陣列基板及其制作方法及應(yīng)用該陣列基板的液晶顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法及應(yīng)用該陣列基板的液晶顯示面板，該陣列基板包括：一第一基板（32）、形成于所述第一基板（32）上的柵極線、形成于所述第一基板（32）上的數(shù)據(jù)線（34）、形成于所述第一基板（32）上的薄膜晶體管陣列、形成于所述薄膜晶體管陣列上的像素電極（36）、形成于所述像素電極（36）、數(shù)據(jù)線（34）與薄膜晶體管陣列上的第一鈍化層（38）、形成于所述第一鈍化層（38）上的黑色矩陣（42）、以及形成于所述黑色矩陣（42）與第一鈍化層（38）上的公共電極（44）。本發(fā)明將黑色矩陣形成于陣列基板上，減小了公共電極與柵極線、數(shù)據(jù)線之間的寄生電容，有利于提高公共電極上電壓的均勻性。
【專利說(shuō)明】陣列基板及其制作方法及應(yīng)用該陣列基板的液晶顯示面板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法及應(yīng)用該陣列基板的顯不面板。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display, LCD)具有機(jī)身薄、省電、無(wú)福射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用，并隨著液晶顯示裝置產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，其要求性能也越來(lái)越高，如高分辨率、高亮度、廣視角、低功耗等性能，且其相應(yīng)的技術(shù)也持續(xù)被開(kāi)發(fā)出來(lái)?，F(xiàn)有市場(chǎng)上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示裝置，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlightmodule)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放置液晶分子，通過(guò)在兩片玻璃基板上施加驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來(lái)產(chǎn)生畫(huà)面。
[0003]通常液晶顯示面板由彩色濾光膜(Color Filter, CF)基板、薄膜晶體管(ThinFilm Transistor, TFT)基板、夾于彩色濾光膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LiquidCrystal, LC)材料及密封膠框(Sealant)組成,其成型工藝一般包括:前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(薄膜晶體管基板與彩色濾光膜基板貼合)及后段模組組裝制程(驅(qū)動(dòng)電路(1C)與印刷電路板壓合)。
[0004]就目前主流市場(chǎng)上的液晶顯示面板而言，可分為三大類，分別是TN (扭曲向列)/STN (超級(jí)扭曲向列)，IPS (板內(nèi)切換)/FFS (邊緣切換)及VA (垂直配向)型。邊緣切換顯示面板在視角方面比扭曲向列顯示面板優(yōu)秀，以及在液晶透過(guò)效率方面比板內(nèi)切換顯示面板優(yōu)秀，因此不僅在小型設(shè)備上的應(yīng)用(application)，在中、大型的監(jiān)視器、電視機(jī)上的適用范圍也越來(lái)越廣。
[0005]邊緣切換型顯示面板是利用公共電極(COM ΙΤ0)和像素電極(Pixel ΙΤ0)間的邊緣電場(chǎng)(fringe electric field)現(xiàn)象驅(qū)動(dòng)液晶。為了消除直流殘留帶來(lái)的殘影,一般采用交流模式進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。這種交流變化主要是通過(guò)公共電極上的電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)的，因此公共電極上電壓的均勻性直接影響到畫(huà)面的顯示質(zhì)量。如果公共電極上的電壓不均勻，屏幕畫(huà)面就會(huì)出現(xiàn)綠斑(Greenish)及閃爍(Flicker)等現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板，利用形成其上的黑色矩陣來(lái)減小公共電極與柵極線、數(shù)據(jù)線之間的寄生電容，有利于提高公共電極上電壓的均勻性，及改善了屏幕畫(huà)面的綠斑及閃爍現(xiàn)象。
[0007]本發(fā)明的另一目的在于提供一種陣列基板的制作方法，制作簡(jiǎn)單快捷，利用該方法制作的陣列基板有利于改善液晶顯示面板的顯示質(zhì)量。
[0008]本發(fā)明的又一目的在于提供一種液晶顯示面板，將黑色矩陣形成于陣列基板上，減小了公共電極與柵極線、數(shù)據(jù)線之間的寄生電容，有利于提高公共電極上電壓的均勻性，及改善了屏幕畫(huà)面的綠斑及閃爍現(xiàn)象，改善了屏幕畫(huà)面的綠斑及閃爍現(xiàn)象。
[0009]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括:一第一基板、形成于所述第一基板上的柵極線、形成于所述第一基板上的數(shù)據(jù)線、形成于所述第一基板上的薄膜晶體管陣列、形成于所述薄膜晶體管陣列上的像素電極、形成于所述像素電極與薄膜晶體管陣列上的第一鈍化層、形成于所述第一鈍化層上的黑色矩陣、以及形成于所述黑色矩陣與第一鈍化層上的公共電極。
[0010]所述薄膜晶體管陣列包括:形成于所述第一基板上的柵極、形成于所述第一基板與柵極上的柵極絕緣層、形成于所述柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層、形成于所述半導(dǎo)體層上的源/漏極，所述柵極由鉻、鑰、鋁及銅形成，所述柵極絕緣層通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法由硅沉積而成，所述半導(dǎo)體層由氫化非晶硅沉積而形成。
[0011 ] 所述像素電極與公共電極分別為一透明導(dǎo)電層，所述像素電極與公共電極均由氧化銦錫或氧化銦鋅制成，所述第一基板為玻璃基板或塑料基板。
[0012]所述柵極絕緣層的厚度為2000?5000A，所述柵極的厚度為2000?5000A，所述半導(dǎo)體層的厚度為2000?4000人，所述第一鈍化層的厚度為100?6000人，所述源/漏極的厚度為1000?6000人，所述像素電極的厚度為100?1000人，所述公共電極的厚度為100?1000A，所述黑色矩陣的厚度為0.2?1.0um。
[0013]本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法，包括以下步驟:
[0014]步驟1、提供一第一基板；
[0015]步驟2、在所述第一基板上形成柵極線、數(shù)據(jù)線及薄膜晶體管陣列；
[0016]步驟3、在所述薄膜晶體管陣列上形成像素電極；
[0017]步驟4、在所述像素電極、數(shù)據(jù)線與薄膜晶體管陣列上沉積形成第一鈍化層；
[0018]步驟5、在所述第一鈍化層上形成黑色矩陣；
[0019]步驟6、在所述黑色矩陣與第一鈍化層上形成公共電極。
[0020]所述步驟2包括以下步驟:
[0021]步驟21、在所述第一基板上形成第一金屬層，并對(duì)該第一金屬層按預(yù)定圖案進(jìn)行第一光刻制程，以形成柵極與柵極線；
[0022]步驟22、通過(guò)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在所述第一基板及柵極與柵極線上沉積硅以形成柵極絕緣層；
[0023]步驟23、通過(guò)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在所述柵極絕緣層上沉積氫化非晶硅以形成半導(dǎo)體層，并按預(yù)定圖案對(duì)該半導(dǎo)體層進(jìn)行第二光刻制程；
[0024]步驟24、在所述半導(dǎo)體層與柵極絕緣層上形成第二金屬層，并按預(yù)定圖案對(duì)該第二金屬層進(jìn)行第三光刻制程，以形成源/漏極與數(shù)據(jù)線，進(jìn)而形成薄膜晶體管陣列。
[0025]所述步驟3中在所述薄膜晶體管陣列上形成一透明導(dǎo)電層，并按預(yù)定圖案對(duì)該透明導(dǎo)電層進(jìn)行第四光刻制程，以形成像素電極；
[0026]所述步驟4中通過(guò)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在所述像素電極、數(shù)據(jù)線與薄膜晶體管陣列上沉積形成一保護(hù)膜，并按預(yù)定圖案對(duì)該保護(hù)膜進(jìn)行第五光刻制程，以形成第一鈍化層；
[0027]所述步驟5中通過(guò)涂覆制程在所述第一鈍化層上形成一定厚度的黑色矩陣，并對(duì)該黑色矩陣進(jìn)行第六光刻制程；
[0028]所述步驟6中在所述黑色矩陣與第一鈍化層上形成一透明導(dǎo)電層，并按預(yù)定圖案對(duì)該透明導(dǎo)電層進(jìn)行第七光刻制程，以形成公共電極。
[0029]所述第一基板為玻璃基板或塑料基板，所述柵極絕緣層的厚度為2000
?5000A，所述柵極的厚度為2000?5000A，所述第一鈍化層的厚度為2000?5000人，
所述半導(dǎo)體層的厚度為100?6000A，所述源/漏極的厚度為1000?6000人，所述像素電
極的厚度為100?1000A，所述公共電極的厚度為100?1000A，所述黑色矩陣的厚度為0.2 ?1.0um。
[0030]本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，包括:一陣列基板、一彩色濾光片基板、以及密封于陣列基板與彩色濾光片基板之間的液晶材料；所述陣列基板包括:一第一基板、形成于所述第一基板上的柵極線、形成于所述第一基板上的數(shù)據(jù)線、形成于所述第一基板上的薄膜晶體管陣列、形成于所述薄膜晶體管陣列上的像素電極、形成于所述像素電極、數(shù)據(jù)線與薄膜晶體管陣列上的第一鈍化層、形成于所述第一鈍化層上的黑色矩陣、以及形成于所述黑色矩陣與第一鈍化層上的公共電極；所述彩色濾光片基板包括:第二基板、形成于所述第二基板上的彩色濾光片、形成于所述彩色濾光片與第二基板上的第二鈍化層、以及形成于第二鈍化層上的間隔層。
[0031]所述薄膜晶體管陣列包括:形成于所述第一基板上的柵極、形成于所述第一基板與柵極上的柵極絕緣層、形成于所述柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層、形成于所述半導(dǎo)體層上的源/漏極，所述柵極由鉻、鑰、鋁及銅形成，所述柵極絕緣層通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法由硅沉積而成，所述半導(dǎo)體層由氫化非晶硅沉積而形成；
[0032]所述像素電極與公共電極分別為一透明導(dǎo)電層，所述像素電極與公共電極均由氧化銦錫或氧化銦鋅制成，所述第一基板為玻璃基板或塑料基板；
[0033]所述柵極絕緣層的厚度為2000?5000人，所述柵極的厚度為2000?5000A，所
述半導(dǎo)體層的厚度為2000?4000A，所述第一鈍化層的厚度為100?6000A，所述源/漏極的厚度為1000?6000人，所述像素電極的厚度為100?1000A，所述公共電極的厚度為100?丨000人，所述黑色矩陣的厚度為0.2?1.0um ;
[0034]所述第二基板為玻璃基板或塑料基板，所述彩色濾光片包括:紅色濾光片、藍(lán)色濾光片及綠色濾光片。
[0035]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的陣列基板及其制作方法及應(yīng)用該陣列基板的液晶顯示面板，將黑色矩陣形成于陣列基板上，增大了公共電極與數(shù)據(jù)線及柵極線之間的距離，進(jìn)而減小了公共電極與柵極線、數(shù)據(jù)線之間的寄生電容，有利于提高公共電極上電壓的均勻性，及改善了屏幕畫(huà)面的綠斑及閃爍現(xiàn)象，且該陣列基板制作方法較為簡(jiǎn)單。
[0036]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】[0037]下面結(jié)合附圖，通過(guò)對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見(jiàn)。
[0038]附圖中，
[0039]圖1為本發(fā)明陣列基板的俯視圖；
[0040]圖2為圖1中A-A的剖面圖；
[0041]圖3為圖1中B-B的剖面圖；
[0042]圖4為本發(fā)明陣列基板的制作方法的步驟流程圖；
[0043]圖5至圖11為本發(fā)明陣列基板的制作方法的工藝流程圖；
[0044]圖12為本發(fā)明液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0045]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0046]請(qǐng)參閱圖1至圖3，本發(fā)明提供一種陣列基板，該陣列基板應(yīng)用于邊緣切換型顯示面板中，其具體包括:一第一基板32、形成于所述第一基板32上的柵極線(未圖不)、形成于所述第一基板32上的數(shù)據(jù)線34、形成于所述第一基板32上的薄膜晶體管陣列(未標(biāo)示)、形成于所述薄膜晶體管陣列上的像素電極36、形成于所述像素電極36、數(shù)據(jù)線34與薄膜晶體管陣列上的第一鈍化層38、形成于所述第一鈍化層38上的黑色矩陣42、以及形成于所述黑色矩陣42與第一鈍化層38上的公共電極44。所述公共電極44位于所述數(shù)據(jù)線34、柵極線的上面，且在公共電極44與數(shù)據(jù)線34、柵極線之間加入了黑色矩陣42，有利于增大它們之間的距離，進(jìn)而減小了公共電極44與柵極線、數(shù)據(jù)線34之間的寄生電容，有利于提高公共電極44上電壓的均勻性。
[0047]具體的，所述薄膜晶體管陣列包括:形成于所述第一基板32上的柵極52、形成于所述第一基板32與柵極52上的柵極絕緣層54、形成于所述柵極絕緣層54上的半導(dǎo)體層
56、形成于所述半導(dǎo)體層56上的源/漏極58。所述柵極52的厚度為2000?5000A，所述柵極絕緣層54的厚度為2000?5000.A，所述柵極52由鉻(Cr)、鑰(Mo)、鋁(A1)及銅(Cu)
金屬形成，所述柵極絕緣層54通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法由硅(Si)沉積而成，所述半導(dǎo)體層56由氫化非晶娃(a-S1:H)沉積而形成。
[0048]所述柵極線由第一金屬層的其它非薄膜晶體管陣列部分形成，所述數(shù)據(jù)線34由第二金屬層的其它非薄膜晶體管陣列部分形成。
[0049]所述像素電極36與公共電極44分別為一透明導(dǎo)電層，在本實(shí)施例中，所述像素電極36與公共電極44均由氧化銦錫或氧化銦鋅制成。所述第一基板32為玻璃基板或塑料基板，本實(shí)施例中，優(yōu)選為玻璃基板。
[0050]在本實(shí)施例中，其它各膜層的厚度具體如下:所述第一鈍化層38的厚度為2000?5000人，所述半導(dǎo)體層56的厚度為100?6000A，所述源/漏極58的厚度為
1000?6000A，所述像素電極36的厚度為100?1000A，所述公共電極44的厚度為
100?1000A,所述黑色矩陣42的厚度為0.2?1.0um。[0051]請(qǐng)參閱圖4至圖11，本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法，包括以下步驟:
[0052]步驟1、提供一第一基板32。
[0053]所述第一基板42為玻璃基板或塑料基板，本實(shí)施例中，優(yōu)選為玻璃基板。
[0054]步驟2、在所述第一基板42上形成柵極線(未圖示)、數(shù)據(jù)線34及薄膜晶體管陣列(未標(biāo)不)。
[0055]該步驟可以細(xì)分為以下步驟:
[0056]步驟21、在所述第一基板42上形成第一金屬層，并對(duì)該第一金屬層按預(yù)定圖案進(jìn)行第一光刻制程，以形成柵極52與柵極線。
[0057]具體的，第一光刻制程包括:涂布、曝光、顯影、蝕刻、剝離等制程，其中蝕刻是采用掩膜板的濕法蝕刻。
[0058]所述柵極52的厚度為2000?5000A。
[0059]步驟22、通過(guò)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)在所述第一基板32及柵極52與柵極線上沉積硅以形成柵極絕緣層54。
[0060]所述柵極絕緣層的厚度為2000?4000A
[0061]步驟23、通過(guò)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在所述柵極絕緣層54上沉積氫化非晶硅以形成半導(dǎo)體層56，并按預(yù)定圖案對(duì)該半導(dǎo)體層56進(jìn)行第二光刻制程。
[0062]第二光刻制程包括:涂布、曝光、顯影、蝕刻、剝離等制程，其中蝕刻為干法蝕刻。
[0063]所述半導(dǎo)體層56的厚度為丨00?6000A。
[0064]步驟24、在所述半導(dǎo)體層56與柵極絕緣層54上形成第二金屬層，并按預(yù)定圖案對(duì)該第二金屬層進(jìn)行第三光刻制程，以形成源/漏極58與數(shù)據(jù)線34，進(jìn)而形成薄膜晶體管陣列。
[0065]第三光刻制程包括:涂布、曝光、顯影、蝕刻、剝離等制程，其中蝕刻為濕法蝕刻。
[0066]所述源/漏極58的厚度為1000?6000A。
[0067]步驟3、在所述薄膜晶體管陣列上形成像素電極36。
[0068]在所述薄膜晶體管陣列(源/漏極58與柵極絕緣層54)上形成一透明導(dǎo)電層，并按預(yù)定圖案對(duì)該透明導(dǎo)電層進(jìn)行第四光刻制程，以形成像素電極36。其中，第四光刻制程包括:涂布、曝光、顯影、蝕刻、剝離等制程，其中蝕刻為采用掩膜板的濕法蝕刻。
[0069]所述像素電極36的厚度為100?1000A。
[0070]步驟4、在所述像素電極36、數(shù)據(jù)線34與薄膜晶體管陣列上沉積形成第一鈍化層38。
[0071]通過(guò)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在所述像素電極36、數(shù)據(jù)線34與薄膜晶體管陣列上沉積形成一保護(hù)膜，并按預(yù)定圖案對(duì)該保護(hù)膜進(jìn)行第五光刻制程，以形成第一鈍化層38。其中，第五光刻制程包括:涂布、曝光、顯影、蝕刻、剝離等制程，其中蝕刻為干法蝕刻或濕法蝕刻。
[0072]所述第一鈍化層38的厚度為2000?5000A C
[0073]步驟5、在所述第一鈍化層38形成黑色矩陣42。
[0074]通過(guò)涂覆制程在所述第一鈍化層38形成一定厚度的黑色矩陣42，并對(duì)該黑色矩陣42進(jìn)行第六光刻制程。其中，所述黑色矩陣42的厚度為0.2?1.0um。
[0075]步驟6、在所述黑色矩陣42與第一鈍化層38上形成公共電極44。
[0076]在所述黑色矩陣42與第一鈍化層38上形成一透明導(dǎo)電層，并按預(yù)定圖案對(duì)該透明導(dǎo)電層進(jìn)行第七光刻制程，以形成公共電極44。其中，所述公共電極44的厚度為
100-1000A ο
LUU//」請(qǐng)參閱圖12,本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，該液晶顯示面板為邊緣切換型顯示面板，具體包括:一陣列基板30、一彩色濾光片基板50、以及密封于陣列基板30與彩色濾光片基板50之間的液晶材料60 ;所述陣列基板30包括:一第一基板32、形成于所述第一基板32上的柵極線(未圖示)、形成于所述第一基板32上的數(shù)據(jù)線34、形成于所述第一基板32上的薄膜晶體管陣列(未標(biāo)示)、形成于所述薄膜晶體管陣列上的像素電極36、形成于所述像素電極36、數(shù)據(jù)線34與薄膜晶體管陣列上的第一鈍化層38、形成于所述第一鈍化層38上的黑色矩陣42、以及形成于所述黑色矩陣42與第一鈍化層38上的公共電極44。所述彩色濾光片基板50包括:第二基板61、形成于所述第二基板61上的彩色濾光片62、形成于所述彩色濾光片62與第二基板61上的第二鈍化層67、以及形成于第二鈍化層67上的間隔層68。所述公共電極44位于所述數(shù)據(jù)線34、柵極線的上面，且在公共電極44與數(shù)據(jù)線34、柵極線之間加入了黑色矩陣42，有利于增大它們之間的距離，進(jìn)而減小了公共電極44與柵極線、數(shù)據(jù)線34之間的寄生電容，有利于提高公共電極44上電壓的均勻性。
[0078]具體的，所述薄膜晶體管陣列包括:形成于所述第一基板32上的柵極52、形成于所述第一基板32與柵極52上的柵極絕緣層54、形成于所述柵極絕緣層54上的半導(dǎo)體層
56、形成于所述半導(dǎo)體層56上的源/漏極58。所述柵極52的厚度為2000?5000A，所述
柵極絕緣層54的厚度為2000?5000A，所述柵極52由鉻、鑰、鋁及銅形成，所述柵極絕緣層54通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法由硅沉積而成，所述半導(dǎo)體層56由氫化非晶硅沉積而形成。
[0079]所述柵極線由第一金屬層的其它非薄膜晶體管陣列部分形成，所述數(shù)據(jù)線34由第二金屬層的其它非薄膜晶體管陣列部分形成。
[0080]所述像素電極36與公共電極44分別為一透明導(dǎo)電層，在本實(shí)施例中，所述像素電極36與公共電極44均由氧化銦錫或氧化銦鋅制成。所述第一基板32為玻璃基板或塑料基板，本實(shí)施例中，優(yōu)選為玻璃基板。
[0081]在本實(shí)施例中，其它各膜層的厚度具體如下:所述第一鈍化層38的厚度為2000-5000A，所述半導(dǎo)體層56的厚度為100?6000人，所述源/漏極58的厚度為1000?6000人，所述像素電極36的厚度為100?1000人，所述公共電極44的厚度為100?1000A，所述黑色矩陣42的厚度為0.2?1.0um。
[0082]所述第二基板61為玻璃基板或塑料基板，所述彩色濾光片62包括:紅色濾光片63、藍(lán)色濾光片64及綠色濾光片66。
[0083]綜上所述，本發(fā)明的陣列基板及其制作方法及應(yīng)用該陣列基板的液晶顯示面板，將黑色矩陣形成于陣列基板上，增大了公共電極與數(shù)據(jù)線及柵極線之間的距離，進(jìn)而減小了公共電極與柵極線、數(shù)據(jù)線之間的寄生電容，有利于提高公共電極上電壓的均勻性，及改善了屏幕畫(huà)面的綠斑及閃爍現(xiàn)象，且該陣列基板制作方法較為簡(jiǎn)單。
[0084]以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括:一第一基板(32)、形成于所述第一基板(32)上的柵極線、形成于所述第一基板(32)上的數(shù)據(jù)線(34)、形成于所述第一基板(32)上的薄膜晶體管陣列、形成于所述薄膜晶體管陣列上的像素電極(36)、形成于所述像素電極(36)、數(shù)據(jù)線(34)與薄膜晶體管陣列上的第一鈍化層(38)、形成于所述第一鈍化層(38)上的黑色矩陣(42)、以及形成于所述黑色矩陣(42)與第一鈍化層(38)上的公共電極(44)。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列包括:形成于所述第一基板(32)上的柵極(52)、形成于所述第一基板(32)與柵極(52)上的柵極絕緣層(54)、形成于所述柵極絕緣層(54)上的半導(dǎo)體層(56)、形成于所述半導(dǎo)體層(56)上的源/漏極(58)，所述柵極(52)由鉻、鑰、鋁及銅形成，所述柵極絕緣層(54)通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法由硅沉積而成，所述半導(dǎo)體層(56)由氫化非晶硅沉積而形成。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極(36)與公共電極(44)分別為一透明導(dǎo)電層，所述像素電極(36)與公共電極(44)均由氧化銦錫或氧化銦鋅制成，所述第一基板(32)為玻璃基板或塑料基板。
4.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極絕緣層(54)的厚度為2000~5000人，所述柵極(52)的厚度為2000~5000A，所述半導(dǎo)體層(56)的厚度為2000~4000A，所述第一鈍化層(38)的厚度為100~6000A，所述源/漏極(58)的厚度、J、j 1000~6000A,所述像素電極(36)的厚度為100~1000A，所述公共電極(44)的厚度為100~1000A，所述黑色矩陣(42)的厚度為0.2~1.0um。
5.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟:步驟1、提供一第一基板(32);步驟2、在所述第一基板(32) 上形成柵極線、數(shù)據(jù)線(34)及薄膜晶體管陣列；步驟3、在所述薄膜晶體管陣列上形成像素電極(36)；步驟4、在所述像素電極(36)、數(shù)據(jù)線(34)與薄膜晶體管陣列上沉積形成第一鈍化層(38)；步驟5、在所述第一鈍化層(38)上形成黑色矩陣(42)；步驟6、在所述黑色矩陣(42 )與第一鈍化層(38 )上形成公共電極(44 )。
6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟2包括以下步驟:步驟21、在所述第一基板(32)上形成第一金屬層，并對(duì)該第一金屬層按預(yù)定圖案進(jìn)行第一光刻制程，以形成柵極(52)與柵極線；步驟22、通過(guò)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在所述第一基板(32)及柵極(52)與柵極線上沉積硅以形成柵極絕緣層(54)；步驟23、通過(guò)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在所述柵極絕緣層(54)上沉積氫化非晶硅以形成半導(dǎo)體層(56 )，并按預(yù)定圖案對(duì)該半導(dǎo)體層(56 )進(jìn)行第二光刻制程；步驟24、在所述半導(dǎo)體層(56 )與柵極絕緣層(54)上形成第二金屬層，并按預(yù)定圖案對(duì)該第二金屬層進(jìn)行第三光刻制程，以形成源/漏極(58)與數(shù)據(jù)線(34)，進(jìn)而形成薄膜晶體管陣列。
7.如權(quán)利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟3中在所述薄膜晶體管陣列上形成一透明導(dǎo)電層，并按預(yù)定圖案對(duì)該透明導(dǎo)電層進(jìn)行第四光刻制程，以形成像素電極(36)；所述步驟4中通過(guò)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在所述像素電極(36)、數(shù)據(jù)線(34)與薄膜晶體管陣列上沉積形成一保護(hù)膜，并按預(yù)定圖案對(duì)該保護(hù)膜進(jìn)行第五光刻制程，以形成第一鈍化層(38)；所述步驟5中通過(guò)涂覆制程在所述第一鈍化層(38)上形成黑色矩陣(42)，并對(duì)該黑色矩陣(42)進(jìn)行第六光刻制程；所述步驟6中在所述黑色矩陣(42 )與第一鈍化層(38 )上形成一透明導(dǎo)電層，并按預(yù)定圖案對(duì)該透明導(dǎo)電層進(jìn)行第七光刻制程，以形成公共電極(44)。
8.如權(quán)利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一基板(32)為玻璃基板或塑料基板，所述柵極絕緣層(54)的厚度為2000~5000人，所述柵極(52)的厚度為2000~5000A，所述半導(dǎo)體層(56)的厚度為2000~4000人，所述第一鈍化層(38)的厚度為100~6000A，所述源/漏極(58)的厚度為1000~6000A，所述像素電極(36)的厚度為100~1000A，所述公共電極(44)的厚度為100~1000A，所述黑色矩陣(42)的厚度為0.2 ~1.0um。
9.一種液晶顯不面板，其特征在于，包括:一陣列基板(30)、一彩色濾光片基板(50)、以及密封于陣列基板(30)與彩色濾光片基板(50)之間的液晶材料(60);所述陣列基板(30)包括:一第一基板(32)、形成于所述第一基板(32)上的柵極線、形成于所述第一基板(32)上的數(shù)據(jù)線(34)、形成于所述第一基板(32)上的薄膜晶體管陣列、形成于所述薄膜晶體管陣列上的像素電極(36)、形成于所述像素電極(36)、數(shù)據(jù)線(34)與薄膜晶體管陣列上的第一鈍化層(38)、形成于`所述第一鈍化層(38)上的黑色矩陣(42)、以及形成于所述黑色矩陣(42)與第一鈍化層(38)上的公共電極(44);所述彩色濾光片基板(50)包括:第二基板(61)、形成于所述第二基板(61)上的彩色濾光片(62)、形成于所述彩色濾光片(62)與第二基板(61)上的第二鈍化層(67)、以及形成于第二鈍化層(67)上的間隔層(68)。
10.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列包括:形成于所述第一基板(32)上的柵極(52)、形成于所述第一基板(32)與柵極(52)上的柵極絕緣層(54)、形成于所述柵極絕緣層(54)上的半導(dǎo)體層(56)、形成于所述半導(dǎo)體層(56)上的源/漏極(58)，所述柵極(52)由鉻、鑰、鋁及銅形成，所述柵極絕緣層(54)通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法由硅沉積而成，所述半導(dǎo)體層(56)由氫化非晶硅沉積而形成；所述像素電極(36)與公共電極(44)分別為一透明導(dǎo)電層，所述像素電極(36)與公共電極(44)均由氧化銦錫或氧化銦鋅制成，所述第一基板(32)為玻璃基板或塑料基板；所述柵極絕緣層(54)的厚度為2000~5000人，所述柵極(52)的厚度為2000~5000人，所述半導(dǎo)體層(56)的厚度為2000~4000人，所述第一鈍化層(38)的厚度為100~6000A，所述源/漏極(58)的厚度為1000~6000人，所述像素電極(36)的厚度為100~丨000A，所述公共電極(44)的厚度、J、j丨00~丨000人，所述黑色矩陣(42)的厚度為`0.2 ~1.0um ；所述第二基板(61)為玻璃基板或塑料基板，所述彩色濾光片(62)包括:紅色濾光片(63)、藍(lán)色濾光片(64)及綠色濾光片(66)。
【文檔編號(hào)】G02F1/1335GK103676376SQ201310670010
【公開(kāi)日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年12月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月10日
【發(fā)明者】徐向陽(yáng) 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司