液晶顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提供一種以高的密封性密封液晶材料的液晶顯示裝置及其制造方法。薄膜晶體管（26）包含：由金屬構(gòu)成的柵電極（28）、覆蓋柵電極的光透射性的柵極絕緣膜（30）、經(jīng)由柵極絕緣膜與柵電極重疊的半導(dǎo)體膜（32）以及在柵極絕緣膜的相反側(cè)隔開間隔地形成于半導(dǎo)體膜上的由金屬構(gòu)成的源電極（34）及漏電極（36）。柵電極及半導(dǎo)體膜以柵極絕緣膜進(jìn)入內(nèi)側(cè)的方式具有相互連通的貫通孔（28a、32a）。柵極絕緣膜具有柵電極及半導(dǎo)體膜的貫通孔的內(nèi)側(cè)區(qū)域。源電極及漏電極以與柵極絕緣膜的貫通孔的內(nèi)側(cè)區(qū)域的一部分重疊且避開殘留部分的方式通過柵電極及半導(dǎo)體膜的貫通孔的內(nèi)側(cè)。
【專利說明】液晶顯示裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為計(jì)算機(jī)等信息通信終端或電視接收機(jī)的顯示器，廣泛使用液晶顯示裝置。液晶顯示裝置是如下裝置，即，通過使電場變化而改變封入于兩個(gè)玻璃基板之間的液晶組成物的取向，控制通過兩個(gè)玻璃基板和液晶組成物的光的透射程度，由此顯示圖像。
[0003]液晶顯示裝置中，需要在玻璃基板上或與玻璃基板連接的電路基板上配置用于對畫面的各像素施加與規(guī)定的灰度值對應(yīng)的電壓的驅(qū)動(dòng)電路。公知驅(qū)動(dòng)電路組裝于IC(Integrated Circuit)芯片中，并載置于玻璃基板上,但近年來,希望縮小玻璃基板的顯示區(qū)域的外側(cè)區(qū)域(以下，稱為“框架區(qū)域”。)，因此，有時(shí)不載置IC芯片，而將薄膜晶體管形成于框架區(qū)域，且不使用IC芯片而在玻璃基板上直接配置驅(qū)動(dòng)電路。
[0004]專利文獻(xiàn)I公開有在配置于框架區(qū)域的非晶硅薄膜晶體管中縮小寄生電容的構(gòu)造。
[0005]專利文獻(xiàn)1:(日本)特開2006 - 080472號公報(bào)
[0006]在框架區(qū)域中設(shè)置用于密封液晶材料的密封部件，但當(dāng)框架區(qū)域變窄時(shí)，密封部件與薄膜晶體管重疊。密封部件含有光固化樹脂，但在對向基板上形成有構(gòu)成黑色矩陣的遮光膜，因此，不得不從形成有薄膜晶體管的基板外側(cè)照射光。因此，光由于構(gòu)成薄膜晶體管的柵電極等而被隔斷，而樹脂的固化不充分，因此，有時(shí)密封性降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供以高的密封性密封液晶材料的液晶顯示裝置及其制造方法。
[0008](I)本發(fā)明的液晶顯示裝置的特征在于具有:第一基板，其包含用于顯示圖像的像素區(qū)域及處于所述像素區(qū)域的外側(cè)的周邊區(qū)域；驅(qū)動(dòng)電路，其包含薄膜晶體管且形成于所述第一基板的所述周邊區(qū)域；第二基板，其與所述第一基板對向地配置；密封部件，其以包圍所述像素區(qū)域的方式設(shè)置于所述第一基板的所述周邊區(qū)域，并含有貼合所述第一基板和所述第二基板的光固化樹脂，所述密封部件的一部分與所述薄膜晶體管重疊，所述薄膜晶體管包含:柵電極；覆蓋所述柵電極的柵極絕緣膜；經(jīng)由所述柵極絕緣膜與所述柵電極重疊的半導(dǎo)體膜；在所述柵極絕緣膜的相反側(cè)相互隔開間隔地形成于所述半導(dǎo)體膜上的源電極及漏電極，所述柵電極具有第一貫通孔，所述第一貫通孔的內(nèi)側(cè)由所述柵極絕緣膜填充，所述半導(dǎo)體膜具有與所述第一貫通孔重疊的第二貫通孔。根據(jù)本發(fā)明，雖然密封部件與薄膜晶體管重疊，但可以通過柵電極及半導(dǎo)體膜的貫通孔從第一基板照射光，因此，能夠充分固化，而能夠以高的密封性密封液晶材料。
[0009](2)如(I)所記載的液晶顯示裝置，其特征在于，所述密封部件的一部分也可以與所述第一貫通孔及第二貫通孔重疊。[0010](3)如(I)或(2)所記載的液晶顯示裝置，其特征在于，也可以還具有鈍化膜，該鈍化膜由覆蓋所述源電極及所述漏電極的至少一層構(gòu)成。
[0011](4)如(3)所記載的液晶顯示裝置，其特征在于，所述鈍化膜也可以具有至少一個(gè)凹部，所述凹部與所述第一貫通孔及第二貫通孔重疊。
[0012](5)如(3)所記載的液晶顯示裝置，其特征在于，所述鈍化膜也可以具有至少一個(gè)凸部，所述凸部與所述第一貫通孔及第二貫通孔重疊。
[0013](6)如(I)或(2)所記載的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第二貫通孔也可以比所述第一貫通孔大。
[0014](7)如(I)或(2)所記載的液晶顯示裝置，其特征在于，所述源電極及所述漏電極的至少一方也可以與所述第一貫通孔及第二貫通孔重疊。
[0015](8)如(I)或(2)所記載的液晶顯示裝置，其特征在于，所述源電極及所述漏電極也可以不與所述第一貫通孔及第二貫通孔重疊。
[0016](9)如(I)或(2)所記載的液晶顯示裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體膜也可以在所述源電極及所述漏電極之間包含構(gòu)成所述薄膜晶體管的溝道區(qū)域的部分，所述源電極及所述漏電極以所述溝道區(qū)域成為彎折延伸的形狀的方式形成。
[0017](10)如(I)或(2)所記載的液晶顯示裝置，其特征在于，所述源電極及所述漏電極也可以分別形成為包含多個(gè)枝部的梳狀，所述源電極的一個(gè)所述枝部和所述漏電極的一個(gè)所述枝部交替地配置。
[0018](11)本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法的特征在于，包含:利用含有光固化樹脂的密封部件貼合第一基板和第二基板的工序，該第一基板包含用于顯示圖像的像素區(qū)域及處于所述像素區(qū)域的外側(cè)的周邊區(qū)域且在所述周邊區(qū)域形成有包含薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)電路；對所述密封部件照射紫外線的工序，所述密封部件的一部分與所述薄膜晶體管重疊，所述薄膜晶體管包含:柵電極；覆蓋所述柵電極的柵極絕緣膜；經(jīng)由所述柵極絕緣膜與所述柵電極重疊的半導(dǎo)體膜；在所述柵極絕緣膜的相反側(cè)相互隔開間隔地形成于所述半導(dǎo)體膜上的源電極及漏電極，所述柵電極及所述半導(dǎo)體膜以所述柵極絕緣膜進(jìn)入內(nèi)側(cè)的方式分別具有相互連通的貫通孔，所述柵極絕緣膜具有所述柵電極及所述半導(dǎo)體膜的所述貫通孔的內(nèi)側(cè)區(qū)域，所述柵電極具有第一貫通孔，所述第一貫通孔的內(nèi)側(cè)由所述柵極絕緣膜填充，所述半導(dǎo)體膜具有與所述第一貫通孔重疊的第二貫通孔，所述紫外線以通過所述第一貫通孔和第二貫通孔的方式從所述第一基板的外側(cè)向所述密封部件照射。根據(jù)本發(fā)明，雖然密封部件與薄膜晶體管重疊，但可以通過柵電極及半導(dǎo)體膜的貫通孔從第一基板照射光，因此，能夠充分固化，而能夠以高的密封性密封液晶材料。根據(jù)本發(fā)明，雖然密封部件與薄膜晶體管重疊，但可以通過柵電極及半導(dǎo)體膜的貫通孔從第一基板照射光，因此，能夠充分固化，而能夠以高的密封性密封液晶材料。
[0019](12)如(11)所記載的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述密封部件的一部分也可以與所述第一貫通孔及第二貫通孔重疊。
[0020](13)如(11)或(12)所記載的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，也可以具有形成鈍化膜的工序，該鈍化膜由覆蓋所述源電極及所述漏電極的至少一層構(gòu)成。
[0021](14)如(13)所記載的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，也可以具有在所述鈍化膜上形成至少一個(gè)凹部的工序，所述凹部與所述第一貫通孔及第二貫通孔重疊。[0022](15)如(13)所記載的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，也可以具有在所述鈍化膜上形成至少一個(gè)凸部的工序，所述凸部與所述第一貫通孔及第二貫通孔重疊。
[0023](16)如(11)或(12)所記載的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述第二貫通孔也可以比所述第一貫通孔大。
[0024](17)如(11)或(12)所記載的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述源電極及所述漏電極的至少一方也可以與所述第一貫通孔及第二貫通孔重疊。
[0025](18)如(11)或(12)所記載的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述源電極及所述漏電極也可以不與所述第一貫通孔及第二貫通孔重疊。
[0026](19)如(11)或(12)所記載的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體膜也可以在所述源電極及所述漏電極之間包含構(gòu)成所述薄膜晶體管的溝道區(qū)域的部分，所述源電極及所述漏電極以所述溝道區(qū)域成為彎折延伸的形狀的方式形成。
[0027](20)如(11)或(12)所記載的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述源電極及所述漏電極也可以分別形成為包含多個(gè)枝部的梳狀，所述源電極的一個(gè)所述枝部和所述漏電極的一個(gè)所述枝部交替地配置。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的平面圖；
[0029]圖2是圖1所示的液晶顯示裝置的I1-1I線的剖面圖；
[0030]圖3是圖2所示的薄膜晶體管的平面圖；
[0031]圖4是用于說明本實(shí)施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖；
[0032]圖5是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例I的剖面圖；
[0033]圖6是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例2的剖面圖；
[0034]圖7是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例3中使用的第一基板上的構(gòu)造的圖；
[0035]圖8是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例4中使用的第一基板上的構(gòu)造的圖；
[0036]圖9是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例5中使用的第一基板上的構(gòu)造的圖；
[0037]圖10是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例6中使用的第一基板上的構(gòu)造的圖；
[0038]圖11是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例7中使用的薄膜晶體管的圖；
[0039]圖12是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例8中使用的薄膜晶體管的圖；
[0040]圖13是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例9中使用的薄膜晶體管的圖；
[0041]圖14是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例10中使用的薄膜晶體管的圖；
[0042]圖15是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例11中使用的薄膜晶體管的圖；
[0043]圖16是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例12中使用的薄膜晶體管的圖；
[0044]圖17是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例13中使用的薄膜晶體管的圖；
[0045]圖18是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例14中使用的薄膜晶體管的圖；
[0046]圖19是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的液晶顯示裝置中使用的薄膜晶體管的圖；
[0047]圖20是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例I中使用的薄膜晶體管的圖；
[0048]圖21是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例2中使用的薄膜晶體管的圖；
[0049]圖22是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例3中使用的薄膜晶體管的圖。
[0050]符號說明
[0051]10第一基板、12第二基板、14像素區(qū)域、16周邊區(qū)域、18密封部件、20遮光層、22外敷層、24驅(qū)動(dòng)電路、26薄膜晶體管、28柵電極、28a貫通孔、30柵極絕緣膜、32半導(dǎo)體膜、32a貫通孔、34源電極、34a枝部、36漏電極、36a枝部、38鈍化膜、40鈍化膜、42含有光固化樹脂的密封部件、44鈍化膜、45密封部件、46鈍化膜、48鈍化膜、50鈍化膜、51密封部件、52鈍化膜、54鈍化膜、54a凹部、56鈍化膜、56a凹部、58鈍化膜、58a凹部、60鈍化膜、60a凹部、62鈍化膜、62a凸部、64鈍化膜、64a凸部、66鈍化膜、66a凸部、68鈍化膜、68a凸部、70貫通孔、72貫通孔、74貫通孔、76貫通孔、78貫通孔、80貫通孔、82貫通孔、84貫通孔、86貫通孔、88貫通孔、90貫通孔、92貫通孔、94貫通孔、96貫通孔、98貫通孔、100貫通孔、102貫通孔、104貫通孔、106貫通孔、108貫通孔、134源電極、136漏電極。
【具體實(shí)施方式】
[0052]以下，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0053][第一實(shí)施方式]
[0054]圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的平面圖。圖2是圖1所示的液晶顯示裝置的II 一 II線的剖面圖。
[0055]液晶顯示裝置具有由玻璃等光透射性材料構(gòu)成的第一基板10及第二基板12。第二基板12隔開單元間隙與第一基板10對向地配置。在第一基板10及第二基板12之間(詳細(xì)而言，未圖示的取向膜之間)配置未圖示的液晶材料。通過按每個(gè)像素驅(qū)動(dòng)液晶材料而顯示圖像。第一基板10包含形成有用于顯示圖像的多個(gè)像素電極(未圖示)的像素區(qū)域
14。第一基板10在像素區(qū)域14的外側(cè)包含周邊區(qū)域16 (或框架區(qū)域)。
[0056]第一基板10和第二基板12隔開單元間隙并利用密封部件18貼合。密封部件18含有在紫外線等光能的作用下從液狀變化成固體的光固化樹脂。密封部件18以位于第一基板10的周邊區(qū)域16且包圍像素區(qū)域14的方式設(shè)置。
[0057]第二基板12是彩色濾光片基板，具備未圖示的著色層及黑色矩陣。在像素區(qū)域14中，構(gòu)成黑色矩陣的遮光層20如圖2所示那樣覆蓋第一基板10的周邊區(qū)域16。圖2中圖示有覆蓋遮光層20的外敷層22，但與未圖示的液晶材料相接的取向膜到達(dá)周邊區(qū)域16。
[0058]在第一基板10的周邊區(qū)域16形成有用于驅(qū)動(dòng)未圖示的液晶材料的驅(qū)動(dòng)電路24(例如掃描電路)。驅(qū)動(dòng)電路24包含薄膜晶體管26。形成有薄膜晶體管26的第一基板10稱為TFT (Thin Film Transistor)基板。密封部件18與薄膜晶體管26重疊。
[0059]圖3是圖2所示的薄膜晶體管26的平面圖。薄膜晶體管26包含由金屬構(gòu)成的柵電極28。圖2所示的薄膜晶體管26為底柵型，但不限定于此。柵電極28利用選自鋁、鑰、鉻、銅、鎢、鈦、鋯、鉭、銀及錳中的元素或組合這些元素的合金等形成。另外，也可以采用在鈦上層疊鋁的或用鈦夾持鋁的上層和下層等層疊構(gòu)造。柵電極28的材料中，作為具有遮光性的材料，可選擇金屬，為了確保導(dǎo)電性，具有隔斷光的程度的膜厚。
[0060]薄膜晶體管26包含覆蓋柵電極28的柵極絕緣膜30。柵極絕緣膜30可以由氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜等絕緣膜形成，也可以是層疊這些絕緣膜的構(gòu)造。柵極絕緣膜30具有光透射性。
[0061]薄膜晶體管26包含經(jīng)由柵極絕緣膜30與柵電極28重疊的半導(dǎo)體膜32。在柵極絕緣膜30上設(shè)有半導(dǎo)體膜32。半導(dǎo)體膜32由非晶硅或多晶硅等半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成。
[0062]柵電極28及半導(dǎo)體膜32分別具有相互連通的貫通孔28a、32a。貫通孔28a、32a的平面形狀為圓形。為了使半導(dǎo)體膜32以不露出于柵電極28的貫通孔28a內(nèi)側(cè)，半導(dǎo)體膜32的貫通孔32a比柵電極28的貫通孔28a大。如圖2所示，柵極絕緣膜30進(jìn)入柵電極28及半導(dǎo)體膜32的貫通孔28a、32a的內(nèi)側(cè)。詳細(xì)而言，載置于柵電極28的柵極絕緣膜30進(jìn)入柵電極28的貫通孔28a，由此形成凹部，半導(dǎo)體膜32的貫通孔32a位于該凹部周圍即柵極絕緣膜30上。柵極絕緣膜30具有柵電極28及半導(dǎo)體膜32的貫通孔28a、32a的內(nèi)側(cè)的區(qū)域(進(jìn)入于柵極絕緣膜30的貫通孔28a的區(qū)域)。
[0063]薄膜晶體管26包含源電極34及漏電極36。如圖3所示，源電極34及漏電極36分別形成包含多個(gè)枝部34a、36a的梳狀。源電極34的一個(gè)枝部34a和漏電極36的一個(gè)枝部36a交替地配置。
[0064]半導(dǎo)體膜32在源電極34及漏電極36之間包含構(gòu)成薄膜晶體管26的溝道區(qū)域的部分。溝道區(qū)域在源電極34及漏電極36之間形成彎折延伸的形狀。溝道區(qū)域通過進(jìn)行彎折，不向一個(gè)方向增長就能夠增長溝道長度。即，可以進(jìn)行薄膜晶體管26的高集成化。
[0065]源電極34及漏電極36在柵極絕緣膜30的相反側(cè)隔開間隔地形成于半導(dǎo)體膜32上。源電極34及漏電極36分別與半導(dǎo)體膜32的源極區(qū)域及漏極區(qū)域相接。源電極34及漏電極36分別由金屬構(gòu)成。源電極34及漏電極36利用可以作為上述柵電極28進(jìn)行選擇的材料形成，也可以利用與柵電極28相同的材料形成。源電極34及漏電極36的材料中，作為具有遮光性的材料，可選擇金屬，為了確保導(dǎo)電性，具有隔斷光的程度的膜厚。
[0066]源電極34及漏電極36的至少一方通過柵電極28及半導(dǎo)體膜32的貫通孔28a、32a的內(nèi)側(cè)。圖3的例子中，在柵電極28上形成有多個(gè)貫通孔28a，在半導(dǎo)體膜32上形成有多個(gè)貫通孔32a，并將柵電極28的一個(gè)貫通孔28a和半導(dǎo)體膜32的一個(gè)貫通孔32a連通。源電極34的一部分(例如枝部34a)通過連通的一個(gè)貫通孔28a及一個(gè)貫通孔32a的內(nèi)側(cè)。另外，漏電極36的一部分(例如枝部36a)通過連通的一個(gè)貫通孔28a及一個(gè)貫通孔32a的內(nèi)側(cè)。
[0067]通過貫通孔28a、32a內(nèi)側(cè)的源電極34及漏電極36不堵塞該貫通孔28a、32a。另夕卜，通過貫通孔28a、32a內(nèi)側(cè)的源電極34及漏電極36在貫通孔28a、32a的內(nèi)側(cè)與柵極絕緣膜30的一部分重疊，但要避免與剩余部分的重疊。因此，光通過貫通柵電極28及半導(dǎo)體膜32的貫通孔28a、32a。
[0068]源電極34及漏電極36由一層或多層(圖2中，兩層)鈍化膜38、40覆蓋。鈍化膜38,40也可以利用氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜等絕緣膜形成，也可以層疊這些絕緣膜而形成。鈍化膜38、40具有光透射性。在鈍化膜38、40上設(shè)有密封部件18。
[0069]圖4是用于說明本實(shí)施方式的液晶顯示裝置的制造方法的圖。在本實(shí)施方式中，利用含有光固化樹脂的密封部件42使第一基板10和第二基板12隔開單元間隙地貼合。含有光固化樹脂的密封部件42為了構(gòu)成密封部件18 (參照圖2)以在第一基板10的周邊區(qū)域16中包圍像素區(qū)域14 (參照圖1)并與薄膜晶體管26重疊的方式設(shè)置。
[0070]對含有光固化樹脂的密封部件42照射紫外線而形成密封部件18 (參照圖2)。在本實(shí)施方式中，在第二基板12側(cè)具有從黑色矩陣延長而形成的遮光層20，因此，不能從第二基板12的外側(cè)照射紫外線。于是，從第一基板10外側(cè)照射紫外線。此時(shí)，可以如上述那樣形成柵電極28及半導(dǎo)體膜32的貫通孔28a、32a，并可以通過貫通孔28a、32a的方式照射紫外線。
[0071]根據(jù)本實(shí)施方式，雖然密封部件18與薄膜晶體管26重疊，但可以通過柵電極28及半導(dǎo)體膜32的貫通孔28a、32a而從第一基板10照射光，因此，能夠充分固化，并能夠以高的密封性密封液晶材料。
[0072]圖5是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例I的剖面圖。在該例子中，以覆蓋源電極34及漏電極36的方式形成一層鈍化膜44，且在該鈍化膜上形成密封部件45，這點(diǎn)與上述實(shí)施方式不同。
[0073]圖6是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例2的剖面圖。在該例子中，在覆蓋源電極34及漏電極36的由無機(jī)材料構(gòu)成的鈍化膜46上形成有由有機(jī)材料構(gòu)成的至少一層鈍化膜48。而且，在由有機(jī)材料構(gòu)成的鈍化膜48上形成有由無機(jī)材料構(gòu)成的鈍化膜50。在鈍化膜50上形成有密封部件51。
[0074]圖7是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例3中使用的第一基板上的構(gòu)造的圖。在該例子中，在覆蓋源電極34及漏電極36的由無機(jī)材料構(gòu)成的鈍化膜52上形成有由有機(jī)材料構(gòu)成的至少一層鈍化膜54。由有機(jī)材料構(gòu)成的鈍化膜54的表面,在柵電極28及半導(dǎo)體膜32的貫通孔28a、32a上方形成有凹部54a。另外，在一個(gè)貫通孔28a、32a的上方形成有多個(gè)凹部54a。
[0075]另外，在由有機(jī)材料構(gòu)成的鈍化膜54上形成有由無機(jī)材料構(gòu)成的鈍化膜56。在由無機(jī)材料構(gòu)成的鈍化膜56的表面上，也在柵電極28及半導(dǎo)體膜32的貫通孔28a、32a上方形成有凹部56a。另外，在一個(gè)貫通孔28a、32a的上方形成有多個(gè)凹部56a。
[0076]據(jù)此，使通過貫通孔28a、32a內(nèi)側(cè)的光在凹部54a、56a折射，由此，能夠提高光向光固化樹脂的照射效率。
[0077]圖8是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例4中使用的第一基板上的構(gòu)造的圖。在該例子中，由有機(jī)材料構(gòu)成的鈍化膜58的表面上，在一個(gè)貫通孔28a、32a的上方形成一個(gè)凹部58a。另外，形成于由有機(jī)材料構(gòu)成的鈍化膜58上的由無機(jī)材料構(gòu)成的鈍化膜60的表面,也在一個(gè)貫通孔28a、32a的上方形成一個(gè)凹部60a。
[0078]圖9是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例5中使用的第一基板上的構(gòu)造的圖。在該例子中，在由有機(jī)材料構(gòu)成的鈍化膜62的表面，在一個(gè)貫通孔28a、32a的上方形成有多個(gè)凸部62a。另外，形成于由有機(jī)材料構(gòu)成的鈍化膜62上的由無機(jī)材料構(gòu)成的鈍化膜64的表面，在一個(gè)貫通孔28a、32a的上方形成有多個(gè)凸部64a。
[0079]圖10是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例6中使用的第一基板上的構(gòu)造的圖。在該例子中，由有機(jī)材料構(gòu)成的鈍化膜66的表面，在一個(gè)貫通孔28a、32a的上方形成有一個(gè)凸部66a。另外，在形成于由有機(jī)材料構(gòu)成的鈍化膜66上的由無機(jī)材料構(gòu)成的鈍化膜68的表面，也在一個(gè)貫通孔28a、32a的上方形成有一個(gè)凸部68a。
[0080]圖11是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例7中使用的薄膜晶體管的圖。在該例子中，與柵電極28及半導(dǎo)體膜32連通的貫通孔70、72的平面形狀為橢圓形。在沿著貫通孔70、72的長軸的方向上，源電極34的一部分(枝部34a)及漏電極36的一部分(枝部36a)雙方通過連通的一個(gè)貫通孔70及一個(gè)貫通孔72的內(nèi)側(cè)。
[0081]圖12是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例8中使用的薄膜晶體管的圖。在該例子中，與柵電極28及半導(dǎo)體膜32連通的貫通孔74、76的平面形狀為橢圓形。在沿著貫通孔74、76的短軸的方向上，源電極34的一部分(枝部34a)及漏電極36的一部分(枝部36a)雙方通過連通的一個(gè)貫通孔74及一個(gè)貫通孔76的內(nèi)側(cè)。
[0082]圖13是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例9中使用的薄膜晶體管的圖。在該例子中，與柵電極28及半導(dǎo)體膜32連通的貫通孔78、80的平面形狀為橢圓形。在傾斜方向(與貫通孔78、80的長軸及短軸的任意一方均交叉的方向)上，源電極34的一部分(枝部34a)及漏電極36的一部分(枝部36a)雙方通過連通的一個(gè)貫通孔78及一個(gè)貫通孔80的內(nèi)側(cè)。
[0083]圖14是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例10中使用的薄膜晶體管的圖。在該例子中，與柵電極28及半導(dǎo)體膜32連通的貫通孔82、84的平面形狀為矩形(長方形)。在沿著貫通孔82、84的長方形的短邊的方向上，源電極34的一部分(枝部34a)及漏電極36的一部分(枝部36a)雙方通過連通的一個(gè)貫通孔82及一個(gè)貫通孔84的內(nèi)側(cè)。
[0084]圖15是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例11中使用的薄膜晶體管的圖。在該例子中，與柵電極28及半導(dǎo)體膜32連通的貫通孔86、88的平面形狀為矩形(正方形)。在沿著貫通孔86a、88a的正方形邊的方向上，源電極34的一部分(枝部34a)通過連通的一個(gè)貫通孔86a及一個(gè)貫通孔88a的內(nèi)側(cè)，但漏電極36不會(huì)通過。但是，在沿著貫通孔86b、88b的正方形邊的方向上,漏電極36的一部分(枝部36a)通過連通的另一貫通孔86b、88b的內(nèi)側(cè),但源電極34不會(huì)通過。
[0085]圖16是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例12中使用的薄膜晶體管的圖。在該例子中，與柵電極28及半導(dǎo)體膜32連通的貫通孔90、92的平面形狀為四邊形(正方形或菱形)。在沿著貫通孔90a、92a的四邊形的對角線的方向上，源電極34的一部分(枝部34a)通過連通的一個(gè)貫通孔90a及一個(gè)貫通孔92a的內(nèi)側(cè),但漏電極36不會(huì)通過。但是，在沿著貫通孔90b、92b的四邊形的對角線的方向上，漏電極36的一部分(枝部36a)通過連通的另一貫通孔90b、92b的內(nèi)側(cè)，但源電極34不會(huì)通過。[0086]圖17是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例13中使用的薄膜晶體管的圖。在該例子中，與柵電極28及半導(dǎo)體膜32連通的貫通孔94、96的平面形狀為多邊形(例如六邊形)。在沿著貫通孔94、96的任一邊的方向上，源電極34的一部分(枝部34a)及漏電極36的一部分(枝部36a)雙方通過連通的一個(gè)貫通孔94及一個(gè)貫通孔96的內(nèi)側(cè)。
[0087]圖18是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例14中使用的薄膜晶體管的圖。在該例子中，與柵電極28及半導(dǎo)體膜32連通的貫通孔98、100的平面形狀為十字形狀。在沿著描繪貫通孔98、100的十字的縱線及橫線的一方的方向上，源電極34的一部分(多個(gè)枝部34a)及漏電極36的一部分(多個(gè)枝部36a)雙方通過連通的一個(gè)貫通孔98及一個(gè)貫通孔100的內(nèi)側(cè)。
[0088][第二實(shí)施方式]
[0089]圖19是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的液晶顯示裝置中使用的薄膜晶體管的圖。
[0090]本實(shí)施方式在源電極34及漏電極36避免與柵電極28及半導(dǎo)體膜32的貫通孔102、104的重疊而形成的點(diǎn)上與第一實(shí)施方式不同，除此以外的構(gòu)造及制造方法相當(dāng)于第一實(shí)施方式中說明的內(nèi)容。即使在本實(shí)施方式中，也可以通過貫通孔102、104從第一基板10照射光，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)與第一實(shí)施方式相同的效果。
[0091]圖20是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例I中使用的薄膜晶體管的圖。圖19所示的貫通孔102、104的平面形狀為圓形，但圖20所示的貫通孔106、108的平面形狀為矩形(例如長方形)。
[0092]圖21是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例2中使用的薄膜晶體管的圖。在該例子中，在柵電極28上形成有平面形狀為圓形的貫通孔102和平面形狀為矩形(例如長方形)的貫通孔106。在半導(dǎo)體膜32上形成有平面形狀為圓形的貫通孔104和平面形狀為矩形(例如長方形)的貫通孔108。圓形的貫通孔102、104連通，矩形的貫通孔106,108 連通。
[0093]圖22是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例3中使用的薄膜晶體管的圖。在該例子中，源電極134及漏電極136分別螺旋狀延伸。因此，位于源電極134及漏電極136之間的溝道區(qū)域也螺旋狀地延伸，溝道長度螺旋狀地變長。柵電極28及半導(dǎo)體膜32的貫通孔102、104如上述那樣。
[0094]本發(fā)明并不限定于上述的實(shí)施方式，可以進(jìn)行各種變形。另外，實(shí)施方式中所說明的結(jié)構(gòu)可以利用實(shí)際上相同的結(jié)構(gòu)、實(shí)現(xiàn)相同作用效果的結(jié)構(gòu)或可以實(shí)現(xiàn)相同目的的結(jié)構(gòu)進(jìn)行置換。
【權(quán)利要求】
1.一種液晶顯示裝置，其特征在于，具有: 第一基板，其包含用于顯示圖像的像素區(qū)域及處于所述像素區(qū)域的外側(cè)的周邊區(qū)域； 驅(qū)動(dòng)電路，其包含薄膜晶體管且形成于所述第一基板的所述周邊區(qū)域； 第二基板，其與所述第一基板對向地配置； 密封部件，其以包圍所述像素區(qū)域的方式設(shè)置于所述第一基板的所述周邊區(qū)域，并含有貼合所述第一基板和所述第二基板的光固化樹脂， 所述密封部件的一部分與所述薄膜晶體管重疊， 所述薄膜晶體管包含:柵電極；覆蓋所述柵電極的柵極絕緣膜；經(jīng)由所述柵極絕緣膜與所述柵電極重疊的半導(dǎo)體膜；在所述柵極絕緣膜的相反側(cè)相互隔開間隔地形成于所述半導(dǎo)體膜上的源電極及漏電極， 所述柵電極具有第一貫通孔， 所述第一貫通孔的內(nèi)側(cè)由所述柵極絕緣膜填充， 所述半導(dǎo)體膜具有與所述第一貫通孔重疊的第二貫通孔。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述密封部件的一部分與所述第一貫通孔及第二貫通孔重疊。
3.如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 還具有鈍化膜，該鈍化膜由覆蓋所述源電極及所述漏電極的至少一層構(gòu)成。`
4.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述鈍化膜具有至少一個(gè)凹部， 所述凹部與所述第一貫通孔及第二貫通孔重疊。
5.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述鈍化膜具有至少一個(gè)凸部， 所述凸部與所述第一貫通孔及第二貫通孔重疊。
6.如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述第二貫通孔比所述第一貫通孔大。
7.如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述源電極及所述漏電極的至少一方與所述第一貫通孔及第二貫通孔重疊。
8.如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述源電極及所述漏電極不與所述第一貫通孔及第二貫通孔重疊。
9.如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述半導(dǎo)體膜在所述源電極及所述漏電極之間包含構(gòu)成所述薄膜晶體管的溝道區(qū)域的部分， 所述源電極及所述漏電極以所述溝道區(qū)域成為彎折延伸的形狀的方式形成。
10.如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述源電極及所述漏電極分別形成為包含多個(gè)枝部的梳狀， 所述源電極的一個(gè)所述枝部和所述漏電極的一個(gè)所述枝部交替地配置。
11.一種液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，包含: 利用含有光固化樹脂的密封部件貼合第一基板和第二基板的工序，該第一基板包含用于顯示圖像的像素區(qū)域及處于所述像素區(qū)域的外側(cè)的周邊區(qū)域且在所述周邊區(qū)域形成有包含薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)電路； 對所述密封部件照射紫外線的工序， 所述密封部件的一部分與所述薄膜晶體管重疊， 所述薄膜晶體管包含:柵電極；覆蓋所述柵電極的柵極絕緣膜；經(jīng)由所述柵極絕緣膜與所述柵電極重疊的半導(dǎo)體膜；在所述柵極絕緣膜的相反側(cè)相互隔開間隔地形成于所述半導(dǎo)體膜上的源電極及漏電極， 所述柵電極及所述半導(dǎo)體膜以所述柵極絕緣膜進(jìn)入內(nèi)側(cè)的方式分別具有相互連通的貫通孔， 所述柵極絕緣膜具有所述柵電極及所述半導(dǎo)體膜的所述貫通孔的內(nèi)側(cè)區(qū)域， 所述柵電極具有第一貫通孔， 所述第一貫通孔的內(nèi)側(cè)由所述柵極絕緣膜填充， 所述半導(dǎo)體膜具有與所述第一貫通孔重疊的第二貫通孔， 所述紫外線以通過所述第一貫通孔和第二貫通孔的方式從所述第一基板的外側(cè)向所述密封部件照射。
12.如權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 所述密封部件的一部分與所述第一貫通孔及第二貫通孔重疊。
13.如權(quán)利要求11或12所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 具有形成鈍化膜的工序，該`鈍化膜由覆蓋所述源電極及所述漏電極的至少一層構(gòu)成。
14.如權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 具有在所述鈍化膜上形成至少一個(gè)凹部的工序，所述凹部與所述第一貫通孔及第二貫通孔重疊。
15.如權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 具有在所述鈍化膜上形成至少一個(gè)凸部的工序，所述凸部與所述第一貫通孔及第二貫通孔重疊。
16.如權(quán)利要求11或12所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 所述第二貫通孔比所述第一貫通孔大。
17.如權(quán)利要求11或12所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 所述源電極及所述漏電極的至少一方與所述第一貫通孔及第二貫通孔重疊。
18.如權(quán)利要求11或12所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 所述源電極及所述漏電極不與所述第一貫通孔及第二貫通孔重疊。
19.如權(quán)利要求11或12所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 所述半導(dǎo)體膜在所述源電極及所述漏電極之間包含構(gòu)成所述薄膜晶體管的溝道區(qū)域的部分， 所述源電極及所述漏電極以所述溝道區(qū)域成為彎折延伸的形狀的方式形成。
20.如權(quán)利要求11或12所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 所述源電極及所述漏電極分別形成為包含多個(gè)枝部的梳狀， 所述源電極的一個(gè)所述枝部和所述漏電極的一個(gè)所述枝部交替地配置。
【文檔編號】G02F1/1333GK103869552SQ201310665079
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2013年12月10日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月10日
【發(fā)明者】森本政輝, 佐藤健史, 扇一公俊 申請人:株式會(huì)社日本顯示器