電泳顯示面板及其顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電泳顯示面板及其顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)，顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)包括：基板、第一介電層、第一導(dǎo)電圖案及以及電泳顯示薄膜。第一介電層配置于基板上；第一導(dǎo)電圖案配置于第一介電層上，且第一導(dǎo)電圖案包括第一金屬層及第一透明導(dǎo)電層，第一金屬層位于第一透明導(dǎo)電層與第一介電層之間；電泳顯示薄膜，配置于第一透明導(dǎo)電層的遠離第一介電層的一側(cè)。本發(fā)明藉由（多層）金屬層可降低顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)的線路阻抗，避免電泳顯示面板邊界結(jié)構(gòu)顯示異常。
【專利說明】電泳顯示面板及其顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示面板及其顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種電泳顯示面板及其顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]目前的電泳顯示面板為了避免顯示區(qū)周邊的像素被其外殼邊條覆蓋到，一般會在顯示區(qū)四周各保留一長條形的邊界區(qū)域，并分別設(shè)置對應(yīng)的長條形邊界電極。于操作時，電泳顯示面板可通過對所述的長條形邊界電極施加一電壓而控制所述邊界區(qū)域的顯示顏色。通常所述邊界區(qū)域的顯示顏色會被設(shè)定為近似電子紙顯示器外殼的顏色，例如黑色，以便使所述邊界區(qū)域成為顯示區(qū)與外殼邊條間的緩沖區(qū)，以吸收外殼邊條的寬度誤差，而此邊界區(qū)域的寬度落在600?1000 μ m不等。
[0003]請參見圖1和圖2，圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中電泳顯示面板的部分結(jié)構(gòu)的示意圖，圖2所示為沿圖1中AA’線的剖面示意圖。電泳顯示面板I由前至后依次包括覆蓋層2、電泳顯示薄膜3、黏著層4以及薄膜電晶體陣列基板5，其中黏著層4用以結(jié)合薄膜電晶體陣列基板5與電泳顯示薄膜3，覆蓋層2由透明材質(zhì)構(gòu)成，可防止水或灰塵入侵電泳顯示面板I以對其實施保護。且電泳顯示面板I從整體上可分為顯示區(qū)結(jié)構(gòu)6以及顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)7，如上所述顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)7位于顯示區(qū)結(jié)構(gòu)6的周邊，如圖2所示，顯示區(qū)結(jié)構(gòu)6由上至下依次包括覆蓋層2、電泳顯示薄膜3、黏著層4、配置于基板10上的像素陣列(包括主動元件
9、存儲電容Cs等)以及基板10，顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)7由上至下依次包括保護層2、電泳顯示薄膜3、黏著層4、配置于基板10上的圖案結(jié)構(gòu)以及基板10，其中圖案結(jié)構(gòu)包括有配置于基板10上的介電層11、保護層12以及配置于介電層12上的透明導(dǎo)電層13。
[0004]于操作時，電泳顯示面板I通過分別施加對應(yīng)的電壓至像素陣列的像素電極16及顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)7的透明導(dǎo)電層13，以使電泳顯示薄膜3因其電泳顯示層受到電場作用而顯示一帶有邊框的畫面。
[0005]然而，請繼續(xù)參見圖2，現(xiàn)有技術(shù)中，顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)7是利用單層的透明導(dǎo)電層(即ITO層)13作為傳導(dǎo)層，由于透明導(dǎo)電層13厚度較薄，阻抗也較一般的金屬層大許多(透明導(dǎo)電層厚度為700埃時，阻抗Rs約為ΗΟΩ/sq (歐姆/平方米)，而金屬厚度為700埃時，阻抗Rs —般則在0.1?0.2 Ω /sq之間)，所以常造成信號無法有效傳入，造成顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)7無法有效運作，亦即無法顯示黑框。而且在透明導(dǎo)電層13下的各層堆積如有異常(例如錐斜度(taper)過大或底切(under cut)現(xiàn)象)，亦可能會造成透明導(dǎo)電層在爬過異常的坡地時，容易發(fā)生過薄的現(xiàn)象，造成阻抗變大，使得信號更難有效傳入。然而單純增加ITO層厚度來降低阻抗的效果可能有限，例如ITO層厚度為700埃時，阻抗為140 Ω /sq ；ITO層厚度為1000埃時，阻抗為120Q/Sq。
[0006]因而現(xiàn)有的電泳顯示面板的薄膜電晶體陣列基板上的線路設(shè)計尚有改善的空間。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]因此，本發(fā)明的目的之一在于提供一種電泳顯示面板及其顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)，藉由(多層)金屬層來降低顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)的線路阻抗，避免電泳顯示面板邊界結(jié)構(gòu)顯示異常。
[0008]為達上述目的，本發(fā)明提供一種電泳顯示面板的顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)，包括:基板；第一介電層，配置于該基板上；第一導(dǎo)電圖案，配置于該第一介電層上，且該第一導(dǎo)電圖案包括第一金屬層以及第一透明導(dǎo)電層，該第一金屬層位于該第一透明導(dǎo)電層與該第一介電層之間；以及電泳顯示薄膜，配置于該第一透明導(dǎo)電層的遠離該第一介電層的一側(cè)。
[0009]作為可選的技術(shù)方案，該顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)還包括第二導(dǎo)電圖案，該第二導(dǎo)電圖案配置于該基板上，該第一介電層覆蓋該第二導(dǎo)電圖案，且該第一介電層具有第一接觸窗以將該第二導(dǎo)電圖案的部分區(qū)域暴露，該第一金屬層透過該第一接觸窗與該第二導(dǎo)電圖案電性連接。
[0010]作為可選的技術(shù)方案，該第二導(dǎo)電圖案的材質(zhì)為金屬或合金。
[0011]作為可選的技術(shù)方案，該電泳顯示薄膜包括:導(dǎo)電層；第一絕緣層，配置于該導(dǎo)電層上，其中該第一絕緣層具有呈陣列排列的多個微杯或微膠囊，而該第一絕緣層位于該導(dǎo)電層與該基板之間；以及多個電泳顯示介質(zhì)，配置于該第一絕緣層的該多個微杯或微膠囊內(nèi)。
[0012]作為可選的技術(shù)方案，該第一介電層包括:保護層，配置于該基板上；以及平坦層，配置于該保護層上，該第一導(dǎo)電圖案配置于該平坦層上。
[0013]作為可選的技術(shù)方案，該第一金屬層為單一金屬或合金形成的單層金屬層；或者為多種金屬或合金形成的多層金屬層。
[0014]本發(fā)明還提供一種電泳顯示面板，該電泳顯示面板包括:顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)，該顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)為如上所述的電泳顯示面板的顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)；以及顯示區(qū)結(jié)構(gòu)。該顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)位于該顯示區(qū)結(jié)構(gòu)的周邊，該顯示區(qū)結(jié)構(gòu)包括:該基板；像素陣列，配置于該基板上，該像素陣列包括多個像素單元；以及該電泳顯示薄膜，配置于該像素陣列的上方。
[0015]作為可選的技術(shù)方案，每一像素單元包括:主動元件；第二介電層，覆蓋該主動元件；以及像素電極，位于該第二介電層上，其中該像素電極與該主動元件電性連接。
[0016]作為可選的技術(shù)方案，該像素電極包括第三導(dǎo)電圖案以及第二透明導(dǎo)電層。
[0017]作為可選的技術(shù)方案，該第一導(dǎo)電圖案與該像素電極由相同的導(dǎo)電膜層圖案化形成。
[0018]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的電泳顯示面板及其顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)，于顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)中形成金屬層，由于計金屬層的阻抗很小，因而也不會因為金屬層底下層別堆疊異常造成線路阻抗過大，從而可有效降低顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)整體線路阻抗，避免電泳顯示面板的顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)顯示異常，而且本發(fā)明的線路改進不需要特殊制程，其可以于形成像素陣列的制程中一同形成，具有量產(chǎn)性。
[0019]關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點與精神可以藉由以下的發(fā)明詳述及所附圖式得到進一步的了解。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中電泳顯示面板的部分結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0021]圖2所示為沿圖1中AA二線的剖面示意圖；
[0022]圖3所示為根據(jù)本發(fā)明的電泳顯示面板的第一實施方式的剖面示意圖；
[0023]圖4所示為根據(jù)本發(fā)明的電泳顯示面板的第二實施方式的剖面示意圖。

【具體實施方式】
[0024]本發(fā)明提供一種電泳顯示面板及其顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)，其中電泳顯示面板從整體上可分為顯示區(qū)結(jié)構(gòu)以及顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)，顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)位于顯示區(qū)結(jié)構(gòu)的周邊，為方便理解，【具體實施方式】中將直接針對電泳顯示面板進行說明。請參見圖3，圖3所示為根據(jù)本發(fā)明的電泳顯示面板的第一實施方式的剖面示意圖。電泳顯示面板20包括顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)37以及顯示區(qū)結(jié)構(gòu)36。顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)37包括基板24、第一介電層、第一導(dǎo)電圖案51以及電泳顯示薄膜33。
[0025]其中，于電泳顯示面板20中，基板24可以為硬質(zhì)基板或是可撓性基板。在一實施例中，基板例如為玻璃基板、石英基板或其它材質(zhì)的硬質(zhì)基板。在其它實施例中，基板例如為塑料基板或其它材質(zhì)的可撓性基板。
[0026]第一介電層配置于基板24上。其中，于本實施方式中，第一介電層包括保護層55以及平坦層56，保護層55配置于基板24上，平坦層56配置于保護層55上，第一導(dǎo)電圖案51配置于平坦層22上。而保護層55的材質(zhì)例如是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等介電材料。平坦層56可為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，且其材質(zhì)例如是無機材料、有機材料或上述材料的組合。第一導(dǎo)電圖案51配置于第一介電層上，且第一導(dǎo)電圖案51包括第一金屬層32以及第一透明導(dǎo)電層31,第一金屬層32位于第一透明導(dǎo)電層31與第一介電層之間。電泳顯示薄膜33配置于第一透明導(dǎo)電層31的遠離第一介電層的一側(cè)。其中，第一金屬層32可為單一金屬或合金形成的單層金屬層；或者為多種金屬或合金形成的多層金屬層，具體的，單層金屬層例如為鈦層、鑰層、合金層或鋁層，多層金屬層例如為鑰/鋁/鑰多層金屬層或鈦/鋁/鈦多層金屬層。而第一透明導(dǎo)電層31的材質(zhì)可以為如銦錫氧化物(indium tinoxide, ITO)、銦鋒氧化物(indium zinc oxide, IZO)、氧化招鋒(Al doped ΖηΟ,ΑΖΟ)、銦嫁鋒氧化物(Indium-Gallium-Zinc Oxide, IGZ0)、慘嫁氧化鋒(Ga doped zinc oxide, GZ0)、鋅錫氧化物(zinc-tin oxide, ZT0)、氧化銦(In2O3)、氧化鋅(ZnO)或二氧化錫(SnO2)等。
[0027]電泳顯示薄膜33包括導(dǎo)電層34、第一絕緣層35以及多個電泳顯示介質(zhì)。第一絕緣層35配置于導(dǎo)電層34上，其中第一絕緣層35具有呈陣列排列的多個微杯或微膠囊38，而第一絕緣層35位于導(dǎo)電層34與基板24之間。其中導(dǎo)電層34的材質(zhì)例如是透明導(dǎo)電材料，如銦錫氧化物(indium tin oxide, ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide, IZO)、氧化招鋒(Al doped ZnO, ΑΖ0)、銦嫁鋒氧化物(Indium-Gallium-Zinc Oxide, IGZ0)、慘嫁氧化鋒(Ga doped zinc oxide, GZ0)、鋒錫氧化物(zinc-tin oxide, ZT0)、氧化銦(In2O3)、氧化鋅(ZnO)或二氧化錫(SnO2)等。多個電泳顯示介質(zhì)配置于第一絕緣層35的多個微杯或微膠囊內(nèi)。其中本實施方式中是以電泳顯示介質(zhì)配置于微膠囊38舉例進行說明，各電泳顯示介質(zhì)包括帶正電的白粒子與帶負電的黑粒子，通過外加電場的變化使得帶正電的白粒子與帶負電的黑粒子在微膠囊里相對移動與排列來以達到需要的顯示效果。另一實施方式中，因可是電泳顯示介質(zhì)包括電泳液與多個帶電荷粒子，但并不限于此。帶電荷粒子分散于電泳液中，并且可隨外加電場的變化而相對地移動與排列。電泳液可以為透明或帶顏色的電泳液，如黑色電泳液或白色電泳液，而帶電荷粒子也可以為帶電荷的色素粒子，比方說白色帶電荷粒子、黑色帶電荷粒子或其他顏色帶電荷粒子。
[0028]此外，本發(fā)明的電泳顯示面板20還包括覆蓋層39，覆蓋層39配置于導(dǎo)電層34上，覆蓋層39由透明材質(zhì)構(gòu)成，可防止水或灰塵入侵電泳顯示面板20以對其實施保護。
[0029]請繼續(xù)參見圖3，顯示區(qū)結(jié)構(gòu)36包括基板24、像素陣列以及電泳顯示薄膜33，像素陣列配置于基板24上,像素陣列例如為薄膜電晶體陣列(Thin Film Transistor Array),但不以此為限，像素陣列包括多個像素單元26，電泳顯示薄膜33配置于像素陣列的上方。每一像素單元26包括主動元件29、第二介電層以及像素電極21。第二介電層覆蓋主動元件29，像素電極21位于第二介電層上，其中像素電極21與主動元件29電性連接。于本實施方式中，第二介電層例如包括保護層23以及平坦層22，保護層23配置于基板24上，平坦層22配置于保護層23上，且平坦層22覆蓋主動元件29，位于主動元件29上，并用以保護主動元件29。而保護層23的材質(zhì)例如是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等介電材料。平坦層22可為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，且其材質(zhì)例如是無機材料、有機材料或上述材料的組合。
[0030]而像素電極21可為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，且其材料例如是透明材料(如銦錫氧化物(indium tin oxide, ITO)、銦鋒氧化物(indium zinc oxide, IZ0)、氧化招鋅(Al dopedZnO, AZ0)、銦嫁鋒氧化物(Indium-GalIium-Zinc Oxide, IGZ0)、慘嫁氧化鋒(Ga dopedzinc oxide, GZ0)、鋅錫氧化物(zinc-tin oxide, ΖΤ0)、氧化銦(In2O3)、氧化鋅(ZnO)或二氧化錫(SnO2))、非透明材料(如金、銀、銅、鋁、鑰、鈦、鉭、其它合適的材料、上述材料的合金、上述材料的氮化物、上述材料的氧化物、上述材料的氮氧化物或上述材料的組合)，或上述透明材料及非透明材料的組合。具體的，本實施方式中，像素電極21包括第三導(dǎo)電圖案32’以及第二透明導(dǎo)電層31’，而為了制程方便，像素電極21可以與顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)37中的第一導(dǎo)電圖案51具有相同的構(gòu)成.例如第一導(dǎo)電圖案51與像素電極21由相同的導(dǎo)電膜層圖案化形成，亦即第三導(dǎo)電圖案32’與第一金屬層32采用相同導(dǎo)電膜圖案化形成，第二透明導(dǎo)電層31’與第一透明導(dǎo)電層31采用相同導(dǎo)電膜圖案化形成。當(dāng)然，另一實施方式中，像素電極21也可只包括有第二透明導(dǎo)電層31’，而第二透明導(dǎo)電層31’與第一透明導(dǎo)電層31采用相同導(dǎo)電膜圖案化形成。
[0031]主動元件29例如為薄膜電晶體(TFT)，其包括柵極電極41、源極電極42、漏極電極43、半導(dǎo)體層44以及介電層45，并且柵極電極41、介電層45、半導(dǎo)體層44、源極電極42與漏極電極43依序堆疊于基板24上。其中，柵極電極41以及源極電極42于像素陣列中，分別與掃描線(未繪示)以及數(shù)據(jù)線(未繪示)電性連接，像素電極21通過保護層23以及平坦層22的接觸窗口與漏極電極43電性連接。
[0032]此外，每一像素單元26可包含儲存電容Cs，由漏極電極47、介電層45與共用電壓電極46構(gòu)成。共用電壓電極46與共用電壓源(未示出)電性連接以提供共用電壓，像素電極21通過接觸窗口 Wl與主動元件29電性連接，通過接觸窗口 W2與儲存電容Cs電性連接。儲存電容Cs主要為儲存并維持像素單元26的像素電壓。
[0033]同樣的，于顯不區(qū)結(jié)構(gòu)36中，電泳顯不薄膜33亦包括有導(dǎo)電層34、第一絕緣層35以及多個電泳顯示介質(zhì)。第一絕緣層35配置于導(dǎo)電層34上，其中第一絕緣層35具有呈陣列排列的多個微杯或微膠囊38，而第一絕緣層35位于導(dǎo)電層34與基板24之間。其中導(dǎo)電層34的材質(zhì)例如是透明導(dǎo)電材料，如銦錫氧化物(indium tin oxide, ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide, IZO)、氧化招鋅(Al doped ZnO, ΑΖ0)、銦鎵鋅氧化物(Indium-Gal I ium-Zinc Oxide, IGZO)、慘嫁氧化鋒(Ga doped zinc oxide, GZO)、鋒錫氧化物(zinc-tin oxide, ZTO)、氧化銦(In2O3)、氧化鋅(ZnO)或二氧化錫(SnO2)等。由于電泳顯示介質(zhì)中的帶電荷粒子可經(jīng)由調(diào)整外加電場來控制其移動，因此除了配置于第一絕緣層35下方的像素陣列提供的像素電壓外，第一絕緣層35上方的導(dǎo)電層34也用于提供共用電壓。通過每一像素電壓與共用電壓的差異，包括有電泳顯示介質(zhì)的第一絕緣層35可以被區(qū)分為多個像素區(qū)塊來調(diào)整，以達到需要的顯示效果。
[0034]此外，本實施方式中，電泳顯示面板20還包括黏著層25，其配置于像素陣列與電泳顯示薄膜33之間，用以接合像素陣列與電泳顯示薄膜33。黏著層25的材質(zhì)例如是聚丙烯酸酯。具體的本實施方式中，黏著層25例如是黏著于第二透明導(dǎo)電層31’與電泳顯示薄膜33之間。
[0035]請參見圖4，圖4所示為根據(jù)本發(fā)明的電泳顯示面板的第二實施方式的剖面示意圖。本實施方式中的電泳顯示面板與第一實施方式中的電泳顯示面板2相似，不同之處在于，本實施方式中的電泳顯示面板20’的顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)37’還包括第二導(dǎo)電圖案60，第二導(dǎo)電圖案60配置于基板24上,第一介電層覆蓋第二導(dǎo)電圖案60,且第一介電層具有第一接觸窗W3以將第二導(dǎo)電圖案60的部分區(qū)域暴露,第一金屬層32透過第一接觸窗W3與第二導(dǎo)電圖案60電性連接。其中，第二導(dǎo)電圖案60的材質(zhì)例如是金屬或合金。
[0036]且為制程上的方便，第二導(dǎo)電圖案60與主動元件29的柵極電極41例如是由相同的導(dǎo)電膜層圖案化而成。
[0037]此外，為了證明本發(fā)明上述實施例的電泳顯示面板確實具有降低顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)阻抗的能力，發(fā)明人亦針對第一實施例中的電泳顯示面板20進行了測試，測試條件:RA50°C及相對濕度30%，第一金屬層為Mo/Al/Mo多層金屬層，厚度為100(埃)/900(埃)/300(埃)。試驗結(jié)果證明超過240消失無異常發(fā)生。新增加的金屬層的阻抗Rs約在0.28 Ω/sq左右，其不會因為第一金屬層底下層別堆棧異常造成阻抗過大。
[0038]綜上所述，本發(fā)明的電泳顯示面板及其顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)，于顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)中形成金屬層，由于金屬層的阻抗很小，因而也不會因為金屬層底下層別堆疊異常造成線路阻抗過大，從而可有效降低顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)整體線路阻抗，避免電泳顯示面板的顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)顯示異常，而且本發(fā)明的線路改進不需要特殊制程，其可以于形成像素陣列的制程中一同形成，具有量產(chǎn)性。
[0039]藉由以上較佳具體實施例的詳述，是希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征與精神，而并非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發(fā)明的保護范圍加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本發(fā)明所欲申請的權(quán)利要求的保護范圍內(nèi)。因此，本發(fā)明所申請的權(quán)利要求的保護范圍應(yīng)該根據(jù)上述的說明作最寬廣的解釋，以致使其涵蓋所有可能的改變以及具相等性的安排。
【權(quán)利要求】
1.一種電泳顯示面板的顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)，其特征在于包括: 基板； 第一介電層，配置于該基板上； 第一導(dǎo)電圖案，配置于該第一介電層上，且該第一導(dǎo)電圖案包括: 第一金屬層；以及 第一透明導(dǎo)電層，該第一金屬層位于該第一透明導(dǎo)電層與該第一介電層之間；以及 電泳顯示薄膜，配置于該第一透明導(dǎo)電層的遠離該第一介電層的一側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的電泳顯示面板的顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)，其特征在于，該顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)還包括第二導(dǎo)電圖案，該第二導(dǎo)電圖案配置于該基板上，該第一介電層覆蓋該第二導(dǎo)電圖案，且該第一介電層具有第一接觸窗以將該第二導(dǎo)電圖案的部分區(qū)域暴露，該第一金屬層透過該第一接觸窗與該第二導(dǎo)電圖案電性連接。
3.如權(quán)利要求2所述的電泳顯示面板的顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二導(dǎo)電圖案的材質(zhì)為金屬或合金。
4.如權(quán)利要求1所述的電泳顯示面板的顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電泳顯示薄膜包括: 導(dǎo)電層； 第一絕緣層，配置于該導(dǎo)電層上，其中該第一絕緣層具有呈陣列排列的多個微杯或微膠囊，而該第一絕緣層位于該導(dǎo)電層與該基板之間；以及 多個電泳顯示介質(zhì)，配置于該第一絕緣層的該多個微杯或微膠囊內(nèi)。
5.如權(quán)利要求1所述的電泳顯示面板的顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一介電層包括: 保護層，配置于該基板上；以及 平坦層，配置于該保護層上，該第一導(dǎo)電圖案配置于該平坦層上。
6.如權(quán)利要求1所述的電泳顯示面板的顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一金屬層為單一金屬或合金形成的單層金屬層；或者為多種金屬或合金形成的多層金屬層。
7.一種電泳顯示面板，其特征在于該電泳顯示面板包括: 顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)，該顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)為如權(quán)利要求1-6中任意一項所述的電泳顯示面板的顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)；以及 顯示區(qū)結(jié)構(gòu)，該顯示區(qū)邊界結(jié)構(gòu)位于該顯示區(qū)結(jié)構(gòu)的周邊，該顯示區(qū)結(jié)構(gòu)包括: 該基板； 像素陣列，配置于該基板上，該像素陣列包括多個像素單元；以及 該電泳顯示薄膜，配置于該像素陣列的上方。
8.如權(quán)利要求7所述的電泳顯示面板，其特征在于，每一像素單元包括: 主動元件； 第二介電層，覆蓋該主動元件；以及 像素電極，位于該第二介電層上，其中該像素電極與該主動元件電性連接。
9.如權(quán)利要求8所述的電泳顯示面板，其特征在于，該像素電極包括第三導(dǎo)電圖案以及第二透明導(dǎo)電層。
10.如權(quán)利要求9所述的電泳顯示面板，其特征在于該第一導(dǎo)電圖案與該像素電極由相同的導(dǎo)電膜層圖案化形成。
【文檔編號】G02F1/167GK104252080SQ201310256928
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2013年6月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月25日
【發(fā)明者】周政盈, 曾圣嘉, 劉建成, 徐嘉誠 申請人:友達光電股份有限公司