像素電極的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種像素電極的制造方法，包括以下步驟：提供基板，并在該基板上形成柵極、源極、漏極和鈍化層，鈍化層上形成有接觸孔以將漏極從接觸孔中裸露出來(lái)；涂覆納米金屬材料以形成導(dǎo)電層覆蓋鈍化層以及從接觸孔中露出的漏極；以及圖案化導(dǎo)電層形成像素電極。
【專利說(shuō)明】像素電極的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種液晶顯示器的制造方法，尤其涉及一種像素電極的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 在現(xiàn)代信息社會(huì)中，作為信息傳輸媒體的顯示器得到重視。研發(fā)顯示器的關(guān)鍵在 于對(duì)能耗低、外形薄、重量輕以及圖像質(zhì)量高的需求。作為平板顯示器中的主流器件的液晶 顯示器，是根據(jù)圖像信息通過(guò)向排列為矩陣形狀的多個(gè)像素單元分別提供數(shù)據(jù)信號(hào)，并且 控制多個(gè)像素單元的透光率來(lái)顯示所需圖像。
[0003] 為了提高液晶顯示器的分辨率，通常需要縮小每一像素單元以在固定面積的液晶 顯示面板區(qū)域內(nèi)裝設(shè)更多的像素單元，而同時(shí)需要增大每一像素單元的開(kāi)口率，以增加亮 度，以避免使背光板的殼度過(guò)_而提_能耗。
[0004] 每一像素單元中通常選擇性的蝕刻出接觸孔，以將像素單元的柵極或漏極裸露出 來(lái)，然后再在接觸孔中沉積透明導(dǎo)電層以形成像素電極以使柵極或漏極通過(guò)透明導(dǎo)電膜與 像素單元中的線路電性連接。若在縮小每個(gè)像素單元的情況下保證其開(kāi)口率，則必須縮小 接觸孔的尺寸。接觸孔通常采用蝕刻的方式形成，較小的接觸孔容易因蝕刻液的配比控制、 掩膜不對(duì)準(zhǔn)等多種原因而導(dǎo)致蝕刻出的接觸孔的橫截面出現(xiàn)倒角或不平，從而使后續(xù)沉積 透明導(dǎo)電層的表面不平整、不連續(xù)或有倒角。而現(xiàn)有的透明導(dǎo)電層通常采用薄膜材料利用 物料氣相沉積（PvD)，其成膜機(jī)制容易受限于沉積表面的情況，因此當(dāng)接觸孔的橫截面 具有倒角或出現(xiàn)不平時(shí)容易影響透明導(dǎo)電層的沉積，產(chǎn)生斷面或不連續(xù)的薄膜，進(jìn)而形成 不良的像素電極，使該像素單元無(wú)法正常工作、降低液晶面板的品質(zhì)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 有鑒于此，有必要提供一種高品質(zhì)液晶面板的像素電極的制造方法。
[0006] 一種像素電極的制造方法，包括以下步驟： 步驟一：提供基板，并在該基板上形成柵極、源極、漏極和鈍化層，鈍化層上形成有接觸 孔以將漏極從接觸孔中裸露出來(lái)； 步驟二：涂覆納米金屬材料以形成導(dǎo)電層覆蓋鈍化層以及從接觸孔中露出的漏極；以 及 步驟三：圖案化導(dǎo)電層形成像素電極。
[0007] 本發(fā)明采用納米金屬材料作為導(dǎo)電層，當(dāng)該導(dǎo)電層涂覆于經(jīng)圖案化的鈍化層的表 面時(shí)，由于該種納米材料具有較好的可繞性，使其涂覆在不平整或有倒角的表面時(shí)仍然能 夠連續(xù)的涂覆形成一個(gè)完整的表面，以防止導(dǎo)電層在接觸孔處發(fā)生斷裂、最終形成具有斷 面或不連續(xù)的薄膜，進(jìn)而防止該像素單元無(wú)法正常工作、降低液晶面板的品質(zhì)的情況發(fā)生。
[0008] 下面參照附圖，結(jié)合【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009] 圖1為本發(fā)明實(shí)施方式的像素電極的制造方法的流程圖。
[0010] 圖2-圖4為本發(fā)明實(shí)施方式的像素電極的制作過(guò)程中的剖面示意圖。
[0011] 圖5為本發(fā)明實(shí)施方式采用納米粒子或納米線作為導(dǎo)電層與現(xiàn)有技術(shù)中采用IT0 作為導(dǎo)電層的透射率的曲線圖。
[0012] 主要元件符號(hào)說(shuō)明

【權(quán)利要求】
1. 一種像素電極的制造方法，包括以下步驟： 步驟一：提供基板，并在該基板上形成柵極、源極、漏極和鈍化層，鈍化層上形成有接觸 孔以將漏極從接觸孔中裸露出來(lái)； 步驟二：涂覆納米金屬材料以形成導(dǎo)電層覆蓋鈍化層以及從接觸孔中露出的漏極；以 及 步驟三：圖案化導(dǎo)電層形成像素電極。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素電極的制造方法，其特征在于：所述納米金屬材料為納米 銀或納米銅的納米粒子或納米線。
3. 如權(quán)利要求2所述的像素電極的制造方法，其特征在于：所述納米粒子或納米線的 納米等級(jí)為1至50納米。
4. 如權(quán)利要求1所述的像素電極的制造方法，其特征在于：步驟三提供一掩膜和一光 致抗蝕劑層，該掩膜覆蓋在該導(dǎo)電層上方，并使部分導(dǎo)電層暴露在外，對(duì)該導(dǎo)電層進(jìn)行蝕 亥IJ，以暴露出部分光致抗蝕劑層；光刻部分掩膜，以使部分導(dǎo)電層暴露在外；對(duì)暴露在外的 導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻；以及去除該掩膜。
5. 如權(quán)利要求1所述的像素電極的制造方法，其特征在于：步驟三后還包括： 步驟四：對(duì)像素電極進(jìn)行表面處理； 步驟五：形成一覆蓋膜于像素電極上；以及 步驟六：烘烤。
6. 如權(quán)利要求5所述的像素電極的制造方法，其特征在于：所述覆蓋膜采用有機(jī)膜全 面涂覆于像素電極以及鈍化層上。
7. 如權(quán)利要求5所述的像素電極的制造方法，其特征在于：步驟六中烘烤所需要的時(shí) 間不低于一小時(shí)，其所需的溫度不低于180攝氏度。
【文檔編號(hào)】G03F7/20GK104238204SQ201310225528
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2013年6月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月7日
【發(fā)明者】高逸群 申請(qǐng)人:業(yè)鑫科技顧問(wèn)股份有限公司, 新光電科技有限公司