光刻膠清洗劑的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種光刻膠清洗劑，其特征在于：包括有機胺化合物、防腐蝕劑和有機溶劑。其克服現(xiàn)有技術的光刻膠清洗劑或者清洗能力不足，或者對半導體晶片基材的腐蝕較嚴重的缺陷，提供一種清洗能力強，且腐蝕性較低。
【專利說明】光刻膠清洗劑
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體制造工藝【技術領域】，尤其涉及光刻膠清洗劑。
【背景技術】
[0002]本發(fā)明涉及一種光刻膠清洗劑。在通常的半導體制造工藝中，通過在二氧化硅、Cu (銅)等金屬以及低k材料等表面上形成光刻膠的掩模，曝光后利用濕法或干法刻蝕進行圖形轉移。低溫快速的清洗工藝是半導體晶片制造工藝發(fā)展的重要方向。20μπι以上厚度的負性光刻膠正逐漸應用于半導體晶片制造工藝中，而目前工業(yè)上大部分的光刻膠清洗劑對正性光刻膠的清洗能力較好，但不能徹底去除晶片上經曝光和刻蝕后的具有交聯(lián)網狀結構的負性光刻膠。另外，在半導體晶片進行光刻膠的化學清洗過程中，清洗劑常會造成晶片圖案和基材的腐蝕。特別是在利用化學清洗劑除去光刻膠和刻蝕殘余物的過程中，金屬(尤其是鋁和銅等較活潑金屬)腐蝕是較為普遍而且非常嚴重的問題，往往導致晶片良率的顯著降低。
[0003]目前，光刻膠清洗劑主要由極性有機溶劑、強堿和/或水等組成，通過將半導體晶片浸入清洗劑中或者利用清洗劑沖洗半導體晶片，去除半導體晶片上的光刻膠。
[0004]目前，現(xiàn)有技術的清洗劑或者清洗能力不足，或者對半導體晶片基材的腐蝕較嚴重。因此，亟待需求一種清洗能力強且腐蝕性較低的清洗劑。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種為了克服現(xiàn)有技術的光刻膠清洗劑或者清洗能力不足，或者對半導體晶片基材的腐蝕較嚴重的缺陷，提供一種清洗能力強，且腐蝕性較低的清洗劑。
[0006]為解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種光刻膠清洗劑，其包括有機胺化合物、防腐蝕劑和有機溶劑。
[0007]其中，所述有機胺化合物包括一種或多種選自以下的物質:單乙醇胺(MEA)U-氨基異丙醇(AIP)、2_氨基-1-丙醇、N-甲基氨基乙醇(N-MAE)、3-氨基-1-丙醇、4-氨基_1_ 丁醇、2-(2-氨基乙氧基)-1-乙醇(AEE)、2_(2_氨基乙基氨基)-1-乙醇、二乙醇胺(DEA)、三乙醇胺(TEA)U-咪唑烷乙醇和羥乙基哌嗪(HEP)。
[0008]其中，以所述組合物總重量計，有機胺化合物的含量在10至35重量％的范圍內。
[0009]其中，所述有機溶劑包括N-甲基吡咯烷酮、1，3_ 二甲基-2-咪唑烷酮、二甲基亞砜、二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、N-甲基甲酰胺、環(huán)丁砜、丁基二乙二醇、乙基二乙二醇、甲基二乙二醇、三乙二醇、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、及其混合物。
[0010]其中，以所述組合物總重量計，有機溶劑的含量在65至99重量％的范圍內。
[0011]其中，所述防腐蝕劑由芳香族羥基化合物和式I所示的ω，ω'-雙(苯并咪唑-2-基)烷烴構成，其中，η = 8，兩者的質量為1:1?1: 2。[0012]
【權利要求】
1.一種光刻膠清洗劑，其特征在于:包括有機胺化合物、防腐蝕劑和有機溶劑。
2.如權利要求1所述的光刻膠清洗劑，其特征在于:所述有機胺化合物包括一種或多種選自以下的物質:單乙醇胺(MEA)、1_氨基異丙醇(AIP)、2_氨基-1-丙醇、N-甲基氨基乙醇(N-MAE)、3_氨基-1-丙醇、4-氨基-1-丁醇、2-(2-氨基乙氧基)-1-乙醇(AEE)、2-(2-氨基乙基氨基)-1-乙醇、二乙醇胺(DEA)、三乙醇胺(TEA)U-咪唑烷乙醇和羥乙基哌嗪(HEP)。
3.如權利要求1或2所述的光刻膠清洗劑，其特征在于:以所述組合物總重量計，有機胺化合物的含量在10至35重量％的范圍內。
4.如權利要求1至3所述的光刻膠清洗劑，其特征在于:所述有機溶劑包括N-甲基吡咯烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑烷酮、二甲基亞砜、二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、N-甲基甲酰胺、環(huán)丁砜、丁基二乙二醇、乙基二乙二醇、甲基二乙二醇、三乙二醇、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、及其混合物。
5.如權利要求1至4所述的光刻膠清洗劑，其特征在于:以所述組合物總重量計，有機溶劑的含量在65至99重量％的范圍內。
6.如權利要求1至5所述的光刻膠清洗劑，其特征在于:所述防腐蝕劑由芳香族羥基化合物和式I所示的ω，ω '-雙(苯并咪唑-2-基)燒烴構成,其中,η = 8,兩者的質量比為1:1~1: 2。
7.如權利要求1至6所述的光刻膠清洗劑，其特征在于:所述芳香族羥基化合物優(yōu)選沒食子酸、單寧酸、植酸、鄰苯二酚、對苯二酚中的至少一種；唑類化合物優(yōu)選三氮唑、甲基三氮唑、苯并三氮唑、苯并四氮唑、氨基四氮唑中的至少一種。
8.如權利要求1至7所述的光刻膠清洗劑，其特征在于:所述ω，ω'-雙(苯并咪唑-2-基)烷烴的制備方法具體為: 分別稱取0.11mol鄰苯二胺和0.05mol脂肪二酸，于研缽中充分研磨使其混合均勻，轉移至三頸燒瓶中。加入混酸，通氮，機械攪拌下加熱回流反應。TLC跟蹤監(jiān)測至反應結束，約10h，倒入250mL燒杯中，靜置冷卻，用濃氨水調節(jié)pH = 7。于4°C下靜置過夜，抽濾干燥，所得粗品用甲醇/水重結晶，得純品。
9.如權利要求1至8所述的光刻膠清洗劑，其特征在于:以所述組合物總重量計，防腐蝕劑的含量在5至15重量％的范圍內。
10.權利要求1至9所述光刻膠清洗劑的剝離光刻膠的方法，其特征在于，具體包括: 第一步，將光刻膠涂布于一個基底的整個表面上； 第二步，在所述基底上形成光刻膠圖案； 第三步，在其上形成所述光刻膠圖案的基底上形成導電金屬膜或絕緣膜； 第四步，使用上述的光刻膠清洗劑組剝離所述光刻膠。
【文檔編號】G03F7/42GK103513523SQ201310442284
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年9月26日 優(yōu)先權日:2013年9月26日
【發(fā)明者】楊桂望 申請人:楊桂望