環(huán)境敏感電子元件封裝體及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種環(huán)境敏感電子元件封裝體，包括第一基板、第二基板、環(huán)境敏感電子元件、多個(gè)阻氣結(jié)構(gòu)、多個(gè)微結(jié)構(gòu)以及填充層。第二基板配置于第一基板上方。環(huán)境敏感電子元件配置于第一基板上。阻氣結(jié)構(gòu)配置于第一基板及第二基板之間，且環(huán)繞環(huán)境敏感電子元件，其中阻氣結(jié)構(gòu)具有第一高度。微結(jié)構(gòu)配置于第一基板與第二基板之間，其中微結(jié)構(gòu)具有第二高度，且第二高度與第一高度的比值介于1/250至1/100之間。填充層配置于第一基板與第二基板之間，且包覆阻氣結(jié)構(gòu)以及環(huán)境敏感電子元件。本發(fā)明還提出一種環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法。
【專利說(shuō)明】環(huán)境敏感電子元件封裝體及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種封裝體及其制作方法，且特別是有關(guān)于一種環(huán)境敏感電子元件封裝體及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的進(jìn)步，顯示器已朝向薄型化及平面化發(fā)展，其中又以軟性顯示器(可撓性顯示器)逐漸成為顯示器往后發(fā)展的主要方向。利用可撓性基板取代傳統(tǒng)硬質(zhì)基板來(lái)制作軟性顯示器，其可卷曲、方便攜帶、符合安全性及產(chǎn)品應(yīng)用廣，但較不耐高溫、水氧阻絕性較差、耐化學(xué)藥品性較差及熱膨脹系數(shù)大。典型的可撓性基板可用來(lái)承載電子元件及/或用來(lái)作為蓋板(cover)以對(duì)電子元件進(jìn)行封裝，由于可撓性基板并無(wú)法完全阻隔水氣及氧氣的穿透，因此水氣及氧氣的滲入將加速可撓性基板上的電子元件老化，進(jìn)而導(dǎo)致電子元件的壽命減短，無(wú)法符合市場(chǎng)的需求。
[0003]因此，有采用側(cè)壁阻障(side wall barrier)結(jié)構(gòu)來(lái)增加軟性顯示器的側(cè)向阻水氧能力的技術(shù)，其中側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)是形成于可撓性基板上，并且利用膠材使側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)與另一可撓性基板貼合。然而，當(dāng)側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)與可撓性基板之間的膠材的厚度高時(shí)，雖可提高壁阻障結(jié)構(gòu)與可撓性基板之間的貼合度，卻也同時(shí)造成水氧穿透路徑加大。反之，當(dāng)側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)與可撓性基板之間的膠材的厚度低時(shí)，則降低了側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)與可撓性基板之間的貼合度，易導(dǎo)致軟性顯示器的基板在撓曲的過(guò)程中分離。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明一實(shí)施例提供一種環(huán)境敏感電子元件封裝體及其制作方法。
[0005]本發(fā)明一實(shí)施例提供一種環(huán)境敏感電子元件封裝體及其制作方法，以改善環(huán)境敏感電子元件壽命減短及環(huán)境敏感電子元件封裝體因撓曲而分離的問(wèn)題。
[0006]本發(fā)明一實(shí)施例提出一種環(huán)境敏感電子兀件封裝體，其包括第一基板、第二基板、環(huán)境敏感電子元件、多個(gè)阻氣結(jié)構(gòu)、多個(gè)微結(jié)構(gòu)以及填充層。第二基板配置于第一基板上方。環(huán)境敏感電子元件配置于第一基板上，且位于第一基板與第二基板之間。阻氣結(jié)構(gòu)配置于第一基板及第二基板之間，且環(huán)繞環(huán)境敏感電子元件，其中阻氣結(jié)構(gòu)具有一第一高度。微結(jié)構(gòu)配置于第一基板與第二基板之間，其中微結(jié)構(gòu)具有一第二高度，且第二高度與第一高度的比值介于1/250至1/100之間。填充層配置于第一基板與第二基板之間，且包覆阻氣結(jié)構(gòu)以及環(huán)境敏感電子元件。
[0007]在本發(fā)明的一實(shí)施例中,微結(jié)構(gòu)位于第一基板上。
[0008]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，微結(jié)構(gòu)位于第二基板上。
[0009]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，微結(jié)構(gòu)位于阻氣結(jié)構(gòu)上。
[0010]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，阻氣結(jié)構(gòu)的水氣透過(guò)率小于10_2g/m2/天。
[0011]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，阻氣結(jié)構(gòu)具有第一寬度，且第一寬度與第一高度的比值介于4至6之間。[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，微結(jié)構(gòu)具有第二寬度，且第二寬度與第二高度的比值介于1/10至I之間。
[0013]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，微結(jié)構(gòu)包括底面積為多邊形的突起。
[0014]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，阻氣結(jié)構(gòu)包括:
[0015]阻隔壁，配置于第一基板或第二基板上；以及
[0016]阻障層，包覆阻隔壁，其中填充層包覆阻障層。
[0017]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，阻隔壁呈等間距排列。
[0018]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，阻隔壁的截面包括矩形、梯形或三角形，且截面垂直于第
一基板。
[0019]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，阻隔壁的材質(zhì)包括無(wú)機(jī)材料或有機(jī)與無(wú)機(jī)混合材料。
[0020]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，阻障層的材質(zhì)包括無(wú)機(jī)材料或金屬材料。
[0021]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，阻氣結(jié)構(gòu)包括:
[0022]第一阻氣結(jié)構(gòu)，位于第一基板上且朝向第二基板延伸；以及
[0023]第二阻氣結(jié)構(gòu)，位于第二基板上且朝向第一基板延伸，其中第一阻氣結(jié)構(gòu)與第二阻氣結(jié)構(gòu)交替排列于第一基板與第二基板之間。
[0024]本發(fā)明一實(shí)施例提出一種環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法，其包括下述步驟。于第一基板上形成一環(huán)境敏感電子元件。于第一基板及/或第二基板上形成多個(gè)阻氣結(jié)構(gòu)，其中阻氣結(jié)構(gòu)環(huán)繞環(huán)境敏感電子元件，且阻氣結(jié)構(gòu)具有一第一高度。于第一基板與第二基板之間配置多個(gè)微結(jié)構(gòu)，其中微結(jié)構(gòu)具有一第二高度，且第二高度與第一高度的比值介于1/250至1/100之間。于第一基板上形成一填充層，以包覆環(huán)境敏感電子元件與阻氣結(jié)構(gòu)。令第二基板壓合于填充層上，以使第一基板通過(guò)填充層與第二基板接合，其中環(huán)境敏感電子元件以及阻氣結(jié)構(gòu)位于第一基板與第二基板之間。
[0025]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，微結(jié)構(gòu)位于第一基板上。
[0026]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，微結(jié)構(gòu)位于第二基板上。
[0027]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，微結(jié)構(gòu)位于阻氣結(jié)構(gòu)上。
[0028]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，阻氣結(jié)構(gòu)的水氣透過(guò)率小于10_2g/m2/天。
[0029]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，阻氣結(jié)構(gòu)具有第一寬度，且第一寬度與第一高度的比值介于4至6之間。
[0030]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，微結(jié)構(gòu)具有第二寬度，且第二寬度與第二高度的比值介于1/10至I之間。
[0031]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，微結(jié)構(gòu)包括底面積為多邊形的突起。
[0032]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，于第一基板、第二基板及/或阻氣結(jié)構(gòu)形成微結(jié)構(gòu)的方法包括黃光微影或蝕刻。
[0033]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，于第一基板上形成填充層的方法包括:
[0034]于第一基板上形成膠材，以包覆環(huán)境敏感電子元件以及阻氣結(jié)構(gòu)；以及
[0035]固化膠材以形成填充層。
[0036]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，于第一基板及/或第二基板上形成阻氣結(jié)構(gòu)的方法包括:
[0037]于第一基板及/或第二基板上形成多個(gè)阻隔壁；以及[0038]形成多個(gè)阻障層，以包覆阻隔壁，其中填充層包覆阻障層。
[0039]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，阻隔壁呈等間距排列。
[0040]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，位于第一基板上的阻隔壁與位于第二基板上的阻隔壁呈交替排列。
[0041]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，阻隔壁的材質(zhì)包括無(wú)機(jī)材料或有機(jī)與無(wú)機(jī)混合材料。
[0042]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，阻障層的材質(zhì)包括無(wú)機(jī)材料或金屬材料。
[0043]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，阻氣結(jié)構(gòu)包括:
[0044]第一阻氣結(jié)構(gòu)，形成于第一基板上且朝向第二基板延伸；以及
[0045]第二阻氣結(jié)構(gòu)，形成于第二基板上且朝向第一基板延伸，其中第一阻氣結(jié)構(gòu)與第二阻氣結(jié)構(gòu)交替排列于第一基板與第二基板之間。
[0046]基于上述，由于本發(fā)明實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的第一基板與第二基板之間具有阻氣結(jié)構(gòu)，且阻氣結(jié)構(gòu)環(huán)繞環(huán)境敏感電子元件，其中第一基板與第二基板之間具有微結(jié)構(gòu)，可有效提升第一基板、第二基板及/或阻氣結(jié)構(gòu)與填充層的接觸表面積，以提高環(huán)境敏感電子元件封裝體的貼合區(qū)域的可靠度，并防止環(huán)境敏感電子元件封裝體的第一基板與第二基板在撓曲的過(guò)程中分離。此外，本發(fā)明實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體具有良好的阻隔水氣與氧氣的能力，可有效延長(zhǎng)環(huán)境敏感電子元件的壽命。
[0047]為讓本發(fā)明能更明顯易 懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0048]圖1A是本發(fā)明一實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。
[0049]圖1B至ID是圖1A的環(huán)境敏感電子元件封裝體的區(qū)域A的局部俯視圖。
[0050]圖2A至圖2D是本發(fā)明另一實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。
[0051]圖3A至圖3D是本發(fā)明另一實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。
[0052]圖4A至圖4E是本發(fā)明實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法的剖面示意圖。
[0053]其中，附圖標(biāo)記:
[0054]100A~1001:環(huán)境敏感電子元件封裝體
[0055]110、110a:第一基板120、120a:第二基板
[0056]130:環(huán)境敏感電子元件140:阻氣結(jié)構(gòu)
[0057]140a:阻隔壁140b:阻障層
[0058]142:第一阻氣結(jié)構(gòu)142a:第一阻隔壁
[0059]142b:第一阻障層144:第二阻氣結(jié)構(gòu)
[0060]144a:第二阻隔壁144b:第二阻障層
[0061]150、150a、150b、150c:微結(jié)構(gòu) 160:填充層
[0062]A:區(qū)域Tl:第一高度
[0063]T2:第二高度Wl:第一寬度
[0064]W2:第二寬度
【具體實(shí)施方式】[0065]以下的敘述將伴隨著實(shí)施例的附圖，以針對(duì)本發(fā)明所提出的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。于附圖中，為求便于理解且清楚表示，各構(gòu)件之間的比例或角度被適當(dāng)?shù)胤糯蠡蚩s小。因此，附圖的各構(gòu)件之間的比例或角度是用來(lái)說(shuō)明而非用以限制本發(fā)明。
[0066]圖1A是本發(fā)明一實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。圖1B至ID是圖1A的環(huán)境敏感電子元件封裝體的區(qū)域A的局部俯視圖。請(qǐng)參考圖1A，在本實(shí)施例中，環(huán)境敏感電子元件封裝體100A包括第一基板110、第二基板120、環(huán)境敏感電子元件130、多個(gè)阻氣結(jié)構(gòu)140、多個(gè)微結(jié)構(gòu)150以及填充層160。第二基板120配置于第一基板110上方。環(huán)境敏感電子元件130配置于第一基板110上，且位于第一基板110與第二基板120之間。阻氣結(jié)構(gòu)140配置于第一基板110及第二基板120之間，且環(huán)繞環(huán)境敏感電子元件130。阻氣結(jié)構(gòu)140具有第一高度Tl，其中第一高度Tl例如是介于20微米至25微米之間。微結(jié)構(gòu)150配置于第一基板110與第二基板120之間，其中微結(jié)構(gòu)150具有第二高度T2，且第二高度T2與第一高度Tl的比值介于1/250至1/100之間。填充層160配置于第一基板110與第二基板120之間，且包覆阻氣結(jié)構(gòu)140以及環(huán)境敏感電子元件130。
[0067]在本實(shí)施例中，第一基板110與第二基板120例如是可撓性基板，其中可撓性基板的材質(zhì)可為聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate, PEN)、聚醚石風(fēng)(Polyethersulfone, PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate, PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)、聚亞酸胺(PI)或金屬箔(metal foil )，且可撓性基板可為具有觸控功能的基板，例如是表面式電容觸控、數(shù)字矩陣式觸控(例如投射式電容觸控)或類比矩陣式觸控基板。當(dāng)然，第一基板110以及第二基板120也可以是硬質(zhì)基板，其中硬質(zhì)基板的材質(zhì)可為玻璃，本發(fā)明并不加以限制。
[0068]另外，環(huán)境敏感電子元件130例如是主動(dòng)式環(huán)境敏感電子顯示元件或被動(dòng)式環(huán)境敏感電子顯示元件，其中主動(dòng)式環(huán)境敏感電子顯示元件例如是一主動(dòng)型矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode, AM-0LED)或者是主動(dòng)型矩陣電泳顯不器(Active Matrix Electrophoretic Display, AM-EF1D),俗稱電子紙，或者是主動(dòng)型矩陣液晶顯不器(Active Matrix Liquid Crystal Display, AM-LCD),或者是主動(dòng)型矩陣藍(lán)相液晶顯不器(Active Matrix Blue Phase Liquid Crystal Display)。被動(dòng)式環(huán)境敏感電子顯示元件則例如是被動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管陣列基板(Passive Matrix0LED, PM-0LED)或者是超扭轉(zhuǎn)向列型液晶顯不器(Super Twisted Nematic LiquidCrystal Display, STN-LCD)。
[0069]另一方面，阻氣結(jié)構(gòu)140可配置于環(huán)境敏感電子元件130的至少一側(cè)，也可配置于環(huán)境敏感電子元件130的任三側(cè)，其中較佳的配置方式是以環(huán)繞環(huán)境敏感電子元件130的四周為原則。在本實(shí)施例中，阻氣結(jié)構(gòu)140具有第一寬度W1，其中第一寬度Wl與第一高度Tl的比值介于4至6之間，且阻氣結(jié)構(gòu)140的水氣透過(guò)率小于10_2g/m2/天。詳細(xì)而言，各阻氣結(jié)構(gòu)140包括阻隔壁140a以及阻障層140b，如圖1A所示，本實(shí)施例的阻隔壁140a例如是配置于第二基板120上，且呈等間距排列，其中阻隔壁140a垂直于第一基板110的截面可以是梯形、矩形或三角形(本實(shí)施例是以梯形為例)，而阻障層140b包覆阻隔壁140a。一般而言，阻隔壁140a的材質(zhì)可包括無(wú)機(jī)材料或有機(jī)與無(wú)機(jī)混合材料。阻障層140b的材質(zhì)可包括無(wú)機(jī)材料，其中無(wú)機(jī)材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氧化鋁。阻障層140b的材質(zhì)也可包括金屬材料，而金屬材料例如是鑰、鈦、鋁或鉻，也可以是鑰/鋁/鑰所構(gòu)成的多層金屬，又或者是鈦/鋁/鈦所構(gòu)成的多層金屬。
[0070]另外，在其他未繪示的實(shí)施例中，本發(fā)明的阻氣結(jié)構(gòu)140也可以是表面粗化的阻氣結(jié)構(gòu)140。詳細(xì)而言，表面粗化的阻氣結(jié)構(gòu)140具有表面粗化的阻隔壁140a以及阻障層140b，其中阻障層140b包覆表面粗化的阻隔壁140a，且表面粗化的阻隔壁140a例如是通過(guò)干式蝕刻、濕式蝕刻或霧面噴砂等方法所形成。
[0071]請(qǐng)繼續(xù)參考圖1A，在本實(shí)施例中，微結(jié)構(gòu)150例如是配置于第一基板110上，其中微結(jié)構(gòu)150例如是通過(guò)黃光微影、X光微影、蝕刻(如激光蝕刻)或網(wǎng)印等相關(guān)技術(shù)形成于第一基板110上。此外，微結(jié)構(gòu)具有第二寬度W2，且第二寬度W2與第二高度T2的比值介于1/10至I之間。詳細(xì)而言，如圖1B至ID所示，微結(jié)構(gòu)150例如是底面積為多邊形的突起，且微結(jié)構(gòu)150的底面積可以是矩形、方形或三角形，分別例如是圖1B的微結(jié)構(gòu)150a、圖1C的微結(jié)構(gòu)150b或圖1D的微結(jié)構(gòu)150c，也就是說(shuō)，圖1B的微結(jié)構(gòu)150a例如是底面積為矩形的立方體，而圖1C的微結(jié)構(gòu)150b例如是底面積為方形的立方體，而圖1D的微結(jié)構(gòu)150c例如是底面積為三角形的三角錐體。在其他未繪示的實(shí)施例中，本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)150的底面積也可以是其他不同形態(tài)的多邊形、圓形或橢圓形。
[0072]一般而言，填充層160例如是膠材通過(guò)紫光固化或熱固化所形成。膠材的材質(zhì)例如是壓克力樹(shù)脂(acrylic)或環(huán)氧樹(shù)脂(expoxy)。在本實(shí)施例中，填充層160的形態(tài)例如是感壓式膠材或填充式膠材。另一方面，本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)體可根據(jù)殘留于膠材內(nèi)的氣體而重新調(diào)整其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)或配置，以將殘留于膠材內(nèi)的氣體排出。
[0073]簡(jiǎn)言之，微結(jié)構(gòu)150可增加第一基板110與填充層160的接觸表面積，以提高環(huán)境敏感電子元件封裝體100A的貼合區(qū)域的可靠度。另一方面，第一基板110上的微結(jié)構(gòu)150也可更進(jìn)一步接觸或幾乎接觸阻氣結(jié)構(gòu)140的阻障層140b，其中微結(jié)構(gòu)150可以是點(diǎn)接觸、線接觸或面接觸阻氣結(jié)構(gòu)140的阻障層140b，從而大幅縮小水氧的穿透路徑。
[0074]雖然上述實(shí)施例的阻氣結(jié)構(gòu)140配置于第二基板120上，且微結(jié)構(gòu)150配置于第一基板110上，其中阻氣結(jié)構(gòu)140的阻隔壁140a垂直于第一基板的截面為梯形。然而，在其他的實(shí)施例中，可達(dá)到阻隔水氣與氧氣的能力的不同結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)或配置，仍屬于本發(fā)明可采用的技術(shù)方案，不脫離本發(fā)明所欲保護(hù)的范圍。以下將列舉多個(gè)不同的實(shí)施例來(lái)分別說(shuō)明環(huán)境敏感電子元件封裝體100B至1001的設(shè)計(jì)。
[0075]圖2A至圖2D是本發(fā)明另一實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。圖3A至圖3D是本發(fā)明另一實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖2A，圖2A的環(huán)境敏感電子元件封裝體100B與圖1A的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖2A的環(huán)境敏感電子元件封裝體100B的微結(jié)構(gòu)150僅配置于阻氣結(jié)構(gòu)140貼近第一基板110的頂表面上。換言之，微結(jié)構(gòu)150可增加阻氣結(jié)構(gòu)140與填充層160的接觸表面積，以提高環(huán)境敏感電子元件封裝體100B的貼合區(qū)域的可靠度，也可進(jìn)一步接觸或幾乎接觸第一基板110，其中微結(jié)構(gòu)150可以是點(diǎn)接觸、線接觸或面接觸第一基板110，從而大幅縮小水氧的穿透路徑。
[0076]請(qǐng)參考圖2B，圖2B的環(huán)境敏感電子元件封裝體100C與圖1A的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖2B的環(huán)境敏感電子元件封裝體100C的微結(jié)構(gòu)150分別配置于第二基板120及阻氣結(jié)構(gòu)140貼近第一基板110的頂表面上。換言之，微結(jié)構(gòu)150可增加第二基板120及阻氣結(jié)構(gòu)140與填充層160的接觸表面積，以提高環(huán)境敏感電子元件封裝體IOOC的貼合區(qū)域的可靠度，也可進(jìn)一步接觸或幾乎接觸第一基板110，其中微結(jié)構(gòu)150可以是點(diǎn)接觸、線接觸或面接觸第一基板110，從而大幅縮小水氧的穿透路徑。
[0077]請(qǐng)參考圖2C，圖2C的環(huán)境敏感電子元件封裝體100D與圖1A的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖2C的環(huán)境敏感電子元件封裝體100D的微結(jié)構(gòu)150分別配置于第二基板120及阻氣結(jié)構(gòu)140。具體而言，本實(shí)施例的微結(jié)構(gòu)150更進(jìn)一步分布在阻氣結(jié)構(gòu)140貼近第一基板110的頂面及阻氣結(jié)構(gòu)140的側(cè)表面。換言之，微結(jié)構(gòu)150可增加第二基板120阻氣結(jié)構(gòu)140與填充層160的接觸表面積，以提高環(huán)境敏感電子元件封裝體100D的貼合區(qū)域的可靠度，也可進(jìn)一步接觸或幾乎接觸第一基板110，其中微結(jié)構(gòu)150可以是點(diǎn)接觸、線接觸或面接觸第一基板110，從而大幅縮小水氧的穿透路徑。
[0078]請(qǐng)參考圖2D，圖2D的環(huán)境敏感電子元件封裝體100E與圖1A的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖2D的環(huán)境敏感電子元件封裝體100E的微結(jié)構(gòu)150分別配置于第一基板110及第二基板120。換言之，第一基板110的微結(jié)構(gòu)150可進(jìn)一步接觸或幾乎接觸阻氣結(jié)構(gòu)140的阻障層140b，其中微結(jié)構(gòu)150可以是點(diǎn)接觸、線接觸或面接觸阻氣結(jié)構(gòu)140的阻障層140b，從而大幅縮小水氧的穿透路徑。此外，微結(jié)構(gòu)150可增加第一基板110及第二基板120與填充層160的接觸表面積，以提高環(huán)境敏感電子元件封裝體100E的貼合區(qū)域的可靠度
[0079]另一方面，如圖3A所示，環(huán)境敏感電子元件封裝體100F的阻氣結(jié)構(gòu)140更進(jìn)一步包括第一阻氣結(jié)構(gòu)142以及第二阻氣結(jié)構(gòu)144，其中第一阻氣結(jié)構(gòu)142位于第一基板IlOa上且朝向第二基板120a延伸，而第二阻氣結(jié)構(gòu)144位于第二基板120a上且朝向第一基板IlOa延伸。詳細(xì)而言，第一阻氣結(jié)構(gòu)具有第一阻隔壁142a以及第一阻障層142b，其中第一阻障層142b包覆第一阻隔壁142a，另外，第二阻氣結(jié)構(gòu)144具有第二阻隔壁144a以及第二阻障層144b，其中第二阻障層144b包覆第二阻隔壁144a。
[0080]第一阻氣結(jié)構(gòu)142與第二阻氣結(jié)構(gòu)144交替排列于第一基板IlOa與第二基板120a之間，其中微結(jié)構(gòu)150分別配置于第一阻氣結(jié)構(gòu)142貼近第二基板120a的頂表面以及第二阻氣結(jié)構(gòu)144貼近第一基板IlOa的頂表面。換言之，第一阻氣結(jié)構(gòu)142的微結(jié)構(gòu)150以及第二阻氣結(jié)構(gòu)144的微結(jié)構(gòu)150可分別進(jìn)一步接觸或幾乎接觸第二基板120a以及第一基板110a，其中微結(jié)構(gòu)150可以是分別點(diǎn)接觸、線接觸或面接觸第一基板IlOa及第二基板120a，從而大幅縮小水氧的穿透路徑。此外，微結(jié)構(gòu)150可增加第一阻氣結(jié)構(gòu)142及第二阻氣結(jié)構(gòu)144與填充層160的接觸表面積，以提高環(huán)境敏感電子元件封裝體100F的貼合區(qū)域的可靠度。
[0081]請(qǐng)參考圖3B，圖3B的環(huán)境敏感電子元件封裝體100G與圖3A的環(huán)境敏感電子元件封裝體100F相似，其不同之處在于:圖3B的環(huán)境敏感電子元件封裝體100G的微結(jié)構(gòu)150分別配置于第一基板IlOa以及第二基板120a。換言之，第一基板IlOa的微結(jié)構(gòu)150可進(jìn)一步接觸或幾乎接觸第二基板120a的第二阻氣結(jié)構(gòu)144的第二阻障層144b，其中微結(jié)構(gòu)150可以是點(diǎn)接觸、線接觸或面接觸第二阻氣結(jié)構(gòu)144的第二阻障層144b。第二基板120a的微結(jié)構(gòu)150可進(jìn)一步接觸或幾乎接觸第一阻氣結(jié)構(gòu)142的第一阻障層142b，其中微結(jié)構(gòu)150可以是點(diǎn)接觸、線接觸或面接觸第一阻氣結(jié)構(gòu)142的第一阻障層142b，從而大幅縮小水氧的穿透路徑。此外，微結(jié)構(gòu)150可增加第一基板IlOa及第二基板120a與填充層160的接觸表面積，以提高環(huán)境敏感電子元件封裝體100G的貼合區(qū)域的可靠度。[0082]請(qǐng)參考圖3C，圖3C的環(huán)境敏感電子元件封裝體100H與圖3A的環(huán)境敏感電子元件封裝體100F相似，其不同之處在于:圖3C的環(huán)境敏感電子元件封裝體100H的微結(jié)構(gòu)150分別配置于第二基板120a以及第二阻氣結(jié)構(gòu)144，具體而言，微結(jié)構(gòu)150更進(jìn)一步分布在第二阻氣結(jié)構(gòu)144貼近第一基板IlOa的頂表面以及第二阻氣結(jié)構(gòu)144的側(cè)表面。換言之，第二基板120a的微結(jié)構(gòu)150可進(jìn)一步接觸或幾乎接觸第一阻氣結(jié)構(gòu)142的第一阻障層142b，其中微結(jié)構(gòu)150可以是點(diǎn)接觸、線接觸或面接觸第一阻氣結(jié)構(gòu)142的第一阻障層142b。此夕卜，第二阻氣結(jié)構(gòu)144的微結(jié)構(gòu)150可進(jìn)一步接觸或幾乎接觸第一基板IlOa,也可以接觸或幾乎接觸第一阻氣結(jié)構(gòu)142的第一阻障層142b，其中微結(jié)構(gòu)150可以是點(diǎn)接觸、線接觸或面接觸第一基板IlOa以及第一阻氣結(jié)構(gòu)142的第一阻障層142b，從而大幅縮小水氧的穿透路徑。此外，微結(jié)構(gòu)150可增加第二基板120a及第二阻氣結(jié)構(gòu)144與填充層160的接觸表面積，以提高環(huán)境敏感電子元件封裝體100H的貼合區(qū)域的可靠度。
[0083]請(qǐng)參考圖3D，圖3D的環(huán)境敏感電子元件封裝體1001與圖3A的環(huán)境敏感電子元件封裝體100F相似，其不同之處在于:圖3D的環(huán)境敏感電子元件封裝體1001的微結(jié)構(gòu)150分別配置于第一基板IlOa以及第一阻氣結(jié)構(gòu)142，具體而言，微結(jié)構(gòu)更進(jìn)一步分布在第一阻氣結(jié)構(gòu)142貼近第二基板120a的頂表面以及第一阻氣結(jié)構(gòu)142的側(cè)表面。換言之，第一基板IlOa的微結(jié)構(gòu)150可進(jìn)一步接觸或幾乎接觸第二阻氣結(jié)構(gòu)144的第二阻障層144b，其中微結(jié)構(gòu)150可以是點(diǎn)接觸、線接觸或面接觸第二阻氣結(jié)構(gòu)144的第二阻障層144b。此外，第一阻氣結(jié)構(gòu)142的微結(jié)構(gòu)150可進(jìn)一步接觸或幾乎接觸第二基板120a，也可以接觸或幾乎接觸第二阻氣結(jié)構(gòu)144的第二阻障層144b，其中微結(jié)構(gòu)150可以是點(diǎn)接觸、線接觸或面接觸第二基板120a以及第二阻氣結(jié)構(gòu)144的第二阻障層144b，從而大幅縮小水氧的穿透路徑。此外，微結(jié)構(gòu)150可增加第一基板IlOa及第一阻氣結(jié)構(gòu)142與填充層160的接觸表面積，以提高環(huán)境敏感電子元件封裝體1001的貼合區(qū)域的可靠度。
[0084]以上僅介紹本發(fā)明部分實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A至1001，并未介紹本發(fā)明的環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法。對(duì)此，以下將以圖1A的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A為例，并配合圖4A至圖4E對(duì)環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
[0085]圖4A至圖4E是本發(fā)明一實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖4A，首先，于第一基板110上形成環(huán)境敏感電子元件130，其中第一基板HO例如是可撓性基板，其中可撓性基板的材質(zhì)可為聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate, PET)、聚間苯二 甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate, PEN)、聚醚石風(fēng)(Polyethersulfone, PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate, PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)、聚亞酰胺(PI)或金屬箔(metal foil),且可撓性基板可為具有觸控功能的基板，例如是表面式電容觸控、數(shù)字矩陣式觸控(例如投射式電容觸控)或類比矩陣式觸控基板。當(dāng)然，第一基板110也可以是硬質(zhì)基板，其中硬質(zhì)基板的材質(zhì)可為玻璃，本發(fā)明并不加以限制。
[0086]另外，環(huán)境敏感電子元件130例如是主動(dòng)式環(huán)境敏感電子顯示元件或被動(dòng)式環(huán)境敏感電子顯示元件，例如是通過(guò)光學(xué)膠(未繪示)貼合于第一基板110上，其中主動(dòng)式環(huán)境敏感電子顯示元件例如是一主動(dòng)型矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix OrganicLight Emitting Diode, AM-0LED)或者是主動(dòng)型矩陣電泳顯不器(Active MatrixElectrophoretic Display, AM-EPD),俗稱電子紙，或者是主動(dòng)型矩陣液晶顯示器(ActiveMatrix Liquid Crystal Display, AM-1XD),或者是主動(dòng)型矩陣藍(lán)相液晶顯示器(ActiveMatrix Blue Phase Liquid Crystal Display)。被動(dòng)式環(huán)境敏感電子顯示元件則例如是被動(dòng)式有機(jī)發(fā)光二極管陣列基板(Passive Matrix OLED, PM-0LED)或者是超扭轉(zhuǎn)向列型液晶顯不器(Super Twisted Nematic Liquid Crystal Display, STN-LCD)。
[0087]接著，請(qǐng)參考圖4B-1以及4B-2，于第二基板120上形成多個(gè)阻氣結(jié)構(gòu)140，其中阻氣結(jié)構(gòu)140具有第一高度Tl，第一高度Tl例如是介于20微米至25微米之間，且環(huán)繞環(huán)境敏感電子元件130。具體而言，阻氣結(jié)構(gòu)140可形成于環(huán)境敏感電子元件130的至少一側(cè)，也可形成于環(huán)境敏感電子元件130的任三側(cè)，其中較佳的配置方式是以環(huán)繞環(huán)境敏感電子元件130的四周為原則。此外，在本實(shí)施例中，阻氣結(jié)構(gòu)140具有第一寬度W1，其中第一寬度Wl與第一高度Tl的比值介于4至6之間，且阻氣結(jié)構(gòu)140的水氣透過(guò)率小于10_2g/m2/天。詳細(xì)而言，形成各阻氣結(jié)構(gòu)140的順序例如是先于第二基板120上形成多個(gè)阻隔壁140a，其中各阻隔壁140a呈等間距排列，且各阻隔壁140a垂直于第一基板110的截面例如是梯形、矩形或三角形(本實(shí)施例是以梯形為例)。接著，于各阻隔壁140a上形成阻障層140b，其中各阻障層140b包覆各阻隔壁140a，至此阻氣結(jié)構(gòu)140的制作已大致完成。一般而言，阻隔壁140a的材質(zhì)可包括無(wú)機(jī)材料或有機(jī)與無(wú)機(jī)混合材料，而阻障層140b的材質(zhì)可包括無(wú)機(jī)材料，其中無(wú)機(jī)材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁。阻障層140b的材質(zhì)也可包括金屬材料，而金屬材料例如是鑰、鈦、鋁或鉻，也可以是鑰/鋁/鑰所構(gòu)成的多層金屬，又或者是鈦/鋁/鈦所構(gòu)成的多層金屬。
[0088]另外，在其他未繪示的實(shí)施例中，本發(fā)明的阻氣結(jié)構(gòu)140也可以是表面粗化的阻氣結(jié)構(gòu)140。詳細(xì)而言，表面粗化的阻氣結(jié)構(gòu)140例如是通過(guò)干式蝕刻、濕式蝕刻或霧面噴砂等方法先于第二基板120形成表面粗化的阻隔壁140a，接著以阻障層140b包覆表面粗化的阻隔壁140a所形成。
[0089]接著，如圖4C所示，于第一基板110上形成多個(gè)微結(jié)構(gòu)150，其中各微結(jié)構(gòu)150具有第二高度T2，且第二高度T2與第一高度Tl的比值介于1/250至1/100之間。一般而言，其中微結(jié)構(gòu)150例如是通過(guò)黃光微影、X光微影、蝕刻(如激光蝕刻)或網(wǎng)印等相關(guān)技術(shù)形成于第一基板110上，且微結(jié)構(gòu)150具有第二寬度W2，其中第二寬度W2與第二高度T2的比值介于1/10至I之間。詳細(xì)而言，微結(jié)構(gòu)150例如是底面積為多邊形的突起，如圖1B至ID所示，本實(shí)施例的微結(jié)構(gòu)150的底面積可以是方形、矩形或三角形。更具體而言，圖1B的微結(jié)構(gòu)150a例如是底面積為矩形的立方體，而圖1C的微結(jié)構(gòu)150b例如是底面積為方形的立方體，而圖1D的微結(jié)構(gòu)150c例如是底面積為三角形的三角錐體。在其他未繪示的實(shí)施例中，本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)150的底面積也可以是其他不同形態(tài)的多邊形、圓形或橢圓形的立體微結(jié)構(gòu)。此外，如圖2A至圖2D所示，本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)150也可以分別形成于第二基板120及/或阻氣結(jié)構(gòu)140上，本發(fā)明并不加以限制。
[0090]接著，請(qǐng)參考圖4D，于第一基板110上形成一填充層160，以包覆環(huán)境敏感電子元件130與阻氣結(jié)構(gòu)140。詳細(xì)而言,于第一基板110上形成一填充層160,以包覆環(huán)境敏感電子元件130與阻氣結(jié)構(gòu)140的方法可以是先于第一基板110上形成一膠材，以包覆環(huán)境敏感電子元件130以及阻氣結(jié)構(gòu)140。接著，例如通過(guò)紫光固化或熱固化膠材而形成填充層160。在本實(shí)施例中，膠材的材質(zhì)例如是壓克力樹(shù)脂(aery lie)或環(huán)氧樹(shù)脂(expoxy ),而填充層160的形態(tài)例如為填充式膠材或感壓式膠材。
[0091]之后，請(qǐng)參考圖4E，令第二基板120壓合于填充層160上，以使第一基板110通過(guò)填充層160與第二基板120接合，其中環(huán)境敏感電子元件130與阻氣結(jié)構(gòu)140位于第一基板110與第二基板120之間。一般而言，將第二基板120壓合于填充層160后，可以是通過(guò)滾輪或框壓的方式使第二基板120的阻氣結(jié)構(gòu)140與第一基板110緊密接觸。至此，環(huán)境敏感電子元件封裝體100A已大致完成。另一方面，本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)體可根據(jù)殘留于膠材內(nèi)的氣體而重新調(diào)整其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)或配置，以將殘留于膠材內(nèi)的氣體排出。
[0092]在此必須說(shuō)明的是，雖然上述實(shí)施例是以阻氣結(jié)構(gòu)140形成于第二基板120上進(jìn)行說(shuō)明，然而，在其他實(shí)施例中，阻氣結(jié)構(gòu)140也可以形成于第一基板110上。詳細(xì)而言，如圖3A至3D所示，阻氣結(jié)構(gòu)140可以是分別形成于第一基板IlOa以及第二基板120a的第一阻氣結(jié)構(gòu)142以及第二阻氣結(jié)構(gòu)144。第一阻氣結(jié)構(gòu)142朝向第二基板120a延伸，而第二阻氣結(jié)構(gòu)144朝向第一基板I IOa延伸，并且第一阻氣結(jié)構(gòu)142與第二阻氣結(jié)構(gòu)144交替排列于第一基板IlOa與第二基板120a之間。
[0093]更進(jìn)一步而言，形成第一阻氣結(jié)構(gòu)142的順序例如是先于第一基板IlOa上形成多個(gè)第一阻隔壁142a，其中各第一阻隔壁142a呈等間距排列，且各第一阻隔壁142a垂直于第一基板IlOa的截面例如是梯形、矩形或三角形(本實(shí)施例是以梯形為例)。接著，于各第一阻隔壁142a上形成第一阻障層142b，其中各第一阻障層142b包覆各第一阻隔壁142a，至此第一阻氣結(jié)構(gòu)142的制作已大致完成。另外，形成第二阻氣結(jié)構(gòu)144的順序例如是先于第二基板120a上形成多個(gè)第二阻隔壁144a，其中各第二阻隔壁144a呈等間距排列，且各第二阻隔壁144a垂直于第二基板120a的截面例如是梯形、矩形或三角形(本實(shí)施例是以梯形為例)。接著，于各第二阻隔壁144a上形成第二阻障層144b，其中各第二阻障層144b包覆各第二阻隔壁144a，至此第二阻氣結(jié)構(gòu)144的制作已大致完成。
[0094]一般而言，第一阻隔壁142a以及第二阻隔壁144a的材質(zhì)可包括無(wú)機(jī)材料或有機(jī)與無(wú)機(jī)混合材料，而第一阻障層142b以及第二阻障層144b的材質(zhì)可包括無(wú)機(jī)材料，其中無(wú)機(jī)材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁。第一阻障層142b以及第二阻障層144b的材質(zhì)也可包括金屬材料，而金屬材料例如是鑰、鈦、鋁或鉻，也可以是鑰/鋁/鑰所構(gòu)成的多層金屬，又或者是鈦/鋁/鈦所構(gòu)成的多層金屬。
[0095]另外，在其他未繪示的實(shí)施例中，第一阻氣結(jié)構(gòu)142以及第二阻氣結(jié)構(gòu)144也可以是表面粗化的第一阻氣結(jié)構(gòu)142以及表面粗化的第二阻氣結(jié)構(gòu)144。詳細(xì)而言，表面粗化的第一阻氣結(jié)構(gòu)142以及第二阻氣結(jié)構(gòu)144例如是通過(guò)干式蝕刻、濕式蝕刻或霧面噴砂等方法先分別于第一基板IlOa以及第二基板120a形成表面粗化的第一阻隔壁142a以及第二阻隔壁144a，其中第一阻隔壁142a以及第二阻隔壁144a分別于第一基板IlOa以及第二基板120a上呈等間距排列。接著，分別以第一阻障層142b以及第二阻障層144b包覆表面粗化的第一阻隔壁142a以及第二阻隔壁144a，至此第一阻氣結(jié)構(gòu)142以及第二阻氣結(jié)構(gòu)144的已大致完成。
[0096]簡(jiǎn)言之，如圖3A至3D所示，本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)150也可形成于第一基板110、第二基板120、第一阻氣結(jié)構(gòu)142及/或第二阻氣結(jié)構(gòu)144上，以大幅縮小水氧的穿透路徑，并且提高環(huán)境敏感電子元件封裝體100F至1001的貼合區(qū)域的可靠度。
[0097]綜上所述，由于本發(fā)明的環(huán)境敏感電子元件封裝體的第一基板與第二基板之間具有阻氣結(jié)構(gòu)，且阻氣結(jié)構(gòu)環(huán)繞環(huán)境敏感電子元件，其中第一基板與第二基板之間具有微結(jié)構(gòu)，可有效提升第一基板、第二基板及/或阻氣結(jié)構(gòu)與填充層的接觸表面積，以提高環(huán)境敏感電子元件封裝體的貼合區(qū)域的可靠度，防止環(huán)境敏感電子元件封裝體的第一基板與第二基板在撓曲的過(guò)程中分離。
[0098]此外，微結(jié)構(gòu)可進(jìn)一步接觸或幾乎接觸第一基板、第二基板及/或阻氣結(jié)構(gòu)，從而大幅縮小水氧的穿透路徑，因此本發(fā)明的環(huán)境敏感電子元件封裝體具有良好的阻隔水氣與氧氣的能力，可有效延長(zhǎng)環(huán)境敏感電子元件的壽命。
[0099]雖然本發(fā)明已以實(shí)施例公開(kāi)如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書(shū)為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，包括: 第一基板； 第二基板，配置于所述第一基板上方； 環(huán)境敏感電子元件，配置于所述第一基板上，且位于所述第一基板與所述第二基板之間； 多個(gè)阻氣結(jié)構(gòu)，配置于所述第一基板及所述第二基板之間，且環(huán)繞所述環(huán)境敏感電子元件，其中所述阻氣結(jié)構(gòu)具有第一高度； 多個(gè)微結(jié)構(gòu)，配置于所述第一基板與所述第二基板之間，其中所述微結(jié)構(gòu)具有第二高度，且所述第二高度與所述第一高度的比值介于1/250至1/100之間；以及 填充層，配置于所述第一基板與所述第二基板之間，且包覆所述阻氣結(jié)構(gòu)以及所述環(huán)境敏感電子元件。
2.如權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，所述微結(jié)構(gòu)位于所述第一基板上。
3.如權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，所述微結(jié)構(gòu)位于所述第二基板上。
4.如權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，所述微結(jié)構(gòu)位于所述阻氣結(jié)構(gòu)上。`
5.如權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，所述阻氣結(jié)構(gòu)的水氣透過(guò)率小于10_2g/m2/天。
6.如權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，所述阻氣結(jié)構(gòu)具有第一寬度，且所述第一寬度與所述第一高度的比值介于4至6之間。
7.如權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，所述微結(jié)構(gòu)具有第二寬度，且所述第二寬度與所述第二高度的比值介于1/10至I之間。
8.如權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，所述微結(jié)構(gòu)包括底面積為多邊形的突起。
9.如權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，所述阻氣結(jié)構(gòu)包括: 阻隔壁，配置于所述第一基板或所述第二基板上；以及 阻障層，包覆所述阻隔壁，其中所述填充層包覆所述阻障層。
10.如權(quán)利要求9所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，所述阻隔壁呈等間距排列。
11.如權(quán)利要求9所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，所述阻隔壁的截面包括矩形、梯形或三角形，且所述截面垂直于所述第一基板。
12.如權(quán)利要求9所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，所述阻隔壁的材質(zhì)包括無(wú)機(jī)材料或有機(jī)與無(wú)機(jī)混合材料。
13.如權(quán)利要求9所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，所述阻障層的材質(zhì)包括無(wú)機(jī)材料或金屬材料。
14.如權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，所述阻氣結(jié)構(gòu)包括: 第一阻氣結(jié)構(gòu)，位于所述第一基板上且朝向所述第二基板延伸；以及 第二阻氣結(jié)構(gòu)，位于所述第二基板上且朝向所述第一基板延伸，其中所述第一阻氣結(jié)構(gòu)與所述第二阻氣結(jié)構(gòu)交替排列于所述第一基板與所述第二基板之間。
15.一種環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法，其特征在于，包括: 于第一基板上形成環(huán)境敏感電子元件； 于所述第一基板及/或所述第二基板上形成多個(gè)阻氣結(jié)構(gòu)，其中所述阻氣結(jié)構(gòu)環(huán)繞所述環(huán)境敏感電子元件，且所述阻氣結(jié)構(gòu)具有第一高度； 于所述第一基板與所述第二基板之間配置多個(gè)微結(jié)構(gòu)，其中所述微結(jié)構(gòu)具有第二高度，且所述第二高度與所述第一高度的比值介于1/100至1/250之間； 于所述第一基板上形成一填充層，以包覆所述環(huán)境敏感電子元件與所述阻氣結(jié)構(gòu)；以及 令所述第二基板壓合于所述填充層上，以使所述第一基板通過(guò)所述填充層與所述第二基板接合，其中所述環(huán)境敏感電子元件以及所述阻氣結(jié)構(gòu)位于所述第一基板與所述第二基板之間。
16.如權(quán)利要求15所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法，其特征在于，所述微結(jié)構(gòu)位于第一基板上。
17.如權(quán)利要求15所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法，其特征在于，所述微結(jié)構(gòu)位于第二基板上。
18.如權(quán)利要求15所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法，其特征在于，所述微結(jié)構(gòu)位于所述阻氣結(jié)構(gòu)上。
19.如權(quán)利要求15所述的·環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法，其特征在于，所述阻氣結(jié)構(gòu)的水氣透過(guò)率小于l(T2g/m2/天。
20.如權(quán)利要求15所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法，其特征在于，所述阻氣結(jié)構(gòu)具有第一寬度，且所述第一寬度與所述第一高度的比值介于4至6之間。
21.如權(quán)利要求15所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法，其特征在于，所述微結(jié)構(gòu)具有第二寬度，且所述第二寬度與所述第二高度的比值介于1/10至I之間。
22.如權(quán)利要求15所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法，其特征在于，所述微結(jié)構(gòu)包括底面積為多邊形的突起。
23.如權(quán)利要求15所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法，其特征在于，于所述第一基板、所述第二基板及/或所述阻氣結(jié)構(gòu)形成所述微結(jié)構(gòu)的方法包括黃光微影或蝕刻。
24.如權(quán)利要求15所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法，其特征在于，于所述第一基板上形成所述填充層的方法包括: 于所述第一基板上形成膠材，以包覆所述環(huán)境敏感電子元件以及所述阻氣結(jié)構(gòu)；以及 固化所述膠材以形成所述填充層。
25.如權(quán)利要求15所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法，其特征在于，于所述第一基板及/或所述第二基板上形成所述阻氣結(jié)構(gòu)的方法包括: 于所述第一基板及/或所述第二基板上形成多個(gè)阻隔壁；以及 形成多個(gè)阻障層，以包覆所述阻隔壁，其中所述填充層包覆所述阻障層。
26.如權(quán)利要求25所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法，其特征在于，所述阻隔壁呈等間距排列。
27.如權(quán)利要求25所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法，其特征在于，位于所述第一基板上的所述阻隔壁與位于所述第二基板上的所述阻隔壁呈交替排列。
28.如權(quán)利要求25所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法，其特征在于，所述阻隔壁的材質(zhì)包括無(wú)機(jī)材料或有機(jī)與無(wú)機(jī)混合材料。
29.如權(quán)利要求25所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法，其特征在于，所述阻障層的材質(zhì)包括無(wú)機(jī)材料或金屬材料。
30.如權(quán)利要求15所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法，其特征在于，所述阻氣結(jié)構(gòu)包括: 第一阻氣結(jié)構(gòu)，形成于所述第一基板上且朝向所述第二基板延伸；以及第二阻氣結(jié)構(gòu)，形成于所述第二基板上且朝向所述第一基板延伸，其中所述第一阻氣結(jié)構(gòu)與所述第二阻氣結(jié)構(gòu)交替排列`于所述第一基板與所述第二基板之間。
【文檔編號(hào)】G02F1/1339GK103855186SQ201310400135
【公開(kāi)日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2013年9月5日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月6日
【發(fā)明者】李曉燕, 張悠揚(yáng), 蔡寶鳴 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院