光阻墻成型方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種光阻墻成型方法，其使用注塑技術(shù)成型一塊平板，平板的正面具有第一凸臺(tái)和第二凸臺(tái)，在第一凸臺(tái)和第二凸臺(tái)之間由凹槽分隔；將所述平板正面滾膠并與第一基板壓合，使得所述第一凸臺(tái)粘貼在所述第一基板上；對(duì)平板背面進(jìn)行碾磨減薄，直至第一凸臺(tái)和第二凸臺(tái)底部分離；去除殘留在第一基板上的第二凸臺(tái)，并清洗去除第一凸臺(tái)上的殘留物，形成光阻墻結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：本發(fā)明中光阻墻結(jié)構(gòu)是單獨(dú)成型，相比傳統(tǒng)光刻膠光刻方法可大大減少在光阻墻成型過(guò)程中污染導(dǎo)致不合格器件產(chǎn)生的幾率。注塑使用的材料具有高剛度、低CTE和低吸濕性等性能，提高光阻墻光罩結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，有效減少分層和脫離等可靠性問題。
【專利說(shuō)明】光阻墻成型方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種光阻墻成型方法，屬于半導(dǎo)體制造【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]目前應(yīng)用于圖像傳感器中的光阻墻光罩的制作方法是通過(guò)在玻璃圓片旋涂光刻膠，通過(guò)曝光顯影在光刻膠上形成規(guī)則排列的光阻墻結(jié)構(gòu)，如圖1所示。使用光刻膠制作光阻墻結(jié)構(gòu)的主要問題是光刻膠材料本身剛度小、熱膨脹系數(shù)大、吸水性強(qiáng)，在后續(xù)烘烤工藝和可靠性測(cè)試中常會(huì)發(fā)生光阻墻分層或從玻璃上脫落的現(xiàn)象，嚴(yán)重影響產(chǎn)品質(zhì)量和使用壽命。同時(shí)在曝光顯影后的殘留物也易導(dǎo)致傳感器的可靠性問題。隨著圖像傳感器的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，人們對(duì)高像素產(chǎn)品的需求也越來(lái)越高，因此高像素的圖像傳感器的更大的感光區(qū)面積的需求對(duì)光阻墻結(jié)構(gòu)提出更高的挑戰(zhàn)，如何改善并提高光阻墻結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度及可靠性是圖像傳感器制作必須考慮的重點(diǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種光阻墻成型方法，使用注塑模成型光阻墻結(jié)構(gòu)，不需要光刻工序，減少工藝，降低成本。
[0004]按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，所述的光阻墻成型方法包括以下步驟:
(1)使用注塑技術(shù)成型一塊平板，平板的正面具有第一凸臺(tái)和第二凸臺(tái)，所述第一凸臺(tái)為網(wǎng)格狀，每個(gè)網(wǎng)格內(nèi)具有一個(gè)第二凸臺(tái)，在第一凸臺(tái)和第二凸臺(tái)之間由凹槽分隔，所述第一凸臺(tái)的高度大于第二凸臺(tái)，高度差大于20微米；
(2)將所述平板正面滾膠并與第一基板壓合，使得所述第一凸臺(tái)粘貼在所述第一基板
上；
(3)對(duì)平板背面進(jìn)行碾磨減薄，直至第一凸臺(tái)和第二凸臺(tái)底部分離；
(4)去除殘留在第一基板上的第二凸臺(tái)，并清洗去除第一凸臺(tái)上的殘留物，形成光阻墻結(jié)構(gòu)。
[0005]進(jìn)一步的，步驟(1)所述平板采用環(huán)氧樹脂、聚四氟乙烯、酚醛樹脂、苯并惡嗪樹月旨、氰酸樹脂、聚酰亞胺、雙馬來(lái)酰亞胺、聚苯醚、聚醚醚酮等封裝樹脂或其改性材料。
[0006]進(jìn)一步的，所述第一凸臺(tái)表面平整度小于5微米。
[0007]進(jìn)一步的，所述第一基板為玻璃基板。
[0008]進(jìn)一步的，將步驟(4)得到的光阻墻結(jié)構(gòu)與第二基板鍵合，使得第一基板和第二基板之間由第一凸臺(tái)密封形成了多個(gè)腔體。所述第二基板為具有走線的集成電路基板。
[0009]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:1、由于光阻墻結(jié)構(gòu)是單獨(dú)成型，相比傳統(tǒng)光刻膠光刻方法可大大減少在光阻墻成型過(guò)程中污染導(dǎo)致不合格器件產(chǎn)生的幾率。2、注塑使用的材料具有高剛度、低CTE和低吸濕性等性能，提高光阻墻光罩結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，有效減少分層和脫離等可靠性問題。3、注塑材料具有一定的碾磨性能，可針對(duì)不同光阻結(jié)構(gòu)及復(fù)雜光阻結(jié)構(gòu)進(jìn)行碾磨，對(duì)結(jié)構(gòu)的厚度和表面平整度進(jìn)行靈活控制。4、高強(qiáng)度的材料可制成更大內(nèi)腔面積的光阻墻結(jié)構(gòu)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1是光阻墻結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2是本發(fā)明實(shí)施例的步驟1示意圖。
[0012]圖3是本發(fā)明實(shí)施例的步驟2示意圖。
[0013]圖4是本發(fā)明實(shí)施例的步驟3示意圖。
[0014]圖5是本發(fā)明實(shí)施例的步驟4形成的光阻墻結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖6是本發(fā)明與集成電路基板結(jié)合形成密封腔體的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。
[0017]1、使用注塑技術(shù)成型一塊平板，如圖2所示，平板的正面具有第一凸臺(tái)1和第二凸臺(tái)2，所述第一凸臺(tái)1為網(wǎng)格狀，每個(gè)網(wǎng)格內(nèi)具有一個(gè)第二凸臺(tái)2，在第一凸臺(tái)1和第二凸臺(tái)2之間由凹槽分隔，所述第一凸臺(tái)1的高度大于第二凸臺(tái)2，高度差大于20微米。第一凸臺(tái)1表面平整度小于5微米。所述平板可以采用環(huán)氧樹脂、聚四氟乙烯、酚醛樹脂、苯并惡嗪樹月旨、氰酸樹脂、聚酰亞胺、雙馬來(lái)酰亞胺、聚苯醚、聚醚醚酮等封裝樹脂及其改性材料。以玻璃纖維增強(qiáng)的環(huán)氧樹脂為例，固化后可承受的最高溫度超過(guò)260攝氏度，超過(guò)了圖像傳感器回流焊溫度260攝氏度及熱循環(huán)測(cè)試的最高溫度125攝氏度，而普通的光刻膠玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度在120攝氏度左右。在熱膨脹系數(shù)方面，以玻璃纖維增加的環(huán)氧樹脂為例，室溫下熱膨脹系數(shù)小于30ppm/k，而室溫下光刻膠熱膨脹系數(shù)超過(guò)50ppm/k，選用該材料可降低熱膨脹不匹配的程度及耐高溫性能，因此選用這些材料可大大提高光阻墻結(jié)構(gòu)的可靠性。
[0018]2、如圖3所示，將所述平板正面滾膠并與第一基板3壓合，使得所述第一凸臺(tái)1粘貼在所述第一基板3上；所述第一基板3為透明玻璃或其它透明基板，透光率95%以上。
[0019]3、對(duì)平板背面進(jìn)行碾磨減薄，直至第一凸臺(tái)1和第二凸臺(tái)2底部分離，則第二凸臺(tái)2脫落，如圖4所示。
[0020]4、去除殘留在第一基板3上的第二凸臺(tái)2，并清洗第一凸臺(tái)1上的殘留物，形成光阻墻結(jié)構(gòu)，如圖5所示。
[0021]5、如圖6所示，將步驟4得到的光阻墻結(jié)構(gòu)與第二基板5鍵合，使得第一基板3和第二基板5之間由第一凸臺(tái)1密封形成了多個(gè)腔體4。所述第二基板5為具有走線的集成電路基板，使得光阻墻和集成電路芯片連接，完成了集成電路基板與第一基板3的封裝。
[0022]本發(fā)明中光阻墻結(jié)構(gòu)是單獨(dú)成型，成型后對(duì)光阻墻結(jié)構(gòu)單獨(dú)進(jìn)行殘留物的清洗去除，而現(xiàn)有技術(shù)是將光刻膠制作在玻璃基板上，光刻膠殘留物會(huì)直接接觸玻璃基板，清洗不潔將直接污染玻璃或感光器件。本發(fā)明相比傳統(tǒng)光刻膠光刻方法可大大減少在光阻墻成型過(guò)程中污染導(dǎo)致不合格器件產(chǎn)生的幾率幾率。注塑使用的材料具有高剛度、低CTE和低吸濕性等性能，提高光阻墻光罩結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，有效減少分層和脫離等可靠性問題。同時(shí)高強(qiáng)度的材料可制成更大內(nèi)腔面積的光阻墻結(jié)構(gòu)，使得光阻墻能保護(hù)更大面積的感光區(qū)，可用于更高像素的圖像傳感器產(chǎn)品的封裝，提高產(chǎn)品的經(jīng)濟(jì)效益。
【權(quán)利要求】
1.光阻墻成型方法，其特征是，包括以下步驟:(1)使用注塑技術(shù)成型一塊平板，平板的正面具有第一凸臺(tái)(1)和第二凸臺(tái)(2)，所述第一凸臺(tái)(1)為網(wǎng)格狀，每個(gè)網(wǎng)格內(nèi)具有一個(gè)第二凸臺(tái)(2)，在第一凸臺(tái)(1)和第二凸臺(tái)(2)之間由凹槽分隔，所述第一凸臺(tái)(1)的高度大于第二凸臺(tái)(2)，高度差大于20微米；(2 )將所述平板正面滾膠并與第一基板(3 )壓合，使得所述第一凸臺(tái)(1)粘貼在所述第一基板(3 )上;(3)對(duì)平板背面進(jìn)行碾磨減薄，直至第一凸臺(tái)(1)和第二凸臺(tái)(2)底部分離；(4)去除殘留在第一基板(3)上的第二凸臺(tái)(2)，并清洗去除第一凸臺(tái)(1)上的殘留物，形成光阻墻結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述光阻墻成型方法，其特征是，步驟(1)所述平板為包括環(huán)氧樹脂、聚四氟乙烯、酚醛樹脂、苯并惡嗪樹脂、氰酸樹脂、聚酰亞胺、雙馬來(lái)酰亞胺、聚苯醚、聚醚醚酮在內(nèi)的封裝樹脂或其改性材料。
3.如權(quán)利要求1所述光阻墻成型方法，其特征是，所述第一凸臺(tái)(1)表面平整度小于5微米。
4.如權(quán)利要求1所述光阻墻成型方法，其特征是，所述第一基板(3)為透光率95%以上的透明基板。
5.如權(quán)利要求1所述光阻墻成型方法，其特征是，將步驟(4)得到的光阻墻結(jié)構(gòu)與第二基板(5)鍵合，使得第一基板(3)和第二基板(5)之間由第一凸臺(tái)(1)密封形成了多個(gè)腔體(4)。
6.如權(quán)利要求5所述光阻墻成型方法，其特征是，所述第二基板(5)為具有走線的集成電路基板。
【文檔編號(hào)】G03F1/00GK103698969SQ201310667563
【公開日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年12月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月10日
【發(fā)明者】徐成, 于大全, 李昭強(qiáng) 申請(qǐng)人:華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司