液晶顯示器及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種液晶顯示器及其制造方法，該液晶顯示器包括：絕緣基板；柵線，設(shè)置在絕緣基板上；第一場(chǎng)產(chǎn)生電極，設(shè)置在絕緣基板上；柵極絕緣層，設(shè)置在柵線和第一場(chǎng)產(chǎn)生電極上；半導(dǎo)體，設(shè)置在柵極絕緣層上；以及數(shù)據(jù)線，設(shè)置在柵極絕緣層上。柵極絕緣層的[N-H]/[Si-H]的值在大約13至大約25的范圍內(nèi)。這里，[N-H]/[Si-H]的值表示根據(jù)FT-IR光譜儀的分析的氮和氫的鍵數(shù)[N-H]與硅和氫的鍵數(shù)[Si-H]的比率。
【專利說(shuō)明】液晶顯示器及其制造方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開涉及一種液晶顯示器及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器(IXD)是最廣泛使用的平板顯示器之一，并且其通過(guò)以下方式顯示圖像:將電壓施加到場(chǎng)產(chǎn)生電極以在液晶(LC)層中產(chǎn)生電場(chǎng)，該電場(chǎng)決定了 LC層中的LC分子的取向，從而調(diào)整入射光的偏振。
[0003]液晶顯示器的益處在于其輕重量和薄形式容易獲得。然而，液晶顯示器的潛在缺陷是橫向可視性可能低于正向可視性，已經(jīng)開發(fā)了不同類型的液晶布置和驅(qū)動(dòng)方法來(lái)解決該缺陷。為了實(shí)現(xiàn)寬視角，在一個(gè)基板上形成像素電極和參考電極的液晶顯示器受到關(guān)注。
[0004]同時(shí)，隨著顯示面積增加，信號(hào)線也變長(zhǎng)，從而電阻增大。如果電阻這樣增大，則諸如信號(hào)延遲或電壓降的困難會(huì)發(fā)生。為了解決這些困難，可能需要形成具有低電阻率的材料的信號(hào)線。
[0005]然而，在形成低阻金屬的布線時(shí)，低阻金屬層的表面與絕緣層的氮反應(yīng)，從而可能會(huì)產(chǎn)生隆起物(hillock)。為了避免這樣的突起，已經(jīng)提出了以氫等離子體處理的方法。
[0006]然而，當(dāng)在沉積絕緣層之前以氫等離子體處理時(shí)，由透明導(dǎo)體制成的場(chǎng)產(chǎn)生電極中的銦與氫結(jié)合，由此產(chǎn)生混濁物(haze)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的示例性實(shí)施方式提供一種液晶顯示器及其制造方法，在該液晶顯示器中，當(dāng)在基板上形成低電阻金屬的柵線和透明導(dǎo)體的場(chǎng)產(chǎn)生電極并且在其上沉積柵極絕緣層時(shí)，同時(shí)防止了低電阻金屬的隆起物和透明導(dǎo)體的混濁物(haze)。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的一種液晶顯示器包括:絕緣基板；柵線，設(shè)置在絕緣基板上；第一場(chǎng)產(chǎn)生電極，設(shè)置在絕緣基板上；柵極絕緣層，設(shè)置在柵線和第一場(chǎng)產(chǎn)生電極上；半導(dǎo)體，設(shè)置在柵極絕緣層上；以及數(shù)據(jù)線，設(shè)置在柵極絕緣層上。柵極絕緣層的[N-H]/[S1-Η]的值在大約13至大約25的范圍內(nèi)。這里，[N-H]/[S1-Η]的值表示根據(jù)FT-1R光譜儀的分析的氮和氫的鍵數(shù)[N-H]與硅和氫的鍵數(shù)[S1-Η]的比率。
[0009]柵極絕緣層可以包括接觸柵線和第一場(chǎng)產(chǎn)生電極的第一膜、設(shè)置在第一膜上的第二膜以及設(shè)置在第二膜上的第三膜。
[0010]半導(dǎo)體可以接觸第三膜，第一膜的[N-H]/[S1-H]的值可以在大約13至大約25的范圍內(nèi)。
[0011]柵極絕緣層的第二膜的[N-H]/[S1-H]的值可以在大約0.5至大約1.5的范圍內(nèi)。
[0012]柵極絕緣層可以為單層。
[0013]柵線 可以由低電阻金屬制成。
[0014]第一場(chǎng)產(chǎn)生電極可以由包括銦的透明導(dǎo)體制成。
[0015]可以還包括設(shè)置在基板上的第二場(chǎng)產(chǎn)生電極。[0016]第二場(chǎng)產(chǎn)生電極可以經(jīng)由絕緣層交疊第一場(chǎng)產(chǎn)生電極。
[0017]第一場(chǎng)產(chǎn)生電極和第二場(chǎng)產(chǎn)生電極中的至少一個(gè)可以具有多個(gè)分支電極。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的一種液晶顯示器的制造方法包括:在絕緣基板上形成柵線；在絕緣基板上形成第一場(chǎng)產(chǎn)生電極；在柵線和第一場(chǎng)產(chǎn)生電極上沉積具有大約13至大約25的[N-H]/[S1-H]的值的柵極絕緣層。[N-H]/[Si_H]的值表示根據(jù)FT-1R光譜儀的分析的氮和氫的鍵數(shù)[N-H]與硅和氫的鍵數(shù)[S1-Η]的比率。該方法還包括:在柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體；以及在柵極絕緣層上形成數(shù)據(jù)線。
[0019]形成柵極絕緣層可以包括:在包含氮的氣氛下通過(guò)以慢的沉積速度沉積硅氮化物層而沉積具有高氮含量的富N的硅氮化物(SiNx)。
[0020]在形成柵極絕緣層之前，可以省去等離子體處理。
[0021]形成柵極絕緣層可以包括:沉積接觸柵線和第一場(chǎng)產(chǎn)生電極的第一膜；在第一膜上沉積第二膜；以及在第二膜上沉積第三膜。
[0022]沉積第一膜和沉積第三膜可以包括:在包含氮的氣氛下通過(guò)以慢的沉積速度沉積硅氮化物層而沉積具有高氮含量的富N的硅氮化物(SiNx)。
[0023]沉積第二膜可以包括:在包含氮的氣氛下通過(guò)以快的沉積速度沉積硅氮化物層而沉積具有高硅含量的富Si的硅氮化物(SiNx)。
[0024]形成半導(dǎo)體可以包括:在第三膜上形成半導(dǎo)體，以及具有大約13至大約25的[N-H]/[S1-Η]的值的硅氮化物可以在第三膜的沉積期間被沉積。
[0025]沉積第二膜包括沉積具有大約0.5至大約1.5的[N-H] / [S1-Η]的值的硅氮化物。
[0026]形成柵極絕緣層包括:作為單層沉積具有大約13至大約25的[N-H]/[S1-Η]的值的硅氮化物。
[0027]形成柵線可以包括:沉積低電阻金屬層。
[0028]形成第一場(chǎng)產(chǎn)生電極可以包括:沉積包括銦的透明導(dǎo)體。
[0029]該方法可以還包括:在基板上形成第二場(chǎng)產(chǎn)生電極。
[0030]形成第二場(chǎng)產(chǎn)生電極包括:形成經(jīng)由絕緣層交疊第一場(chǎng)產(chǎn)生電極的第二場(chǎng)產(chǎn)生電極。
[0031]第一場(chǎng)產(chǎn)生電極和第二場(chǎng)產(chǎn)生電極中的至少一個(gè)可以形成有多個(gè)分支電極。
[0032]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，提供一種液晶顯示器。該液晶顯示器包括下面板，該下面板包括:絕緣基板；多條柵線，設(shè)置在絕緣基板上；第一場(chǎng)產(chǎn)生電極，設(shè)置在絕緣基板上；柵極絕緣層，設(shè)置在柵線和第一場(chǎng)產(chǎn)生電極上，其中柵極絕緣層包括包含具有高氮含量的富N的硅氮化物(SiNx)的至少一層，其中該柵極絕緣層的[N-H]/[S1-H]的值在大約13至大約25的范圍內(nèi)，[N-H]/[S1-H]的值表示根據(jù)FT-1R光譜儀的分析的氮和氫的鍵數(shù)[N-H]與硅和氫的鍵數(shù)[S1-Η]的比率。
[0033]該液晶顯示器還包括:半導(dǎo)體，設(shè)置在柵極絕緣層上；數(shù)據(jù)導(dǎo)體，包括多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)漏電極以及參考電壓線，設(shè)置在柵極絕緣層上，其中參考電壓線設(shè)置在數(shù)據(jù)線之間并且平行于數(shù)據(jù)線延伸，其中參考電壓線包括設(shè)置在柵線的一部分之間的擴(kuò)展部；鈍化層，設(shè)置在數(shù)據(jù)導(dǎo)體上、半導(dǎo)體的暴露部分上以及柵極絕緣層上，該柵極絕緣層包括設(shè)置在第一場(chǎng)產(chǎn)生電極上的一部分柵極絕緣層；上面板，設(shè)置為面對(duì)下面板；以及液晶層，設(shè)置在上面板與下面板之間。[0034]在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器及其制造方法中，由具有高氮含量的硅氮化物制成的柵極絕緣層沉積在由低電阻金屬制成的柵線和由透明導(dǎo)體制成的場(chǎng)產(chǎn)生電極上，由此防止了低電阻金屬的隆起物，同時(shí)防止了透明導(dǎo)體的混濁物。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0035]從以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，能夠更詳細(xì)地理解本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，在附圖中:
[0036]圖1為根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的布局圖；
[0037]圖2為圖1的液晶顯示器的沿著線I1-1I截取的截面圖；
[0038]圖3為示出在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)驗(yàn)性示例中FT-1R光譜儀測(cè)量的結(jié)果的圖示；
[0039]圖4為在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的制造方法中液晶顯示器的布局圖；
[0040]圖5為圖4的液晶顯示器的沿著線V-V截取的截面圖；
[0041]圖6至圖9為順序地示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的制造方法的截面圖；
[0042]圖10為根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的布局圖；
[0043]圖11為圖10的液晶顯示器的沿著線X1-XI截取的截面圖；
[0044]圖12 Ca)為示出在根據(jù)傳統(tǒng)的液晶顯示器的實(shí)驗(yàn)性示例中用于測(cè)量像素的一部分的電子顯微鏡照片的視圖；
[0045]圖12 (b)為示出在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的實(shí)驗(yàn)性示例中用于測(cè)量像素的一部分的電子顯微鏡照片的視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0046]在下文中將參照附圖更全面地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，所描述的實(shí)施方式可以以各種不同方式修改，其全部沒(méi)有背離本發(fā)明的精神或范圍。
[0047]在附圖中，為了清晰，可夸大層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。相同的附圖標(biāo)記在整個(gè)說(shuō)明書中表示相同的元件。將理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板的元件被稱為在另一元件“上”時(shí)，其可以直接在該另一元件上，或者也可以存在居間元件。
[0048]如這里使用的，單數(shù)形式“一”和“該”也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另外清楚地表述。
[0049]現(xiàn)在，將參照?qǐng)D1和圖2描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器。圖1為根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的布局圖，圖2為圖1的液晶顯示器的沿著線II 一 II截取的截面圖。
[0050]參照?qǐng)D1和圖2，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器包括:例如，彼此面對(duì)的下面板100和上面板200以及插設(shè)在兩個(gè)顯示面板100和200之間的液晶層3。
[0051]將描述下面板100。
[0052]例如，多條柵線121a和121b以及多個(gè)第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191形成在由透明玻璃、塑料或石英制成的絕緣基板110上。此外,在示例性實(shí)施方式中，玻璃可以包括例如鋼化玻璃。在示例性實(shí)施方式中，絕緣基板110可以由例如聚碳酸酯(PC)、聚酯(PET)、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中的一種形成。
[0053]每行像素設(shè)置柵線121和121b，并且柵線121和121b包括例如根據(jù)像素行向上設(shè)置的第一柵線121a和根據(jù)像素行向下設(shè)置的第二柵線121b。第一柵線121a設(shè)置為例如更靠近設(shè)置在相鄰的前一像素行處的第二柵線121b，第二柵線121b設(shè)置為例如更靠近設(shè)置在相鄰的后一像素行處的第一柵線121a。因此，設(shè)置在當(dāng)前像素行處的第一柵線121a和第二柵線121b與設(shè)置在相鄰的像素行處的第二柵線121b和第一柵線121a形成一對(duì)，并且設(shè)置在所述相鄰的像素行之間。
[0054]第一柵線121a包括例如第一柵電極124a，第二柵線121b包括第二柵電極124b。第一柵線121a包括例如第一縱向部分122a，第二柵線121b包括第二縱向部分122b。
[0055]第一柵線121a和第二柵線121b可以包括例如低電阻金屬。例如，第一柵線121a和第二柵線121b可以包括含銅的金屬諸如銅(Cu)或銅合金、含鋁的金屬諸如鋁(Al)或鋁合金(例如，招釹)、含銀的金屬諸如銀(Ag )或銀合金、或者含金的合金諸如金(Au )或金合金及其任何混合物。
[0056]第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191 (例如，像素電極)可以由例如透明導(dǎo)電材料諸如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、摻鋁的ZnO(AZO)、鎘鋅氧化物(CZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZ0)、其它適合材料或者以上材料的結(jié)合制成。
[0057]柵極絕緣層140形成在第一柵線121a和第二柵線121b以及第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191上。
[0058]柵極絕緣層140包括例如接觸下面的第一柵線121a和第二柵線121b以及第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191的第一膜140a、位于第一膜140a上的第二膜140b以及位于第二膜140b上的第三膜140c。
[0059]第一膜140a和第三膜140c可以由例如具有高氮含量的富N的硅氮化物(SiNx)制成，第二膜140b可以由例如具有高硅含量的富Si的硅氮化物(SiNx)制成。
[0060]在由具有高氮含量的硅氮化物形成的第一膜140a和第三膜140c中，[N_H]/[S1-H]的值可以在例如大約13至大約25的范圍內(nèi)。例如，當(dāng)通過(guò)FT-1R光譜儀來(lái)分析柵極絕緣層140的第一膜140a和第三膜140c時(shí)，氮和氫的鍵數(shù)[N-H]與硅和氫的鍵數(shù)[Si_H]的比率，即[N-H]/[S1-Η]的值在例如大約13至大約25的范圍內(nèi)。
[0061]在包括具有高硅含量的硅氮化物的第二膜140b中，[N-H]/[S1-Η]的值可以例如在大約0.5至大約1.5的范圍內(nèi)。例如，當(dāng)通過(guò)FT-1R光譜儀來(lái)分析柵極絕緣層140的第二膜140b時(shí)，氮和氫的鍵數(shù)[N-H]與硅和氫的鍵數(shù)[S1-Η]的比率，S卩[N-H]/[S1-H]的值在例如大約0.5至大約1.5的范圍內(nèi)。
[0062]柵極絕緣層140中的接觸第一柵線121a和第二柵線121b以及第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191的第一膜140a由例如具有高氮含量的硅氮化物(其通過(guò)FT-1R光譜儀測(cè)量的[N-H]/[S1-Η]的值為大約13至大約25)形成，由此在省去氫等離子體處理的同時(shí)防止了低電阻金屬諸如銅的隆起物(hillock)。因此，可以防止包括銦的透明導(dǎo)體的混濁物。
[0063]在根據(jù)本示例性實(shí)施方式的液晶顯示器中，柵極絕緣層140包括例如第一膜140a、位于第一膜140a上的第二膜140b以及位于第二膜140b上的第三膜140c。第一膜140a和第三膜140c由具有高氮含量的富N的硅氮化物(SiNx)制成，第二膜140b由具有高硅含量的富Si的硅氮化物制成。
[0064]然而，在示例性實(shí)施方式中，液晶顯示器的柵極絕緣層140可以包括例如由具有高氮含量的富N的硅氮化物(SiNx)制成的第一膜、由具有高硅含量的富Si的硅氮化物制成的第二膜、由具有高氮含量的富N的硅氮化物(SiNx)制成的第三膜、由具有高硅含量的富Si的硅氮化物制成的第四膜、以及由具有高氮含量的富N的硅氮化物(SiNx)制成的第五膜，第一膜至第五膜可以按順序沉積。
[0065]此外，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，液晶顯示器的柵極絕緣層140可以包括例如由具有高氮含量的富N的硅氮化物(SiNx)制成的第一膜、由具有高硅含量的富Si的硅氮化物制成的第二膜、由具有高氮含量的富N的硅氮化物(SiNx)制成的第三膜、由具有高氮含量的富N的硅氮化物(SiNx)制成的第四膜、由具有高硅含量的富Si的硅氮化物制成的第五膜、以及由具有高氮含量的富N的硅氮化物(SiNx)制成的第六膜，第一膜至第六膜可以按順序沉積。
[0066]多個(gè)半導(dǎo)體154a和154b形成在柵極絕緣層140上，該多個(gè)半導(dǎo)體154a和154b包括例如第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b。第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b可以為例如氧化物半導(dǎo)體。第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b可以例如彼此連接。例如，第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b可以均包括鋅氧化物、鋅錫氧化物、鋅銦氧化物、銦氧化物、鈦氧化物、銦鎵鋅氧化物和銦鋅錫氧化物中的至少一種。
[0067]如上所述，柵極絕緣層140當(dāng)中接觸第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b的第一膜140a包括具有高氮含量的硅氮化物，該硅氮化物層具有通過(guò)FT-1R光譜儀測(cè)量的大約13至大約25的[N-H]/[S1-H]值，由此增加了柵極絕緣層140與第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b之間的接觸特性。
[0068]多個(gè)歐姆接觸163和165設(shè)置在半導(dǎo)體154a和154b上。歐姆接觸163和165在第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b上設(shè)置為例如一對(duì)同時(shí)相對(duì)于第一柵電極124a和第二柵電極124b分別彼此面對(duì)。歐姆接觸163和165可以由例如重?fù)诫s有N型雜質(zhì)諸如磷的η十氫化的a-Si制成，或者它們可以由硅化物制成。然而，當(dāng)半導(dǎo)體154a和154b由氧化物半導(dǎo)體制成時(shí)，歐姆接觸163和165可以例如被省去。當(dāng)半導(dǎo)體154a和154b由氧化物半導(dǎo)體制成時(shí)，阻擋層和覆蓋層可以例如形成在半導(dǎo)體154a和154b上面和下面。
[0069]數(shù)據(jù)導(dǎo)體形成在歐姆接觸163和165上，該數(shù)據(jù)導(dǎo)體包括例如多條數(shù)據(jù)線171a和171b、多個(gè)漏電極175a和175b以及多條參考電壓線131。
[0070]傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線171a和171b例如主要在縱向方向上延伸，由此與柵線121a和121b相交。數(shù)據(jù)線171a和171b包括例如第一數(shù)據(jù)線171a和第二數(shù)據(jù)線171b，第一數(shù)據(jù)線171a和第二數(shù)據(jù)線171b設(shè)置為在二者之間插置有兩個(gè)像素電極191。第一數(shù)據(jù)線171a和第二數(shù)據(jù)線171b可以包括例如低電阻金屬。例如，第一數(shù)據(jù)線171a和第二數(shù)據(jù)線171b可以包括含銅的金屬諸如銅(Cu)或銅合金、含鋁的金屬諸如鋁(Al)或鋁合金(例如，鋁釹)、含銀的金屬諸如銀(Ag)或銀合金、或者含金的合金諸如金(Au)或金合金及其任何混合物。
[0071]例如，對(duì)于兩個(gè)像素列，第一數(shù)據(jù)線171a和第二數(shù)據(jù)線171b的每個(gè)一個(gè)接一個(gè)地設(shè)置，第一數(shù)據(jù)線171a和第二數(shù)據(jù)線171b根據(jù)像素列交替地連接到設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線171a和第二數(shù)據(jù)線171b的左側(cè)和右側(cè)的像素電極191。如所述的，第一數(shù)據(jù)線171a和第二數(shù)據(jù)線171b根據(jù)像素列分別連接到設(shè)置在兩個(gè)像素列的兩個(gè)像素電極191，由此施加數(shù)據(jù)電壓，使得第一數(shù)據(jù)線171a和第二數(shù)據(jù)線171b的數(shù)量可以減少一半。因此，可以降低液晶顯示器的成本。
[0072]第一數(shù)據(jù)線171a包括例如朝向第一柵電極124a延伸的第一源電極173a，第二數(shù)據(jù)線171b包括例如朝向第二柵電極124b的第二源電極173b。
[0073]第一漏電極175a包括例如相對(duì)于第一柵電極124a面對(duì)第一源電極173a的一端和具有寬面積的另一端。
[0074]第二漏電極175b包括例如相對(duì)于第二柵電極124b面對(duì)第二源電極173b的一端和具有寬面積的另一端。
[0075]在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的情況下，第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191形成并且然后被柵極絕緣層140覆蓋，而數(shù)據(jù)導(dǎo)體形成在其上，從而可以防止在直接在數(shù)據(jù)導(dǎo)體上形成像素電極191時(shí)數(shù)據(jù)導(dǎo)體被第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191的蝕刻劑損壞。
[0076]參考電壓線131例如設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線171a與第二數(shù)據(jù)線171b之間，并且平行于第一數(shù)據(jù)線171a和第二數(shù)據(jù)線171b延伸。參考電壓線131包括例如多個(gè)擴(kuò)展部(expansion)135。
[0077]參考電壓線131的擴(kuò)展部135設(shè)置在例如第一柵線121a和第二柵線121b的縱向部分122a和122b之間。
[0078]如所述的，參考電壓線131的擴(kuò)展部135設(shè)置在第一柵線121a和第二柵線121的縱向部分122a和122b之間，從而可以減小由第一柵線121a和第二柵線121b以及參考電壓線131的擴(kuò)展部135所占的面積。
[0079]參考電壓線131設(shè)置在例如在像素行方向上與其相鄰設(shè)置的兩個(gè)像素區(qū)的兩個(gè)第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191之間，由此防止兩個(gè)第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191之間的光泄漏。
[0080]第一 /第二柵電極124a/124b、第一 /第二源電極173a/173b以及第一 /第二漏電極175a/175b與第一 /第二半導(dǎo)體154a/154b —起形成作為開關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)。除了薄膜晶體管的溝道區(qū)之外，第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b可以具有例如與第一數(shù)據(jù)線171a和第二數(shù)據(jù)線171b、第一漏電極175a和第二漏電極175b以及下面的歐姆接觸163和165相同的平面形狀。
[0081]鈍化層180設(shè)置在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171a、171b、175a、175b和131以及暴露的第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b上。例如，鈍化層180可以由例如無(wú)機(jī)絕緣材料或有機(jī)絕緣材料形成。例如，鈍化層180可以由無(wú)機(jī)絕緣材料諸如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiONx)或其任意組合形成。鈍化層180也可以由有機(jī)絕緣材料諸如例如苯并環(huán)丁烯(BCB )、全氟環(huán)丁燒(PFCB )、氟化的對(duì)二甲苯(fIuorinated para-xyIene )、丙烯酸樹脂或者彩色樹脂形成。例如，當(dāng)鈍化層180由有機(jī)材料制成時(shí)，鈍化層180可以是濾色器，在此情況下，設(shè)置在上面板200中的濾色器230可以被省去。此外，例如，當(dāng)鈍化層180是濾色器時(shí)，設(shè)置在上面板200中的光阻擋構(gòu)件220可以設(shè)置在下面板100中，在此情況下，設(shè)置在上面板200中的光阻擋構(gòu)件220可以被省去。
[0082]在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的情況下，鈍化層180形成在例如被柵極絕緣層140覆蓋的第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191上，使得可以防止在形成鈍化層180時(shí)根據(jù)由ITO制成的第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191的混濁(haze)現(xiàn)象引起的透光率劣化。[0083]鈍化層180具有例如暴露第一漏電極175a和第二漏電極175b的第一接觸孔183a，鈍化層180和柵極絕緣層140具有例如暴露第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191的一部分的第二接觸孔183b。鈍化層180具有例如暴露參考電壓線131的多個(gè)擴(kuò)展部135的一部分的第三接觸孔184。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器，第一接觸孔183a和第二接觸孔183b可以備選地形成為例如一個(gè)接觸孔。即，鈍化層180和柵極絕緣層140可以具有同時(shí)暴露第一漏電極175a和第二漏電極175b的部分以及第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191的部分的一個(gè)接觸孔。
[0084]在根據(jù)本示例性實(shí)施方式的液晶顯示器中，暴露參考電壓線131的第三接觸孔184例如不交疊第一柵線121a和第二柵線121b。如所述的，暴露參考電壓線131的第三接觸孔184從第一柵線121a和第二柵線121b離開，從而可以防止第一柵線121a和第二柵線121b與參考電壓線131由于在柵極絕緣層140中形成第三接觸孔184時(shí)可能產(chǎn)生的靜電穿透引起的短路。
[0085]此外，參考電壓線131的擴(kuò)展部135例如不交疊第一柵線121a和第二柵線121b，使得臺(tái)階不形成在參考電壓線131的擴(kuò)展部135上，并且使得第三接觸孔184可以根據(jù)位置對(duì)稱地形成有高度差。因此，可以提高參考電壓線131與第二場(chǎng)產(chǎn)生電極270通過(guò)第三接觸孔184的電連接的可靠性。
[0086]第二場(chǎng)產(chǎn)生電極270和連接構(gòu)件193形成在鈍化層180上。第二場(chǎng)產(chǎn)生電極270和連接構(gòu)件193可以由例如透明導(dǎo)電材料諸如銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、鋁摻雜的ZnO (ΑΖ0)、鎘鋅氧化物(CZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、其它適合材料或者以上材料的結(jié)合形成。
[0087]每個(gè)第二場(chǎng)產(chǎn)生電極270包括例如多個(gè)分支電極271，設(shè)置在相鄰像素中的第二場(chǎng)產(chǎn)生電極270通過(guò)連接部分272連接。
[0088]第二場(chǎng)產(chǎn)生電極270通過(guò)例如鈍化層180的第三接觸孔184物理地和電性地連接到參考電壓線131，由此接收參考電壓。
[0089]第二場(chǎng)產(chǎn)生電極270的多個(gè)分支電極271例如交疊具有板形狀的第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191。
[0090]連接構(gòu)件193例如覆蓋暴露第一和第二漏電極175a和175b的一部分的第一接觸孔183a和暴露第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191的一部分的第二接觸孔183b,使得第一漏電極175a和第二漏電極175b以及第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191物理地和電性地彼此連接。
[0091]第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191通過(guò)例如連接構(gòu)件193電連接到第一漏電極175a和第二漏電極175b，由此接收數(shù)據(jù)電壓。
[0092]施加有數(shù)據(jù)電壓的第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191與施加有公共電壓的第二場(chǎng)產(chǎn)生電極270一起形成電場(chǎng)用于液晶層3。S卩,第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191和第二場(chǎng)產(chǎn)生電極270在二者之間形成電場(chǎng)，該電場(chǎng)被施加至液晶層3。
[0093]在下文，將描述上面板200。
[0094]光阻擋構(gòu)件220形成在例如由透明玻璃、塑料或石英制成的第二絕緣基板210上。此外，在示例性實(shí)施方式中，玻璃可以包括例如鋼化玻璃。在示例性實(shí)施方式中，絕緣基板210可以由例如聚碳酸酯(PC)、聚酯(PET)、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)以及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中的一種形成。光阻擋構(gòu)件220被稱為例如黑矩陣并且用以防止光泄漏。[0095]多個(gè)濾色器230進(jìn)一步形成在第二基板210上。濾色器230例如主要存在于被光阻擋構(gòu)件220圍繞的區(qū)域中，并且可以在垂直方向上沿著像素電極191列延伸。每個(gè)濾色器230可以顯示基色諸如紅、綠、藍(lán)三基色中的一種?；氖纠梢园ɡ缂t、綠、藍(lán)或者黃、青、洋紅等的三基色。雖然沒(méi)有示出，但是濾色器可以進(jìn)一步包括例如顯示除了基色之外還顯示基色的混合色或者白色的濾色器。
[0096]外涂層(overcoat) 250形成在例如濾色器230和光阻擋構(gòu)件220上。外涂層250可以由例如(有機(jī))絕緣體制成。此外，外涂層250可以防止濾色器230被暴露，并且提供平坦的表面。例如，在示例性實(shí)施方式中，外涂層250可以由(有機(jī))絕緣體諸如例如丙烯酸樹月旨、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)樹脂、以及酚醛樹脂形成。備選地，在示例性實(shí)施方式中，外涂層250可以被省去。
[0097]第二配向?qū)?未示出)被涂覆在上面板200的內(nèi)表面上。
[0098]間隔物325設(shè)置在例如下面板100與上面板200之間。間隔物325設(shè)置在例如交疊信號(hào)線諸如第一柵線121a和第二柵線121b、參考電壓線131以及第一數(shù)據(jù)線171a和第二數(shù)據(jù)線171b的位置。在本示例性實(shí)施方式中，間隔物325位于例如交疊參考電壓線131的擴(kuò)展部325的區(qū)域中，但是備選地，間隔物325可以位于第二柵電極124b交疊第二數(shù)據(jù)線171b的區(qū)域中。然而，在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器中，間隔物325可以例如設(shè)置在交疊信號(hào)線諸如第一柵線121a和第二柵線121b、參考電壓線131以及第一數(shù)據(jù)線171a和第二數(shù)據(jù)線171b的位置。
[0099]因而，間隔物325設(shè)置在交疊信號(hào)線諸如第一柵線121a和第二柵線121b、參考電壓線131以及第一數(shù)據(jù)線171a和第二數(shù)據(jù)線171b的位置，使得在減小間隔物325的高度的同時(shí)可以保持所需的單元間隙。隨著間隔物325高度減小，間隔物325的寬度可以減小，從而用于覆蓋間隔物的光阻擋構(gòu)件的寬度可以變窄。因此，可以防止液晶顯示器的開口率減小。
[0100]插設(shè)在下面板100與上面板200之間的液晶層3包含液晶分子(未示出)，在沒(méi)有電場(chǎng)的情況下，液晶分子可以對(duì)準(zhǔn)而使得例如其長(zhǎng)軸平行于兩個(gè)顯示面板100和200的表面。
[0101]液晶層3可以具有正介電各向異性或負(fù)介電各向異性。液晶層3的液晶分子可以對(duì)準(zhǔn)為在預(yù)定方向上具有預(yù)傾斜，并且液晶分子的預(yù)傾斜方向可以根據(jù)液晶層3的介電各向異性而改變。
[0102]背光單元(未示出)可以被附加地包括在下面板100的第一基板110的外側(cè)，以產(chǎn)生光并且提供光至兩個(gè)顯示面板100和200。
[0103]被施加數(shù)據(jù)電壓的第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191與接收公共電壓的第二場(chǎng)產(chǎn)生電極270 —起在液晶層3中產(chǎn)生電場(chǎng)，由此確定液晶層3的液晶分子的取向并且顯示相應(yīng)的圖像。
[0104]如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器中，接觸第一柵線121a和第二柵線121b以及第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191的柵極絕緣層140的第一膜140a由具有高氮含量的硅氮化物(其通過(guò)FT-1R光譜儀測(cè)量的[N-H]/[S1-H]值為大約13至大約25)形成，由此在省去氫等離子體處理的同時(shí)防止低阻金屬諸如銅的隆起物。因此，可以防止包括銦的透明導(dǎo)體的混池物(haze )。
[0105]此外，柵極絕緣層140中的接觸第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b的第三膜140c由包括具有高氮含量的硅氮化物(其通過(guò)FT-1R光譜儀測(cè)量的[N-H]/[S1-Η]值為大約13至大約25)的硅氮化物層形成，使得柵極絕緣層140與第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b之間的接觸特性可以是良好的，由此防止了第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b的特性劣化。
[0106]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器，柵極絕緣層140具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括由具有高氮含量的硅氮化物制成的層和由具有高硅含量的硅氮化物制成的層。接觸第一柵線121a和第二柵線121b以及第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191的柵極絕緣層140的膜由具有高氮含量的硅氮化物(其通過(guò)FT-1R光譜儀測(cè)量的[N-H]/[S1-H]值為大約13至大約25)形成，由此在省去氫等離子體處理的同時(shí)防止低阻金屬諸如銅的隆起物。因此，可以防止包括銦的透明導(dǎo)體的混濁物。此外，接觸第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b的柵極絕緣層140的膜由具有高氮含量的硅氮化物(其通過(guò)FT-1R光譜儀測(cè)量的[N-H]/[S1-H]值為大約13至大約25)形成，使得柵極絕緣層140與第一半導(dǎo)體I54a和第二半導(dǎo)體154b之間的接觸特性可以是良好的，由此防止第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b的特性劣化。
[0107]接下來(lái)，參照?qǐng)D3，將描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的柵極絕緣層140中的氮和硅的含量。圖3為示出在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)驗(yàn)性示例中的FT-1R光譜儀測(cè)量的結(jié)果的圖示。
[0108]在本實(shí)驗(yàn)性不例中，具有聞氣含量的富N的娃氣化物和具有聞娃含量的富Si的娃氮化物通過(guò)使用FT-1R光譜儀來(lái)分析，以測(cè)量根據(jù)波長(zhǎng)振動(dòng)的化學(xué)鍵的吸光率，其結(jié)果在圖3中示出。
[0109]振動(dòng)波長(zhǎng)為大約3300cm_l的波數(shù)的情況是氮和氫的化學(xué)鍵振動(dòng)的情況，振動(dòng)波長(zhǎng)為大約2200cm-l的波數(shù)的情況是硅和氫的化學(xué)鍵振動(dòng)的情況。
[0110]參照?qǐng)D3，在具有高氮含量的硅氮化物的情況下，可以確定硅和氫的鍵數(shù)[S1-H]小于氮和氫的鍵數(shù)[N-H]，其通過(guò)FT-1R光譜儀測(cè)量。特別地，在具有高氮含量的硅氮化物的情況下，氮和氫的鍵數(shù)[N-H]與硅和氫的鍵數(shù)[S1-Η]的比率在例如大約13至大約25的范圍內(nèi)。
[0111]此外，在具有高硅含量的硅氮化物的情況下，可以確定氮和氫的鍵數(shù)[N-H]小于硅和氫的鍵數(shù)[S1-Η]，其通過(guò)FT-1R光譜儀測(cè)量。特別地，在具有高硅含量的硅氮化物的情況下，氮和氫的鍵數(shù)[N-H]與硅和氫的鍵數(shù)[S1-Η]的比率在大約0.5至大約1.5的范圍內(nèi)。
[0112]接下來(lái)，將參照?qǐng)D4至圖9以及圖1和圖2描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的制造方法。圖4為在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的制造方法中液晶顯示器的布局圖，圖5為圖4的液晶顯示器的沿著線V-V截取的截面圖。圖6至圖9為順序地示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的制造方法的截面圖。
[0113]參照?qǐng)D4和圖5，在絕緣基板110上形成包括具有第一柵電極124a的第一柵線121a、具有第二柵電極124b的第二柵線121b的柵極導(dǎo)體121a、121b、122a、122b、124a和124b以及第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191之后，沉積包括第一膜140a、位于第一膜140a上的第二膜140b以及位于第二膜140b上的第三膜140c的柵極絕緣層140。這里，在沉積柵極絕緣層140之前，不執(zhí)行等離子體處理。
[0114]這將參照?qǐng)D6至圖9詳細(xì)描述。[0115]首先，如圖6所示，包括例如低電阻金屬的導(dǎo)體沉積在絕緣基板110上并且通過(guò)光刻被圖案化，以形成柵極導(dǎo)體121a、121b、122a、122b、124a和124b，透明導(dǎo)體諸如ITO (銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、ΑΖ0 (鋁摻雜的Zn0)、CZ0 (鎘鋅氧化物)和/或IGZO (銦鎵鋅氧化物)沉積并且通過(guò)例如光刻而被圖案化以形成第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191。包括低電阻金屬的導(dǎo)體可以包括例如含銅的金屬諸如銅(Cu)或銅合金、含鋁的金屬諸如鋁(Al)或鋁合金(例如，鋁釹)、含銀的金屬諸如銀(Ag)或銀合金、以及含金的合金諸如金(Au)或金合金中的至少一種。
[0116]接下來(lái)，沒(méi)有對(duì)包括柵極導(dǎo)體121a、121b、122a、122b、124a和124b和第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191的基板進(jìn)行等離子體處理，如圖7所示，由例如具有高氮含量的硅氮化物層制成的第一膜140a被沉積。此時(shí)，在包含氮的氣氛下通過(guò)例如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)以相對(duì)慢的沉積速率進(jìn)行沉積，從而可以沉積由具有高氮含量的硅氮化物層制成的第一膜140a。
[0117]此時(shí)，如果形成第一膜140a的具有高氮含量的硅氮化物通過(guò)例如FT-1R光譜儀被分析，則氮和氫的鍵數(shù)[N-H]與硅和氫的鍵數(shù)[S1-Η]的比率，S卩[N-H]/[S1-H]的值在大約13至大約25的范圍內(nèi)。具有高氮含量的硅氮化物具有高密度并且以慢的沉積速度沉積，但是防止了與低阻金屬層的不必要的鍵合，由此防止了柵極導(dǎo)體121a、121b、122a、122b、124a和124b的隆起物。
[0118]接下來(lái)，如圖8所示，沉積由具有高硅含量的硅氮化物層制成的第二膜140b。此時(shí)，在包含氮的氣氛下通過(guò)例如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)以相對(duì)快的沉積速率進(jìn)行沉積，從而可以沉積由具有高硅含量的硅氮化物層制成的第二膜140b。此時(shí)，如果形成第二膜140b的具有高硅含量的硅氮化物通過(guò)FT-1R光譜儀被分析，則氮和氫的鍵數(shù)[N-H]與硅和氫的鍵數(shù)[S1-Η]的比率，S卩[N-H]/[S1-Η]的值在大約0.5至大約1.5的范圍內(nèi)。具有高硅含量的硅氮化物層具有低密度并且以快的沉積速度沉積，使得具有所需厚度的膜可以相對(duì)快速地沉積。
[0119]接下來(lái)，如圖9所示，沉積由具有高氮含量的硅氮化物層制成的第三膜140c。此時(shí)，在包含氮的氣氛下通過(guò)例如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)以相對(duì)慢的沉積速率進(jìn)行沉積，從而可以沉積由具有高氮含量的硅氮化物層制成的第三膜140c。
[0120]此外，如果形成第三膜140c的具有高氮含量的硅氮化物通過(guò)FT-1R光譜儀分析，則氮和氫的鍵數(shù)[N-H]與硅和氫的鍵數(shù)[S1-Η]的比率，S卩[N-H]/[S1-H]的值在大約13至大約25的范圍內(nèi)。
[0121]在根據(jù)本示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的制造方法中，柵極絕緣層140可以是例如單層或者多層，在該多層中由具有高氮含量的(富N)硅氮化物制成的膜開始并且由具有高氮含量的(富N)的硅氮化物制成的膜結(jié)束。
[0122]例如，在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的制造方法中，柵極絕緣層140通過(guò)沉積由具有高氮含量的富N的硅氮化物制成的第一膜140a、在第一膜140a上的由具有高硅含量的富Si的硅氮化物制成的第二膜140b以及在第二膜140b上的由具有高氮含量的富N的硅氮化物制成的第三膜140c而形成。
[0123]然而，在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的制造方法中，柵極絕緣層140可以通過(guò)順序地沉積由具有高氮含量的富N的硅氮化物(SiNx)制成的第一膜、由具有高硅含量的富Si的硅氮化物制成的第二膜、由具有高氮含量的富N的硅氮化物(SiNx)制成的第三膜、由具有高硅含量的富Si的硅氮化物制成的第四膜、以及由具有高氮含量的富N的硅氮化物(SiNx)制成的第五膜而形成。
[0124]此外，在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的制造方法中，柵極絕緣層140可以通過(guò)例如順序地沉積由具有高氮含量的富N的硅氮化物(SiNx)制成的第一膜、由具有高硅含量的富Si的硅氮化物制成的第二膜、由具有高氮含量的富N的硅氮化物(SiNx)制成的第三膜、由具有高氮含量的富N的硅氮化物(SiNx)制成的第四膜、由具有高硅含量的富Si的硅氮化物制成的第五膜、以及由具有高氮含量的富N的硅氮化物(SiNx)制成的第六膜而形成。
[0125]接下來(lái)，如圖1和圖2所示，第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b、歐姆接觸163和165、包括第一數(shù)據(jù)線171a和第二數(shù)據(jù)線171b、第一漏電極175a和第二漏電極175b以及多條參考電壓線131的數(shù)據(jù)導(dǎo)體、鈍化層180以及第二場(chǎng)產(chǎn)生電極270形成在由具有高氮含量的硅氮化物制成的第三膜140c上，以完成下面板100。
[0126]位于第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b上的柵極絕緣層140的第三膜140c由具有高氮含量的硅氮化物層形成，使得第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b與柵極絕緣層140的接觸特性是優(yōu)良的。
[0127]接下來(lái)，上面板200被形成，并且液晶層3被注入在下面板100與上面板200之間以完成液晶顯示器。
[0128]如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的制造方法中，柵極絕緣層140中的接觸第一柵線121a和第二柵線121b以及第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191的第一膜140a由具有高氮含量的硅氮化物(其通過(guò)FT-1R光譜儀測(cè)量的氮和氫的鍵數(shù)[N-H]與硅和氫的鍵數(shù)[S1-Η]的比率的值為大約13至大約25)形成，由此在省去氫等離子體處理的同時(shí)防止了低電阻金屬諸如銅的隆起物。因此，可以防止包括銦的透明導(dǎo)體的混濁物。
[0129]此外，柵極絕緣層140中的接觸第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b的第三膜140c由具有高氮含量的硅氮化物(其通過(guò)FT-1R光譜儀測(cè)量的[N-H]/[S1-H]的值為大約13至大約25)形成，使得柵極絕緣層140與第一半導(dǎo)體I54a和第二半導(dǎo)體154b之間的接觸特性是良好的，由此防止了第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b的特性劣化。
[0130]如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的制造方法中，柵極絕緣層140具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括由具有高氮含量的硅氮化物制成的層和由具有高硅含量的硅氮化物制成的層，柵極絕緣層140中的接觸第一柵線121a和第二柵線121b以及第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191的膜由具有高氮含量的硅氮化物(其通過(guò)FT-1R光譜儀測(cè)量的[N-H]/[S1-Η]的值為大約13至大約25)形成，由此在省去氫等離子體處理的同時(shí)防止了低阻金屬諸如例如銅的隆起物。因此，可以防止包括例如銦的透明導(dǎo)體的混濁物。此外，柵極絕緣層140中的接觸第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b的膜由具有高氮含量的硅氮化物(其通過(guò)FT-1R光譜儀測(cè)量的[N-H]/[S1-H]的值為大約13至大約25)形成，使得柵極絕緣層140與第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b之間的接觸特性是良好的，由此防止第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b的特性劣化。
[0131]接下來(lái)，將參照?qǐng)D10和圖11描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器。圖10為根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的布局圖，圖11為圖10的液晶顯示器的沿著線X1-XI截取的截面圖。
[0132]參照?qǐng)D10和圖11，根據(jù)本示例性實(shí)施方式的液晶顯示器類似于圖1和圖2所示的液晶顯示器。將省略相同元件的詳細(xì)描述。
[0133]然而，不同于圖1和圖2所示的液晶顯示器，根據(jù)本示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的下面板100包括由單一膜形成的柵極絕緣層140’。
[0134]根據(jù)本示例性實(shí)施方式的柵極絕緣層140’由具有高氮含量的富N的硅氮化物(SiNx)制成，如同圖1和圖2的液晶顯示器的柵極絕緣層140的第一膜140a。如果柵極絕緣層140’通過(guò)FT-1R光譜儀來(lái)分析，對(duì)于氮和氫的鍵數(shù)[N-H]與硅和氫的鍵數(shù)[Si_H]的比率，[N-H]/[S1-Η]的值在例如大約13至大約25的范圍內(nèi)。
[0135]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器，接觸第一柵線121a和第二柵線121b以及第一場(chǎng)產(chǎn)生電極191的柵極絕緣層140’由具有高氮含量的硅氮化物(其通過(guò)FT-1R光譜儀測(cè)量的[N-H]/[S1-H]的值為大約13至大約25)形成，由此在省去氫等離子體處理的同時(shí)防止了低阻金屬諸如銅的隆起物。因此，可以防止包括銦的透明導(dǎo)體的混濁物。
[0136]此外，接觸第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b的柵極絕緣層140’由具有高氮含量的硅氮化物(其通過(guò)FT-1R光譜儀測(cè)量的[N-H]/[S1-H]的值為大約13至大約25)形成，使得柵極絕緣層140’與第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b之間的接觸特性提高，由此防止第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b的特性劣化。
[0137]根據(jù)圖1至圖2的液晶顯示器的許多特性可以應(yīng)用于根據(jù)本示例性實(shí)施方式的液晶顯不器。
[0138]接下來(lái)，將參照?qǐng)D12 (a)至圖12 (b)描述根據(jù)實(shí)驗(yàn)性示例的液晶顯示器中柵極導(dǎo)體的隆起物和第一場(chǎng)產(chǎn)生電極的混濁物。圖12 (a)為示出在根據(jù)傳統(tǒng)的液晶顯示器的實(shí)驗(yàn)性示例中用于測(cè)量像素的一部分的電子顯微鏡照片的視圖。圖12 (b)為示出在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的實(shí)驗(yàn)性示例中用于測(cè)量像素的一部分的電子顯微鏡照片的視圖。
[0139]在本實(shí)驗(yàn)性示例中，如同傳統(tǒng)的液晶顯示器和傳統(tǒng)的液晶顯示器的制造方法，形成由低電阻導(dǎo)體制成的柵極導(dǎo)體和由透明導(dǎo)體制成的第一場(chǎng)產(chǎn)生電極，然后進(jìn)行氫等離子體處理。沉積由硅氮化物制成的柵極絕緣層，然后以電子顯微鏡測(cè)量其表面，并且在圖12Ca)中示出。
[0140]此外，在本實(shí)驗(yàn)性示例中，如同根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器和液晶顯示器的制造方法，在形成由低電阻導(dǎo)體制成的柵極導(dǎo)體和由透明導(dǎo)體制成的第一場(chǎng)產(chǎn)生電極之后，沒(méi)有氫等離子體處理，沉積由具有高氮含量的硅氮化物(具體地，其通過(guò)FT-1R光譜儀測(cè)量的[N-H]/[S1-H]的值為大約13至大約25)制成的柵極絕緣層，然后以電子顯微鏡測(cè)量其表面，結(jié)果在圖12 (b)中示出。
[0141]參照?qǐng)D12 (b)，如同根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器和液晶顯示器的制造方法，在不用氫等離子體處理形成由低電阻導(dǎo)體制成的柵極導(dǎo)體和由透明導(dǎo)體制成的第一場(chǎng)產(chǎn)生電極的情況下，沉積由具有高氮含量的硅氮化物制成的柵極絕緣層，可以確定低電阻導(dǎo)體的隆起物和混濁物沒(méi)有產(chǎn)生，如圖12 (b)所示。
[0142]相反，如同傳統(tǒng)的液晶顯示器和該液晶顯示器的制造方法，當(dāng)形成由低電阻導(dǎo)體制成的柵極導(dǎo)體和由透明導(dǎo)體制成的第一場(chǎng)產(chǎn)生電極并進(jìn)行氫等離子體處理，然后沉積由硅氮化物制成的柵極絕緣層時(shí)，可以確定低阻導(dǎo)體的隆起物和混濁物嚴(yán)重產(chǎn)生，如圖12(a)所示。
[0143]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器和液晶顯示器的制造方法中，在不用氫等離子體處理形成由低電阻導(dǎo)體制成的柵極導(dǎo)體和由透明導(dǎo)體制成的第一場(chǎng)產(chǎn)生電極之后，沉積由具有高氮含量的硅氮化物(具體地，其通過(guò)FT-1R光譜儀測(cè)量的[N-H]/[S1-Η]的值為大約13至大約25)制成的柵極絕緣層，由此在省去氫等離子體處理的同時(shí)防止了低阻金屬諸如銅的隆起物，并且防止了包括銦的透明導(dǎo)體的混濁物。
[0144]在上述示例性實(shí)施方式中，已經(jīng)描述了彼此交疊的兩個(gè)場(chǎng)產(chǎn)生電極中的任一個(gè)(即，第一和第二場(chǎng)產(chǎn)生電極中的任一個(gè))具有板形狀，而另一個(gè)具有分支形式。然而，本發(fā)明的示例性實(shí)施方式不限于此，而是可以應(yīng)用于在一個(gè)陣列面板中具有兩個(gè)場(chǎng)產(chǎn)生電極的所有類型的薄膜晶體管陣列面板。
[0145]已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，進(jìn)一步注意到，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言清楚明顯的是，可以進(jìn)行各種修改而不背離由權(quán)利要求的界限和范圍限定的本發(fā)明的精神和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種液晶顯示器，包括: 絕緣基板； 柵線，設(shè)置在所述絕緣基板上； 第一場(chǎng)產(chǎn)生電極，設(shè)置在所述絕緣基板上； 柵極絕緣層，設(shè)置在所述柵線和所述第一場(chǎng)產(chǎn)生電極上； 半導(dǎo)體，設(shè)置在所述柵極絕緣層上；以及 數(shù)據(jù)線，設(shè)置在所述柵極絕緣層上， 其中所述柵極絕緣層的[N-H]/[S1-H]的值在13至25的范圍內(nèi)，其中[N-H]/[Si_H]的值表示根據(jù)FT-1R光譜儀的分析的氮和氫的鍵數(shù)[N-H]與硅和氫的鍵數(shù)[S1-Η]的比率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中所述柵極絕緣層包括接觸所述柵線和所述第一場(chǎng)產(chǎn)生電極的第一膜、設(shè)置在所述第一膜上的第二膜以及設(shè)置在所述第二膜上的第三膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中所述半導(dǎo)體接觸所述第三膜，以及 其中所述第一膜的[N-H]/[S1-Η]的值在13至25的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示器，其中 所述柵極絕緣層的所述第二膜的[N-H]/[S1-H]的值在0.5至1.5的范圍內(nèi)。`
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中 所述柵極絕緣層為單層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中所述柵線由低電阻金屬制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中所述第一場(chǎng)產(chǎn)生電極由包括銦的透明導(dǎo)體制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括: 第二場(chǎng)產(chǎn)生電極，設(shè)置在所述基板上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示器，其中所述第二場(chǎng)產(chǎn)生電極經(jīng)由絕緣層交疊所述第一場(chǎng)產(chǎn)生電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示器，其中所述第一場(chǎng)產(chǎn)生電極和所述第二場(chǎng)產(chǎn)生電極中的至少一個(gè)具有多個(gè)分支電極。
11.一種液晶顯示器的制造方法，包括: 在絕緣基板上形成柵線； 在所述絕緣基板上形成第一場(chǎng)產(chǎn)生電極； 在所述柵線和所述第一場(chǎng)產(chǎn)生電極上沉積具有13至25的[N-H]/[S1-Η]的值的柵極絕緣層，其中[N-H]/[S1-H]的值表示根據(jù)FT-1R光譜儀的分析的氮和氫的鍵數(shù)[N-H]與硅和氫的鍵數(shù)[S1-Η]的比率； 在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體；以及 在所述柵極絕緣層上形成數(shù)據(jù)線。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中形成所述柵極絕緣層包括: 在包含氮的氣氛下通過(guò)以慢的沉積速度沉積硅氮化物層而沉積具有高氮含量的富N的硅氮化物。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中在形成所述柵極絕緣層之前，沒(méi)有進(jìn)行等離子體處理。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中形成所述柵極絕緣層包括: 沉積接觸所述柵線和所述第一場(chǎng)產(chǎn)生電極的第一膜； 在所述第一膜上沉積第二膜；以及 在所述第二膜上沉積第三膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中沉積所述第一膜和沉積所述第三膜包括: 在包含氮的氣氛下通過(guò)以慢的沉積速度沉積硅氮化物層而沉積具有高氮含量的富氮的硅氮化物。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中沉積所述第二膜包括: 在包含氮的氣氛下通過(guò)以快的沉積速度沉積硅氮化物層而沉積具有高硅含量的富硅的硅氮化物。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中形成所述半導(dǎo)體包括: 在所述第三膜上形成所述半導(dǎo)體，以及 具有13至25的[N-H]/[S1-H]的值的硅氮化物在所述第三膜的沉積期間被沉積。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中沉積所述第二膜包括沉積具有0.5至1.5的[N-H]/[S1-Η]的值的硅氮化物。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中形成所述柵極絕緣層包括:作為單層沉積具有13至25的[N-H ]/[S1-Η]的值的硅氮化物。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中形成所述柵線包括:沉積低電阻金屬層。
21.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中形成所述第一場(chǎng)產(chǎn)生電極包括:沉積包括銦的透明導(dǎo)體。
22.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括: 在所述基板上形成第二場(chǎng)產(chǎn)生電極。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中形成所述第二場(chǎng)產(chǎn)生電極包括:形成經(jīng)由絕緣層交疊所述第一場(chǎng)產(chǎn)生電極的所述第二場(chǎng)產(chǎn)生電極。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中所述第一場(chǎng)產(chǎn)生電極和所述第二場(chǎng)產(chǎn)生電極中的至少一個(gè)形成有多個(gè)分支電極。
【文檔編號(hào)】G02F1/1333GK103869524SQ201310683240
【公開日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2013年12月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月13日
【發(fā)明者】趙正然, 金昌玉 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司