陣列基板及其制造方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，該陣列基板包括金屬公共電極，該金屬公共電極的邊緣部分為臺階狀結構，該臺階狀結構使得該金屬公共電極的厚度從邊緣至中心增大。本發(fā)明將金屬公共電極的邊緣部分設置為臺階狀結構，其臺階厚度從邊緣至中心呈增大趨勢，有效的減小金屬公共電極邊緣的段差，并盡可能的減小最外側臺階的厚度，從而避免由于金屬公共電極邊緣段差過大引起的漏光問題。
【專利說明】陣列基板及其制造方法、顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]目前，采用ADS (ADvanced Super Dimension Switch,高級超維場轉換技術)模式的 TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜場效應晶體管-液晶顯示器)產品，為避免公共電極被拉動，往往對需要對公共電極進行特殊的設計。
[0003]圖1是現(xiàn)有技術中一種陣列基板結構示意圖，該種陣列基板首先在第一玻璃基板5’上形成數據線2’、像素電極6’、第一絕緣層4’以及第二絕緣層3’的圖形之后，然后在柵線和數據線2’上部增加金屬公共電極1’，使之與透明公共電極7’直接相連，從而降低了透明公共電極7’的電阻，減小了透明公共電極7’的負載，因此避免了由于負載過大而引起的偏綠(Greenish)、閃爍(Flicker)等問題的發(fā)生,這種方法主要是針對ADS模式的上部透明公共電極的開口(Slit)結構進行優(yōu)化，以提升顯示面板的透過率。
[0004]但是，這種針對透明公共電極上再增加金屬公共電極的設計，一個明顯的不足就是其邊界la’的段差比較陡峭，因此在后續(xù)進行PI (Polyimide，聚酰亞胺)涂覆和摩擦工藝中，金屬公共電極邊緣的部分液晶很難配向，從而產生嚴重的漏光。

【發(fā)明內容】

[0005](一)要解決的技術問題
[0006]本發(fā)明要解決的技術問題是:如何避免由于金屬公共電極邊緣段差過大而造成的漏光問題。
[0007](二)技術方案
[0008]為解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括金屬公共電極，所述金屬公共電極的邊緣部分為臺階狀結構，所述臺階狀結構使得所述金屬公共電極的厚度從邊緣至中心增大。
[0009]進一步地，所述邊緣部分包括多階臺階。
[0010]進一步地，所述陣列基板包括數據線和柵線，所述金屬公共電極設置于所述數據線或所述柵線的上方，且所述金屬公共電極的寬度大于或等于所述金屬公共電極下方的所述數據線或所述柵線的寬度。
[0011]進一步地，所述金屬公共電極由鑰或者鋁制成。
[0012]進一步地，所述陣列基板還包括梳狀或帶狹縫的板狀的透明公共電極，所述金屬公共電極位于所述透明公共電極的下方或上方。
[0013]為解決上述問題，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述任意一種的陣列基板。
[0014]進一步地，所述顯示裝置包括設置于彩膜基板或者所述陣列基板上的黑矩陣，所述金屬公共電極的位置與所述黑矩陣相對應。
[0015]進一步地，所述金屬公共電極的寬度大于或等于所述黑矩陣的寬度。[0016]為解決上述問題，本發(fā)明還提供一種陣列基板制造方法，包括:
[0017]通過包括半色調曝光工藝的構圖工藝在基板上形成金屬公共電極的圖形，所述金屬公共電極的邊緣部分為臺階狀結構，所述臺階狀結構使得所述金屬公共電極的厚度從邊緣至中心增大。
[0018]進一步地，通過構圖工藝在基板上形成金屬公共電極的圖形之后還包括:
[0019]通過構圖工藝在所述基板上形成透明公共電極的圖形。
[0020]進一步地，通過構圖工藝在基板上形成金屬公共電極的圖形之前還包括:
[0021 ] 通過構圖工藝在所述基板上形成透明公共電極的圖形。
[0022](三)有益效果
[0023]本發(fā)明將金屬公共電極的邊緣部分設置為臺階狀結構，其臺階厚度從邊緣至中心呈增大趨勢，有效的減小金屬公共電極邊緣的段差，并盡可能的減小最外側臺階的厚度，從而避免由于金屬公共電極邊緣段差過大引起的漏光問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1是現(xiàn)有技術提供的一種陣列基板的結構圖；
[0025]圖2是本發(fā)明實施方式提供的一種陣列基板的結構圖；
[0026]圖3是本發(fā)明實施方式提供的另一種陣列基板的結構圖；
[0027]圖4為本發(fā)明實施方式提供的顯示裝置的結構圖；
[0028]圖5?11為本發(fā)明實施方式提供的在基板上形成金屬公共電極的結構示意圖。【具體實施方式】
[0029]下面結合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0030]圖2是本發(fā)明實施方式提供的一種陣列基板，包括金屬公共電極1，所述金屬公共電極I的邊緣部分Ia為臺階狀結構，所述臺階狀結構使得所述金屬公共電極的厚度從邊緣至中心增大。其中，該陣列基板可以為ADS模式。
[0031]具體地,可以通過半色調(Halftone)曝光工藝,來形成上述金屬公共電極的結構。本發(fā)明將金屬公共電極I的邊緣部分Ia設為臺階狀結構，且其臺階厚度從邊緣至中心呈增大趨勢，有效地減小了金屬公共電極邊緣的段差，并盡可能的減小最外側臺階的厚度，在后續(xù)的PI液(厚度為1000埃左右)涂覆工藝中，PI液的堆積和固化可以在金屬公共電極的邊緣部分形成有效的坡度，并在后續(xù)的摩擦取向工藝中，金屬公共電極邊緣部分的摩擦取向效果也會大大提升，進而有效的避免由于金屬公共電極邊緣段差過大引起的漏光問題。
[0032]優(yōu)選地，所述邊緣部分Ia包括多階臺階，在金屬公共電極邊緣厚度一定的情況下，可以將邊緣部分Ia設置為包含多階臺階的臺階狀結構，盡可能的減小邊緣部分最外側臺階的厚度，減小金屬公共電極邊緣段差，在后續(xù)進行PI涂覆和摩擦工藝中，有效地避免由于金屬公共電極邊緣段差過大引起的漏光問題。
[0033]優(yōu)選地，所述陣列基板包括數據線和柵線，所述金屬公共電極設置于所述數據線或者所述柵線上方，以減少金屬公共電極的布線對于像素的開口率造成影響。所述金屬公共電極的寬度可以小于、大于或等于所對應的所述數據線或者所述柵線的寬度，但優(yōu)選地，所述金屬公共電極的寬度大于或等于所對應的所述數據線或者所述柵線的寬度，從而盡可能地減小金屬公共電極的電阻，進而降低透明公共電極的電阻，減小透明公共電極的負載。
[0034]優(yōu)選地，該金屬公共電極I可以為低電阻金屬公共電極，具體地，該金屬公共電極I為Mo (鑰)或者Al (鋁)，從而盡可能的減小透明公共電極7的負載。
[0035]具體地，作為示例，金屬公共電極I可以位于透明公共電極7的下方，透明公共電極7可以為梳狀結構或帶有狹縫開口的板狀結構，參見圖2，首先在第一玻璃基板5上形成第一絕緣層4，在第一絕緣層4上分別形成數據線2和像素電極6，在數據線2和像素電極6上形成第二絕緣層3，在第二絕緣層3上方形成金屬公共電極1，然后在經過上述處理的基板上形成透明公共電極7。
[0036]此外，金屬公共電極I還可以位于透明公共電極7的上方，該透明公共電極7可以為梳狀結構或帶有狹縫開口的板狀結構，參見圖3，首先在第一玻璃基板5上形成第一絕緣層4，在第一絕緣層4上分別形成數據線2和像素電極6，在數據線2和像素電極6上形成第二絕緣層3，在第二絕緣層3上方形成透明公共電極7，然后在經過上述處理的基板上形成金屬公共電極I。
[0037]當然，上述兩種實施方式僅為示例性的，本領域的技術人員應當明白，也可在柵線上方形成金屬公共電極。
[0038]此外，本發(fā)明實施方式還提供一種顯示裝置，包括上述任意一種的陣列基板。該顯示裝置可以為:液晶面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。
[0039]參見圖4，圖4是本發(fā)明實施方式提供的一種顯示裝置的結構圖，該顯示裝置包括彩膜基板和陣列基板，其中彩膜基板包括黑矩陣8、色阻9和第二玻璃基板10，陣列基板包括第一玻璃基板5、位于第一玻璃基板5上的第一絕緣層4、位于第一絕緣層上的數據線2和像素電極6、位于數據線2和像素電極6上的第二絕緣層3，以及位于第二絕緣層上的透明公共電極7和金屬公共電極1，其中，金屬公共電極I位于黑矩陣8的下方。另外，類似于上面所述，本領域的技術人員應當明白，也可在柵線上方形成金屬公共電極。
[0040]所述金屬公共電極的寬度可以小于、大于或等于所對應的黑矩陣8的寬度，但優(yōu)選地，為了減小金屬公共電極I的電阻，金屬公共電極I的寬度可以大于或等于所述黑矩陣8的寬度，此外，當金屬公共電極I的寬度達到預定值時，相鄰子像素之間則不會產生混光問題，因此彩膜基板不需要設置黑矩陣8，即黑矩陣8的寬度為O。
[0041]此外，本發(fā)明實施方式還提供一種陣列基板制造方法，具體地，在基板上形成包括柵線、數據線、透明像素電極以及絕緣層的圖形之后，再通過包括半色調曝光工藝的構圖工藝在上述基板上形成金屬公共電極的圖形，所述金屬公共電極的邊緣部分為臺階狀結構，所述臺階狀結構使得所述金屬公共電極的厚度從邊緣至中心增大。
[0042]其中，若將金屬公共電極設置于透明公共電極的下方，在通過構圖工藝在基板上形成金屬公共電極的圖形之后，再通過構圖工藝在所述基板上形成透明公共電極的圖形。
[0043]其中，若將金屬公共電極設置于透明公共電極的上方，在通過構圖工藝在基板上形成金屬公共電極的圖形之前還需通過構圖工藝在所述基板上形成透明公共電極的圖形。
[0044]具體地，通過包括半色調曝光工藝的構圖工藝在基板上形成上述的金屬公共電極的圖形的步驟具體可以包括:[0045]S1:參見圖5，基板上形成包括柵線、數據線2、像素電極6、第一絕緣層4以及第二絕緣層3的圖形之后，在第二絕緣層3上形成金屬公共電極I的圖形；
[0046]S2:參見圖6，在金屬公共電極I上形成光阻層11，并進行半色調曝光和顯影處理，其中，對光阻層中與A區(qū)域對應的區(qū)域不進行曝光，對光阻層中與B區(qū)域對應的區(qū)域進行部分曝光，對光阻層中與C區(qū)域對應區(qū)域進行全曝光，得到如圖7所示的結構；
[0047]S3:對步驟S2得到的結構進行第一次刻蝕，參見圖8，金屬公共電極I上無光阻層覆蓋的區(qū)域被刻蝕掉；
[0048]S4:對步驟S3得到的結構進行灰化處理，參見圖9，金屬層公共電極I中處于半曝光的區(qū)域露出；
[0049]S5:對步驟S4得到的結構進行第二次刻蝕，參見圖10，位于半曝光區(qū)域的金屬公共電極被部分刻蝕掉；
[0050]S6:去除掉金屬公共電極上的剩余光阻層，得到如圖11所示的結構。
[0051]以上實施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對本發(fā)明的限制，有關【技術領域】的普通技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護范圍應由權利要求限定。
【權利要求】
1.一種陣列基板，包括金屬公共電極，其特征在于，所述金屬公共電極的邊緣部分為臺階狀結構，所述臺階狀結構使得所述金屬公共電極的厚度從邊緣至中心增大。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述邊緣部分包括多階臺階。
3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括數據線和柵線，所述金屬公共電極設置于所述數據線或所述柵線的上方，且所述金屬公共電極的寬度大于或等于所述金屬公共電極下方的所述數據線或所述柵線的寬度。
4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬公共電極由鑰或者鋁制成。
5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括梳狀或帶狹縫的板狀的透明公共電極，所述金屬公共電極位于所述透明公共電極的下方或上方。
6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-5任意一項所述的陣列基板。
7.根據權利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括設置于彩膜基板或者所述陣列基板上的黑矩陣，所述金屬公共電極的位置與所述黑矩陣相對應。
8.根據權利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，所述金屬公共電極的寬度大于或等于所述黑矩陣的寬度。
9.一種陣列基板制造方法，其特征在于，包括: 通過包括半色調曝光工藝的構圖工藝在基板上形成金屬公共電極的圖形，所述金屬公共電極的邊緣部分為臺階狀結構，所述臺階狀結構使得所述金屬公共電極的厚度從邊緣至中心增大。
10.根據權利要求9所述的陣列基板制造方法，其特征在于，通過構圖工藝在基板上形成金屬公共電極的圖形之后還包括: 通過構圖工藝在所述基板上形成透明公共電極的圖形。
11.根據權利要求9所述的陣列基板制造方法，其特征在于，通過構圖工藝在基板上形成金屬公共電極的圖形之前還包括: 通過構圖工藝在所述基板上形成透明公共電極的圖形。
【文檔編號】G02F1/1368GK103488007SQ201310463983
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年9月30日 優(yōu)先權日:2013年9月30日
【發(fā)明者】張然 申請人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司