像素結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，其包含圖案化絕緣層及圖案化電極層。圖案化絕緣層包含第一區(qū)以及第二區(qū)，圖案化電極層包含第三區(qū)及第四區(qū)。第一區(qū)上具有多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)，第三區(qū)為塊狀電極，第四區(qū)由多個(gè)第一條狀電極所組成。第三區(qū)相對(duì)地配置于第一區(qū)上，以使第三區(qū)根據(jù)該些條狀結(jié)構(gòu)而凸起，以形成多個(gè)第二條狀電極，而第四區(qū)相對(duì)于第二區(qū)而配置，以使該些第一條狀電極形成于第二區(qū)上。
【專利說(shuō)明】像素結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于控制光的結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種像素結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器(Liquid crystal display, LCD)常用作顯示裝置,這是基于其使用少許電力即可顯示高質(zhì)量影像的能力。在液晶顯示器中，液晶分子基于其長(zhǎng)條狀與扁平狀的分子結(jié)構(gòu)而具有一定的配向，液晶分子的配向在液晶面板的液晶胞中具有決定光線穿透率的重要作用。
[0003]液晶分子的配向由像素結(jié)構(gòu)中的電極層來(lái)決定，傳統(tǒng)的電極層配置方式為磨擦(Rubbing)或凸塊(Protrusion)形成的多維度配向(Mult1-Domain VerticalAlignment, MVA)、條狀電極配向(Patterned Vertical Alignment, PVA)、聚合物穩(wěn)定配向(Polymer-Stabilized Alignment, PSVA)與支條狀絕層電極的形狀設(shè)計(jì)(Patterned PVwith Full ITO)等。其中，PVA與PSVA技術(shù)像素電極主要采用支條狀導(dǎo)電層(ITO)電極形成于平坦的絕緣層之上，而支條狀絕緣層電極則是采用支條狀絕緣層(PV)與其上方的區(qū)塊狀導(dǎo)電層彼此組合而成最后的電極形狀，也即支條狀絕緣層電極是通過(guò)具有高低起伏的絕緣層搭配型成于其上大致厚度相等的電極層來(lái)形成最后條狀的電及形狀，而采用此傳統(tǒng)支條狀絕緣層電極形狀設(shè)計(jì)的電極層配置方式時(shí)，會(huì)產(chǎn)生液晶倒向不穩(wěn)定、暗態(tài)漏光及液晶反應(yīng)速率慢等缺點(diǎn)。
[0004]由此可見(jiàn)，上述現(xiàn)有的方式，顯然仍存在不便與缺陷，而有待改進(jìn)。為了解決上述問(wèn)題，相關(guān)領(lǐng)域莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來(lái)仍未發(fā)展出適當(dāng)?shù)慕鉀Q方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]
【發(fā)明內(nèi)容】
旨在提供本揭示內(nèi)容的簡(jiǎn)化摘要，以使閱讀者對(duì)本揭示內(nèi)容具備基本的理解。此
【發(fā)明內(nèi)容】
并非本揭示內(nèi)容的完整概述，且其用意并非在指出本發(fā)明實(shí)施例的重要/關(guān)鍵元件或界定本發(fā)明的范圍。
[0006]本
【發(fā)明內(nèi)容】
的一目的在于提供一種像素結(jié)構(gòu)，借以改善現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。
[0007]為達(dá)上述目的，本
【發(fā)明內(nèi)容】
的一技術(shù)方式涉及一種像素結(jié)構(gòu)，其包含圖案化絕緣層及圖案化電極層。圖案化絕緣層包含第一區(qū)以及第二區(qū)，圖案化電極層包含第三區(qū)及第四區(qū)。第一區(qū)上具有多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)，第三區(qū)為塊狀電極，第四區(qū)由多個(gè)第一條狀電極所組成。第三區(qū)相對(duì)地配置于第一區(qū)上，以使第三區(qū)根據(jù)該些條狀結(jié)構(gòu)而凸起，以形成多個(gè)第二條狀電極，而第四區(qū)相對(duì)于第二區(qū)而配置，以使該些第一條狀電極形成于第二區(qū)上。
[0008]因此，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，本發(fā)明實(shí)施例借由提供一種像素結(jié)構(gòu)，借以改善采用傳統(tǒng)的電極層配置方式，會(huì)產(chǎn)生液晶倒向不穩(wěn)定、暗態(tài)漏光及液晶反應(yīng)速率慢的問(wèn)題。
[0009]在參照以下實(shí)施方式后，本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)的人員可輕易了解本發(fā)明的基本精神及其它發(fā)明目的，以及本發(fā)明所采用的技術(shù)手段與實(shí)施方式。【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例能更明顯易懂，所附附圖的說(shuō)明如下:
[0011]圖1A示出依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的圖案化絕緣層的示意圖；
[0012]圖1B示出依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的圖案化電極層的示意圖；
[0013]圖1C示出依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0014]圖1D示出依照本發(fā)明圖1C的部分區(qū)塊的放大示意圖；
[0015]圖1E示出依照本發(fā)明圖1C所示的像素結(jié)構(gòu)上的A點(diǎn)至B點(diǎn)的剖面示意圖；
[0016]圖1F示出依照本發(fā)明圖1C所示的像素結(jié)構(gòu)上的C點(diǎn)至D點(diǎn)的剖面示意圖；
[0017]圖1G示出支條狀導(dǎo)電層電極或支條狀絕緣層電極技術(shù)的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，以及本發(fā)明圖1C所示的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0018]圖2A示出依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的圖案化絕緣層的示意圖；
[0019]圖2B示出依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的圖案化電極層的示意圖；
[0020]圖2C示出依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0021]圖3A示出依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的圖案化絕緣層的示意圖；
[0022]圖3B示出依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的圖案化電極層的示意圖；
[0023]圖3C示出依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的多個(gè)條狀凸塊的示意圖；
[0024]圖3D示出依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的共享電極層的示意圖；
[0025]圖3E示出依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0026]圖3F示出依照本發(fā)明圖3E所示的像素結(jié)構(gòu)上的A點(diǎn)至B點(diǎn)的剖面示意圖；
[0027]圖4A示出依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的圖案化絕緣層的示意圖；
[0028]圖4B示出依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的圖案化電極層的示意圖；
[0029]圖4C示出依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的共享電極層的示意圖；
[0030]圖4D示出依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0031]根據(jù)慣常的作業(yè)方式，圖中各種特征與元件并未依比例繪制，其繪制方式是為了以最佳的方式呈現(xiàn)與本發(fā)明相關(guān)的具體特征與元件。此外，在不同附圖之間，以相同或相似的元件標(biāo)記來(lái)指稱相似的元件/部件。
[0032]附圖標(biāo)記
[0033]100:像素結(jié)構(gòu)224:第四區(qū)
[0034]110:圖案化絕緣層 226:第一條狀電極
[0035]112:第一區(qū)236:第二條狀電極
[0036]114:第二區(qū)300:像素結(jié)構(gòu)
[0037]116:條狀結(jié)構(gòu)310:圖案化絕緣層
[0038]120:圖案化電極層312:第一子區(qū)
[0039]121:電極邊緣314:第二子區(qū)
[0040]122:第三區(qū)316:條狀結(jié)構(gòu)
[0041]123:電極邊緣320:圖案化電極層
[0042]124:第四區(qū)322:第三子區(qū)
[0043]126:第一條狀電極 324:第四子區(qū)[0044]128:第一部分326:第一條狀電極
[0045]129:第二部分332:條狀凸塊
[0046]136:第二條狀電極340:共享電極層
[0047]138:第三條狀電極400:像素結(jié)構(gòu)
[0048]140:區(qū)塊410:圖案化絕緣層
[0049]142:第一種方向412:第一子區(qū)
[0050]144:第二種方向414:第二子區(qū)
[0051]146:第三種方向416:條狀結(jié)構(gòu)
[0052]148:間隔420:圖案化電極層
[0053]200:像素結(jié)構(gòu)422:第三子區(qū)
[0054]210:圖案化絕緣層424:第四子區(qū)
[0055]212:第一區(qū)426:第一條狀電極
[0056]214:第二區(qū)432:條狀通孔
[0057]216:條狀結(jié)構(gòu)500:電極邊緣
[0058]218:凹陷區(qū)600:液晶
[0059]220:圖案化電極層700:基板
[0060]222:第三區(qū)800:基板
[0061]E:電場(chǎng)
【具體實(shí)施方式】
[0062]為了使本揭示內(nèi)容的敘述更加詳盡與完整，以下針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式與具體實(shí)施例提出了說(shuō)明性的描述；但這并非實(shí)施或運(yùn)用本發(fā)明具體實(shí)施例的唯一形式。實(shí)施方式中涵蓋了多個(gè)具體實(shí)施例的特征以及用以構(gòu)建與操作這些具體實(shí)施例的方法步驟與其順序。然而，也可利用其它具體實(shí)施例來(lái)達(dá)成相同或均等的功能與步驟順序。
[0063]除非本說(shuō)明書另有定義，此處所用的科學(xué)與技術(shù)詞匯的含義與本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)的人員所理解與慣用的意義相同。此外，在不和上下內(nèi)容沖突的情形下，本說(shuō)明書所用的單數(shù)名詞涵蓋該名詞的復(fù)數(shù)型；而所用的復(fù)數(shù)名詞時(shí)也涵蓋該名詞的單數(shù)型。
[0064]請(qǐng)參照?qǐng)D1A、圖1B及圖1C，其分別示出圖案化絕緣層110、圖案化電極層120及上述兩層狀結(jié)構(gòu)的組合結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0065]如圖1A所示，圖案化絕緣層110包含第一區(qū)112以及第二區(qū)114。在第一區(qū)112上具有多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)116，該些條狀結(jié)構(gòu)116于第一區(qū)112的中央包含十字狀主結(jié)構(gòu)，而其余條狀結(jié)構(gòu)116由前述十字狀主結(jié)構(gòu)向外放射狀延伸，其延伸的范圍不超過(guò)圖案化絕緣層110的第一區(qū)112。此外，圖案化絕緣層110的第二區(qū)114可為一平坦區(qū)域。
[0066]在一實(shí)施例中，上述第二區(qū)114的高度可低于該些條狀結(jié)構(gòu)116的高度。然而本發(fā)明并不以圖1A所示為限，其僅用以例示性地說(shuō)明本發(fā)明的一實(shí)現(xiàn)方式，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可選擇性地依照實(shí)際需求來(lái)配置該些條狀結(jié)構(gòu)116的形狀、延伸方向及連接關(guān)系。
[0067]其次，請(qǐng)參照?qǐng)D1B，圖案化電極層120包含第三區(qū)122及第四區(qū)124。圖案化電極層120的第三區(qū)122可為塊狀電極，圖案化電極層120的第四區(qū)124可由多個(gè)第一條狀電極126所組成，該些第一條狀電極126可連接于第三區(qū)122的塊狀電極而由塊狀電極向外放射狀延伸。在一實(shí)施例中，圖案化電極層120的第三區(qū)122及第四區(qū)124的厚度可相同，也可為第三區(qū)122的厚度大于第四區(qū)124的厚度，或者第四區(qū)124的厚度大于第三區(qū)122的厚度。
[0068]然而本發(fā)明并不以圖1B所示為限，其僅用以例示性地說(shuō)明本發(fā)明的一實(shí)現(xiàn)方式，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可選擇性地依照實(shí)際需求來(lái)配置第三區(qū)122的形狀及結(jié)構(gòu)，并可依照實(shí)際需求來(lái)配置第四區(qū)124的該些第一條狀電極126的形狀、延伸方向及連接關(guān)系。
[0069]再者，圖1C所示的結(jié)構(gòu)即為像素結(jié)構(gòu)100，其由圖案化絕緣層110及圖案化電極層120所組成。于結(jié)構(gòu)上，圖案化電極層120的第三區(qū)122相對(duì)地配置于圖案化絕緣層110的第一區(qū)112上，以使第三區(qū)122根據(jù)該些條狀結(jié)構(gòu)116而凸起，以形成多個(gè)第二條狀電極136。此外，圖案化電極層120的第四區(qū)124相對(duì)于圖案化絕緣層110的第二區(qū)114而配置，以使該些第一條狀電極126形成于第二區(qū)114上。
[0070]詳細(xì)而言，圖案化絕緣層110的第一區(qū)112與圖案化電極層120的第三區(qū)122所組成的電極結(jié)構(gòu)屬于支條狀絕緣層電極(支條狀絕緣層電極with Full ITO)技術(shù),而圖案化絕緣層110的第二區(qū)114與圖案化電極層120的第四區(qū)124所組成的電極結(jié)構(gòu)則與傳統(tǒng)利用聚合物穩(wěn)定配向(Polymer-Stabilized Alignment, PSA)技術(shù)的支條狀導(dǎo)電層電極結(jié)構(gòu)相同。
[0071 ] 由于支條狀絕緣層電極技術(shù)及支條狀導(dǎo)電層電極技術(shù)中各有其優(yōu)缺點(diǎn)，據(jù)此，本發(fā)明實(shí)施例借由調(diào)配支條狀絕緣層電極技術(shù)及支條狀導(dǎo)電層電極技術(shù)在像素結(jié)構(gòu)100的比例，以保持支條狀絕緣層電極技術(shù)及支條狀導(dǎo)電層電極技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，并改善支條狀絕緣層電極技術(shù)及支條狀導(dǎo)電層電極技術(shù)的缺點(diǎn)。關(guān)于本發(fā)明實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)100、支條狀絕緣層電極技術(shù)與支條狀導(dǎo) 電層電極技術(shù)的相關(guān)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)列表如下:
[0072]表1、本發(fā)明支條狀絕緣層電極技術(shù)與支條狀導(dǎo)電層電極技術(shù)的對(duì)照表
[0073]
【權(quán)利要求】
1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含: 一圖案化絕緣層，包含一第一區(qū)以及一第二區(qū)，其中該第一區(qū)上具有多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)；以及 一圖案化電極層，包含一第三區(qū)及一第四區(qū)，其中該第三區(qū)為一塊狀電極，該第四區(qū)由多個(gè)第一條狀電極所組成，其中該第三區(qū)相對(duì)地配置于該第一區(qū)上，以使該第三區(qū)根據(jù)該些條狀結(jié)構(gòu)而凸起，以形成多個(gè)第二條狀電極，其中該第四區(qū)相對(duì)于該第二區(qū)而配置，以使該些第一條狀電極形成于該第二區(qū)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二區(qū)與該些第一條狀電極接觸的一第一部分的高度，與該第二區(qū)未與該些第一條狀電極接觸的一第二部分的高度相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三區(qū)于該些條狀結(jié)構(gòu)之間形成多個(gè)第三條狀電極，該些第三條狀電極與該些第二條狀電極相互連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一條狀電極由該塊狀電極向外延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求4任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一區(qū)位于該圖案化絕緣層的中央，該第二區(qū)位于該圖案化絕緣層的外圍，其中該第三區(qū)位于該圖案化電極層的中央，該第四區(qū)位于該圖案化電極層的外圍。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求4任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一區(qū)的面積占該圖案化絕緣層的總面積的約40%?60%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求4任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一區(qū)的形狀包含一四邊形及一六邊形的其中一者。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，在該第一區(qū)的形狀為六邊形的狀況下，該六邊形其中一邊與該圖案化絕緣層的一邊的夾角約為35?55度角。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求4任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一區(qū)包含多個(gè)第一子區(qū)，該第二區(qū)包含多個(gè)第二子區(qū)，該些第一子區(qū)及該些第二子區(qū)分散位于該圖案化絕緣層，且該些第一子區(qū)的每一者與該些第二子區(qū)的每一者間隔排列，其中該第三區(qū)包含多個(gè)第三子區(qū)，該第四區(qū)包含多個(gè)第四子區(qū)，該些第三子區(qū)及該些第四子區(qū)分散位于該圖案化電極層，且該些第三子區(qū)的每一者與該些第四子區(qū)的每一者間隔排列，其中該些第三子區(qū)的每一者相對(duì)地配置于該些第一子區(qū)其中一者上，其中該些第四子區(qū)的每一者相對(duì)地配置于該些第二子區(qū)其中一者上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含: 多個(gè)條狀凸塊，該些條狀凸塊的每一者相對(duì)地配置于該些第一子區(qū)其中一者之上；以及 一共享電極層，配置于該些條狀凸塊之上。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含: 一共享電極層，配置于該圖案化電極層之上，該共享電極層包含多個(gè)條狀通孔，該些條狀通孔的每一者相對(duì)于該些第一子區(qū)其中一者而配置。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK103676351SQ201310485290
【公開(kāi)日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年10月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月19日
【發(fā)明者】葉昭緯, 丁天倫, 徐文浩 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司