液晶顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及液晶顯示裝置及其驅(qū)動方法。根據(jù)本發(fā)明一個典型方面的液晶顯示裝置包括具有一基板和在該基板上以矩陣形式布置的顯示像素的薄膜晶體管（TFT）基板、與TFT基板相對的對向基板，所述像素電極和所述第一表面公共電極被布置，從而可給液晶施加沿所述TFT基板的主平面的電場，在所述對向基板上形成有第二表面公共電極，給所述第一表面公共電極和所述第二表面公共電極施加相同的公共電位，所述第二表面公共電極與所述第一表面公共電極相對，所述第二表面公共電極被布置，從而可給液晶施加沿所述對向基板的主平面的電場，其中，所述第一公共電極覆蓋所述公共電極配線和所述信號線兩者，并且至少一個導(dǎo)電性間隔物或柱布置在覆蓋所述遮光層的所述第二表面公共電極和覆蓋所述公共電極配線或所述信號線的所述第一表面公共電極之間，從而將所述第一表面公共電極與所述第二表面公共電極電接觸。
【專利說明】液晶顯示裝置
[0001]本申請是申請?zhí)枮?00810173858.2的申請的分案申請。本申請基于并要求2007年10月29日提交的日本專利申請N0.2007-280673的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容全部在這里結(jié)合作為參考。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及一種液晶顯示(IXD)裝置及其驅(qū)動方法，尤其涉及一種IPS(面內(nèi)切換)模式IXD裝置及其驅(qū)動方法。
【背景技術(shù)】
[0003]近年來，已經(jīng)發(fā)展了具有寬視角的液晶顯示(IXD)裝置。IPS (面內(nèi)切換)模式是一種用于實現(xiàn)IXD裝置寬視角的方法。在IPS模式IXD裝置中，僅在IXD面板具有的一對基板的一個基板的表面上形成梳狀電極，并通過平行于兩個基板的橫向電場驅(qū)動液晶。在該IPS模式中，當(dāng)給液晶施加電場時，液晶分子平行于基板進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。因此，即使當(dāng)從每一視角觀看時，也很難發(fā)生液晶分子的折射率變化，并且獲得帶有寬視角的理想的圖像。由于該原因，近來，因為超寬視角的觀看，該IPS模式受到注意。
[0004]圖16是在現(xiàn)有IPS模式IXD裝置1000 (圖17)中設(shè)置的薄膜晶體管(TFT)基板1001的平面圖，圖17是IXD裝置1000的橫截面圖。圖17是與圖16中的線XVI1-XVII對應(yīng)的部分的橫截面圖。
[0005]如圖17中所示，LCD裝置1000設(shè)置有TFT基板1001和與該TFT基板1001相對的濾色器基板1002。濾色器基板1002疊加在TFT基板1001上，在其間插入液晶層1003。
[0006]TFT基板1001包括在其上形成有掃描線1007和公共電極配線1006的平坦玻璃基板1004、形成在玻璃基板1004上以覆蓋掃描線1007和公共電極配線1006的第一絕緣層1005、形成在第一絕緣層1005上的數(shù)據(jù)線(信號線)1008和像素電極1009的存儲電容形成部1009B (之后提到)以及薄膜晶體管(TFT)1014、形成在第一絕緣層1005上以覆蓋數(shù)據(jù)線1008、存儲電容形成部1009B和薄膜晶體管1014的第二絕緣層1010、形成在第二絕緣層1010上的表面公共電極1011和像素電極1009的像素電極梳齒1009A (之后提到)、和形成在第二絕緣層1010上以覆蓋表面公共電極1011和像素電極梳齒1009A的配向膜1012。
[0007]公共電極配線1006和掃描線1007分別在行方向(圖16的X方向)上延伸，若干的這幾條線以預(yù)定的間隔形成。數(shù)據(jù)線1008在與行方向垂直相交的列方向(圖16的Y方向)上延伸，并且若干的這幾條線以預(yù)定的間隔形成。公共電極配線1006、掃描線1007和數(shù)據(jù)線1008例如由金屬膜組成。
[0008]像素電極1009由梳狀的像素電極梳齒1009A和存儲電容形成部1009B組成。如圖16中所示，像素電極梳齒1009A位于插入在公共電極配線1006與掃描線1007之間的顯示區(qū)域1013中，并被插入在相鄰的數(shù)據(jù)線1008之間。像素電極梳齒1009A通過TFT1014與數(shù)據(jù)線1008電連接，并且從數(shù)據(jù)線1008向其施加像素電位。
[0009]存儲電容形成部1009B位于公共電極配線1006之上以及表面公共電極1011的格子部IOllA (之后提到)之下，并在行方向上延伸。存儲電容形成部1009B與表面公共電極1011形成電容。
[0010]表面公共電極1011包括格子部1011A和公共電極梳齒1011B。格子部1011A具有近似格子狀的圖案，其被布置以覆蓋數(shù)據(jù)線1008和公共電極配線1006，并包圍顯示區(qū)域1013。格子部1011A通過沒有示出的接觸孔與公共電極配線1006電連接。具有梳齒形狀的公共電極梳齒1011B形成在每一顯示區(qū)域1013，并從格子部1011A中的一部分突出來進(jìn)入到顯示區(qū)域1013中。因為像素電極梳齒1009A和公共電極梳齒1011B突出到顯示區(qū)域1013中，所以可給液晶層1003的液晶分子施加沿TFT基板1001主平面的電場。
[0011]另一方面，濾色器基板1002包括平坦玻璃基板1020、形成在玻璃基板1020上的黑色矩陣層1021、形成在玻璃基板1020上以覆蓋黑色矩陣層1021的顏色層1022、和形成在顏色層1022上的配向膜1024。黑色矩陣層1021以近似格子形狀的平面形狀形成，從而與TFT基板1001上的數(shù)據(jù)線1008、掃描線1007和公共電極配線1006相對并將它們覆蓋。黑色矩陣層1021具有遮光功能。
[0012]濾色器基板1002的表面層由諸如顏色層和黑色矩陣層這樣的導(dǎo)電材料形成，且沒有接地。因此，電荷通過來自TFT基板的電場、或其中離子的移動而聚積。由于該電荷的聚積，產(chǎn)生了垂直方向上的電場，其擾亂了平行于TFT基板1001和濾色器基板1002施加的電場。因此，在圖像中出現(xiàn)了諸如斑點、污點和余像這樣的瑕疵，或者產(chǎn)生了屏幕灼燒(Burn-1n)ο
[0013]日本特許公開專利申請N0.2000-147482公開了一種用于解決IPS模式IXD裝置中濾色器基板表面層中的電荷聚積的現(xiàn)有技術(shù)。
[0014]圖18是日本特許公開專利申請N0.2000-147482中描述的LCD裝置2000的橫截面圖，圖19是顯示在IXD裝置2000的濾色器基板中設(shè)置的第二表面公共電極1023的平面圖。IXD裝置2000中設(shè)置的TFT基板與圖16和圖17中所示的IXD裝置1000的TFT基板1001相同。
[0015]如圖18和圖19中所示，第二表面公共電極1023形成在IXD裝置2000的濾色器基板1002中以覆蓋黑色矩陣層1021。除了第二表面公共電極1023之外，IXD裝置2000與圖16和圖17中所示的IXD裝置1000相同。
[0016]在IXD裝置2000中，因為用表面公共電極1023抑制了黑色矩陣層1021中的電荷聚積，所以可抑制圖像上產(chǎn)生的瑕疵或屏幕灼燒。
[0017]日本特許公開專利申請N0.2006-031022公開了另一種IXD裝置，其分別在TFT基板中具有對向電極，在濾色器基板中具有透明輔助電極，并且給對向電極和透明輔助電極施加相同的電壓。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0018]本發(fā)明的一個典型目的是提供一種可抑制由于對向基板中的電荷聚積而產(chǎn)生的屏幕灼燒和斑點、污點和余像并降低驅(qū)動電壓的LCD裝置。
[0019]根據(jù)本發(fā)明一個典型方面的液晶顯示裝置包括薄膜晶體管(TFT)基板、與所述TFT基板相對并與其疊加的對向基板、和封閉在所述TFT基板與所述對向基板之間的液晶，所述薄膜晶體管(TFT)基板具有基板和在所述基板上以矩陣形式布置的顯示像素，所述顯示像素包括多條掃描線、多條信號線、多條公共電極配線、多個像素電極、多個薄膜晶體管和與所述公共電極配線連接的第一表面公共電極，所述像素電極和所述第一表面公共電極被布置，從而沿所述TFT基板的主平面的電場能被施加給所述液晶，在所述對向基板上形成有第二表面公共電極，給所述第二表面公共電極以及所述第一表面公共電極輸入相同的公共電位，所述第二表面公共電極與所述第一表面公共電極相對，所述對向基板進(jìn)一步包括具有遮光功能的遮光層，所述第二表面公共電極覆蓋所述遮光層而形成，且所述第二表面公共電極被布置，從而沿所述對向基板的主平面的電場能被施加給所述液晶。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]當(dāng)結(jié)合附圖時，本發(fā)明的典型特征和優(yōu)點將從下面的詳細(xì)描述變得顯而易見，其中:
[0021]圖1是設(shè)置在根據(jù)第一個典型實施方式的IXD裝置中的TFT基板的平面圖；
[0022]圖2是沿圖1中的線I1-1I的橫截面圖；
[0023]圖3是沿圖1中的線II1-1II的橫截面圖；
[0024]圖4是設(shè)置在根據(jù)第一個典型實施方式的IXD裝置的TFT基板中的第一表面公共電極的平面圖；
[0025]圖5是設(shè)置在根據(jù)第一個典型實施方式的LCD裝置的濾色器基板中的第二表面公共電極的平面圖；
[0026]圖6是顯示第一個典型實施方式的修改例I中的導(dǎo)通部的結(jié)構(gòu)的橫截面圖；
[0027]圖7是顯示第一個典型實施方式的修改例2中的導(dǎo)通部的結(jié)構(gòu)的橫截面圖；
[0028]圖8是顯示第一個典型實施方式的修改例3中的導(dǎo)通部的結(jié)構(gòu)的橫截面圖；
[0029]圖9是顯示第一個典型實施方式的修改例3中的導(dǎo)通部的另一結(jié)構(gòu)的橫截面圖；
[0030]圖10是設(shè)置在根據(jù)第二個典型實施方式的IXD裝置中的TFT基板的平面圖；
[0031]圖11是設(shè)置在根據(jù)第二個典型實施方式的LCD裝置的TFT基板中的第一表面公共電極的平面圖；
[0032]圖12是設(shè)置在根據(jù)第二個典型實施方式的IXD裝置的濾色器基板中的第二表面公共電極的平面圖；
[0033]圖13是根據(jù)第三個典型實施方式的IXD裝置的TFT基板和濾色器基板的外圍邊緣部分的結(jié)構(gòu)的橫截面圖；
[0034]圖14是根據(jù)第三個典型實施方式的IXD裝置的平面圖；
[0035]圖15是根據(jù)第三個典型實施方式的IXD裝置的橫截面圖；
[0036]圖16是現(xiàn)有IPS模式IXD裝置中設(shè)置的TFT基板的平面圖；
[0037]圖17是沿圖16中的線XVI1-XVII的橫截面圖；
[0038]圖18是另一現(xiàn)有IXD裝置的橫截面圖；和
[0039]圖19是顯示另一現(xiàn)有IXD裝置的TFT基板中設(shè)置的第二表面公共電極的平面圖?！揪唧w實施方式】
[0040]現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的典型實施方式。
[0041 ][第一個典型實施方式][0042]圖1是用于根據(jù)第一個典型實施方式的IXD裝置100 (圖2)的TFT基板I的平面圖，并且圖2和圖3是根據(jù)第一個典型實施方式的IXD裝置100的橫截面圖。這里，圖2是與圖1中的線I1-1I對應(yīng)的部分的橫截面圖，圖3是與圖1中的線II1-1II對應(yīng)的部分的橫截面圖。
[0043]圖4是設(shè)置在TFT基板I上的第一表面公共電極11的平面圖，圖5是設(shè)置在IXD裝置100的濾色器基板2上的第二表面公共電極23的平面圖。
[0044]IXD裝置100是所謂橫向電場模式或IPS (面內(nèi)切換)模式的IXD裝置。如圖2和圖3中所示，LCD裝置100包括TFT基板I和與該TFT基板I相對的濾色器基板2。濾色器基板2疊加在TFT基板I上，在其間插入液晶層3。
[0045]TFT基板I包括作為優(yōu)選基板的一個例子的平坦玻璃基板4、形成在玻璃基板4上的公共電極配線6和掃描線7、形成在玻璃基板4上以覆蓋公共電極配線6和掃描線7的第一絕緣膜5、形成在第一絕緣膜5上的數(shù)據(jù)線(信號線)8、像素電極9和諸如薄膜晶體管(TFT)這樣的開關(guān)元件14。TFT基板I進(jìn)一步包括形成在第一絕緣膜5上以覆蓋這些數(shù)據(jù)線8、像素電極9和開關(guān)元件或TFT14的第二絕緣膜10、形成在第二絕緣膜10上的第一表面公共電極11和形成在第二絕緣膜10上以覆蓋第一表面公共電極11和像素電極梳齒9A的配向膜12。
[0046]更具體地說，如圖1中所示，在玻璃基板4上，分別在行方向(圖1中的X方向)上延伸的若干條公共電極配線6以預(yù)定的間隔形成。沿各個公共電極配線6以預(yù)定的間隔形成多條掃描線7。在第一絕緣膜5上，分別在與行方向垂直相交的列方向(圖1中的Y方向)上延伸的若干條數(shù)據(jù)線8以預(yù)定的間隔形成。這里，公共電極配線6、掃描線7和數(shù)據(jù)線8例如由金屬膜組成。
[0047]由公共電極配線6、掃描線7和數(shù)據(jù)線8劃界的顯示像素組成了 IXD裝置100，多個顯示像素在行方向和列方向上以矩陣形式布置。各個顯示像素都具有像素電極9、第一表面公共電極11、TFT14和顯示區(qū)域13。
[0048]像素電極9由梳狀的像素電極梳齒(梳齒狀部分)9A和存儲電容形成部9B組成。如圖1中所示，像素電極梳齒9A位于由公共電極配線6、掃描線7和相鄰數(shù)據(jù)線8包圍的區(qū)域，即顯示區(qū)域13中。在圖1中，盡管顯示了其中像素電極梳齒9A具有三個梳齒狀部分的情形，但梳齒狀部分的數(shù)量并不限于此，而是可以適當(dāng)變化。像素電極梳齒9A通過TFT14與數(shù)據(jù)線8電連接。就是說，當(dāng)TFT14設(shè)為ON時，像素電極梳齒9A通過TFT14與數(shù)據(jù)線8電連接,像素電位將通過TFT14從數(shù)據(jù)線8施加到像素電極梳齒9A。
[0049]存儲電容形成部9B位于公共電極配線6之上以及第一表面公共電極11的格子部IlA (之后提到)之下，并在行方向上延伸。該存儲電容形成部9B與第一表面公共電極11形成電容。
[0050]如圖1和圖2中所示，在與每個顯示區(qū)域13對應(yīng)的位置中在第一表面公共電極11中形成有開口 lie。就是說，開口 IlC以矩陣形式形成在行方向和列方向上。這里，第一表面公共電極11包括形成開口 IlC的格子部IIA和公共電極梳齒11B。該格子部IIA是近似格子狀的圖案，其覆蓋數(shù)據(jù)線8和公共電極配線6，并包圍每個顯示區(qū)域13。格子部IlA給每個顯示像素中的公共電極梳齒IlB供給公共電位。格子部IlA還進(jìn)一步具有防止電場從數(shù)據(jù)線8泄漏到液晶層3的功能。第一表面公共電極11的格子部IlA通過沒有示出的接觸孔與公共電極配線6電連接。
[0051]公共電極梳齒IlB是從覆蓋公共電極配線6的格子部IlA中的一部分以梳齒的形狀突出在顯示區(qū)域13的部分，其形成在每一顯示區(qū)域13中。盡管圖1中顯示了其中在每個顯示區(qū)域13中第一表面公共電極11設(shè)置兩個公共電極梳齒IlB的情形，但公共電極梳齒IlB的數(shù)量并不限于此，可適當(dāng)變化。
[0052]像素電極梳齒9A和公共電極梳齒IlB被布置，從而它們突出到顯示區(qū)域13中，且沿TFT基板I的主平面給組成液晶層3的液晶材料施加電場。因而，可減小驅(qū)動電壓。
[0053]另一方面，如圖2中所示，濾色器基板2包括平坦玻璃基板20、形成在玻璃基板20上的黑色矩陣層21、形成在玻璃基板20上以覆蓋黑色矩陣層21的顏色層22、形成在顏色層22上的第二表面公共電極23和形成在顏色層22上以覆蓋第二表面公共電極23的配向膜24。
[0054]具有遮光功能的黑色矩陣層21布置成與TFT基板I的數(shù)據(jù)線8、掃描線7和公共電極配線6相對，并以近似平坦的格子形狀的平面形狀形成，以覆蓋這些線。代替黑色矩陣層21，還可形成具有遮光功能的其它遮光層。
[0055]為了進(jìn)行色彩顯示，顏色層22包括具有與每一個顯示區(qū)域13設(shè)置的顯示顏色(例如，紅色、藍(lán)色和綠色中的任意一種顏色)對應(yīng)的顏色的顏料。在顏色層22上進(jìn)一步形成有覆蓋顏色層22的覆層(沒有示出)。
[0056]第二表面公共電極23是幾乎與第一表面公共電極11相同的形狀。如圖2，圖3和圖5中所示，在與每個顯示區(qū)域13對應(yīng)的位置中在第二表面公共電極23中形成有開口23C。就是說，第二表面公共電極23具有以矩陣形式形成在行方向和列方向上形成的開口23C。第二表面公共電極23由格子部23A和表面公共電極梳齒23B組成。格子部23A具有近似格子形狀的圖案形狀，其覆蓋黑色矩陣層21并與組成第一表面公共電極11的格子部IlA相對。表面公共電極梳齒23B具有梳齒形狀,并與第一表面公共電極11的表面公共電極梳齒IlB相對。第二表面公共電極23的格子部23A具有延伸到行方向的部分，該部分的寬度比第一表面公共電極11的格子部IlA的寬度要寬，寬出的寬度對應(yīng)于覆蓋掃描線7的該部分的寬度。這里，第二表面公共電極23、第一表面公共電極11和像素電極9可以是金屬的不透明膜，可以是氧化銦錫(ITO)等的透明膜。
[0057]如圖3中所示，第二表面公共電極23的格子部23A和第一表面公共電極11的格子部IlA例如通過位于顯示區(qū)域13外部的導(dǎo)通部30中的導(dǎo)電性間隔物31電連接。優(yōu)選地，導(dǎo)電性間隔物31例如是球形的或柱形的，但可以是其它形狀。例如通過在樹脂上涂覆金屬(金等)形成導(dǎo)電性間隔物31，并通過噴墨方法或印刷方法的方式布置在配向膜24或配向膜12上的固定位置中。這里，導(dǎo)電性間隔物31具有保持TFT基板I與濾色器基板2之間的液晶層3的厚度相等的另一個功能。只要可獲得第二表面公共電極23與第一表面公共電極11之間的導(dǎo)通，導(dǎo)通部30的位置不限于圖3中所示的位置。
[0058]在該典型實施方式中，導(dǎo)電性間隔物31通過在將TFT基板I和濾色器基板2相對并疊加在一起時施加的壓力而布置在TFT基板I與濾色器基板2之間。因此，如圖3中所示，導(dǎo)電性間隔物31突破了配向膜12和24，并分別與第二表面公共電極23和第一表面公共電極11接觸。因此，充分獲得了第二表面公共電極23和第一表面公共電極11之間的導(dǎo)通。導(dǎo)通部30布置在每一顯示像素附近。并且導(dǎo)通部30可僅布置在預(yù)定的顯示像素附近，例如每預(yù)定數(shù)量的顯示像素布置一個導(dǎo)通部30。例如，除導(dǎo)電性間隔物31之外的其它導(dǎo)電性柱(之后提到)或銀(Ag)膏可組成導(dǎo)通部30。還可在顯示區(qū)域13內(nèi)將第二表面公共電極23和第一表面公共電極11相互電連接。
[0059]一般地，為了給濾色器基板2供給公共電位，導(dǎo)電性間隔物混合在密封劑中，濾色器基板2和TFT基板I通過所述密封劑在它們的外圍邊緣部分中連接，或者使用設(shè)置銀(Ag)膏的工序。然而，根據(jù)該典型實施方式，通過設(shè)置導(dǎo)電性間隔物31，可省略這些工序。
[0060]接下來，將描述根據(jù)該典型實施方式的IXD裝置100的操作。
[0061]如圖3中所示，因為第二表面公共電極23與第一表面公共電極11電連接，所以其通過第一表面公共電極11與公共電極配線6電連接。因此，輸入到公共電極配線6中的公共電位供給到第一表面公共電極11和第二表面公共電極23。通過分別設(shè)置在第一表面公共電極11和第二表面公共電極23中的公共電極梳齒IIB和23B，可將沿TFT基板I和濾色器基板2主平面的電場適當(dāng)施加到液晶層3。
[0062]根據(jù)第一個典型實施方式，用由ITO或金屬組成的第二表面公共電極23覆蓋濾色器基板2的黑色矩陣層21。因此，由通過驅(qū)動LCD裝置100產(chǎn)生的電場導(dǎo)致的到黑色矩陣層21的電荷傳輸被第二表面公共電極23攔截。就是說，因為沒有產(chǎn)生由于外圍電場而到黑色矩陣層21中的電荷注入或離子移動，所以在TFT基板I與濾色器基板2之間沒有產(chǎn)生垂直電場。由此，可抑制由于垂直電場的影響而產(chǎn)生的屏幕灼燒、污點和斑點。
[0063]因為在濾色器基板2中設(shè)置有梳狀的公共電極梳齒23B，所以可加強濾色器基板2附近的橫向電場。因此，因為在相同的施加電壓時橫向電場強度大于現(xiàn)有LCD裝置的橫向電場強度，所以可減小驅(qū)動電壓并獲得較高的透射率。
[0064]〈第一個典型實施方式的修改例1>
[0065]圖6是顯示第一個典型實施方式的修改例I中的導(dǎo)通部30的結(jié)構(gòu)的橫截面圖(與圖1中的線II1-1II對應(yīng)的部分的橫截面圖)。
[0066]在第一個典型實施方式中，在形成配向膜24之后形成導(dǎo)電性間隔物31。另一方面，在修改例I中，如圖6中所示，例如通過噴墨方法或印刷方法，首先在第二表面公共電極23上的固定位置中布置導(dǎo)電性間隔物31。在其之后形成配向膜24，并將TFT基板I和濾色器基板2置加在一起。
[0067]在修改例I中，當(dāng)通過加壓將TFT基板I和濾色器基板2疊加在一起時，導(dǎo)電性間隔物31突破配向膜12并與第一表面公共電極11接觸。因此，充分獲得了第二表面公共電極23和第一表面公共電極11之間的導(dǎo)通。與此相反，可在第一表面公共電極11上布置導(dǎo)電性間隔物31之后，形成配向膜12，并將TFT基板I和濾色器基板2疊加在一起。
[0068]<第一個典型實施方式的修改例2>
[0069]圖7是顯示第一個典型實施方式的修改例2中的導(dǎo)通部30的結(jié)構(gòu)的橫截面圖(與圖1中的線II1-1II對應(yīng)的部分的橫截面圖)。
[0070]修改例2與圖6中所示的修改例I不同僅在于代替導(dǎo)電性間隔物31而形成導(dǎo)電性柱32。在第二表面公共電極23上形成導(dǎo)電性膜之后，例如可通過蝕刻該導(dǎo)電性膜以留下導(dǎo)電性柱32來形成導(dǎo)電性柱32。如圖7中所示，在第二表面公共電極23上形成導(dǎo)電性柱32之后，形成配向膜24，并將TFT基板I和濾色器基板2疊加在一起。不限于此，可在第一表面公共電極11上形成導(dǎo)電性柱32之后，形成配向膜12，并將TFT基板I和濾色器基板2疊加在一起。
[0071]在修改例2中，通過在將TFT基板I和濾色器基板2疊加在一起時施加的壓力，導(dǎo)電性柱32突破配向膜12，并與第一表面公共電極11接觸。因此，充分獲得了第二表面公共電極23和第一表面公共電極11之間的導(dǎo)通。當(dāng)然在第一個典型實施方式中，可代替導(dǎo)電性間隔物31使用導(dǎo)電性柱32。
[0072]<第一個典型實施方式的修改例3>
[0073]圖8和圖9是顯示第一個典型實施方式的修改例3中的導(dǎo)通部30的結(jié)構(gòu)的橫截面圖(與圖1中的線II1-1II對應(yīng)的部分的橫截面圖)。
[0074]在修改例3中，提前分別在配向膜12和24的其中布置導(dǎo)電性間隔物31的部分(參照圖8)，或者其中布置導(dǎo)電性柱32的部分(參照圖9)中形成開口 12A和24A。通過該構(gòu)造，導(dǎo)電性間隔物31或?qū)щ娦灾?2不用突破配向膜12和24而直接與第一和第二表面公共電極11和23接觸。在其中配向膜12和24由無機配向膜等組成且是剛性的情形中，修改例3尤其有效。因為在該情形中導(dǎo)電性間隔物31或?qū)щ娦灾?2很難突破配向膜12和24。
[0075]盡管圖9顯示了其中導(dǎo)電性柱32形成在第二表面公共電極23上的一個例子，但其可形成在第一表面公共電極11上。
[0076][第二個典型實施方式]
[0077]圖10是設(shè)置在根據(jù)第二個典型實施方式的IXD裝置中的TFT基板201的平面圖，圖11是設(shè)置在TFT基板201上的第一表面公共電極211的平面圖，圖12是設(shè)置在根據(jù)第二個典型實施方式的LCD裝置的濾色器基板上的第二表面公共電極223的平面圖。
[0078]根據(jù)第二個典型實施方式的IXD裝置與根據(jù)第一個典型實施方式的IXD裝置100不同僅在于下述一點，即分別代替根據(jù)第一個典型實施方式的LCD裝置100的數(shù)據(jù)線8(圖1)、第一表面公共電極11 (圖4)、第二表面公共電極23 (圖5)和像素電極9 (圖1),設(shè)置數(shù)據(jù)線208 (圖10)、第一表面公共電極211 (圖10，圖11)、第二表面公共電極223 (圖12)和像素電極209 (圖10)。其它方面是與根據(jù)第一個典型實施方式的IXD裝置100相同的構(gòu)造。
[0079]在第一個典型實施方式中，如圖1中所示，第一表面公共電極11、第二表面公共電極23、像素電極9和數(shù)據(jù)線8在列方向(Y方向)中筆直延伸。相反，在該典型實施方式中，如圖10，圖11和圖12中所示，第一表面公共電極211、第二表面公共電極223、像素電極209和數(shù)據(jù)線208的在列方向上延伸的部分分別在至少一個或多個位置彎曲，就是說，它們具有曲折形結(jié)構(gòu)(zigzag shape structure)。在第一表面公共電極211中，在與每個顯示區(qū)域13對應(yīng)的位置形成有開口 211C，該開口 21IC具有在列方向上具有至少一個或多個彎曲部分的形狀。
[0080]與第一個典型實施方式一樣，第一表面公共電極211包括格子部211A和公共電極梳齒211B。格子部21IA和公共電極梳齒21IB的在列方向上延伸的部分分別在至少一個或多個位置彎曲。圖10和圖11分別顯示了其中它們在一個位置處彎曲的情形。
[0081]類似地，在第二表面公共電極223中以矩陣的形式形成有具有與開口 211C相同形狀的開口 223C。與第一個典型實施方式一樣,第二表面公共電極223包括格子部223A和公共電極梳齒223B。格子部223A和公共電極梳齒223B的在列方向上延伸的部分分別至少在一個或多個位置處彎曲。圖12顯示了其中它們在一個位置處彎曲的情形。[0082]與第一個典型實施方式一樣，像素電極209包括像素電極梳齒209A和存儲電容形成部209B。像素電極梳齒209A的在列方向上延伸的部分至少在一個或多個位置處彎曲。圖10顯示了其中其在一個位置處彎曲的情形。
[0083]盡管在該典型實施方式中省略了示圖，但濾色器基板的黑色矩陣層像數(shù)據(jù)線208
一樣彎曲。
[0084]因為第一和第二表面公共電極211和223彎曲，從而可形成其中液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向彼此不同的多疇(mult1-domain),所以在根據(jù)第二個典型實施方式獲得與第一個典型實施方式相同的有利效果的同時，獲得了提高傾斜觀看時的光學(xué)特性的新的優(yōu)點。
[0085]盡管圖10,圖11和圖12顯不了其中數(shù)據(jù)線208、第一表面公共電極211、第二表面公共電極223和像素電極209分別在顯示像素的列方向上僅在一個位置彎曲的結(jié)構(gòu)，但其并不限于這些結(jié)構(gòu)，它們可分別在兩個或多個位置處彎曲。
[0086][第三個典型實施方式]
[0087]圖13是顯示根據(jù)第三個典型實施方式的IXD裝置300 (圖14)的TFT基板和濾色器基板的外圍邊緣部分的結(jié)構(gòu)的橫截面圖，圖14是根據(jù)第三個典型實施方式的LCD裝置300的平面圖，圖15是根據(jù)第三個典型實施方式的LCD裝置300的橫截面圖。圖15是與圖1中的線II1-1II對應(yīng)的部分的橫截面圖。
[0088]在該典型實施方式中，如圖13中所示，在濾色器基板2的外圍邊緣部分上形成有端子301。如圖14中所示，公共電位輸入端303與端子301連接。這里，與輸入到TFT基板I中的第一表面公共電極11中的公共電位相同的電位通過端子301輸入到第二表面公共電極23。
[0089]在該典型實施方式中，第一表面公共電極11和第二表面公共電極23不相互電連接。因此，如圖15中所示，沒有布置用于將第一表面公共電極11和第二表面公共電極23相互電連接的組件，如第一或第二個典型實施方式中的導(dǎo)電性間隔物31或?qū)щ娦灾?2。
[0090]如圖13中所示，通過在那些外圍邊緣部分中的密封劑302的方式將濾色器基板2和TFT基板I相互連接。
[0091]根據(jù)第三個典型實施方式，不需要通過導(dǎo)電性間隔物或銀(Ag)膏將輸入到TFT基板I中的公共電位輸入到濾色器基板2中。因此，因為在第一或第二表面公共電極11或23與導(dǎo)電性間隔物或銀(Ag)膏之間沒有接觸電阻，所以不會出現(xiàn)公共電位的損耗。
[0092]本發(fā)明的第四個典型實施方式是，用于將第一表面公共電極和第二表面公共電極相互電連接的導(dǎo)通部被形成，其中通過該導(dǎo)通部將輸入到第一表面公共電極和第二表面公共電極中的一個電極中的公共電位傳輸?shù)狡淞硪粋€電極。
[0093]此外，本發(fā)明的第五個典型實施方式是，導(dǎo)通部由導(dǎo)電性間隔物或?qū)щ娦灾M成。
[0094]本發(fā)明的第六個典型實施方式是，在對向基板的外圍邊緣部分上形成有用于將電位輸入到第二表面公共電極中的端子，且通過該端子將相同的公共電位輸入到第二表面公共電極中以及通過公共電極配線輸入到第一表面公共電極中。
[0095]本發(fā)明的第七個典型實施方式是，像素電極、第一表面公共電極和第二表面公共電極相互平行形成，且它們分別以曲折形形成。
[0096]本發(fā)明的第八個典型實施方式是，像素電極和第一表面公共電極分別設(shè)置有突出到每個顯示像素的顯示區(qū)域中的梳齒狀部分，從而由此可給液晶施加沿TFT基板的主平面的電場。
[0097]本發(fā)明的第九個典型實施方式是，第二表面公共電極設(shè)置有突出到每個顯示像素的顯示區(qū)域中的梳齒狀部分，從而由此可給液晶施加沿對向基板的主平面的電場。
[0098]本發(fā)明的第十個典型實施方式是，具有第一表面公共電極和第二表面公共電極的液晶顯示裝置的驅(qū)動方法包括:給第二表面公共電極以及第一表面公共電極輸入相同的公共電位，其中液晶顯示裝置包括薄膜晶體管(TFT)基板、與TFT基板相對并與其疊加的對向基板、和封閉在TFT基板與對向基板之間的液晶，所述薄膜晶體管(TFT )基板具有一基板和在該基板上以矩陣形式布置的顯示像素，該顯示像素包括多條掃描線、多條信號線、多條公共電極配線、多個像素電極、多個薄膜晶體管和與所述公共電極配線電連接的第一表面公共電極，其中所述像素電極和所述第一表面公共電極被布置，從而可給液晶施加沿TFT基板的主平面的電場，在所述對向基板上形成有第二表面公共電極，所述第二表面公共電極與所述第一表面公共電極相對，所述對向基板進(jìn)一步包括具有遮光功能的遮光層，所述第二表面公共電極覆蓋所述遮光層而形成，且所述第二表面公共電極被布置，從而可給液晶施加沿對向基板的主平面的電場。
[0099]在【背景技術(shù)】中所述的現(xiàn)有IPS模式IXD裝置導(dǎo)致需要高驅(qū)動電壓的問題。這是由于下面的原因。因為在通過橫向電場的方式驅(qū)動液晶的現(xiàn)有LCD裝置1000中，公共電極梳齒1011B僅形成在TFT基板1001內(nèi)，所以橫向電場強度在相對的濾色器基板1002附近變?nèi)?。因此，在濾色器基板1002附近，比在TFT基板1001附近更難旋轉(zhuǎn)液晶分子。因此，為了充分旋轉(zhuǎn)也在濾色器基板1002附近的液晶分子，需要更高的電壓。
[0100]此外，在由【背景技術(shù)】中所述的日本特許公開專利申請N0.2000-147482和N0.2006-031022公開的現(xiàn)有技術(shù)中，因為公共電極梳齒僅形成在TFT基板中，所以僅從TFT基板給液晶施加沿基板的主平面的電場。因此，不能減小驅(qū)動電壓。
[0101]根據(jù)本發(fā)明的一個典型優(yōu)點是可抑制諸如斑點、污點、灼燒和余像等這樣的缺陷，并可實現(xiàn)降低驅(qū)動電壓。
[0102]盡管參照其典型實施方案具體顯示并描述了本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于這些實施方案。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離由權(quán)利要求定義的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在其中在形式和細(xì)節(jié)上做各種變化。
[0103]此外，本發(fā)明人的意圖是即使在訴訟過程中修改了權(quán)利要求，也仍保留所要求發(fā)明的所有等價物。
【權(quán)利要求】
1.一種液晶顯示裝置，包括: 薄膜晶體管(TFT)基板，包括玻璃基板和在所述基板上以矩陣形式布置的顯示像素，所述顯示像素包括多條掃描線、多條信號線、多條公共電極配線、多個像素電極、多個薄膜晶體管和與所述公共電極配線連接的第一表面公共電極； 對向基板，與所述TFT基板相對并與其疊加；和 液晶，被封閉在所述TFT基板與所述對向基板之間， 其中所述像素電極和所述第一表面公共電極被布置，從而沿所述TFT基板的主平面的電場能被施加給所述液晶，在所述對向基板上形成有第二表面公共電極，給所述第二表面公共電極以及所述第一表面公共電極輸入相同的公共電位，所述第二表面公共電極與所述第一表面公共電極相對，所述對向基板進(jìn)一步包括具有遮光功能的遮光層，所述第二表面公共電極覆蓋所述遮光層而形成，且所述第二表面公共電極被布置，從而沿所述對向基板的主平面的電場能被施加給所述液晶， 其中， 所述第一公共電極覆蓋所述公共電極配線和所述信號線兩者，并且 至少一個導(dǎo)電性間隔物或柱布置在覆蓋所述遮光層的所述第二表面公共電極和覆蓋所述公共電極配線或所述信號線的所述第一表面公共電極之間，從而將所述第一表面公共電極與所述第二表面公共電極電接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，所述遮光層形成為以網(wǎng)格圖案覆蓋所述掃描線和所述信號線，并且 所述第二表面公共電極形成為覆蓋以網(wǎng)格圖案布置的所述遮光層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其中所述導(dǎo)電性間隔物或柱布置在所述所有顯示像素的附近。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的液晶顯示裝置，其中所述信號線是彎曲的。
【文檔編號】G02F1/1343GK103645588SQ201310473480
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2008年10月29日 優(yōu)先權(quán)日:2007年10月29日
【發(fā)明者】北川善朗 申請人:Nlt科技股份有限公司