用于液晶顯示面板的陣列基板及陣列基板的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種用于液晶顯示面板的陣列基板及其制造方法。陣列基板包括基底、第一線路層、絕緣層、半導(dǎo)體膜、第二線路層、鈍化層、導(dǎo)電膜以及間隔物。第一線路層包括柵極線、與柵極線相連的柵極、第一墊高層。半導(dǎo)體膜包括溝道層、第二墊高層。第二線路層包括源極、漏極、第三墊高層。導(dǎo)電膜包括像素電極、第四墊高層。柵極、絕緣層、溝道層、源極及漏極定義陣列基板的薄膜晶體管。間隔物是層疊設(shè)置的結(jié)構(gòu)，其包括第一墊高層、絕緣層、第二墊高層、第三墊高層、鈍化層、第四墊高層及至少一層光致抗蝕劑。該至少一層光致抗蝕劑是選自圖案化該第一線路層、半導(dǎo)體膜、第二線路層及導(dǎo)電膜所使用的光致抗蝕劑。
【專利說明】用于液晶顯示面板的陣列基板及陣列基板的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于液晶顯示面板的陣列基板及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 液晶顯示面板主要包括相對(duì)設(shè)置的彩色濾光片基板及陣列基板、以及夾置在上述 兩基板之間的液晶層。同時(shí)上述兩基板通過間隔物隔開，該間隔物用于保持上述兩基板之 間的間距恒定，從而保證液晶顯示面板的厚度均勻。
[0003] 目前，一種間隔物的制造方法是在陣列基板上涂布感光材料再以曝光顯影方式制 作出柱狀感光間隔物。當(dāng)液晶顯示面板組立時(shí)，將上述兩基板以框膠進(jìn)行貼合，而該感光間 隔物用以保證兩基板之間形成恒定間距。
[0004] 然而，上述在陣列基板上制作感光間隔物，需要在傳統(tǒng)陣列基板的制造過程中額 外增加一步驟來制作該感光間隔物，如此導(dǎo)致了材料及掩膜制程的增加。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 為解決現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板需額外增加間隔物制作步驟的所導(dǎo)致的問題，有必要 提供一種可減少制作步驟的用于液晶顯示面板的陣列基板。
[0006] -種用于液晶顯示面板的陣列基板，其包括基底、第一線路層、絕緣層、半導(dǎo)體膜、 第二線路層、鈍化層、導(dǎo)電膜以及間隔物。該第一線路層包括柵極線、與柵極線相連的柵極、 第一墊高層。該半導(dǎo)體膜包括溝道層、第二墊高層。該第二線路層包括源極、漏極、第三墊 高層。該導(dǎo)電膜包括像素電極、第四墊高層。該柵極、絕緣層、溝道層、源極及漏極定義陣列 基板的薄膜晶體管。該間隔物是層疊設(shè)置的結(jié)構(gòu)，其包括層疊設(shè)置的第一墊高層、絕緣層、 第二墊高層、第三墊高層、鈍化層、第四墊高層及至少一層光致抗蝕劑。該至少一層光致抗 蝕劑是在圖案化該第一線路層、半導(dǎo)體膜、第二線路層、導(dǎo)電膜以形成該薄膜晶體管的各層 結(jié)構(gòu)及像素電極時(shí)所采用的該至少一層光致抗蝕劑。
[0007] -種陣列基板的制造方法，提供一基底；該基底上形成有第一線路層、絕緣層、半 導(dǎo)體膜、第二線路層、鈍化層、導(dǎo)電膜；圖案化該第一線路層形成柵極線、與柵極線相連的柵 極以及第一墊高層；圖案化該半導(dǎo)體膜形成該溝道層及第二墊高層；圖案化該第二線路層 形成源極、漏極以及第三墊高層，該柵極、絕緣層、溝道層、源極及漏極定義陣列基板的薄膜 晶體管；圖案化該導(dǎo)電膜形成像素電極及第四墊高層，該間隔物是層疊設(shè)置的結(jié)構(gòu)，其包括 層疊設(shè)置的第一墊高層、絕緣層、第二墊高層、第三墊高層、鈍化層、第四墊高層及至少一層 光致抗蝕劑；該至少一層光致抗蝕劑是在圖案化該第一線路層、半導(dǎo)體膜、第二線路層、導(dǎo) 電膜以形成該薄膜晶體管的各層結(jié)構(gòu)及像素電極時(shí)所采用的該至少一層光致抗蝕劑。
[0008] 由于本發(fā)明在形成陣列基板的第一線路層、絕緣層、半導(dǎo)體膜、第二線路層、鈍化 層、導(dǎo)電膜時(shí)，同時(shí)形成了間隔物的第一墊高層、絕緣層、第二墊高層、第三墊高層、鈍化層、 第四墊高層及至少一層光致抗蝕劑，因此無需額外增加步驟來制作間隔物，以減少材料的 使用和掩膜制程。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009] 圖1為本發(fā)明用于液晶顯示面板的陣列基板的一較佳實(shí)施方式的部分示意圖。
[0010] 圖2為圖1沿II-II線的剖面示意圖。
[0011] 圖3至圖6為圖2中陣列基板蝕刻第一線路層的流程圖。
[0012] 圖7至圖10為圖2中陣列基板蝕刻半導(dǎo)體膜的流程圖。
[0013] 圖11至圖14為圖2中陣列基板蝕刻第二線路層的流程圖。
[0014] 圖15至圖18為圖2中陣列基板蝕刻透明導(dǎo)電層的流程圖。
[0015] 主要元件符號(hào)說明

【權(quán)利要求】
1. 一種用于液晶顯示面板的陣列基板，其包括基底、第一線路層、絕緣層、半導(dǎo)體膜、第 二線路層、鈍化層、導(dǎo)電膜以及間隔物，該第一線路層包括柵極線及與柵極線相連的柵極， 該半導(dǎo)體膜包括溝道層，該第二線路層包括源極、漏極，該導(dǎo)電膜包括像素電極，該柵極、絕 緣層、溝道層、源極及漏極定義陣列基板的薄膜晶體管，其特征在于：該第一線路層還包括 第一墊高層，該半導(dǎo)體膜還包括第二墊高層，該第二線路層還包括第三墊高層，該導(dǎo)電膜還 包括第四墊高層，該間隔物是層疊設(shè)置的結(jié)構(gòu)，其包括層疊設(shè)置的第一墊高層、絕緣層、第 二墊高層、第三墊高層、鈍化層、第四墊高層及至少一層光致抗蝕劑，該至少一層光致抗蝕 劑是選自圖案化該第一線路層、半導(dǎo)體膜、第二線路層及導(dǎo)電膜所使用的光致抗蝕劑。
2. 如權(quán)利要求1所述的用于液晶顯示面板的陣列基板，其特征在于：采用一第一層光 致抗蝕劑來圖案化該第一線路層以形成該柵極線、該柵極及第一墊高層時(shí)，對(duì)應(yīng)該第一墊 高層的位置上保留該第一層光致抗蝕劑作為該間隔物的一層結(jié)構(gòu)。
3. 如權(quán)利要求1所述的用于液晶顯示面板的陣列基板，其特征在于：采用一第二層光 致抗蝕劑圖案化該半導(dǎo)體膜形成該溝道層及該第二墊高層時(shí)，對(duì)應(yīng)該第二墊高層的位置上 保留該第二層光致抗蝕劑作為該間隔物的一層結(jié)構(gòu)。
4. 如權(quán)利要求1所述的用于液晶顯示面板的陣列基板，其特征在于：采用一第三層光 致抗蝕劑圖案化該第二線路層形成該源極、漏極及第三墊高層時(shí)，對(duì)應(yīng)該第三墊高層的位 置上保留該第三層光致抗蝕劑作為該間隔物的一層結(jié)構(gòu)。
5. 如權(quán)利要求1所述的用于液晶顯示面板的陣列基板，其特征在于：采用一第四層光 致抗蝕劑圖案化該導(dǎo)電膜形成該像素電極及第四墊高層時(shí)，對(duì)應(yīng)該第四墊高層的位置上保 留該第四層光致抗蝕劑作為該間隔物的一層結(jié)構(gòu)。
6. 如權(quán)利要求2所述的用于液晶顯示面板的陣列基板，其特征在于：該第一線路層形 成在該基底的一側(cè)表面。
7. 如權(quán)利要求6所述的用于液晶顯示面板的陣列基板，其特征在于：該絕緣層形成在 該第一線路層遠(yuǎn)離該基底的一側(cè)，且覆蓋于該第一線路層、該第一層光致抗蝕劑及該基底 上，該半導(dǎo)體膜設(shè)置于該絕緣層遠(yuǎn)離該基底一側(cè)的表面上，采用一第二層光致抗蝕劑圖案 化該半導(dǎo)體膜形成該溝道層及該第二墊高層時(shí)，對(duì)應(yīng)該第二墊高層的位置上保留該第二層 光致抗蝕劑作為該間隔物的一層結(jié)構(gòu)。
8. 如權(quán)利要求7所述的用于液晶顯示面板的陣列基板，其特征在于：該第二線路層與 該第一線路層絕緣，該第二線路層設(shè)置在該半導(dǎo)體膜、該絕緣層、及第二層光致抗蝕劑遠(yuǎn)離 該基底的一側(cè)，采用一第三層光致抗蝕劑圖案化該第二線路層形成該源極、漏極及第三墊 高層時(shí)，對(duì)應(yīng)該第三墊高層的位置上保留該第三層光致抗蝕劑作為該間隔物的一層結(jié)構(gòu)。
9. 如權(quán)利要求8所述的用于液晶顯示面板的陣列基板，其特征在于：該鈍化層設(shè)置在 該絕緣層、該半導(dǎo)體膜、該第二線路層、該第三層抗蝕劑遠(yuǎn)離該基底的一側(cè)，該導(dǎo)電膜設(shè)置 在該鈍化層遠(yuǎn)離該基底的一側(cè)，采用一第四層光致抗蝕劑圖案化該導(dǎo)電膜形成該像素電極 及第四墊高層時(shí)，對(duì)應(yīng)該第四墊高層的位置上保留該第四層光致抗蝕劑作為該間隔物的一 層結(jié)構(gòu)。
10. 如權(quán)利要求9所述的用于液晶顯示面板的陣列基板，其特征在于：該間隔物包括依 次層疊設(shè)置的第一墊高層、第一層光致抗蝕劑、絕緣層、第二墊高層、第二層光致抗蝕劑、第 三墊高層、第三層光致抗蝕劑、鈍化層、第四墊高層、第四層光致抗蝕劑。
11. 一種陣列基板的制造方法，提供一基底；該基底上形成有第一線路層、絕緣層、半 導(dǎo)體膜、第二線路層、鈍化層、導(dǎo)電膜；圖案化該第一線路層形成柵極線、與柵極線相連的柵 極以及第一墊高層；圖案化該半導(dǎo)體膜形成該溝道層及第二墊高層；圖案化該第二線路層 形成源極、漏極以及第三墊高層，該柵極、絕緣層、溝道層、源極及漏極定義陣列基板的薄膜 晶體管；圖案化該導(dǎo)電膜形成像素電極及第四墊高層，該間隔物是層疊設(shè)置的結(jié)構(gòu)，其包括 層疊設(shè)置的第一墊高層、絕緣層、第二墊高層、第三墊高層、鈍化層、第四墊高層及至少一層 光致抗蝕劑；該至少一層光致抗蝕劑是選自圖案化該第一線路層、半導(dǎo)體膜、第二線路層及 導(dǎo)電膜所使用的光致抗蝕劑。
12. 如權(quán)利要求11所述的陣列基板的制造方法，其特征在于：在第一線路層上涂布一 第一層光致抗蝕劑，曝光顯影并圖案化該第一線路層以形成該柵極線、該柵極及第一墊高 層時(shí)，在該第一墊高層的位置上保留該第一層光致抗蝕劑作為該間隔物的一層結(jié)構(gòu)。
13. 如權(quán)利要求11所述的陣列基板的制造方法，其特征在于：在該半導(dǎo)體膜上涂布一 第二層光致抗蝕劑，曝光顯影并圖案化該半導(dǎo)體膜形成該溝道層及該第二墊高層時(shí)，在該 第二墊高層的位置上保留該第二層光致抗蝕劑作為該間隔物的一層結(jié)構(gòu)。
14. 如權(quán)利要求11所述的陣列基板的制造方法，其特征在于：在該第二線路層上涂布 一第三層光致抗蝕劑，曝光顯影并圖案化該第二線路層形成該源極、漏極及第三墊高層時(shí)， 在該第三墊高層的位置上保留該第三層光致抗蝕劑作為該間隔物的一層結(jié)構(gòu)。
15. 如權(quán)利要求11所述的陣列基板的制造方法，其特征在于：在該導(dǎo)電膜上涂布一第 四層光致抗蝕劑，曝光顯影并圖案化該導(dǎo)電膜形成該像素電極及第四墊高層時(shí)，在該第四 墊高層的位置上保留該第四層光致抗蝕劑作為該間隔物的一層結(jié)構(gòu)。
16. 如權(quán)利要求12所述的陣列基板的制造方法，其特征在于：該第一線路層形成在該 基底的一側(cè)表面。
17. 如權(quán)利要求16所述的陣列基板的制造方法，其特征在于：該絕緣層形成在該第一 線路層遠(yuǎn)離該基底的一側(cè)，且覆蓋于該第一線路層、該第一層光致抗蝕劑及該基底上，該半 導(dǎo)體膜設(shè)置于該絕緣層遠(yuǎn)離該基底一側(cè)的表面上，在該半導(dǎo)體膜上涂布一第二層光致抗蝕 齊U，曝光顯影并圖案化該半導(dǎo)體膜形成該溝道層及該第二墊高層時(shí)，在該第二墊高層的位 置上保留該第二層光致抗蝕劑作為該間隔物的一層結(jié)構(gòu)。
18. 如權(quán)利要求17所述的陣列基板的制造方法，其特征在于：該第二線路層與該第一 線路層絕緣，該第二線路層設(shè)置在該半導(dǎo)體膜、該絕緣層及第二層光致抗蝕劑遠(yuǎn)離該基底 的一側(cè)，在該第二線路層上涂布一第三層光致抗蝕劑，曝光顯影并圖案化該第二線路層形 成該源極、漏極及第三墊高層時(shí)，在該第三層墊高層的位置上保留該第三層光致抗蝕劑作 為該間隔物的一層結(jié)構(gòu)。
19. 如權(quán)利要求18所述的陣列基板的制造方法，其特征在于：該鈍化層設(shè)置在該絕緣 層、該半導(dǎo)體膜、該第二線路層、該第三層抗蝕劑遠(yuǎn)離該基底的一側(cè)，該導(dǎo)電膜設(shè)置在該鈍 化層遠(yuǎn)離該基底的一側(cè)，在該導(dǎo)電膜上涂布一第四層光致抗蝕劑，曝光顯影并圖案化該導(dǎo) 電膜形成該像素電極及第四層墊高層時(shí)，在該第四墊高層的位置上保留該第四層光致抗蝕 劑作為該間隔物的一層結(jié)構(gòu)。
20. 如權(quán)利要求19所述的陣列基板的制造方法，其特征在于：該間隔物包括依次層疊 設(shè)置的第一墊高層、第一層光致抗蝕劑、絕緣層、第二墊高層、第二層光致抗蝕劑、第三墊高 層、第三層光致抗蝕劑、鈍化層、第四墊高層、第四層光致抗蝕劑。
【文檔編號(hào)】G02F1/1339GK104122695SQ201310303970
【公開日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2013年7月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月19日
【發(fā)明者】王明宗, 齊國(guó)杰, 許琪, 陳丹 申請(qǐng)人:深超光電（深圳）有限公司