顯示裝置、陣列基板及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法。該陣列基板包括：基板，基板上設(shè)有柵極、柵絕緣層、有源層、第一電極層、導(dǎo)電連接層、數(shù)據(jù)線、鈍化層和第二電極層；導(dǎo)電連接層與數(shù)據(jù)線的位置相對應(yīng)，所述導(dǎo)電連接層與第一電極層同時形成；所述導(dǎo)電連接層與數(shù)據(jù)線電連接。本發(fā)明提供的顯示裝置、陣列基板及制作方法，當(dāng)數(shù)據(jù)線發(fā)生DO或弱線現(xiàn)象時，在不增加成本的前提下，增設(shè)的導(dǎo)電連接層可將斷開的數(shù)據(jù)線重新電連接起來，最大程度確保數(shù)據(jù)線的正常使用，降低了數(shù)據(jù)線發(fā)生DO和弱線的現(xiàn)象，進(jìn)而提高最終產(chǎn)品的良品率。
【專利說明】顯示裝置、陣列基板及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種顯示裝置、陣列基板及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，隨著科技的發(fā)展，液晶顯示器技術(shù)也隨之不斷完善。TFT-1XD (Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display,薄膜場效應(yīng)晶體管-液晶顯示器)以其圖像顯示品質(zhì)好、能耗低、環(huán)保等優(yōu)勢占據(jù)著顯示器領(lǐng)域的重要位置。
[0003]近幾年來，為了更好地提高圖像顯示品質(zhì)和進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本，開發(fā)了一種ADS顯示模式。ADS是平面電場寬視角核心技術(shù)-高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(ADvanced SuperDimension Switch)，可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)是通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。
[0004]如圖1所示，本現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板平面示意圖，其ADS陣列基板的制作工藝通常為:柵極(Gate)—柵絕緣層(GI)—有源層(Act)—像素電極層(Ist ΙΤ0)—數(shù)據(jù)線(Dataline)—鈍化層(PVX)—公共電極層(2nd ΙΤ0)。
[0005]在實際生產(chǎn)ADS模式陣列基板的工藝中發(fā)現(xiàn)，當(dāng)數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線(DO，Data lineOpen)或弱線現(xiàn)象時，無法及時實施補救，直接影響后續(xù)工藝的進(jìn)行，極大地降低了產(chǎn)品的良品率,造成加重生產(chǎn)成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006](一)要解決的技術(shù)問題
[0007]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法，以克服現(xiàn)有的陣列基板中當(dāng)數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線或弱線現(xiàn)象時，無法及時實施補救，造成良品率下降，加重生產(chǎn)成本等缺陷。
[0008](二)技術(shù)方案
[0009]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明一方面提供一種陣列基板，包括:
[0010]基板，所述基板上設(shè)有柵極、柵絕緣層、有源層、第一電極層、導(dǎo)電連接層、數(shù)據(jù)線、鈍化層和第二電極層；
[0011]所述導(dǎo)電連接層與第一電極層同時形成；所述導(dǎo)電連接層與數(shù)據(jù)線的位置相對應(yīng)，所述導(dǎo)電連接層與數(shù)據(jù)線連接。
[0012]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電連接層的圖案與數(shù)據(jù)線的圖案相匹配。
[0013]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電連接層的寬度等于或大于數(shù)據(jù)線的寬度。
[0014]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電連接層的材料與第一電極層的材料相同。
[0015]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電連接層和第一電極層由ITO材料制成。[0016]優(yōu)選地，所述第一電極層為像素電極層，所述第二電極層為公共電極層。
[0017]另一方面，本發(fā)明還提供一種制作的陣列基板的制作方法，包括:
[0018]在基板上形成柵極、柵絕緣層、有源層、第一電極層、導(dǎo)電連接層、數(shù)據(jù)線、鈍化層和第二電極層的圖案；
[0019]所述導(dǎo)電連接層的圖案與數(shù)據(jù)線圖案的位置相對應(yīng)，所述導(dǎo)電連接層的圖案與第一電極層的圖案同時形成。
[0020]優(yōu)選地，陣列基板的制作方法具體包括:
[0021]步驟1、在基板上沉積柵金屬層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成柵極的圖案；
[0022]步驟2、在完成步驟I的基板上形成柵絕緣層；
[0023]步驟3、在完成步驟2的基板上沉積有源層薄膜，形成有源層的圖案；
[0024]步驟4、在完成步驟3的基板上沉積透明電極薄膜，通過構(gòu)圖工藝同時形成導(dǎo)電連接層和第一電極層的圖案；
[0025]步驟5、在完成步驟4的基板上沉積金屬層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線的圖案；
[0026]步驟6、在完成步驟5的基板上形成鈍化層，通過構(gòu)圖工藝形成過孔；
[0027]步驟7、在完成步驟6的基板上沉積透明電極薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成第二電極層的圖案。
[0028]再一方面，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0029](三)有益效果
[0030]本發(fā)明提供的顯示裝置、陣列基板及制作方法，當(dāng)數(shù)據(jù)線發(fā)生DO或弱線現(xiàn)象時，在不增加成本的前提下，增設(shè)的導(dǎo)電連接層可將斷開的數(shù)據(jù)線重新電連接起來，最大程度確保數(shù)據(jù)線的正常使用，降低了數(shù)據(jù)線發(fā)生DO和弱線的現(xiàn)象，進(jìn)而提高最終產(chǎn)品的良品率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板結(jié)構(gòu)不意圖；
[0032]圖2為本發(fā)明實施例陣列基板中導(dǎo)電連接層和第一電極層的圖案；
[0033]圖3為本發(fā)明實施例陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖4為本發(fā)明實施例陣列基板制作方法的流程示意圖。
[0035]其中:1:柵極；2:有源層；3:第一電極層；4:導(dǎo)電連接層；5:數(shù)據(jù)線；6:源極；7:漏極。
【具體實施方式】
[0036]下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0037]如圖2和圖3所示，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括:基板，所述基板上設(shè)有柵極
1、柵絕緣層、有源層2、第一電極層3、導(dǎo)電連接層4、數(shù)據(jù)線5、鈍化層和第二電極層，其中，數(shù)據(jù)線上形成源極和漏極，該源極和漏極之間形成TFT溝道，該數(shù)據(jù)線5與源極6連接，漏極7與第一電極層3連接。[0038]其中，導(dǎo)電連接層4與第一電極層3同時形成；導(dǎo)電連接層4與數(shù)據(jù)線的位置相對應(yīng)，所述導(dǎo)電連接層4與數(shù)據(jù)線進(jìn)行膜層連接。
[0039]根據(jù)實際產(chǎn)品結(jié)構(gòu)需要，該導(dǎo)電連接層4可位于數(shù)據(jù)線5的下方，或者，該導(dǎo)電連接層4也可以位于數(shù)據(jù)線5的上方，當(dāng)數(shù)據(jù)線5發(fā)生DO或弱線現(xiàn)象時，導(dǎo)電連接層4并不會發(fā)生斷線，此時可通過導(dǎo)電連接層連接數(shù)據(jù)線，使得數(shù)據(jù)線重新恢復(fù)正常，可有效避免出現(xiàn)沒有電信號導(dǎo)通的情況，確保數(shù)據(jù)線的正常工作。
[0040]需要說明的是，本實施例中的陣列基板適用于ADS模式陣列基板，其中，第一電極層3為像素電極層，第二電極層為公共電極層，其中公共電極層為梳狀。
[0041]當(dāng)數(shù)據(jù)線發(fā)生DO或弱線現(xiàn)象時，在不增加成本的前提下，增設(shè)的導(dǎo)電連接層可將斷開的數(shù)據(jù)線重新電連接起來，最大程度確保數(shù)據(jù)線的正常使用，降低了數(shù)據(jù)線發(fā)生DO和弱線的現(xiàn)象，進(jìn)而提聞最終廣品的良品率。
[0042]其中，導(dǎo)電連接層4的圖案與數(shù)據(jù)線5的圖案相匹配，通常優(yōu)選設(shè)置數(shù)據(jù)線5的圖案為線狀，則導(dǎo)電連接層4的圖案同樣為線狀。
[0043]為了使得導(dǎo)電連接層能夠更好地將斷線的數(shù)據(jù)線連接起來，設(shè)置導(dǎo)電連接層4的寬度可以等于或略大于數(shù)據(jù)線5的寬度。當(dāng)然，該導(dǎo)電連接層4的寬度與數(shù)據(jù)線5的寬度可根據(jù)實際情況而定，也可設(shè)置導(dǎo)電連接層4的寬度小于數(shù)據(jù)線5的寬度，只要該導(dǎo)電連接層能夠?qū)嚅_的數(shù)據(jù)線重新電連接起來即可。
[0044]為了不增加額外的工藝成本，本實施例中的導(dǎo)電連接層與第一電極層在同一次構(gòu)圖工藝中形成，因此，該導(dǎo)電連接層的材料與第一電極層的材料相同。優(yōu)選地，該導(dǎo)電連接層4和第一電極層3由IT0(Indium tin oxide,氧化銦錫)材料制成。當(dāng)然，也可以采用其他的與ITO具有相同給或相似特性的材料制成,例如:IGZ0(indium gallium zinc oxide,銦鎵鋅氧化物)。
[0045]另一方面，本發(fā)明還提供一種制作的陣列基板的制作方法，包括:
[0046]在基板上形成柵極、柵絕緣層、有源層、第一電極層、導(dǎo)電連接層、數(shù)據(jù)線、鈍化層和第二電極層的圖案；
[0047]所述導(dǎo)電連接層的圖案與數(shù)據(jù)線圖案的位置相對應(yīng)，所述導(dǎo)電連接層的圖案與第一電極層的圖案同時形成。其中，該導(dǎo)電連接層的圖案可以位于數(shù)據(jù)線圖案的下方，或者，也可以位于數(shù)據(jù)線圖案的上方，具體可根據(jù)實際產(chǎn)品結(jié)構(gòu)需求而定。
[0048]如圖4所示，陣列基板的制作方法具體包括:
[0049]步驟1、在基板上沉積柵金屬層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成柵極的圖案；
[0050]步驟2、在完成步驟I的基板上形成柵絕緣層；
[0051]步驟3、在完成步驟2的基板上沉積有源層薄膜，形成有源層的圖案；
[0052]步驟4、在完成步驟3的基板上沉積透明電極薄膜，通過構(gòu)圖工藝同時形成導(dǎo)電連接層和第一電極層的圖案；
[0053]具體的，在實施本步驟時，只需要將本次構(gòu)圖工藝的掩膜版在原有的第一電極層的圖案的基礎(chǔ)上增設(shè)導(dǎo)電連接層的圖案即可，后續(xù)通過構(gòu)圖工藝即可在透明電極薄膜上形成導(dǎo)電連接層和第一電極層的圖案，并不需要額外的工藝。
[0054]步驟5、在完成步驟4的基板上沉積金屬層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線的圖案；[0055]步驟6、在完成步驟5的基板上形成鈍化層，通過構(gòu)圖工藝形成過孔；
[0056]步驟7、在完成步驟6的基板上沉積透明電極薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成第二電極層的圖案。
[0057]本發(fā)明實施例中所稱的構(gòu)圖工藝通常包括光刻膠涂覆、掩模、曝光、刻蝕和光刻膠剝離等工藝步驟。
[0058]本發(fā)明實施例提供的陣列基板制作方法，導(dǎo)電連接層與第一電極層通過同一次構(gòu)圖可同時形成，與現(xiàn)有工藝相比，并沒有增加額外的制作工藝，即不需要額外的生成成本；而增設(shè)的導(dǎo)電連接層可將斷開的數(shù)據(jù)線重新電連接起來，最大程度確保數(shù)據(jù)線的正常使用，降低了數(shù)據(jù)線發(fā)生DO和弱線的現(xiàn)象，進(jìn)而提高最終產(chǎn)品的良品率。
[0059]另外，本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。所述顯示器件可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0060]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括: 基板，所述基板上設(shè)有柵極、柵絕緣層、有源層、第一電極層、導(dǎo)電連接層、數(shù)據(jù)線、鈍化層和第二電極層； 所述導(dǎo)電連接層與第一電極層同時形成；所述導(dǎo)電連接層與數(shù)據(jù)線的位置相對應(yīng)，所述導(dǎo)電連接層與數(shù)據(jù)線連接。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電連接層的圖案與數(shù)據(jù)線的圖案相匹配。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電連接層的寬度大于或等于數(shù)據(jù)線的寬度。
4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電連接層的材料與第一電極層的材料相同。
5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電連接層和第一電極層由ITO材料制成。
6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極層為像素電極層，所述第二電極層為公共電極層。
7.一種制作如權(quán)利要求1-6任一項所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,包括: 在基板上形成柵極、柵絕緣層、有源層、第一電極層、導(dǎo)電連接層、數(shù)據(jù)線、鈍化層和第二電極層的圖案； 所述導(dǎo)電連接層的圖案與數(shù)據(jù)線圖案的位置相對應(yīng)，所述導(dǎo)電連接層的圖案與第一電極層的圖案同時形成。
8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 步驟1、在基板上沉積柵金屬層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成柵極的圖案； 步驟2、在完成步驟I的基板上形成柵絕緣層； 步驟3、在完成步驟2的基板上沉積有源層薄膜，形成有源層的圖案； 步驟4、在完成步驟3的基板上沉積透明電極薄膜，通過構(gòu)圖工藝同時形成導(dǎo)電連接層和第一電極層的圖案； 步驟5、在完成步驟4的基板上沉積金屬層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線的圖案； 步驟6、在完成步驟5的基板上形成鈍化層，通過構(gòu)圖工藝形成過孔； 步驟7、在完成步驟6的基板上沉積透明電極薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成第二電極層的圖案。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-6任一項所述的陣列基板。
【文檔編號】G02F1/1333GK103513482SQ201310513983
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年10月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月25日
【發(fā)明者】魏小丹, 張同局, 趙巍, 張興強(qiáng) 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司