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一種抗藍光鏡片的制作方法

文檔序號:2701797閱讀:234來源:國知局
一種抗藍光鏡片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及光學鏡片的制作方法,尤其涉及抗藍光鏡片的制作方法。本發(fā)明的抗藍光鏡片的制作方法,在鏡片基片的正、反兩個表面分別依次進行真空蒸鍍,正面由內(nèi)向外共五層,分別是:第一層的氧化硅層,第二層的五氧化三鈦層,第三層的二氧化硅層,第四層的五氧化三鈦層,第五層的二氧化硅層;反面由內(nèi)向外共三層,分別是:第一層的氧化硅層,第二層的二氧化鋯層,第三層的二氧化硅層。本發(fā)明采用如上技術(shù)方案,可以制出衰減380nm~500nm波長光(主要是藍光部分)50%左右(50%±3%)的抗藍光鏡片,可在一些場合應用,具有一定商業(yè)用途。
【專利說明】一種抗藍光鏡片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光學鏡片的制作方法,尤其涉及抗藍光鏡片的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]藍光容易對眼睛造成傷害,尤其會加速視網(wǎng)膜黃斑區(qū)的細胞氧化,如果黃斑區(qū)長期接觸藍光,甚至會損傷視覺細胞,會增加年老時眼睛出現(xiàn)黃斑病變的風險,這種現(xiàn)象稱之為藍光傷害(blue light hazard)。為了避免藍光傷害,具有部分濾除藍光波段的光學鏡片被發(fā)明,此光學鏡片又稱為抗藍光鏡片。
[0003]現(xiàn)有的抗藍光鏡片有利用在鏡片材料中加入色粉制成的抗藍光鏡片,如CN101813832A專利所揭示的抗藍光茶色太陽鏡片,還有利用在鏡片表層鍍膜制成的抗藍光鏡片,如CN1564052專利所揭示的防藍光傷害保健眼鏡片。然而現(xiàn)有技術(shù)中缺少衰減380nnT500nm波長光(主要是藍光部分)50%左右(50%± 3%)的抗藍光鏡片,衰減藍光50%的抗藍光鏡片可在一些場合應用,具有一定商業(yè)用途。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提出一種衰減380nnT500nm波長光(主要是藍光部分)50%左右(50%±3%)的抗藍光鏡片的制作方法。
[0005]本發(fā)明具體采用如下技術(shù)方案實現(xiàn):
一種抗藍光鏡片的制作方法,在鏡片基片的正、反兩個表面分別依次進行真空蒸鍍,正面由內(nèi)向外共五層,分別是:第一層的氧化娃層,第二層的五氧化三鈦層,第三層的二氧化硅層,第四層的五氧化三鈦層,第五層的二氧化硅層;反面由內(nèi)向外共三層,分別是:第一層的氧化硅層,第二層的二氧化鋯層,第三層的二氧化硅層;具體的,
鏡片基片的正面的第一層的氧化硅層的鍍膜作業(yè)具體是:設定真空鍍膜機以時間控制方式進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:時長設為30秒,抵抗加熱的電流設為125安培,充氧量設為0,爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為1.0XKT4Torr ;
鏡片基片的正面的第二層的五氧化三鈦層的鍍膜作業(yè)具體是:設定真空鍍膜機以光學膜厚監(jiān)控方式進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:反射波長設為435納米,監(jiān)控膜厚設為0.95QW0T,電子槍的電流設為409安培,充氧量設為27Sccm,爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為1.0XlO-4Torr ;
鏡片基片的正面的第三層的二氧化硅層的鍍膜作業(yè)具體是:設定真空鍍膜機以光學膜厚監(jiān)控方式進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:反射波長設為435納米,監(jiān)控膜厚設為1.00QW0T,電子槍的電流設為150安培,充氧量設為0,爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為1.0XlO-4Torr ;
鏡片基片的正面的第四層的五氧化三鈦層的鍍膜作業(yè)具體是:設定真空鍍膜機以光學膜厚監(jiān)控方式進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:反射波長設為435納米,監(jiān)控膜厚設為0.90QW0T,電子槍的電流設為409安培,充氧量設為28sCCm,爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為1.0XlO-4Torr ;
鏡片基片的正面的第五層的二氧化硅層的鍍膜作業(yè)具體是:設定真空鍍膜機以光學膜厚監(jiān)控方式進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:反射波長設為435納米,監(jiān)控膜厚設為1.80QW0T,電子槍的電流設為150安培,充氧量設為0,爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為
1.0XlO-4Torr ;
鏡片基片的反面的第一層的氧化硅層的鍍膜作業(yè)具體是:設定真空鍍膜機以時間控制方式進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:時長設為30秒,抵抗加熱的電流設為125安培,充氧量設為0,爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為1.0XKT4Torr ;
鏡片基片的反面的第二層的二氧化鋯層的鍍膜作業(yè)具體是:設定真空鍍膜機以光學膜厚監(jiān)控方式進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:反射波長設為610納米,監(jiān)控膜厚設為
0.60QW0T,電子槍的電流設為180安培,爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為1.0X KT4Torr ;
鏡片基片的反面的第三層的二氧化硅層的鍍膜作業(yè)具體是:設定真空鍍膜機以光學膜厚監(jiān)控方式進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:反射波長設為610納米,監(jiān)控膜厚設為
1.65QW0T,電子槍的電流設為150安培,充氧量設為0,爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為1.0 X 10_4Torr。
[0006]優(yōu)選的,該真空鍍膜機是祥洲真空機器(股份)公司、龍翩實業(yè)有限公司生產(chǎn)的型號為LP-1200EBA的真空鍍膜機。
[0007]優(yōu)選的,鏡片基片的正、反面的第一層的氧化硅層的蒸鍍采用抵抗加熱法實現(xiàn),鏡片基片的正面的第二層的五氧化三鈦層、第三層的二氧化硅層、第四層的五氧化三鈦層、第五層的二氧化硅層和鏡片基片的反面的第二層的二氧化鋯層、第三層的二氧化硅層的蒸鍍采用采用EB電子槍法實現(xiàn)。
[0008]本發(fā)明采用如上技術(shù)方案,可以制出衰減380nnT500nm波長光(主要是藍光部分)50%左右(50%±3%)的抗藍光鏡片,可在一些場合應用,具有一定商業(yè)用途。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是本發(fā)明的抗藍光鏡片的剖視圖。
[0010]圖2是第一實施例的抗藍光鏡片的認證報告表。
[0011]圖3是第一實施例的抗藍光鏡片的透射光譜圖。
[0012]圖4是第一實施例的抗藍光鏡片的光譜數(shù)據(jù)表。
[0013]圖5是第二實施例的抗藍光鏡片的認證報告表。
[0014]圖6是第二實施例的抗藍光鏡片的透射光譜圖。
[0015]圖7是第二實施例的抗藍光鏡片的光譜數(shù)據(jù)表。
【具體實施方式】
[0016]本發(fā)明的抗藍光鏡片是采用真空鍍膜機來對鏡片基片進行蒸鍍多層膜層,從而制出衰減380nnT500nm波長光(主要是藍光部分)50%左右(50%±3%)的抗藍光鏡片。該鏡片基片可采用玻璃材質(zhì)的鏡片或者是高分子材料的鏡片(如聚碳酸酯PC、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、尼龍PA等等)。
[0017]現(xiàn)結(jié)合附圖和一個【具體實施方式】對本發(fā)明進一步說明。
[0018]實施例的真空鍍膜機采用祥洲真空機器(股份)公司、龍翩實業(yè)有限公司生產(chǎn)的型號為LP-1200EBA的真空鍍膜機來對鏡片基片進行蒸鍍作業(yè)。該實施例是在鏡片基片的正、反兩個表面分別依次進行真空蒸鍍,正面(鏡片基片的凸起的表面)由內(nèi)向外共五層,分別是:第一層的氧化硅(SiO)層,第二層的五氧化三鈦(Ti3O5)層,第三層的二氧化硅(SiO2)層,第四層的五氧化三鈦(Ti3O5)層,第五層的二氧化硅(SiO2)層;反面(鏡片基片的凹陷的表面)由內(nèi)向外共三層,分別是:第一層的氧化硅(SiO)層,第二層的二氧化鋯(ZrO2)層,第三層的二氧化硅(SiO2)層。其中,鏡片基片的正面和反面的第一層的氧化硅層主要起增加膜層附著力作用,鏡片基片的正面的第二層的五氧化三鈦層、第三層的二氧化硅層、第四層的五氧化三鈦層、第五層的二氧化硅層和鏡片基片的反面的第二層的二氧化鋯層、第三層的二氧化硅層主要起到控制過濾波長的效果,是鏡片鍍膜的核心技術(shù),作業(yè)時需要嚴格監(jiān)控膜層厚度。鏡片的真空鍍膜作業(yè)為業(yè)內(nèi)熟知的鍍膜技術(shù),下面僅對不同部分進行詳細說明,未說明部分均是采用業(yè)內(nèi)的通常技術(shù)實現(xiàn),可以參考已有的相關(guān)資料,于此不再進行重復性說明。
[0019]鏡片基片的正面的第一層(底層)的氧化硅(SiO)層的鍍膜作業(yè)具體是:設定該LP-1200EBA真空鍍膜機以時間控制方式(對應該設備使用說明書中的方法x2)進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:時長設為30秒(S),抵抗加熱的電流設為125安培(A),充氧量設為0,爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為1.0X10_4Torr。從而該鏡片基片的正面所鍍的第一層的氧化硅層的物理膜厚被控制為在0.06、.1納米(nm)之間。該第一層的氧化硅層的蒸鍍采用抵抗加熱法實現(xiàn),是一種生產(chǎn)制造成本較低且通用的制作工序,十分適用于對所監(jiān)控的膜厚的要求不高的情況下使用。
[0020]鏡片基片的正面的第二層的五氧化三鈦(Ti3O5)層的鍍膜作業(yè)具體是:設定該LP-1200EBA真空鍍膜機以光學膜厚監(jiān)控方式(對應該設備使用說明書中的方法xl或x2)進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:反射波長設為435納米(nm),監(jiān)控膜厚設為0.95QW0T(1/4波長的厚度為1QW0T),電子槍的電流設為409安培(A),充氧量設為27 sccm(standard-state cubic centimeter per minute,標況毫升每分),爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為LOXlO-4Torr0從而該鏡片基片的正面所鍍的第二層的五氧化三鈦層的物理膜厚被嚴格監(jiān)控為103.3125納米(nm)。該第二層的五氧化三鈦層的蒸鍍采用EB電子槍法實現(xiàn),是一種嚴格監(jiān)控膜厚的真空鍍膜制作工序,適用于對所監(jiān)控的膜厚的要求較高的情況下使用。
[0021]鏡片基片的正面的第三層的二氧化硅(SiO2)層的鍍膜作業(yè)具體是:設定該LP-1200EBA真空鍍膜機以光學膜厚監(jiān)控方式(對應該設備使用說明書中的方法xl或x2)進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:反射波長設為435納米(nm),監(jiān)控膜厚設為1.0OQffOT (1/4波長的厚度為1QW0T),電子槍的電流設為150安培(A),充氧量設為0,爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為LOXlO-4Torr0從而該鏡片基片的正面所鍍的第三層的二氧化硅層的物理膜厚被嚴格監(jiān)控為108.75納米(nm)。該第三層的二氧化硅層的蒸鍍采用EB電子槍法實現(xiàn),是一種嚴格監(jiān)控膜厚的真空鍍膜制作工序,適用于對所監(jiān)控的膜厚的要求較高的情況下使用。
[0022]鏡片基片的正面的第四層的五氧化三鈦(Ti3O5)層的鍍膜作業(yè)具體是:設定該LP-1200EBA真空鍍膜機以光學膜厚監(jiān)控方式(對應該設備使用說明書中的方法xl或x2)進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:反射波長設為435納米(nm),監(jiān)控膜厚設為0.90QW0T (1/4波長的厚度為1QW0T),電子槍的電流設為409安培(A),充氧量設為28SCCm,爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為1.0X10_4Torr。從而該鏡片基片的正面所鍍的第四層的五氧化三鈦層的物理膜厚被嚴格監(jiān)控為97.875納米(nm)。該第四層的五氧化三鈦層的蒸鍍采用EB電子槍法實現(xiàn),是一種嚴格監(jiān)控膜厚的真空鍍膜制作工序,適用于對所監(jiān)控的膜厚的要求較高的情況下使用。
[0023]鏡片基片的正面的第五層的二氧化硅(SiO2)層的鍍膜作業(yè)具體是:設定該LP-1200EBA真空鍍膜機以光學膜厚監(jiān)控方式(對應該設備使用說明書中的方法xl或x2)進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:反射波長設為435納米(nm),監(jiān)控膜厚設為1.80QW0T (1/4波長的厚度為1QW0T),電子槍的電流設為150安培(A),充氧量設為0,爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為LOXlO-4Torr0從而該鏡片基片的正面所鍍的第五層的二氧化硅層的物理膜厚被嚴格監(jiān)控為195.75納米(nm)。該第五層的二氧化硅層的蒸鍍采用EB電子槍法實現(xiàn),是一種嚴格監(jiān)控膜厚的真空鍍膜制作工序,適用于對所監(jiān)控的膜厚的要求較高的情況下使用。
[0024]鏡片基片的反面的第一層(底層)的氧化硅(SiO)層的鍍膜作業(yè)具體是:設定該LP-1200EBA真空鍍膜機以時間控制方式(對應該設備使用說明書中的方法x2)進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:時長設為30秒(S),抵抗加熱的電流設為125安培(A),充氧量設為0,爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為1.0X10_4Torr。從而該鏡片基片的反面所鍍的第一層的氧化硅層的物理膜厚被控制為在0.06、.1納米(nm)之間。該第一層的氧化硅層的蒸鍍采用抵抗加熱法實現(xiàn),是一種生產(chǎn)制造成本較低且通用的制作工序,十分適用于對所監(jiān)控的膜厚的要求不高的情況下使用。
[0025]鏡片基片的反面的第二層的二氧化鋯(ZrO2)層的鍍膜作業(yè)具體是:設定該LP-1200EBA真空鍍膜機以光學膜厚監(jiān)控方式(對應該設備使用說明書中的方法xl或x2)進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:反射波長設為610納米(nm),監(jiān)控膜厚設為0.60QW0T(1/4波長的厚度為1QW0T),電子槍的電流設為180安培(A),爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為
1.0X 10_4Torr。從而該鏡片基片的反面所鍍的第二層的二氧化鋯層的物理膜厚被嚴格監(jiān)控為91.5納米(nm)。該第二層的二氧化鋯層的蒸鍍采用EB電子槍法實現(xiàn),是一種嚴格監(jiān)控膜厚的真空鍍膜制作工序,適用于對所監(jiān)控的膜厚的要求較高的情況下使用。
[0026]鏡片基片的反面的第三層的二氧化硅(SiO2)層的鍍膜作業(yè)具體是:設定該LP-1200EBA真空鍍膜機以光學膜厚監(jiān)控方式(對應該設備使用說明書中的方法xl或x2)進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:反射波長設為610納米(nm),監(jiān)控膜厚設為1.65QW0T (1/4波長的厚度為1QW0T),電子槍的電流設為150安培(A),充氧量設為0,爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為LOXlO-4Torr0從而該鏡片基片的反面所鍍的第三層的二氧化硅層的物理膜厚被嚴格監(jiān)控為251.625納米(nm)。該第三層的二氧化硅層的蒸鍍采用EB電子槍法實現(xiàn),是一種嚴格監(jiān)控膜厚的真空鍍膜制作工序,適用于對所監(jiān)控的膜厚的要求較高的情況下使用。
[0027]經(jīng)過上述真空蒸鍍作業(yè)可以制出衰減380nnT500nm波長光(主要是藍光部分)50%左右(50%±3%)的抗藍光鏡片,參閱圖1所不,該藍光抗藍光鏡片包括:一鏡片基片10及依次附著于該鏡片基片10的正、反兩個表面的復合膜層20、30,該復合膜層20由內(nèi)向外依次包括:第一層的氧化硅(SiO)層201,膜厚為0.06、.1納米(nm),第二層的五氧化三鈦(Ti3O5)層202,膜厚為103.3125納米(nm),第三層的二氧化硅(SiO2)層203,膜厚為108.75納米(nm),第四層的五氧化三鈦(Ti3O5)層204,膜厚為97.875納米(nm),第五層的二氧化硅(SiO2)層205,膜厚為195.75納米(nm);該復合膜層30由內(nèi)向外依次包括:第一層的氧化硅(SiO)層301,膜厚為0.06?0.1納米(nm),第二層的二氧化鋯(ZrO2)層302,膜厚為91.5納米(nm),第三層的二氧化硅(SiO2)層303,膜厚為251.625納米(nm)。其中,該鏡片基片10的正面是鏡片基片的凸起的表面,該鏡片基片10的反面是鏡片基片的凹陷的表面。
[0028]以上述方法制出的二片抗藍光鏡片,分別進行光學性能測試,采用太陽鏡片CE認證標準(標準=EN 1836:2005 (Al:2007))進行測試,測試結(jié)果參閱圖2、圖4、圖5、圖7所示的表格及圖3、圖6所不的曲線圖。圖2-圖4所不的第一實施例鏡片和圖5-圖7所不的第二實施例鏡片的測試結(jié)果表明,本發(fā)明的抗藍光鏡片可以達到衰減380nnT500nm波長光(主要是藍光部分)50%左右(50%±3%),可在一些場合應用,具有一定商業(yè)用途,同時本發(fā)明的生產(chǎn)成本較低,具有很高的市場推廣價值。
[0029]盡管結(jié)合優(yōu)選實施方案具體展示和介紹了本發(fā)明,但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應該明白,在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),在形式上和細節(jié)上可以對本發(fā)明做出各種變化,均為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種抗藍光鏡片的制作方法,在鏡片基片的正、反兩個表面分別依次進行真空蒸鍍,正面由內(nèi)向外共五層,分別是:第一層的氧化娃層,第二層的五氧化三鈦層,第三層的二氧化硅層,第四層的五氧化三鈦層,第五層的二氧化硅層;反面由內(nèi)向外共三層,分別是:第一層的氧化硅層,第二層的二氧化鋯層,第三層的二氧化硅層;具體的, 鏡片基片的正面的第一層的氧化硅層的鍍膜作業(yè)具體是:設定真空鍍膜機以時間控制方式進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:時長設為30秒,抵抗加熱的電流設為125安培,充氧量設為0,爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為1.0XKT4Torr ; 鏡片基片的正面的第二層的五氧化三鈦層的鍍膜作業(yè)具體是:設定真空鍍膜機以光學膜厚監(jiān)控方式進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:反射波長設為435納米,監(jiān)控膜厚設為0.95QW0T,電子槍的電流設為409安培,充氧量設為27Sccm,爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為1.0XlO-4Torr ; 鏡片基片的正面的第三層的二氧化硅層的鍍膜作業(yè)具體是:設定真空鍍膜機以光學膜厚監(jiān)控方式進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:反射波長設為435納米,監(jiān)控膜厚設為1.00QW0T,電子槍的電流設為150安培,充氧量設為0,爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為1.0XlO-4Torr ; 鏡片基片的正面的第四層的五氧化三鈦層的鍍膜作業(yè)具體是:設定真空鍍膜機以光學膜厚監(jiān)控方式進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:反射波長設為435納米,監(jiān)控膜厚設為0.90QW0T,電子槍的電流設為409安培,充氧量設為28sCCm,爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為1.0XlO-4Torr ; 鏡片基片的正面的第五層的二氧化硅層的鍍膜作業(yè)具體是:設定真空鍍膜機以光學膜厚監(jiān)控方式進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:反射波長設為435納米,監(jiān)控膜厚設為1.80QW0T,電子槍的電流設為150安培,充氧量設為0,爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為1.0XlO-4Torr ; 鏡片基片的反面的第一層的氧化硅層的鍍膜作業(yè)具體是:設定真空鍍膜機以時間控制方式進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:時長設為30秒,抵抗加熱的電流設為125安培,充氧量設為0,爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為1.0XKT4Torr ; 鏡片基片的反面的第二層的二氧化鋯層的鍍膜作業(yè)具體是:設定真空鍍膜機以光學膜厚監(jiān)控方式進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:反射波長設為610納米,監(jiān)控膜厚設為0.60QW0T,電子槍的電流設為180安培,爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為1.0X KT4Torr ; 鏡片基片的反面的第三層的二氧化硅層的鍍膜作業(yè)具體是:設定真空鍍膜機以光學膜厚監(jiān)控方式進行鍍膜,設定設備作業(yè)條件是:反射波長設為610納米,監(jiān)控膜厚設為1.65QW0T,電子槍的電流設為150安培,充氧量設為0,爐腔內(nèi)真空系數(shù)設為1.0 X KT4Torr。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗藍光鏡片的制作方法,其特征在于:該真空鍍膜機是祥洲真空機器(股份)公司、龍翩實業(yè)有限公司生產(chǎn)的型號為LP-1200EBA的真空鍍膜機。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗藍光鏡片的制作方法,其特征在于:鏡片基片的正、反面的第一層的氧化硅層的蒸鍍采用抵抗加熱法實現(xiàn),鏡片基片的正面的第二層的五氧化三鈦層、第三層的二氧化硅層、第四層的五氧化三鈦層、第五層的二氧化硅層和鏡片基片的反面的第二層的二氧化鋯層、第三層的二氧化硅層的蒸鍍采用采用EB電子槍法實現(xiàn)。
【文檔編號】G02B1/10GK103439760SQ201310397012
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2013年9月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月4日
【發(fā)明者】吳天恕, 簡志仰, 陳坤煌 申請人:杏暉光學(廈門)有限公司
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