通過帶為11500-12500nm的自然環(huán)境普查的紅外成像濾光片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明所設計的一種峰值透過率高，能極大的提高信噪比的通過帶為11500-12500nm的自然環(huán)境普查的紅外成像濾光片，包括以Ge為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，該通過帶為11500-12500nm的自然環(huán)境普查的紅外成像濾光片，其Ge材質的基板配合表面ZnS、Ge材質的鍍膜層，大大提高了信噪比，配合紅外熱成像儀使用，提升紅外熱成像儀的成像結果。該濾光片7000～11200nm、T≤1.0%；11500～12500nm、Tavg≥85%；波紋深度≤10%Tp。
【專利說明】通過帶為11500-12500nm的自然環(huán)境普查的紅外成像濾光片
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及紅外濾光片領域，尤其是一種通過帶為11500-12500nm的自然環(huán)境普查的紅外成像濾光片。
【背景技術】
[0002]紅外熱成像儀(熱成像儀或紅外熱成像儀)是通過非接觸探測紅外能量(熱量)，并將其轉換為電信號，進而在顯示器上生成熱圖像和溫度值，并可以對溫度值進行計算的一種檢測設備。紅外熱成像儀(熱成像儀或紅外熱成像儀)能夠將探測到的熱量精確量化，或測量，使您不僅能夠觀察熱圖像，還能夠對發(fā)熱的故障區(qū)域進行準確識別和嚴格分析。
[0003]紅外熱成像儀的探測器是實現紅外能量(熱能)轉換電信號的關鍵，由于各種生物所發(fā)出來的紅外能量(熱量)是不同的，所以在日常使用中為了觀察某種特定生物的熱圖像，人們往往會在探測器中添加紅外濾光片，通過紅外濾光片可以使探測器只接受特定波段的紅外能量(熱能)，保證紅外熱成像儀的成像結果。
[0004]但是，目前用于紅外熱成像的11500到12500納米帶通紅外濾光片，其信噪比低，精度差，不能滿足市場發(fā)展的需要。
【發(fā)明內容】
[0005]本發(fā)明的目的是為了解決上述技術的不足而提供一種峰值透過率高，能極大的提高信噪比的通過帶為11500-12500nm的自然環(huán)境普查的紅外成像濾光片。
[0006]為了達到上述目的，本發(fā)明所設計的通過帶為11500_12500nm的自然環(huán)境普查的紅外成像濾光片，包括以Ge為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，所述第一鍍膜層由內向外依次排列包含有:190nm厚度的Ge層、1326nm厚度的ZnS層、449nm厚度的Ge層、694nm厚度的ZnS層、482nm厚度的Ge層、1152nm厚度的ZnS層、570nm厚度的Ge層、1072nm厚度的ZnS層、52 Inm厚度的Ge層、1270nm厚度的ZnS層、494nm厚度的Ge層、834nm厚度的ZnS層、426nm厚度的Ge層、1113nm厚度的ZnS層、716nm厚度的Ge層、1205nm厚度的ZnS層、527nm厚度的Ge層、1095nm厚度的ZnS層、443nm厚度的Ge層、925nm厚度的ZnS層、450nm厚度的Ge層、1382nm厚度的ZnS層、498nm厚度的Ge層、IOOOnm厚度的ZnS層、662nm厚度的Ge層、967nm厚度的ZnS層、530nm厚度的Ge層、710nm厚度的ZnS層、325nm厚度的Ge層和400nm厚度的ZnS層；所述第二鍍膜層由內向外依次排列包含有:180nm厚度的Ge層、484nm厚度的ZnS層、389nm厚度的Ge層、872nm厚度的ZnS層、476nm厚度的Ge層、884nm厚度的ZnS層、436nm厚度的Ge層、84Inm厚度的ZnS層、466nm厚度的Ge層、998nm厚度的ZnS層、459nm厚度的Ge層、866nm厚度的ZnS層、388nm厚度的Ge層、814nm厚度的ZnS層、630nm厚度的Ge層和1486nm厚度的ZnS層。
[0007]上述各材料對應的厚度，其允許在公差范圍內變化，其變化的范圍屬于本專利保護的范圍，為等同關系。通常厚度的公差在IOnm左右。
[0008]本發(fā)明所得到的通過帶為11500_12500nm的自然環(huán)境普查的紅外成像濾光片，其Ge材質的基板配合表面ZnS、Ge材質的鍍膜層，大大提高了信噪比，配合紅外熱成像儀使用，提升紅外熱成像儀的成像結果。該濾光片7000~11200nm、≤1.0% ;11500~12500nm、Tavg ^ 85% ;波紋深度≤10%Tp。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0009]圖1是實施例整體結構示意圖；
[0010]圖2是實施例提供的紅外光譜透過率實測曲線圖。
【具體實施方式】
[0011]下面通過實施例結合附圖對本發(fā)明作進一步的描述。
[0012]實施例1:
[0013]如圖1、圖2所示，本實施例描述的通過帶為11500-12500nm的自然環(huán)境普查的紅外成像濾光片，包括以Ge為原材料的基板2，以Ge、ZnS為第一鍍膜層I和以Ge、ZnS為第二鍍膜層3，且所述基板2位于第一鍍膜層I和第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層I由內向外依次排列包含有:190nm厚度的Ge層、1326nm厚度的ZnS層、449nm厚度的Ge層、694nm厚度的ZnS層、482nm厚度的Ge層、1152nm厚度的ZnS層、570nm厚度的Ge層、1072nm厚度的ZnS層、52 Inm厚度的Ge層、1270nm厚度的ZnS層、494nm厚度的Ge層、834nm厚度的ZnS層、426nm厚度的Ge層、1113nm厚度的ZnS層、716nm厚度的Ge層、1205nm厚度的ZnS層、527nm厚度的Ge層、1095nm厚度的ZnS層、443nm厚度的Ge層、925nm厚度的ZnS層、450nm厚度的Ge層、1382nm厚度的Zn S層 、498nm厚度的Ge層、1000nm厚度的ZnS層、662nm厚度的Ge層、967nm厚度的ZnS層、530n m厚度的Ge層、71Onm厚度的ZnS層、325nm厚度的Ge層和400nm厚度的ZnS層；所述第二鍍膜層3由內向外依次排列包含有:180nm厚度的Ge層、484nm厚度的ZnS層、389nm厚度的Ge層、872nm厚度的ZnS層、476nm厚度的Ge層、884nm厚度的ZnS層、436nm厚度的Ge層、84Inm厚度的ZnS層、466nm厚度的Ge層、998nm厚度的ZnS層、459nm厚度的Ge層、866nm厚度的ZnS層、388nm厚度的Ge層、814nm厚度的ZnS層、630nm厚度的Ge層和1486nm厚度的ZnS層。
【權利要求】
1.一種通過帶為11500-12500nm的自然環(huán)境普查的紅外成像濾光片，包括以Ge為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層,且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，其特征是:所述第一鍍膜層由內向外依次排列包含有:190nm厚度的Ge層、1326nm厚度的ZnS層、449nm厚度的Ge層、694nm厚度的ZnS層、482nm厚度的Ge層、1152nm厚度的ZnS層、570nm厚度的Ge層、1072nm厚度的ZnS層、52Inm厚度的Ge層、1270nm厚度的ZnS層、494nm厚度的Ge層、834nm厚度的ZnS層、426nm厚度的Ge層、1113nm厚度的ZnS層、716nm厚度的Ge層、1205nm厚度的ZnS層、527nm厚度的Ge層、1095nm厚度的ZnS層、443nm厚度的Ge層、925nm厚度的ZnS層、450nm厚度的Ge層、1382nm厚度的ZnS層、498nm厚度的Ge層、IOOOnm厚度的ZnS層、662nm厚度的Ge層、967nm厚度的ZnS層、530nm厚度的Ge層、710nm厚度的ZnS層、325nm厚度的Ge層和400nm厚度的ZnS層；所述第二鍍膜層由內向外依次排列包含有:180nm厚度的Ge層、484nm厚度的ZnS層、389nm厚度的Ge層、872nm厚度的ZnS層、476nm厚度的Ge層、884nm厚度的ZnS層、436nm厚度的Ge層、84Inm厚度的ZnS層、466nm厚度的Ge層、998nm厚度的ZnS層、459nm厚度的Ge層、866nm厚度的ZnS層、388nm厚度的Ge層、814nm厚度的ZnS層、630nm厚度的Ge層和1486nm厚度的ZnS層。
【文檔編號】G02B1/00GK103713342SQ201310631230
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年11月29日 優(yōu)先權日:2013年11月29日
【發(fā)明者】王繼平, 呂晶, 余初旺 申請人:杭州麥樂克電子科技有限公司