一種光刻膠水基硅片清洗液及其制備方法
【專利摘要】一種光刻膠水基硅片清洗液，其特征在于由下列重量份的原料制成：三乙醇胺2-3、四氫糠醇4-5、苯并三氮唑1-2、十二烷基苯磺酸鈉2-3、苯甲酸鈉2-3、鉬酸鈉1-2、乙醇30-40、助劑4-5、去離子水100-120。本發(fā)明的清洗劑可以用于LED和半導體中光刻膠的去除，同時對于硅片基本沒有攻擊，且成本低，清洗簡單。本發(fā)明的助劑能夠在硅片表面形成保護膜，隔絕空氣，防止大氣中水及其他分子腐蝕硅片，抗氧化，方便下一步制作工藝進行。
【專利說明】一種光刻膠水基硅片清洗液及其制備方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及清洗劑領域，尤其涉及一種光刻膠水基硅片清洗液及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]硅片清洗劑廣泛應用于光伏，電子等行業(yè)硅片清洗；由于硅片在運輸過程中會有所污染，表面潔凈度不是很高，對即將進行的腐蝕與刻蝕產(chǎn)生很大的影響，所以首先要對硅片表面進行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有機沾污，然后溶解氧化膜，因為氧化層是“沾污陷進”，會引起外延缺陷；再去除顆粒、金屬等，同時使硅片的表面鈍化。
[0003]目前多數(shù)娃片清洗劑米用RAC清洗中的一號液和三號液,但是一號液顯堿性,可能會造成硅表面粗糙，要嚴格控制溫度、濃度和時間；三號液顯酸性，有強腐蝕性，對人體健康也不利，生產(chǎn)成本高，有刺激性氣味，污染環(huán)境，因此需要進一步改進配方，以達到清潔徹底、無污染、腐蝕小、對人體健康、電路安全、降低成本的目的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種光刻膠水基硅片清洗液及其制備方法，該清洗劑具有對光刻膠清洗速度快，對硅片腐蝕性小。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種光刻膠水基硅片清洗液，其特征在于由下列重量份的原料制成:三乙醇胺2-3、四氫糠醇4-5、苯并三氮唑1-2、十二烷基苯磺酸鈉2-3、苯甲酸鈉2-3、鑰酸鈉1_2、乙醇30-40、助劑4-5、去離子水100-120 ；
所述助劑由下列重量份的原料制成:硅烷偶聯(lián)劑KH-570 2-3、抗氧劑1035 1_2、植酸1-2、嗎啉3_4、甲基丙烯酸-2-輕基乙酯3_4、乙醇12-15 ;制備方法是將娃燒偶聯(lián)劑KH-570、植酸、乙醇混合，加熱至60-70°C，攪拌20-30分鐘后，再加入其它剩余成分，升溫至80-85°C，攪拌30-40分鐘，即得。
[0006]所述光刻膠水基硅片清洗液的制備方法，其特征在于包括以下步驟:將去離子水、三乙醇胺、四氫糠醇、苯并三氮唑、十二烷基苯磺酸鈉、苯甲酸鈉、鑰酸鈉、乙醇混合，在1000-1200轉(zhuǎn)/分攪拌下，以6-8°C /分的速率加熱到60_70°C，加入其他剩余成分，繼續(xù)攪拌15-20分鐘，即得。
[0007]本發(fā)明的有益效果
本發(fā)明的清洗劑可以用于LED和半導體中光刻膠的去除，同時對于硅片基本沒有攻擊，且成本低，清洗簡單。本發(fā)明的助劑能夠在硅片表面形成保護膜，隔絕空氣，防止大氣中水及其他分子腐蝕硅片，抗氧化，方便下一步制作工藝進行。
【具體實施方式】
[0008]一種光刻膠水基硅片清洗液，由下列重量份(公斤)的原料制成:三乙醇胺2.5、四氫糠醇4.5、苯并三氮唑1.5、十二烷基苯磺酸鈉2.4、苯甲酸鈉2.5、鑰酸鈉1.5、乙醇35、助劑4.5、去離子水110 ；
所述助劑由下列重量份(公斤)的原料制成:硅烷偶聯(lián)劑KH-570 2.5、抗氧劑1035
1.5、植酸1.5、嗎啉3.5、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯3.5、乙醇14 ;制備方法是將硅烷偶聯(lián)劑KH-570、植酸、乙醇混合，加熱至65°C，攪拌25分鐘后，再加入其它剩余成分，升溫至84°C，攪拌34分鐘，即得。
[0009]所述光刻膠水基硅片清洗液的制備方法，包括以下步驟:將去離子水、三乙醇胺、四氫糠醇、苯并三氮唑、十二烷基苯磺酸鈉、苯甲酸鈉、鑰酸鈉、乙醇混合，在1100轉(zhuǎn)/分攪拌下，以7V /分的速率加熱到65°C，加入其他剩余成分，繼續(xù)攪拌18分鐘，即得。
[0010]該光刻膠水基硅片清洗液用于清洗帶有光刻膠的硅片，洗凈率為99%，對洗凈硅片表面不會殘留不溶物，不產(chǎn)生新污染，不影響產(chǎn)品的質(zhì)量，洗凈后的硅片表面干凈，色澤一致，無花斑。
【權(quán)利要求】
1.一種光刻膠水基硅片清洗液，其特征在于由下列重量份的原料制成:三乙醇胺2-3、四氫糠醇4-5、苯并三氮唑1-2、十二烷基苯磺酸鈉2-3、苯甲酸鈉2-3、鑰酸鈉1_2、乙醇30-40、助劑4-5、去離子水100-120 ； 所述助劑由下列重量份的原料制成:硅烷偶聯(lián)劑KH-570 2-3、抗氧劑1035 1_2、植酸1-2、嗎啉3_4、甲基丙烯酸-2-輕基乙酯3_4、乙醇12-15 ;制備方法是將娃燒偶聯(lián)劑KH-570、植酸、乙醇混合，加熱至60-70°C，攪拌20-30分鐘后，再加入其它剩余成分，升溫至80-85°C，攪拌30-40分鐘，即得。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述光刻膠水基硅片清洗液的制備方法，其特征在于包括以下步驟:將去離子水、三乙醇胺、四氫糠醇、苯并三氮唑、十二烷基苯磺酸鈉、苯甲酸鈉、鑰酸鈉、乙醇混合，在1000-1200轉(zhuǎn)/分攪拌下，以6-8°C /分的速率加熱到60_70°C，加入其他剩余成分，繼續(xù)攪拌15-20分鐘，即得。
【文檔編號】G03F7/42GK103605270SQ201310527927
【公開日】2014年2月26日 申請日期:2013年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月31日
【發(fā)明者】郭萬東, 孟祥法, 董培才 申請人:合肥中南光電有限公司