一種陣列基板、顯示面板及顯示器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板、顯示面板及顯示器，在陣列基板上的柵極線和總線的第一交疊區(qū)域至顯示區(qū)域之間設(shè)置有輔助電極線段，輔助電極線段與柵極線在第二交疊區(qū)域交疊且與柵極線和總線均絕緣，且輔助電極線段與所述總線位于同一導(dǎo)電層，或者，輔助電極線段位于總線所在導(dǎo)電層與柵極線所在導(dǎo)電層之間。通過形成輔助電極線段，使得在制作陣列基板的過程中柵極線和輔助電極線段之間發(fā)生靜電擊傷，而釋放柵極線上的靜電，最大程度的降低柵極線和總線發(fā)生靜電擊傷而短路的幾率，進(jìn)而提高產(chǎn)品的良率。
【專利說明】一種陣列基板、顯示面板及顯示器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及靜電防護(hù)【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地說，涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示器的靜電防護(hù)。
【背景技術(shù)】
[0002]TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)具有體積小、低功耗、無輻射等優(yōu)點，在當(dāng)前顯示器市場占據(jù)了主導(dǎo)地位，其被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電視、電腦等電子產(chǎn)品中。
[0003]薄膜晶體管液晶顯示器主要包括陣列基板、液晶層和彩膜基板，液晶層設(shè)置于陣列基板和彩膜基板之間，通過在陣列基板和彩膜基板上施加電壓，控制液晶層的液晶分子的長軸轉(zhuǎn)向，從而控制透過液晶層的光線的多少，達(dá)到調(diào)節(jié)通過液晶層的光強(qiáng)的目的。
[0004]參考圖1所示，為現(xiàn)有的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，陣列基板包括非顯示區(qū)域100和顯示區(qū)域200,非顯示區(qū)域100包圍顯示區(qū)域200。顯示區(qū)域200內(nèi)包括多個柵極線201,柵極線201延伸排布至非顯示區(qū)域100，并與非顯示區(qū)域100內(nèi)的柵極驅(qū)動電路102電性相連，在非顯示區(qū)域100靠近顯示區(qū)域200的一側(cè)邊緣包括總線101，柵極線201與總線101交疊且在交疊區(qū)域內(nèi)電性絕緣。
[0005]陣列基板通常是在一個大玻璃基板上形成各功能層，而后將大玻璃基板切割后獲得多個陣列基板，但是現(xiàn)有的陣列基板在制作過程中存在各種問題，導(dǎo)致良率很低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]有鑒于此，本發(fā)明提供一種陣列基板、顯示面板及顯示器，通過在總線和顯示區(qū)域之間形成輔助電極線段，能降低總線和柵極線之間發(fā)生靜電擊傷的幾率，從而提高產(chǎn)品良率。
[0007]一種陣列基板，包括非顯示區(qū)域和顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包圍顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域內(nèi)包括多個柵極線，所述非顯示區(qū)域內(nèi)包括一總線，所述柵極線延伸排布至所述非顯示區(qū)域，并與所述非顯示區(qū)域內(nèi)的柵極驅(qū)動電路電性相連，每個所述柵極線與所述總線在第一交疊區(qū)域內(nèi)交疊且在所述第一交疊區(qū)域內(nèi)電性絕緣，所述陣列基板還包括:位于所述總線與所述顯示區(qū)域之間的多個輔助電極線段，所述輔助電極線段與所述總線位于同一導(dǎo)電層或位于所述總線所在的導(dǎo)電層與所述柵極線所在的導(dǎo)電層之間，且多個所述輔助電極線段之間電性絕緣，每個所述柵極線對應(yīng)與一個所述輔助電極線段交疊并形成第二交疊區(qū)域，且所述柵極線與所述輔助電極線段互為電性絕緣。
[0008]一種顯示面板，包括上述陣列基板。
[0009]一種顯示器,包括上述的顯示面板。
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點:
[0011]本發(fā)明所提供的陣列基板、顯示面板及顯示器，在陣列基板上的柵極線和總線的第一交疊區(qū)域至顯示區(qū)域之間設(shè)置有輔助電極線段，輔助電極線段與柵極線在第二交疊區(qū)域交疊且與柵極線和總線均絕緣，且輔助電極線段與所述總線位于同一導(dǎo)電層，或者，輔助電極線段位于總線所在導(dǎo)電層與柵極線所在導(dǎo)電層之間。通過形成輔助電極線段，使得在制作陣列基板的過程中柵極線和輔助電極線段之間發(fā)生靜電擊傷，而釋放柵極線上的靜電，最大程度的降低柵極線和總線發(fā)生靜電擊傷而短路的幾率，進(jìn)而提高產(chǎn)品的良率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0013]圖1為現(xiàn)有的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0014]圖2a為本申請實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2b為本申請實施例提供的一種靜電聚集釋放示意圖；
[0016]圖3a為本申請實施例提供的一種相鄰兩個輔助電極線段所在區(qū)域以內(nèi)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖3b為本申請實施例提供的另一種相鄰兩個輔助電極線段所在區(qū)域以內(nèi)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖4a為本申請實施例提供的另一種相鄰兩個輔助電極線段所在區(qū)域以內(nèi)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖4b為本申請實施例提供的另一種相鄰兩個輔助電極線段所在區(qū)域以內(nèi)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖5為本申請實施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0021]正如【背景技術(shù)】所述，現(xiàn)有制作陣列基板的良率低，發(fā)明人經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，造成這種缺陷的原因主要有柵極線與總線在交疊區(qū)域發(fā)生靜電擊穿，導(dǎo)致柵極線與總線之間短路。
[0022]具體的，在制作陣列基板的過程中，制作完畢的柵極線和總線之間具有交疊區(qū)域，由于柵極線和總線均在制作陣列基板的過程中積累靜電，當(dāng)靜電積累到一定程度后，可能會在兩者的交疊區(qū)域發(fā)生靜電擊穿，進(jìn)而破壞了該交疊區(qū)域的結(jié)構(gòu)，使總線和柵極線之間電性導(dǎo)通。尤其是在非顯示區(qū)域靠近顯示區(qū)域的一側(cè)邊緣與顯示區(qū)域之間的總線，該總線極易與柵極線發(fā)生靜電擊穿，降低了陣列基板的良率。
[0023]本發(fā)明提供了一種陣列基板，以克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，包括非顯示區(qū)域和顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包圍顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域內(nèi)包括多個柵極線，所述非顯示區(qū)域內(nèi)包括一總線，所述柵極線延伸排布至所述非顯示區(qū)域，并與所述非顯示區(qū)域內(nèi)的柵極驅(qū)動電路電性相連，每個所述柵極線與所述總線在第一交疊區(qū)域內(nèi)交疊且在所述第一交疊區(qū)域內(nèi)電性絕緣，所述陣列基板還包括:
[0024]位于所述總線與所述顯示區(qū)域之間的多個輔助電極線段，所述輔助電極線段與所述總線位于同一導(dǎo)電層或位于所述總線所在的導(dǎo)電層與所述柵極線所在的導(dǎo)電層之間，且多個所述輔助電極線段之間電性絕緣，每個所述柵極線對應(yīng)與一個所述輔助電極線段交疊并形成第二交疊區(qū)域，且所述柵極線與所述輔助電極線段互為電性絕緣。
[0025]由上述方案可以看出，通過形成輔助電極線段，使得在制作陣列基板的過程中柵極線和輔助電極線段之間發(fā)生靜電擊傷，而釋放柵極線上的靜電，最大程度的降低柵極線和總線發(fā)生靜電擊傷而短路的幾率，進(jìn)而提聞廣品的良率。
[0026]以上是本發(fā)明的核心思想，為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細(xì)的說明。
[0027]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。
[0028]其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0029]本申請實施例提供的一種陣列基板，參考圖2a所示，為本申請實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，陣列基板包括:
[0030]非顯示區(qū)域I和顯示區(qū)域2,非顯示區(qū)域I包圍顯示區(qū)域2。
[0031]非顯示區(qū)域I內(nèi)包括有一總線11 ；
[0032]顯示區(qū)域2包括多個柵極線21 ；
[0033]其中，柵極線21延伸排布至非顯示區(qū)域1，并與非顯示區(qū)域I內(nèi)的柵極驅(qū)動電路13電性相連，每個柵極線21與該總線11在第一交疊區(qū)域A內(nèi)交疊，且在第一交疊區(qū)域A內(nèi)電性絕緣。在陣列基板的非顯示區(qū)域I內(nèi)還包括多個輔助電極線段12，且優(yōu)選的可以位于非顯示區(qū)域I的總線11和顯示區(qū)域2之間。其中，輔助電極線段12與總線11可以位于同一導(dǎo)電層，或者，輔助電極線段12也可以位于總線11所在的導(dǎo)電層與柵極線21所在的導(dǎo)電層之間，且優(yōu)選的，輔助電極線段12的延伸方向與總線11的延伸方向相同，輔助電極線段12與總線11電性絕緣。多個輔助電極線段12之間電性絕緣，每個柵極線21對應(yīng)與一個輔助電極線段12交疊并形成第二交疊區(qū)域B，且在每一個第二交疊區(qū)域B內(nèi)，柵極線21與輔助電極線段12互為電性絕緣。
[0034]在上述陣列基板上，所述輔助電極線段的作用是為了與柵極線發(fā)生靜電擊傷，也就是所述說輔助電極線段的作用就是使柵極線上的靜電得到釋放。參考圖2b所示，為靜電聚集釋放示意圖，其中箭頭多少用于表示靜電量的大小，箭頭多表示靜電量大。在制作陣列基板的過程中，總線11和柵極線21具有不同電性的靜電，并且由于多個輔助電極線段12與總線11極為靠近，因此輔助電極線段12與總線11具有相同電性的靜電。當(dāng)靜電積累到一定程度時，柵極線21、總線11和輔助電極線段12上的靜電將在各自的交疊區(qū)域發(fā)生聚集，最終發(fā)生靜電釋放。但是在聚集的過程中，輔助電極線段12位于柵極線21上靜電聚集的流向源和總線11之間，而且總線11和輔助電極線段12之間的柵極線極短，因此柵極線21和輔助電極線段12之間更容易發(fā)生靜電擊傷，從而釋放柵極線21上的靜電，避免柵極線與總線之間形成靜電擊傷。
[0035]由上述原因可以得知，只有柵極線上的靜電快速而且大量釋放于柵極線和輔助電極線段之間時，才能避免制作陣列基板過程中柵極線與總線之間發(fā)生靜電擊傷現(xiàn)象?；谏鲜瞿康?，需要盡可能的提高輔助電極線段和柵極線之間發(fā)生靜電擊傷的幾率。由于輔助電極線段積累的靜電越多，在輔助電極線段與柵極線之間發(fā)生靜電擊傷的幾率越大。因此在維持陣列基板上的版圖不變的情況下，對于輔助電極線段本身來說，在制作輔助電極線段時，可以通過增輔助電極線段的厚度、擴(kuò)大輔助電極線段的面積等設(shè)計來提高輔助電極線段的靜電積累量，進(jìn)而提高輔助電極線段和柵極線之間發(fā)生靜電擊傷的幾率，以保護(hù)所述總線不被靜電擊傷。
[0036]例如，對于擴(kuò)大輔助電極線段的面積，可以對制作輔助電極線段的方法流程進(jìn)行優(yōu)化。首先形成整條輔助電極線，直至制作陣列基板上的鈍化層時，通過刻蝕過孔露出部分整條輔助電極線的表面，采用刻蝕工藝將裸露部分的輔助電極線斷開，從而形成多個輔助電極線段。相對于多個輔助電極電段，整條輔助電極線遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于輔助電極線段的面積，因此柵極線更容易與輔助電極線發(fā)生靜電擊傷而釋放靜電，并且在最后將整條輔助電極線刻蝕多段形成輔助電極線段，避免多個柵極線與整條輔助電極線發(fā)生靜電傷，而導(dǎo)致多個柵極線之間短路。
[0037]進(jìn)一步的，對于輔助電極線段和柵極線之間的交疊區(qū)域來說，可以將柵極線在交疊區(qū)域的部分做寬，使柵極線和輔助電極線段之間的交疊區(qū)域面積增大，進(jìn)而提高柵極線與輔助電極線段之間發(fā)生靜電擊傷的幾率。
[0038]需要說明的是，對于上述提高柵極線和輔助電極線段之間發(fā)生靜電擊傷的幾率的設(shè)計并不做限定，需要根據(jù)實際情況進(jìn)行設(shè)計。
[0039]在上述陣列基板中，對于輔助電極線段的位置可以與總線位于同一導(dǎo)電層，也可以位于總線所在導(dǎo)電層和柵極線所在的導(dǎo)電層之間，兩種情況需要根據(jù)不同的需要進(jìn)行選擇:
[0040]基于陣列基板的制作工藝、制作流程等因素的考慮，將輔助電極線段形成于總線所在的導(dǎo)電層。由于輔助電極線段與總線位于同一導(dǎo)電層，因此在制作陣列基板的過程中，只需更換制作總線所在導(dǎo)電層的掩膜板即可，制作工藝簡單，并且無需增加新的工序。
[0041]對于輔助電極線段位于總線所在導(dǎo)電層和柵極線所在的導(dǎo)電層之間這種情況，雖然需要形成新的導(dǎo)電層，但是制作輔助電極線段時的限制小，可以制作不同的厚度和不同的面積。需要注意的是輔助電極線段所覆蓋區(qū)域不能與總線所覆蓋區(qū)域有所交疊，以免柵極線和總線均與輔助電極線段發(fā)生靜電擊傷，導(dǎo)致柵極線和總線短路。
[0042]本申請實施例優(yōu)選的輔助電極線段和總線位于同一導(dǎo)電層。并且在制作輔助電極線段的過程中，首先形成整條輔助電極線，直至在形成陣列基板的鈍化層后，通過在整條輔助電極線所在的區(qū)域上刻蝕過孔，并采用刻蝕工藝將整條輔助電極線裸露的部分?jǐn)嚅_，形成多個輔助電極線段。
[0043]下面對本申請實施例提供的陣列基板上所述輔助電極線段所在區(qū)域內(nèi)的膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行具體的描述，參考圖3a?4b。
[0044]參考圖3a所示，為本申請實施例提供的一種相鄰兩個輔助電極線段所在區(qū)域以內(nèi)的結(jié)構(gòu)示意圖，即圖2a中C區(qū)域沿輔助電極線段延伸方向的切面圖。
[0045]結(jié)合參考圖3a，在所述輔助電極線段所在區(qū)域內(nèi)，所述陣列基板沿透光方向依次包括:
[0046]透明基板31，透明基板可以為玻璃基板或樹脂基板；
[0047]位于所述透明基板31表面上的所述輔助電極線段12 ；[0048]覆蓋所述輔助電極線段12的柵極絕緣層32 ；
[0049]位于所述柵極絕緣層32表面上的所述柵極線21 ；
[0050]覆蓋所述柵極線21表面的鈍化層33。
[0051]此外，參考圖3b所示，為本申請實施例提供的另一種相鄰兩個輔助電極線段所在區(qū)域以內(nèi)的結(jié)構(gòu)示意圖，即圖2a中C區(qū)域沿輔助電極線段延伸方向的切面圖。圖3b中結(jié)構(gòu)與圖3a中結(jié)構(gòu)大部分相同，只是在位于所述柵極絕緣層32與所述柵極線21之間還包括:位于所述柵極絕緣層32表面的非晶硅層34，所述柵極線21位于所述非晶硅層34的表面。
[0052]其中，由于本申請實施例提供的輔助電極線段12為由整條輔助電極線在陣列基板上形成鈍化層后刻蝕斷開而形成，因此在圖3a和3b中相鄰兩個第二交疊區(qū)域之間包括一過孔D。過孔D將兩個輔助電極線段12隔開，避免兩個輔助電極線段12之間電性連接。
[0053]上述圖3a和3b中提供的兩種陣列基板的結(jié)構(gòu)中，所述輔助電極線段與所述柵極線之間包括所述柵極絕緣層一層結(jié)構(gòu)，也可以為所述柵極絕緣層和所述非晶硅層兩層結(jié)構(gòu)。由于所述柵極線和所述輔助電極線段之間的其他膜層厚度越小，則兩者之間發(fā)生靜電擊穿的幾率越大，發(fā)生靜電擊穿的阻力越小，越能避免所述總線和柵極線之間被靜電擊傷。因此更為優(yōu)選的是所述輔助電極線段與所述柵極線之間只包括所述柵極絕緣層一種結(jié)構(gòu)。
[0054]參考圖4a所示，為本申請實施例提供的另一種相鄰兩個輔助電極線段所在以內(nèi)的結(jié)構(gòu)示意圖，即圖2a中C區(qū)域沿輔助電極線段延伸方向的切面圖。在所述輔助電極線段所在區(qū)域內(nèi)，所述陣列基板沿透光方向依次包括:
[0055]透明基板41，透明基板可以為玻璃基板或樹脂基板；
[0056]位于所述透明基板41表面上的所述柵極線21 ；
[0057]覆蓋所述柵極線21表面的柵極絕緣層42 ；
[0058]位于所述柵極絕緣層42表面上的所述輔助電極線段12 ；
[0059]覆蓋所述輔助電極線段12表面的鈍化層43。
[0060]可選的，如圖4b所示，為本申請實施例提供的另一種相鄰兩個輔助電極線段所在區(qū)域以內(nèi)的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4b中結(jié)構(gòu)與圖4a中結(jié)構(gòu)的大部分相同，只是位于所述柵極絕緣層42與所述輔助電極線段12之間還包括:位于所述柵極絕緣層42表面的非晶硅層44，所述輔助電極線段12位于所述非晶硅層44的表面。
[0061]其中，由于本申請實施例提供的輔助電極線段12為由整條輔助電極線在陣列基板上形成鈍化層后刻蝕斷開而形成，因此在圖4a和4b中相鄰兩個第二交疊區(qū)域之間包括一過孔D。過孔D將兩個輔助電極線段12隔開，避免兩個輔助電極線段12之間電性連接。
[0062]上述圖4a和4b中提供的兩種陣列基板的結(jié)構(gòu)中，所述輔助電極線段與所述柵極線之間包括所述柵極絕緣層一層結(jié)構(gòu)，也可以為所述柵極絕緣層和所述非晶硅層兩種結(jié)構(gòu)。所述柵極線和所述輔助電極線段之間的其他膜層厚度越小，則發(fā)生靜電擊穿的幾率越大，發(fā)生靜電擊穿越的阻力越小，越能避免所述總線和柵極線之間被靜電擊傷。因此更為優(yōu)選的是所述輔助電極線段與所述柵極線之間只包括所述柵極絕緣層一種結(jié)構(gòu)。
[0063]本申請實施例中柵極驅(qū)動電路的類型并不做限制，可以優(yōu)選的包括移位寄存器柵極驅(qū)動電路。
[0064]由于在制作陣列基板的過程中，根據(jù)靜電的聚集過程，靜電擊傷極易發(fā)生在非顯示區(qū)域靠近顯示區(qū)域一側(cè)的邊緣的總線與柵極線的第一交疊區(qū)域，因此本申請實施例優(yōu)選的總線可以為設(shè)置于非顯示區(qū)域內(nèi)靠近顯示區(qū)域的一側(cè)邊緣與所述顯示區(qū)域之間的總線。
[0065]本申請實施例優(yōu)選的輔助電極線段的材料可以為鋁、鑰、鑰鋁鑰、氧化銦錫、氧化銦鋅、招釹合金、鑰釹合金等。
[0066]本申請實施例還提供了一種顯示面板，參考圖5所示，為顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，本申請實施例提供的顯示面板優(yōu)選的可以為液晶顯示面板，包括彩膜基板51，陣列基板52，以及位于彩膜基板51和陣列基板52之間的液晶層53。其中，陣列基板52為上述實施例提供任意一種陣列基板。
[0067]需要說明的是，本申請實施例并不局限于液晶顯示面板，例如也可以為OLED顯示面板，所述OLED顯示面板的陣列基板可以為上述實施例提供的任意一種陣列基板；以及，任意一采用上述實施例提供的任意一種陣列基板的顯示面板均為本申請實施例包括的顯示面板。
[0068]本申請實施例還進(jìn)一步提供了一種顯示器，顯示器可以為液晶顯示器，包括液晶顯示面板，以及為所述液晶顯示面板提供光源的背光源模組，其中，所述液晶顯示面板為上述任意一種實施例提供的液晶顯示面板。
[0069]需要說明的是，本申請實施例提供的顯示器也并不局限于液晶顯示器，同樣也可以為OLED顯示器,所述OLED顯示器的顯示面板為上述實施例提供的OLED顯示面板；以及，任意一采用上述實施例提供的任意一種顯示面板的顯示器均為本申請實施例包括的顯示器。
[0070]本申請實施例所提供的陣列基板、顯示面板及顯示器，在陣列基板上的柵極線和總線的第一交疊區(qū)域至顯示區(qū)域之間設(shè)置有輔助電極線段，輔助電極線段與柵極線在第二交疊區(qū)域交疊且與柵極線和總線均絕緣，且輔助電極線段與所述總線位于同一導(dǎo)電層，或者，輔助電極線段位于總線所在導(dǎo)電層與柵極線所在導(dǎo)電層之間。通過形成輔助電極線段，使得在制作陣列基板的過程中柵極線和輔助電極線段之間發(fā)生靜電擊傷，而釋放柵極線上的靜電，最大程度的降低柵極線和總線發(fā)生靜電擊傷而短路的幾率，進(jìn)而提高產(chǎn)品的良率。
[0071]對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括非顯示區(qū)域和顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包圍顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域內(nèi)包括多個柵極線，所述非顯示區(qū)域內(nèi)包括一總線，所述柵極線延伸排布至所述非顯示區(qū)域，并與所述非顯示區(qū)域內(nèi)的柵極驅(qū)動電路電性相連，每個所述柵極線與所述總線在第一交疊區(qū)域內(nèi)交疊且在所述第一交疊區(qū)域內(nèi)電性絕緣，其中，所述陣列基板還包括: 位于所述總線與所述顯示區(qū)域之間的多個輔助電極線段，所述輔助電極線段與所述總線位于同一導(dǎo)電層或位于所述總線所在的導(dǎo)電層與所述柵極線所在的導(dǎo)電層之間，且多個所述輔助電極線段之間電性絕緣，每個所述柵極線對應(yīng)與一個所述輔助電極線段交疊并形成第二交疊區(qū)域，且所述柵極線與所述輔助電極線段互為電性絕緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述總線與所述輔助電極線段位于同一導(dǎo)電層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，在所述輔助電極線段所在區(qū)域內(nèi)，所述陣列基板沿透光方向依次包括: 透明基板； 位于所述透明基板表面上的所述輔助電極線段； 覆蓋所述輔助電極線段的柵極絕緣層； 位于所述柵極絕緣層表面上的所述柵極線； 覆蓋所述柵極線表面的鈍化層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，位于所述柵極絕緣層與所述柵極線之間還包括:位于所述柵極絕緣層表面的非晶硅層，所述柵極線位于所述非晶硅層的表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，在所述輔助電極線段所在區(qū)域內(nèi)，所述陣列基板沿透光方向依次包括: 透明基板； 位于所述透明基板表面上的所述柵極線； 覆蓋所述柵極線表面的柵極絕緣層； 位于所述柵極絕緣層表面上的所述輔助電極線段； 覆蓋所述輔助電極線段表面的鈍化層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，位于所述柵極絕緣層與所述輔助電極線段之間還包括:位于所述柵極絕緣層表面的非晶硅層，所述輔助電極線段位于所述非晶娃層的表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極驅(qū)動電路包括移位寄存器柵極驅(qū)動電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述總線設(shè)置于所述非顯示區(qū)域內(nèi)靠近所述顯示區(qū)域的一側(cè)邊緣與所述顯示區(qū)域之間。
9.一種顯示面板，包括如權(quán)利要求1-8所述的陣列基板。
10.一種顯示器，包括如權(quán)利要求9所述的顯示面板。
【文檔編號】G02F1/133GK103926769SQ201310732436
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2013年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月26日
【發(fā)明者】趙劍, 丁洪 申請人:上海天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司