案(線和空間圖案))。設(shè)為間距Ρ = 4μm (線寬ML =空間寬度MS = 2μm)。
[0125]樣本B (參考例I)
[0126]通過將透過率4 %、相移量45度的半透光膜圖案化，來制作與上述樣本A相同的轉(zhuǎn)印用圖案。
[0127]樣本C (實施例)
[0128]通過將相移膜20圖案化來形成間距P = 4μm (線寬ML =空間寬度MS = 2 μ m)的線和空間圖案，并且沿該線圖案(遮光部12)的兩邊緣分別層疊了 0.5μπι寬度的透過調(diào)整膜30。因此，在中央有1 μ m寬度的僅有相移膜20的部分。將相移膜20的相移量設(shè)為180度，將透過率設(shè)為70%，透過調(diào)整膜30使用了相移量為180度，透過率57%的膜。
[0129]樣本D (參考例2)
[0130]通過將遮光膜圖案化，形成間距4μ-- (線寬ML = Ιμm，空間寬度MS = 3μm)的線和空間圖案，并且層疊同間距(線寬ML = 2μm，空間寬度MS = 2ym)的相移膜(透過率5%，相移量180度)的圖案而形成。僅2 μ m寬度的線圖案的中央部成為遮光膜圖案和相移膜圖案的層疊構(gòu)造。
[0131]參照圖5，相對于樣本A，樣本B的光強度整體提高。因此，可知能夠在某種程度上解決在上述圖1說明的光量不足的問題。然而，與樣本A的曲線相比，到達(dá)曲線的峰值的斜率幾乎相同，且對比度未提高。該情況下，在形成于被轉(zhuǎn)印體上的抗蝕圖案的側(cè)面形狀中幾乎沒有使傾斜角增大的方向上的改善。
[0132]在樣本D中，由于相移膜的作用使透過光量整體下降，抗蝕劑膜的光量不足與樣本A的二元掩模相比更嚴(yán)重。另外，曲線的傾斜也與樣本A的二元掩模幾乎相同，未得到對比度的改善。
[0133]與此相對,在樣本C(本發(fā)明的光掩模)中，峰值的光強度相對于樣本A提高,所以能夠消除到達(dá)抗蝕劑膜40的光的強度不足?；蛘叱酥庖材軌蚴蛊毓庋b置的照射光量減少。該情況下，由于曝光照射光量與掃描曝光所需要的時間相關(guān)，所以通過減少照射光量，能夠縮短曝光時間，即提高生產(chǎn)效率。另外，由圖5可知，光強度分布曲線的傾斜也變大，被轉(zhuǎn)印體上的抗蝕圖案的側(cè)面形狀得到改善。
[0134]這里，如圖6所示，所謂的傾斜角將被轉(zhuǎn)印體上的抗蝕圖案的側(cè)面形狀與被轉(zhuǎn)印體面垂直的情況作為90度(最大)來表現(xiàn)。在將被轉(zhuǎn)印體上的抗蝕圖案作為蝕刻掩模對被加工體進(jìn)行蝕刻時，傾斜角越大(接近90度)，曝光光量的偏差等工序的變動引起的線寬度變動越小。因此，傾斜角越大(接近90度)，越被評價為良好的狀態(tài)。
[0135]另外，本說明書中的光強度分布曲線，以及基于該曲線的抗蝕圖案形狀是通過光學(xué)模擬獲得的。作為模擬條件，是考慮用于轉(zhuǎn)印的曝光裝置的光學(xué)條件而設(shè)定的。
[0136]并且，可以將代表波長設(shè)為i線、h線以及g線的任意一個。在模擬中，也可以為了簡單化而將它們的強度比設(shè)為1:1:1，或者也可以設(shè)為考慮了實際的曝光裝置的強度比的比率。
[0137]由上述可知，本發(fā)明的光掩模將相移膜20對曝光光相位的反轉(zhuǎn)作用用于減少從透光部11透過并繞入的衍射光帶來的光強度。在與遮光部12對應(yīng)的被轉(zhuǎn)印體上的位置，且在本來應(yīng)該被遮擋的地方存在來自透光部11的衍射光的繞入，所以光的干涉引起的抵消作用有效地發(fā)揮作用。另一方面，在遮光部12的邊緣附近(邊緣區(qū)域14)沒有實質(zhì)性發(fā)現(xiàn)相移膜20的作用。這是因為透過調(diào)整膜30使該部分的相移作用降低(未反轉(zhuǎn))。
[0138]已知的所謂相移掩模在圖案邊緣使相位反轉(zhuǎn)，提高透過光的對比度，但本發(fā)明在圖案邊緣使相位反轉(zhuǎn)作用降低這一點上有反差。
[0139]據(jù)本
【發(fā)明者】們研究，由于存在該邊緣區(qū)域14，盡管在與遮光部12對應(yīng)的區(qū)域使光強度有效地降低，但不使與透光部11對應(yīng)的區(qū)域的光強度峰值降低。不如說由于存在該邊緣區(qū)域14，能夠提高與透光部11對應(yīng)的區(qū)域的光強度峰值。在該意義上來講，邊緣區(qū)域14也作為輔助透光部11的光的透過的透過輔助圖案發(fā)揮作用。
[0140]并且，本發(fā)明除了上述的相移膜、透過輔助膜之外，只要不妨礙本發(fā)明的作用，不排除同時采用其他膜以及/或者基板構(gòu)造。
【權(quán)利要求】
1.一種光掩模，是在透明基板上形成了包括至少對曝光光的一部分進(jìn)行遮擋的遮光部、和所述透明基板露出的透光部的轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模，其特征在于， 所述遮光部具有以規(guī)定寬度沿所述遮光部的外周形成的邊緣區(qū)域、和在所述遮光部中形成于所述邊緣區(qū)域以外的部分的中央?yún)^(qū)域， 所述中央?yún)^(qū)域形成為相對于透過所述透光部的所述曝光光所包含的代表波長的光具有大致180度的相移量， 所述邊緣區(qū)域形成為與所述中央?yún)^(qū)域相比，相對于所述代表波長的光的相移量較小，并且在所述邊緣區(qū)域形成有相對于所述代表波長的光具有50%以下的透過率的光學(xué)膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模，其特征在于， 在所述中央?yún)^(qū)域也形成有光學(xué)膜，所述中央?yún)^(qū)域的光學(xué)膜是相對于所述代表波長的光具有大致180度的相移量的相移膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模，其特征在于， 所述邊緣區(qū)域的光學(xué)膜是層疊了相對于所述代表波長的光具有大致180度的相移量的相移膜、和相對于所述代表波長的光具有80%以下的透過率的透過調(diào)整膜而成的光學(xué)膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光掩模，其特征在于， 所述透過調(diào)整膜相對于所述代表波長的光的透過率為0.1 %以上，并且相對于所述代表波長的光具有90-270度的相移量。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述 的光掩模,其特征在于， 所述透過調(diào)整膜相對于所述代表波長的光的透過率小于0.1 %。
6.根據(jù)權(quán)利要求2-4中任意一項所述的光掩模,其特征在于， 所述相移膜相對于所述代表波長的光的透過率為20%以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任意一項所述的光掩模,其特征在于， 所述遮光部或者所述透光部的寬度為3 μ m以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任意一項所述的光掩模,其特征在于， 所述轉(zhuǎn)印用圖案是線和空間圖案。
9.一種圖案轉(zhuǎn)印方法，其特征在于， 使用權(quán)利要求1-5中任意一項所述的光掩模，使用曝光裝置將所述轉(zhuǎn)印用圖案轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上。
10.一種平板顯示器的制造方法，其特征在于， 使用權(quán)利要求9所述的轉(zhuǎn)印方法。
11.一種光掩模坯體，是用于形成制造平板顯示器所使用的光掩模的光掩模坯體，其特征在于， 在透明基板上層疊有相對于曝光所述光掩模時的曝光光所包含的代表波長的光具有20%以上的透過率以及大致180度的相移量的相移膜、以及相對于所述代表波長的光具有80%以下的透過率以及90-270度的相移量的透過調(diào)整膜。
12.一種光掩模坯體，是用于形成制造平板顯示器所使用的光掩模的光掩模坯體，其特征在于， 在透明基板上具有層疊了相移膜和透過調(diào)整膜而成的層疊膜，所述相移膜相對于曝光所述光掩模時的曝光光所包含的代表波長的光具有20%以上的透過率以及90-270度的相移量， 所述層疊膜相對于所述代表波長的光具有50%以下的透過率以及±90度以內(nèi)的相移量 。
【文檔編號】G03F1/28GK103454851SQ201310208301
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2013年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月1日
【發(fā)明者】今敷修久 申請人:Hoya株式會社