薄膜晶體管陣列基板及液晶面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種薄膜晶體管陣列基板及液晶面板。所述薄膜晶體管陣列基板包括：透明基板（20），包括非像素區(qū)域（202）和像素區(qū)域（201）；多個(gè)薄膜晶體管（30），陣列排布在所述像素區(qū)域（201）內(nèi)；對(duì)位標(biāo)志（50），設(shè)置在所述非像素區(qū)域（202）內(nèi)。本發(fā)明由于將對(duì)位標(biāo)志上的絕緣材料層刻蝕去除掉，使得對(duì)位標(biāo)志上不覆蓋有任何絕緣材料層，可避免當(dāng)對(duì)位標(biāo)志在非像素區(qū)域內(nèi)距離透明基板的邊緣小于絕緣材料層保護(hù)區(qū)（即對(duì)位標(biāo)志超出絕緣材料層保護(hù)區(qū)以外）時(shí)，第二層絕緣材料層和第四層絕緣材料層因膜厚不均勻而出現(xiàn)膜色差異而引起的對(duì)位差異。
【專利說明】薄膜晶體管陣列基板及液晶面板【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域；更具體地講，涉及一種薄膜晶體管陣列基板及液晶面板。
【背景技術(shù)】
[0002]在液晶面板的制造過程中，對(duì)位標(biāo)志(Mark)具有非常重要的作用，例如，在進(jìn)行精密測(cè)量?jī)x器坐標(biāo)定位和曝光機(jī)曝光對(duì)位時(shí)，均需要讀取對(duì)位標(biāo)志的位置；或者在薄膜晶體管陣列基板和彩色濾光片基板進(jìn)行對(duì)盒組裝時(shí)，也需要通過對(duì)位標(biāo)志確認(rèn)對(duì)盒位置。在目前的薄膜晶體管陣列基板的設(shè)計(jì)中，會(huì)在薄膜晶體管陣列基板外圍設(shè)計(jì)對(duì)位標(biāo)志，而大部分對(duì)位標(biāo)志會(huì)使用柵極金屬制作，而后在對(duì)位標(biāo)志上沉積第二層絕緣薄膜(其所用材料例如可為SiNx)和第四層絕緣薄膜(其所用材料例如可為SiNx)。
[0003]薄膜晶體管陣列基板上的對(duì)位標(biāo)志一般設(shè)計(jì)在玻璃基板的邊緣，并且隨著玻璃基板上的排版越來越緊湊，對(duì)位標(biāo)志也越來越靠近玻璃基板邊緣，當(dāng)對(duì)位標(biāo)志距離玻璃基板的邊緣小于絕緣薄膜保護(hù)區(qū)時(shí)，該對(duì)位標(biāo)志上的第二層絕緣薄膜和第四層絕緣薄膜會(huì)因膜厚不均勻而出現(xiàn)膜色差異，導(dǎo)致在后續(xù)的制程中抓取對(duì)位標(biāo)志失敗、機(jī)臺(tái)報(bào)警、產(chǎn)品報(bào)廢等現(xiàn)象。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括:透明基板，包括非像素區(qū)域和像素區(qū)域；多個(gè)薄膜晶體管，陣列排布在所述像素區(qū)域內(nèi)；對(duì)位標(biāo)志，設(shè)置在所述非像素區(qū)域內(nèi)。
[0005]此外，所述非像素區(qū)域還包括絕緣材料層，所述絕緣材料層設(shè)置在所述非像素區(qū)域中的除所述對(duì)位標(biāo)志之外的區(qū)域上。
[0006]此外，所述非像素區(qū)域還包括絕緣材料層，所述絕緣材料層設(shè)置在所述非像素區(qū)域中的除所述對(duì)位標(biāo)志以及緊鄰所述對(duì)位標(biāo)志的周邊區(qū)域之外的區(qū)域上。
[0007]此外，所述非像素區(qū)域不包括絕緣層材料。
[0008]本發(fā)明的另一目的在于提供一種液晶面板，包括彩色濾光片基板、薄膜晶體管陣列基板以及夾設(shè)在所述彩色濾光片基板和所述薄膜晶體管陣列基板之間的液晶層，所述薄膜晶體管陣列基板包括:透明基板，包括非像素區(qū)域和像素區(qū)域；多個(gè)薄膜晶體管，陣列排布在所述像素區(qū)域內(nèi)；對(duì)位標(biāo)志，設(shè)置在所述非像素區(qū)域內(nèi)。
[0009]此外，所述非像素區(qū)域還包括絕緣材料層，所述絕緣材料層設(shè)置在所述非像素區(qū)域中的除所述對(duì)位標(biāo)志之外的區(qū)域上。
[0010]此外，所述非像素區(qū)域還包括絕緣材料層，所述絕緣材料層設(shè)置在所述非像素區(qū)域中的除所述對(duì)位標(biāo)志以及緊鄰所述對(duì)位標(biāo)志的周邊區(qū)域之外的區(qū)域上。
[0011]此外，所述非像素區(qū)域不包括絕緣層材料。
[0012]本發(fā)明由于將對(duì)位標(biāo)志上的絕緣材料層刻蝕去除掉，使得對(duì)位標(biāo)志上不覆蓋有任何絕緣材料層，可避免當(dāng)對(duì)位標(biāo)志在非像素區(qū)域內(nèi)距離透明基板的邊緣小于絕緣材料層保護(hù)區(qū)(即對(duì)位標(biāo)志超出絕緣材料層保護(hù)區(qū)以外)時(shí)，第二層絕緣材料層和第四層絕緣材料層因膜厚不均勻而出現(xiàn)膜色差異而引起的對(duì)位差異。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0013]圖1是具有本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖2是根據(jù)本發(fā)明的透明基板的示意圖。
[0015]圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖4是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例2的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖5是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例3的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]現(xiàn)在對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述，其示例表示在附圖中，其中，相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同部件。下面通過參照附圖對(duì)實(shí)施例進(jìn)行描述以解釋本發(fā)明。在附圖中，為了清晰起見，可以夸大層和區(qū)域的厚度。在下面的描述中，為了避免公知結(jié)構(gòu)和/或功能的不必要的詳細(xì)描述所導(dǎo)致的本發(fā)明構(gòu)思的混淆，可省略公知結(jié)構(gòu)和/或功能的不必要的詳細(xì)描述。
[0019]圖1是具有本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]參照?qǐng)D1，具有本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的液晶面板包括彩色濾光片基板
11、薄膜晶體管陣列基板12以及夾設(shè)在彩色濾光片基板11和薄膜晶體管陣列基板12之間的液晶層13。
[0021]與薄膜晶體管陣列基板12相對(duì)設(shè)置的彩色濾光片基板11也稱CF(Color Filter)基板，其通常包括透明基板(諸如玻璃基板)以及設(shè)置在透明基板上的黑色矩陣圖案、彩色光阻層(諸如紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)濾光片圖案)以及配向?qū)拥?。鑒于本發(fā)明中采用的彩色濾光片基板11與現(xiàn)有液晶面板中的彩色濾光片基板相同，因此其具體結(jié)構(gòu)可參照相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。
[0022]薄膜晶體管陣列基板12也稱TFT (Thin Film Transistor)基板，其主要作用是向液晶層13中的液晶分子提供驅(qū)動(dòng)電壓，以使液晶分子進(jìn)行偏轉(zhuǎn)，從而使光線可穿過液晶層13，進(jìn)而配合彩色濾光片基板11，使得液晶面板顯示影像。具體請(qǐng)參考以下關(guān)于薄膜晶體管陣列基板12的實(shí)施例。
[0023]實(shí)施例1
[0024]圖2是根據(jù)本發(fā)明的透明基板的示意圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]參照?qǐng)D2和圖3，在本實(shí)施例中，薄膜晶體管陣列基板12包括透明基板(諸如玻璃基板)20以及設(shè)置在透明基板20上的多個(gè)薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)30和取向膜40。
[0026]具體而言，透明基板20被分為像素區(qū)域201和非像素區(qū)域202。多個(gè)TFT30陣列排布設(shè)置在像素區(qū)域201內(nèi)，其包括在透明基板20上依次形成的柵電極31、柵電極絕緣層(亦稱第二層絕緣薄膜或第二層絕緣材料層)32、由非晶硅層33和歐姆接觸層34組成的有源層、有源層上的源電極(金屬層)35a和漏電極(金屬層)35b、鈍化層(亦稱第四層絕緣薄膜或第四層絕緣材料層)36、位于漏電極35b上方并在鈍化層36上形成的鈍化層過孔37以及透明像素電極(S卩ITO (Indium Tin Oxide，氧化銦錫)電極)38 ;取向膜40設(shè)置在透明像素電極38上，但其不覆蓋鈍化層過孔37中的透明像素電極38。
[0027]在本實(shí)施例中，橫截面圖像呈現(xiàn)方形的對(duì)位標(biāo)志50設(shè)置在非像素區(qū)域202內(nèi)，其通常是利用形成TFT30的柵電極31的柵電極金屬而制成；而在形成柵電極絕緣層32和鈍化層36時(shí)，其形成柵電極絕緣層32所采用的絕緣材料(諸如SiNx等)以及形成鈍化層36所用的絕緣材料(諸如SiNx等)會(huì)覆蓋在對(duì)位標(biāo)志50上。
[0028]為了去除掉覆蓋在對(duì)位標(biāo)志50上的絕緣材料,可在對(duì)位標(biāo)志50上覆蓋的絕緣材料層上涂布光刻膠，而后利用第一對(duì)位標(biāo)志光罩對(duì)涂布的光刻膠進(jìn)行曝光，在曝光過程中，可利用紫外線通過對(duì)位標(biāo)志光罩后對(duì)涂布的光刻膠進(jìn)行照射，光刻膠可對(duì)紫外線(ultraviolet-ray, UV)感光，其受紫外線的照射可由中性變?yōu)樗嵝?，而未受紫外線照射則繼續(xù)保持中性。在本實(shí)施例中，在對(duì)位標(biāo)志50上的光刻膠被照射，其余部分均未被照射。為了去除掉充分曝光后的光刻膠(即由中性變?yōu)樗嵝缘墓饪棠z)，可對(duì)曝光后的光刻膠進(jìn)行顯影，例如可采用堿性顯影液將充分曝光后的光刻膠去除，進(jìn)而將對(duì)位標(biāo)志50上的絕緣材料層暴露。為了去除掉不需要的絕緣材料層(即暴露出的絕緣材料層)，可采用例如干法刻蝕將不需要的絕緣材料層去除。接著將上述未被曝光的光刻膠剝離去除，進(jìn)而形成在對(duì)位標(biāo)志50上沒有覆蓋絕緣材料層，而在非像素區(qū)域202的除對(duì)位標(biāo)志50之外的區(qū)域上覆蓋有絕緣材料層，也就是說，絕緣材料層在對(duì)位標(biāo)志50和非像素區(qū)域202的除對(duì)位標(biāo)志50之外的區(qū)域上的覆蓋特性相異，存在絕緣材料層在非像素區(qū)域202的覆蓋區(qū)域和非覆蓋區(qū)域之別。
[0029]此外，在本發(fā)明中，對(duì)位標(biāo)志50的橫截面圖形的形狀并不以圖2所示為限，其橫截面圖形的形狀也可呈現(xiàn)十字形狀、三角形狀、圓形形狀等。
[0030]由于將對(duì)位標(biāo)志50上的絕緣材料層刻蝕去除掉，使得對(duì)位標(biāo)志50暴露出，其上不覆蓋有任何絕緣材料層，可避免當(dāng)對(duì)位標(biāo)志50在非像素區(qū)域202內(nèi)距離透明基板20的邊緣小于絕緣材料層保護(hù)區(qū)(即對(duì)位標(biāo)志50超出絕緣材料層保護(hù)區(qū)以外)時(shí)，第二層絕緣材料層和第四層絕緣材料層因膜厚不均勻而出現(xiàn)膜色差異而引起的對(duì)位差異。
[0031]實(shí)施例2
[0032]圖4是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例2的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]參照?qǐng)D4，本實(shí)施例與實(shí)施例1不同之處在于:為了去除掉覆蓋在對(duì)位標(biāo)志50上的絕緣材料，可在對(duì)位標(biāo)志50上覆蓋的絕緣材料層上涂布光刻膠，而后利用第二對(duì)位標(biāo)志光罩對(duì)涂布的光刻膠進(jìn)行曝光，在曝光過程中，可利用紫外線通過對(duì)位標(biāo)志光罩后對(duì)涂布的光刻膠進(jìn)行照射，光刻膠可對(duì)紫外線(ultra violet-ray, UV)感光,其受紫外線的照射可由中性變?yōu)樗嵝?，而未受紫外線照射則繼續(xù)保持中性。在本實(shí)施例中，在對(duì)位標(biāo)志50上以及緊鄰對(duì)位標(biāo)志50的周邊區(qū)域上的光刻膠被照射，其余部分均未被照射。為了去除掉充分曝光后的光刻膠(即由中性變?yōu)樗嵝缘墓饪棠z)，可對(duì)曝光后的光刻膠進(jìn)行顯影，例如可采用堿性顯影液將充分曝光后的光刻膠去除，進(jìn)而將對(duì)位標(biāo)志50上以及緊鄰對(duì)位標(biāo)志50的周邊區(qū)域上的絕緣材料層暴露。為了去除掉不需要的絕緣材料層(即暴露出的絕緣材料層)，可采用例如干法刻蝕將不需要的絕緣材料層去除。接著將上述未被曝光的光刻膠剝離去除，進(jìn)而形成在對(duì)位標(biāo)志50上以及緊鄰對(duì)位標(biāo)志50的周邊區(qū)域上沒有覆蓋絕緣材料層，而在非像素區(qū)域202的除對(duì)位標(biāo)志50以及緊鄰對(duì)位標(biāo)志50的周邊區(qū)域之外的區(qū)域上覆蓋有絕緣材料層，也就是說，絕緣材料層在對(duì)位標(biāo)志50以及緊鄰對(duì)位標(biāo)志50的周邊區(qū)域和非像素區(qū)域202的除對(duì)位標(biāo)志50以及緊鄰對(duì)位標(biāo)志50的周邊區(qū)域之外的區(qū)域上的覆蓋特性相異，存在絕緣材料層在非像素區(qū)域202的覆蓋區(qū)域和非覆蓋區(qū)域之別。
[0034]由于將對(duì)位標(biāo)志50上以及緊鄰對(duì)位標(biāo)志50的周邊區(qū)域上的絕緣材料層刻蝕去除掉，使得對(duì)位標(biāo)志50暴露出，其上不覆蓋有任何絕緣材料層，可避免當(dāng)對(duì)位標(biāo)志50在非像素區(qū)域202內(nèi)距離透明基板20的邊緣小于絕緣材料層保護(hù)區(qū)(即對(duì)位標(biāo)志50超出絕緣材料層保護(hù)區(qū)以外)時(shí)，第二層絕緣材料層和第四層絕緣材料層因膜厚不均勻而出現(xiàn)膜色差異而引起的對(duì)位差異。
[0035]實(shí)施例3
[0036]圖5是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例3的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0037]參照?qǐng)D5，本實(shí)施例與實(shí)施例1或?qū)嵤├?的不同之處在于:為了去除掉覆蓋在對(duì)位標(biāo)志50上的絕緣材料，可在非像素區(qū)域202上涂布光刻膠，而后利用第三對(duì)位標(biāo)志光罩對(duì)涂布的光刻膠進(jìn)行曝光，在曝光過程中，可利用紫外線通過對(duì)位標(biāo)志光罩后對(duì)涂布的光刻膠進(jìn)行照射，光刻膠可對(duì)紫外線(ultra violet-ray, UV)感光,其受紫外線的照射可由中性變?yōu)樗嵝?，而未受紫外線照射則繼續(xù)保持中性。在本實(shí)施例中，在非像素區(qū)域202上的光刻膠全部被照射。為了去除掉充分曝光后的光刻膠(即由中性變?yōu)樗嵝缘墓饪棠z)，可對(duì)曝光后的光刻膠進(jìn)行顯影，例如可采用堿性顯影液將充分曝光后的光刻膠去除，進(jìn)而將非像素區(qū)域202上的光刻膠全部去除，使得非像素區(qū)域202上的絕緣材料層全部暴露。為了去除掉不需要的絕緣材料層(即暴露出的絕緣材料層)，可采用例如干法刻蝕將不需要的絕緣材料層去除，進(jìn)而形成在整個(gè)非像素區(qū)域202均未覆蓋有絕緣材料層，使得對(duì)位標(biāo)志50暴露出，也就是說，絕緣材料層在非像素區(qū)域202上被完全去除掉。
[0038]由于將整個(gè)非像素區(qū)域202上的絕緣材料層刻蝕去除掉，使得對(duì)位標(biāo)志50暴露出，可避免當(dāng)對(duì)位標(biāo)志50在非像素區(qū)域202內(nèi)距離透明基板20的邊緣小于絕緣材料層保護(hù)區(qū)(即對(duì)位標(biāo)志50超出絕緣材料層保護(hù)區(qū)以外)時(shí)，第二層絕緣材料層和第四層絕緣材料層因膜厚不均勻而出現(xiàn)膜色差異而引起的對(duì)位差異。
[0039]盡管已經(jīng)參照其示例性實(shí)施例具體顯示和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)其進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板包括: 透明基板(20)，包括非像素區(qū)域(202)和像素區(qū)域(201)； 多個(gè)薄膜晶體管(30)，陣列排布在所述像素區(qū)域(201)內(nèi)； 對(duì)位標(biāo)志(50)，設(shè)置在所述非像素區(qū)域(202)內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述非像素區(qū)域(202)還包括絕緣材料層，所述絕緣材料層設(shè)置在所述非像素區(qū)域(202)中的除所述對(duì)位標(biāo)志(50)之外的區(qū)域上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述非像素區(qū)域(202)還包括絕緣材料層，所述絕緣材料層設(shè)置在所述非像素區(qū)域(202)中的除所述對(duì)位標(biāo)志(50)以及緊鄰所述對(duì)位標(biāo)志(50)的周邊區(qū)域之外的區(qū)域上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述非像素區(qū)域(202)不包括絕緣層材料。
5.一種液晶面板，包括彩色濾光片基板(11)、薄膜晶體管陣列基板(12)以及夾設(shè)在所述彩色濾光片基板(11)和所述薄膜晶體管陣列基板(12)之間的液晶層(13)，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板(12)包括: 透明基板(20)，包括非像素區(qū)域(202)和像素區(qū)域(201)； 多個(gè)薄膜晶體管(30)，陣列排布在所述像素區(qū)域(201)內(nèi)； 對(duì)位標(biāo)志(50)，設(shè)置在所述非像素區(qū)域(202)內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶面板，其特征在于，所述非像素區(qū)域(202)還包括絕緣材料層，所述絕緣材料層設(shè)置在所述非像素區(qū)域(202)中的除所述對(duì)位標(biāo)志(50)之外的區(qū)域上。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶面板，其特征在于，所述非像素區(qū)域(202)還包括絕緣材料層，所述絕緣材料層設(shè)置在所述非像素區(qū)域(202)中的除所述對(duì)位標(biāo)志(50)以及緊鄰所述對(duì)位標(biāo)志(50)的周邊區(qū)域之外的區(qū)域上。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶面板，其特征在于，所述非像素區(qū)域(202)不包括絕緣層材料。
【文檔編號(hào)】G02F1/136GK103474438SQ201310443447
【公開日】2013年12月25日 申請(qǐng)日期:2013年9月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月26日
【發(fā)明者】付延峰, 高冬子 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司