抗蝕劑層的薄膜化裝置制造方法
【專利摘要】提供一種抗蝕劑層的薄膜化裝置，在具備通過浸漬槽中的薄膜化處理液使抗蝕劑層中的成分膠束化的薄膜化處理單元，和通過膠束除去液將膠束除去的膠束除去處理單元的抗蝕劑層的薄膜化裝置中，能夠抑制膠束除去液向薄膜化處理單元的倒流及抑制抗蝕劑層表面的薄膜化處理液的流動(dòng)，并且抑制薄膜化處理液從浸漬槽的帶出。通過在薄膜化處理單元與膠束除去處理單元的邊界部的運(yùn)送輥對(duì)上設(shè)置有膠束除去液截?cái)嗾值谋∧せb置、在浸漬槽的出口輥對(duì)與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)之間設(shè)置有斷液輥對(duì)的薄膜化裝置、以及在浸漬槽的出口輥對(duì)與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)之間設(shè)置有防液壁的抗蝕劑層的薄膜化裝置，能夠解決問題。
【專利說明】抗蝕劑層的薄膜化裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及抗蝕劑層的薄膜化裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電氣以及電子部件的小型化、輕量化、多功能化，對(duì)于以回路形成用的干膜抗蝕劑、焊料抗蝕劑為首的感光性樹脂(感光性材料)，為了對(duì)應(yīng)于印刷配線板的高密度化而要求高分辨率。由這些感光性樹脂實(shí)現(xiàn)的圖像形成通過在將感光性樹脂曝光后顯影來進(jìn)行。
[0003]為了對(duì)應(yīng)于印刷配線板的小型化、高功能化，感光性樹脂有薄膜化的趨勢(shì)。在感光性樹脂中，有涂敷液體而使用的類型(液狀抗蝕劑)和干膜類型(干膜抗蝕劑)。最近，開發(fā)了15 μ m以下的厚度的干膜抗蝕劑，其產(chǎn)品化正在推進(jìn)。但是，在這樣的薄的干膜抗蝕劑中，與以往的厚度的抗蝕劑相比，密接性及對(duì)凹凸的追隨性不充分，有發(fā)生剝離或空隙等的問題。
[0004]此外，作為用干膜實(shí)現(xiàn)高分辨率化的方法，有在曝光前將感光性樹脂上具備的支承膜剝離、不夾著支承膜而曝光的方法。在此情況下，也有使光學(xué)工具(光掩模)直接密接在感光性樹脂上的情況。但是，由于感光性樹脂通常具有某種程度的粘附性，所以在使光學(xué)工具直接密接在感光性樹脂上而進(jìn)行曝光的情況下，密接的光學(xué)工具的除去變得困難。此夕卜，由感光性樹脂將光學(xué)工具污染、或者因?qū)⒅С心冸x而感光性樹脂暴露在大氣中的氧中等，光感度容易下降。
[0005]為了改善上述的問題，提出了在使用較厚的感光性樹脂的同時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率的各種手段。例如，在通過減去法制作導(dǎo)電圖案的方法中，公開了下述導(dǎo)電圖案的形成方法，其特征在于，在絕緣層的單面或兩面上設(shè)置金屬層而成的層疊基板上粘貼干膜抗蝕劑而形成抗蝕劑層后，進(jìn)行抗蝕劑層的薄膜化工序，接著，進(jìn)行回路圖案的曝光工序、顯影工序、蝕刻工序(例如參照專利文獻(xiàn)I)。此外，在形成焊料抗蝕劑圖案的方法中，開了下述焊料抗蝕劑圖案的形成方法，其特征在于，在具有導(dǎo)電性圖案的回路基板上形成由焊料抗蝕劑構(gòu)成的抗蝕劑層后，進(jìn)行抗蝕劑層的薄膜化工序，接著進(jìn)行圖案曝光工序，再次進(jìn)行抗蝕劑層的薄膜化工序(例如參照專利文獻(xiàn)2及3)。
[0006]此外，在專利文獻(xiàn)4中，公開了在抗蝕劑層的薄膜化工序中使用的薄膜化裝置。具體而言，公開了一種抗蝕劑層的薄膜化裝置，至少包括四個(gè)處理單元:薄膜化處理單元，將形成有抗蝕劑層的基板浸潰(dip)到高濃度的堿性水溶液(薄膜化處理液)中而將抗蝕劑層的成分的膠束先不溶化，使其不易溶解擴(kuò)散到處理液中；膠束除去處理單元，通過膠束除去液噴霧而將膠束一下子溶解除去；水洗處理單元，將表面用水清洗；干燥處理單元，將水洗水除去。
[0007]對(duì)于在專利文獻(xiàn)4中公開的薄膜化裝置的一部分，使用圖13所示的概略剖視圖進(jìn)行說明。在薄膜化處理單元11中，從投入口 7投入形成了抗蝕劑層的基板3?；?被運(yùn)送輥對(duì)4在浸潰在浸潰槽2中的薄膜化處理液I中的狀態(tài)下運(yùn)送，被進(jìn)行抗蝕劑層的薄膜化處理。然后，將基板3向膠束除去處理單元12運(yùn)送。在膠束除去處理單元12中，對(duì)于由運(yùn)送輥對(duì)4運(yùn)送來的基板3，通過膠束除去液供給管20從膠束除去液用噴嘴21供給膠束除去液噴霧22。將基板3上的抗蝕劑層在薄膜化處理單元11內(nèi)部的浸潰槽2中通過作為高濃度的堿性水溶液的薄膜化處理液1，使抗蝕劑層的成分的膠束對(duì)于薄膜化處理液I先不溶化。然后，通過用膠束除去液噴霧22將膠束除去，使抗蝕劑層薄膜化。在專利文獻(xiàn)4中，有“膠束除去通過膠束除去液噴霧一下子進(jìn)行是重要的，優(yōu)選的是在一定以上的水壓和流量的條件下迅速地進(jìn)行”的記述。
[0008]在圖13所示的抗蝕劑層的薄膜化裝置中，為從基板3穿過薄膜化處理單元11與膠束除去處理單元12的邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6的地點(diǎn)開始通過膠束除去液噴霧22進(jìn)行的膠束除去處理的構(gòu)造。并且，邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6為暴露在膠束除去液噴霧22中的構(gòu)造。在通過膠束除去液噴霧22進(jìn)行膠束除去處理前，如果基板3上的抗蝕劑層與不均勻地附著在邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6上的膠束除去液10接觸，則通過作為高濃度的堿性水溶液的薄膜化處理液I不溶化的抗蝕劑層的成分不均勻地成為可溶解的狀態(tài)。進(jìn)而，由于在成為可溶解的狀態(tài)的部位的抗蝕劑層中包含的低濃度的堿性水溶液使周圍的抗蝕劑層溶解，所以有在通過膠束除去液噴霧22進(jìn)行膠束除去處理前、膠束除去液10附著的部分的抗蝕劑層與周圍相比厚度變薄的情況。
[0009]此外，在圖13所示的抗蝕劑層的薄膜化裝置中，在從經(jīng)過薄膜化處理單元11內(nèi)部的浸潰槽2的出口輥對(duì)5的地點(diǎn)到開始由膠束除去處理單元12的膠束除去液噴霧22進(jìn)行的膠束除去處理之間，僅存在I對(duì)邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6。圖14是在抗蝕劑層的薄膜化裝置中、邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6的放大概略剖視圖。當(dāng)基板3穿過邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6時(shí)，邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6的上側(cè)輥被抬起基板3的厚度的量，在與下側(cè)輥之間出現(xiàn)間隙24。這里，如果從穿過邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6的地點(diǎn)起，將膠束除去液噴霧22向基板3上的抗蝕劑層表面供給，則膠束除去液噴霧22的液流擴(kuò)散到抗蝕劑層整個(gè)表面上，有經(jīng)過在邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6的上側(cè)輥與下側(cè)輥之間出現(xiàn)的間隙24向薄膜化處理單元11內(nèi)倒流的情況。在基板3的厚度較大的情況下，由于間隙24也變大，所以倒流的膠束除去液10的量有增加的傾向。如果膠束除去液10倒流到薄膜化處理單元11內(nèi)，作為高濃度的堿性水溶液的薄膜化處理液I與膠束除去液10被混合，則薄膜化處理液I的濃度下降，有容易發(fā)生薄膜化處理的處理不均的情況。
[0010]進(jìn)而，在圖13所示的抗蝕劑層的薄膜化裝置中，在基板3穿過薄膜化處理單元11內(nèi)部的浸潰槽2的出口輥對(duì)5后、穿過邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6之前的期間中，基板3上的抗蝕劑層表面成為被從浸潰槽2中帶出的薄膜化處理液I的液膜覆蓋的狀態(tài)。這里，在抗蝕劑層表面為疏水性的情況下，與該液膜的親和性變低，在抗蝕劑層表面，薄膜化處理液I流動(dòng)，有薄膜化處理液I的覆蓋量變得不均勻的情況。如果薄膜化處理液I的覆蓋量較多，則抗蝕劑層的成分的膠束化速度變快，相反，如果薄膜化處理液I的覆蓋量較少，則膠束化速度變慢。因此，如果薄膜化處理液I的覆蓋量不均勻，則有薄膜化的抗蝕劑層的厚度變得不均勻的情況。
[0011]此外，也有被從薄膜化處理單元11的浸潰槽2帶出的薄膜化處理液I被大量向膠束除去處理單元12中帶入的情況。薄膜化處理液I是高濃度的堿性水溶性，所以一旦被大量帶入，則膠束除去液10的pH上升過多而變得不能控制，在膠束除去性能中發(fā)生離差，有抗蝕劑層的薄膜化處理量變得不均勻的情況。[0012]這樣，薄膜化的抗蝕劑層的厚度變得不均勻，如果在薄膜化后的抗蝕劑層中有厚度薄的部分，則在減去法的導(dǎo)電圖案形成中成為回路的斷線的原因，在焊料抗蝕劑的圖案形成中成為耐候性下降的原因，有哪種都帶來生產(chǎn)的成品率的下降的問題。
[0013]專利文獻(xiàn)1:國際公開第2009/096438號(hào)手冊(cè)，
[0014]專利文獻(xiàn)2:日本特開2011 - 192692號(hào)公報(bào)，
[0015]專利文獻(xiàn)3:國際公開第2012/043201號(hào)手冊(cè)，
[0016]專利文獻(xiàn)4:日本特開2012 - 27299號(hào)公報(bào)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0017]本實(shí)用新型的課題是提供一種抗蝕劑層的薄膜化處理裝置，在能夠解決分辨性和追隨性的問題的抗蝕劑圖案形成用的抗蝕劑層的薄膜化裝置中，能夠防止膠束除去液倒流到薄膜化處理單元中、與薄膜化處理液混合而薄膜化處理液的濃度下降的情況，能夠解決抗蝕劑層的薄膜化處理量變得不均勻的問題。
[0018]此外，提供一種通過抑制抗蝕劑層表面的薄膜化處理液的流動(dòng)、并且將從浸潰槽的薄膜化處理液的帶出抑制為最小限度、能夠解決抗蝕劑層的薄膜化處理量變得不均勻的問題的抗蝕劑層的薄膜化裝置。
[0019]本實(shí)用新型者們發(fā)現(xiàn)，通過下述技術(shù)方案，能夠解決這些課題。
[0020](I) 一種抗蝕劑層的薄膜化裝置，具備通過薄膜化處理液使抗蝕劑層中的成分膠束化的薄膜化處理單元和通過膠束除去液將膠束除去的膠束除去處理單元，具有運(yùn)送在表面上形成有抗蝕劑層的基板的運(yùn)送輥，薄膜化處理單元具有裝入薄膜化處理液的浸潰槽，膠束除去處理單元具有用來供給膠束除去液的膠束除去液供給噴霧，其特征在于，設(shè)置有從膠束除去液倒流抑制機(jī)構(gòu)及薄膜化處理液帶出抑制機(jī)構(gòu)選擇的至少一種機(jī)構(gòu)。
[0021](2)如上述(I)所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置，膠束除去液倒流抑制機(jī)構(gòu)是設(shè)置在薄膜化處理單元和膠束除去處理單元的邊界部的運(yùn)送輥對(duì)上的膠束除去液截?cái)嗾帧?br> [0022](3)如上述(2)所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置，在設(shè)置在薄膜化處理單元和膠束除去處理單元的邊界部的運(yùn)送輥對(duì)的下側(cè)輥上的膠束除去液截?cái)嗾稚显O(shè)有開口。
[0023](4)如上述(I)所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置，膠束除去液倒流抑制機(jī)構(gòu)是設(shè)置在膠束除去處理單元的入口輥對(duì)上的膠束除去液截?cái)嗾帧?br> [0024](5)如上述(I)所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置，薄膜化處理液帶出抑制機(jī)構(gòu)是設(shè)置在浸潰槽的出口輥對(duì)與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)之間的斷液輥對(duì)。
[0025](6)如上述(I)所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置，膠束除去液倒流抑制機(jī)構(gòu)是設(shè)置在該浸潰槽的出口輥對(duì)與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)之間的防液壁。
[0026](7)如上述(6)所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置，在浸潰槽的出口輥對(duì)與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)之間設(shè)置有斷液輥對(duì)。
[0027](8)如上述(7)所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置，在膠束除去處理單元的入口輥對(duì)上設(shè)置有膠束除去液截?cái)嗾帧?br> [0028](9)如上述(4)或(8)所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置，在設(shè)置在膠束除去處理單元的入口輥對(duì)的下側(cè)輥上的膠束除去液截?cái)嗾稚显O(shè)有開口。
[0029](10)如上述(5)、(7)、(8)的任一項(xiàng)所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置，浸潰槽的出口輥對(duì)、斷液輥對(duì)、膠束除去處理單元的入口輥對(duì)的各自的間隔L相對(duì)于各輥的直徑D為超過I倍且在3倍以下(D〈L ( 3D)。
[0030]根據(jù)本實(shí)用新型，能夠提供一種抗蝕劑層的薄膜化裝置，在能夠解決分辨性和追隨性的問題的抗蝕劑圖案形成用的抗蝕劑層的薄膜化裝置中，通過防止膠束除去液向抗蝕劑層上附著，并防止膠束除去液向薄膜化處理單元倒流、與薄膜化處理液混合而薄膜化處理液的濃度下降，能夠解決抗蝕劑層的薄膜化處理量變得不均勻的問題。
[0031]此外，能夠提供一種抗蝕劑層的薄膜化裝置，通過抑制抗蝕劑層表面的薄膜化處理液的流動(dòng)、并將薄膜化處理液從浸潰槽的帶出抑制在最小限度，能夠解決抗蝕劑層的薄膜化處理量變得不均勻的問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]圖1是表示本實(shí)用新型的抗蝕劑層的薄膜化裝置的一例的概略剖視圖；
[0033]圖2是表示本實(shí)用新型的抗蝕劑層的薄膜化裝置的一例的概略剖視圖；
[0034]圖3是表示本實(shí)用新型的抗蝕劑層的薄膜化裝置的一例的概略剖視圖；
[0035]圖4是表示本實(shí)用新型的抗蝕劑層的薄膜化裝置的一例的概略剖視圖；
[0036]圖5是在本實(shí)用新型的抗蝕劑層的薄膜化裝置中、包括設(shè)置有膠束除去液截?cái)嗾值妮亴?duì)和膠束除去液截?cái)嗾值牟糠值姆糯蟾怕云室晥D；
[0037]圖6是在本實(shí)用新型的抗蝕劑層的薄膜化裝置中、表示膠束除去液截?cái)嗾值拈_口的一例的放大概略圖；
[0038]圖7是表示本實(shí)用新型的抗蝕劑層的薄膜化裝置的一例的概略剖視圖；
[0039]圖8是在本實(shí)用新型的抗蝕劑層的薄膜化裝置中、包括浸潰槽的出口輥對(duì)、斷液輥對(duì)及膠束除去處理單元的入口輥對(duì)的部分的放大概略剖視圖；
[0040]圖9是表示本實(shí)用新型的抗蝕劑層的薄膜化裝置的一例的概略剖視圖；
[0041]圖10是表示本實(shí)用新型的抗蝕劑層的薄膜化裝置的一例的概略剖視圖；
[0042]圖11是表示本實(shí)用新型的抗蝕劑層的薄膜化裝置的一例的概略剖視圖；
[0043]圖12是表示本實(shí)用新型的抗蝕劑層的薄膜化裝置的一例的概略剖視圖；
[0044]圖13是表示現(xiàn)有技術(shù)的抗蝕劑層的薄膜化裝置的一部的概略剖視圖；
[0045]圖14是在抗蝕劑層的薄膜化裝置中、邊界部的運(yùn)送輥對(duì)的放大概略剖視圖。
[0046]附圖標(biāo)記說明:
[0047]1:薄膜化處理液，2:浸潰槽，3:基板，4:運(yùn)送輥對(duì)，5:浸潰槽的出口輥對(duì)，6:邊界部的運(yùn)送輥對(duì)，7:投入口，8:斷液輥對(duì)，9:膠束除去處理單元的入口輥對(duì)，10:膠束除去液，11:薄膜化處理單元，12:膠束除去處理單元，13:薄膜化處理液貯藏容器，14:薄膜化處理液吸入口，15:薄膜化處理液供給管，16:薄膜化處理液回收管，17:薄膜化處理液排放管，18:膠束除去液貯藏容器，19:膠束除去液吸入口，20:膠束除去液供給管，21:膠束除去液用噴嘴，22:膠束除去液噴霧，23:膠束除去液排放管，24:間隙，25:防液壁，26:膠束除去液回收口，27:膠束除去液截?cái)嗾郑?8:膠束除去液截?cái)嗾值拈_口，29:薄膜化處理單元的出口輥對(duì)，Dl:浸潰槽的出口輥的直徑，D2:斷液輥的直徑，D3:膠束除去處理單元的入口輥的直徑，L1:從浸潰槽的出口輥對(duì)到最初的斷液輥對(duì)的間隔，L2:斷液輥對(duì)間的間隔，L3:從最后的斷液輥對(duì)到膠束除去處理單元的入口輥對(duì)的間隔。【具體實(shí)施方式】
[0048]<薄膜化工序>
[0049]薄膜化處理液進(jìn)行的抗蝕劑層的薄膜化工序是包括通過薄膜化處理液將抗蝕劑層中的成分的膠束先不溶化、使其不易溶解擴(kuò)散到處理液中的薄膜化處理，和通過膠束除去液噴霧一下子將膠束溶解除去的膠束除去處理的工序。進(jìn)而還可以包括將沒有完全除去的抗蝕劑層表面或殘留附著的薄膜化處理液及膠束除去液通過水洗沖洗的水洗處理、將水洗水除去的干燥處理。
[0050]<薄膜化處理>
[0051]薄膜化處理液進(jìn)行的薄膜化處理也可以使用葉片處理、噴霧處理、擦刷、刮削等的方法，但優(yōu)選的是通過浸潰處理進(jìn)行。在浸潰處理中，將形成有抗蝕劑層的基板浸潰(dip)到薄膜化處理液中。浸潰處理以外的處理方法有容易在薄膜化處理液中產(chǎn)生氣泡、該產(chǎn)生的氣泡在薄膜化處理中附著在抗蝕劑層表面上、膜厚變得不均勻的情況。在使用噴霧處理等的情況下，必須使噴霧壓盡可能小，以便不產(chǎn)生氣泡。
[0052]在本實(shí)用新型中，以抗蝕劑層形成后的厚度和抗蝕劑層薄膜化的量決定薄膜化后的抗蝕劑層的厚度。此外，在本實(shí)用新型中，能夠在0.01?500 μ m的范圍中自由地調(diào)整抗蝕劑層的薄膜化量。
[0053]<抗蝕劑>
[0054]作為抗蝕劑能夠使用堿性顯影型的抗蝕劑。此外，無論是液狀抗蝕劑還是干膜抗蝕劑，只要是能夠通過堿性水溶液(薄膜化處理液)薄膜化、且能夠借助作為比薄膜化處理液還低濃度的堿性水溶液的顯影液而顯影的抗蝕劑則可以使用任意的抗蝕劑。堿性顯影型的抗蝕劑包含光交聯(lián)性樹脂成分。光交聯(lián)性樹脂成分例如含有堿性可溶性樹脂、光聚合性化合物、光聚合引發(fā)劑等。此外也可以含有環(huán)氧樹脂、熱硬化劑、無機(jī)填充物等。
[0055]作為堿性可溶性樹脂，可以舉出例如丙烯酸系樹脂、甲基丙烯系樹脂、苯乙烯系樹月旨、環(huán)氧系樹脂、氨基系樹脂、氨基環(huán)氧系樹脂、醇酸系樹脂、酚醛系樹脂的有機(jī)高分子。作為堿可溶性樹脂，優(yōu)選聚合(自由基聚合等)具有乙烯性不飽和雙鍵的單體(聚合性單體)而得到的樹脂。這些向堿性水溶液可溶的聚合體既可以單獨(dú)使用，也可以組合兩種以上使用。
[0056]作為具有乙烯性不飽和雙鍵的單體，例如可以舉出苯乙烯、乙烯基甲苯、α-甲基苯乙烯、ρ-甲基苯乙烯、ρ-乙基苯乙烯、ρ-甲氧基苯乙烯、ρ-乙氧基苯乙烯、ρ-氯苯乙烯、P-溴苯乙烯等的苯乙烯衍生物；雙丙酮丙烯酰胺等的丙烯酰胺；丙烯腈；乙烯-η-丁基醚等的乙烯醇的酯類；(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸四氫糠醇酯、(甲基)丙烯酸二甲氨基酯、(甲基)丙烯酸二乙胺基乙醇酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、2，2，2_三氟乙基(甲基)丙烯酸酯、2，2，3，3_四氟丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸、α-溴(甲基)丙烯酸、α-氯(甲基)丙烯酸、呋喃基(甲基)丙烯酸、苯乙烯基(甲基)丙烯酸等的(甲基)丙烯酸單酯；馬來酸、馬來酸無水物、馬來酸單甲基、馬來酸單乙基、馬來酸單異丙基等的馬來酸系單體；富馬酸酸、肉桂酸、α -氰化肉桂酸、衣康酸、巴豆酸、丙炔酸等。
[0057]作為光聚合性化合物，可以舉出例如令多價(jià)乙醇與α，β-不飽和羥酸反應(yīng)而得到的化合物；雙酚A系(甲基)丙烯酸酯化合物；令縮水甘油基含有化合物與α，β -不飽和羥酸反應(yīng)而得到的化合物；在分子內(nèi)具有尿烷鍵的(甲基)丙烯酸酯化合物等的尿烷單體；壬基苯氧基聚乙烯烴基丙烯酸酯；Y-氯-β-羥丙基-β '-(甲基)丙烯酰氧乙基-O-酞酸酯、β-羥烷基-(甲基)丙烯酰氧烷基-O-酞酸酯等的酞酸系化合物；(甲基)丙烯酸烷基酯、ΕΟ、ΡΟ變性壬苯基(甲基)丙烯酸酯等。在此，EO以及PO表示乙烯氧化物以及丙烯氧化物，EO變性后的化合物是具有乙烯氧化物基的塊構(gòu)造的化合物，PO變性后的化合物是具有丙烯氧化物基的塊構(gòu)造的化合物。這些光聚合性化合物可以單獨(dú)使用，或者也可以組合兩種以上地使用。
[0058]作為光聚合引發(fā)劑，可以舉出二苯甲酮、N，N'-四甲基-4,4' - 二氨基二苯甲酮(米氏酮)、Ν，Ν'-四乙基-4，4' -二氨基二苯甲酮、4-甲氧基-4' -二甲氨基二苯酮、
2-苯-2-二甲氨基-1- (4-嗎啉基苯基)-丁酮-1、2-甲基-1- [4-(甲硫基)苯]-2-嗎啉基-丙酮-1等的芳香族酮；2_乙基蒽醌、菲醌、2-tert-叔丁基蒽醌、十八甲基蒽醌、1，2_苯蒽醌、2，3-苯蒽醌、2-苯蒽醌、2，3- 二苯蒽醌、1-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、1，4-萘醌、9，10-菲醌、2-甲基-1，4-萘醌、2，3_二甲基蒽醌等的醌類；安息香甲基醚、安息香乙醚、安息香苯醚等的安息香醚化合物；安息香、甲基安息香、乙基安息香等的安息香化合物；苯偶酰二甲基縮酮等的苯甲基衍生物；2- (ο-氯苯)-4, 5-二苯咪唑二聚體、2- (ο-氯苯)-4, 5-二(甲氧基苯)咪唑二聚體、2- (ο-氟苯基)-4, 5-二苯咪唑二聚體,2- (ο-甲氧基苯)-4, 5-二苯咪唑二聚體、2- (ρ-甲氧基苯)-4，5-二苯咪唑二聚體等的2，4，5-三芳基咪唑二聚體；9-苯基吖啶、1，7_雙(9，9'-吖啶)庚烷等的吖衍生物；N-苯甘氨酸、N-苯甘氨酸衍生物、香豆素系化合物等。上述2，4，5-三芳基咪唑二聚體中的兩個(gè)2，4，5-三芳基咪唑的芳基的置換基可以是相同且對(duì)稱的化合物，也可以是不同而非對(duì)稱的化合物。此外，也可以如二乙基噻噸酮和對(duì)二甲氨基苯甲酸的組合那樣將噻噸酮系化合物和3級(jí)叔胺化合物組合。這些單獨(dú)地、或者組合兩種以上地使用。
[0059]環(huán)氧樹脂有時(shí)作為硬化劑使用。令使其與堿性可溶性樹脂的羥酸反應(yīng)從而交聯(lián)，實(shí)現(xiàn)耐熱性及耐藥品性的特性的提高，但由于羥酸和環(huán)氧在常溫下也發(fā)生反應(yīng)，所以保存穩(wěn)定性差，堿性顯影型的焊料抗蝕劑一般多采用在使用前混合的2液性的形態(tài)。有時(shí)也使用無機(jī)填充物，可以舉出例如滑石、硫酸鋇、二氧化硅等。
[0060]在基板的表面形成抗蝕劑層的方法任意方法都可以，可以舉出例如絲網(wǎng)印刷法、輥涂層法、噴霧法、浸潰法、幕式涂敷法、條碼法、氣刀法、熱熔法、雕刻滾筒涂層法、刷毛涂刷法、膠印印刷法。干膜抗蝕劑的情況下，優(yōu)選使用層疊法。
[0061]〈基板〉
[0062]作為基板，能夠舉出印刷配線板用基板、引線框架用基板；加工印刷配線板用基板及引線框架用基板而得到的回路基板。
[0063]作為印刷配線板用基板，例如可以舉出撓性基板、剛性基板。
[0064]撓性基板的絕緣層的厚度為5?125 μ m，在其兩面或者單面設(shè)置I?35 μ m的金屬層而成為層疊基板，可撓性大。絕緣層的材料通常使用聚酰亞胺、聚酰胺、聚苯硫醚、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇脂、液晶聚合物等。在絕緣層上具有金屬層的材料可以使用通過下述等的方法制造的材料:利用粘合劑貼合的粘合法、在金屬箔上涂敷樹脂液的鑄造法、在利用濺鍍及蒸鍍法形成在樹脂薄膜上的厚度數(shù)nm的薄的導(dǎo)電層(種子層)上利用電鍍形成金屬層的濺射/電鍍法，利用熱沖壓而貼付的層疊法等的任意一個(gè)。作為金屬層的金屬能夠使用銅、鋁、銀、鎳、鉻、或者這些的合金等的任意金屬，但一般為銅。[0065]剛性基板可以舉出下述層疊基板:在紙基材或者玻璃基材上層疊浸潰了環(huán)氧樹脂或者酚醛樹脂等的絕緣性基板而作為絕緣層，在其單面或者兩面載置金屬箔，通過加熱以及加壓而層疊而設(shè)置金屬層。此外，可以舉出在內(nèi)層配線圖案加工后層疊預(yù)成形料、金屬箔等而制作的多層用的密封板、具有貫通孔及非貫通孔的多層板。根據(jù)厚度為60 μ m?3.2_且作為印刷配線板的最終使用形態(tài)而選定其材質(zhì)和厚度。作為金屬層的材料可以舉出銅、鋁、銀、金等，但一般為銅。這些印刷配線板用基板的例記載于《印刷回路技術(shù)便覽-第二版-》((社)印刷回路學(xué)會(huì)編，1987年刊，日刊工業(yè)新聞社發(fā)刊)及《多層印刷回路手冊(cè)》(J.A.Scarlett編，1992年刊，(株)近代化學(xué)社發(fā)刊)。
[0066]作為引線框架用基板能夠舉出鐵鎳合金、銅系合金等的基板。
[0067]回路基板是在絕緣性基板上形成有用于連接半導(dǎo)體芯片等的電子部件的連接焊盤的基板。連接焊盤由銅等金屬構(gòu)成。此外，在回路基板上也可以形成導(dǎo)體配線。制作回路基板的方法例如可以舉出例如減去法、半添加法、添加法。在減去法中，例如在上述的印刷配線板用基板上形成蝕刻抗蝕劑圖案，進(jìn)行曝光工序、顯影工序、蝕刻工序、抗蝕劑剝離工序而制作回路基板。
[0068]<薄膜化裝置>
[0069]圖1?圖4、圖7、圖9?圖12是表示本實(shí)用新型的薄膜化裝置的一例的概略剖視圖。本實(shí)用新型的薄膜化裝置具備通過薄膜化處理液I使抗蝕劑層中的成分膠束化的薄膜化處理單元11和通過膠束除去液噴霧22將膠束除去的膠束除去處理單元12，具有運(yùn)送在表面上形成有抗蝕劑層的基板3的運(yùn)送輥，薄膜化處理單元11具有裝入薄膜化處理液I的浸潰槽2，膠束除去處理單元12具有用來供給膠束除去液10的膠束除去液供給噴霧22。并且，其特征在于，設(shè)置有從膠束除去液倒流抑制機(jī)構(gòu)及薄膜化處理液帶出抑制機(jī)構(gòu)中選擇的至少一種機(jī)構(gòu)。
[0070]在薄膜化處理單元11中，從投入口 7投入的形成有抗蝕劑層的基板3被運(yùn)送輥對(duì)4在浸潰在浸潰槽2中的薄膜化處理液I中的狀態(tài)下運(yùn)送，穿過浸潰槽2的出口輥對(duì)5。通過這些處理，將基板3上的抗蝕劑層中的成分用薄膜化處理液I膠束化，使該膠束相對(duì)于薄膜化處理液I不溶化。
[0071]薄膜化處理液I被薄膜化處理液供給用泵(未圖示)從薄膜化處理液貯藏容器13中的薄膜化處理液吸入口 14吸入，經(jīng)過薄膜化處理液供給管15被向浸潰槽2供給。供給到浸潰槽2中的薄膜化處理液I溢流，經(jīng)過薄膜化處理液回收管16由薄膜化處理液貯藏容器13回收。這樣，薄膜化處理液I在浸潰槽2與薄膜化處理貯藏容器13之間循環(huán)。從薄膜化處理液排放管17將剩余的薄膜化處理液I排出。
[0072]作為在作為薄膜化處理液I使用的堿性水溶液中使用的堿性化合物，例如可以舉出鋰、鈉或者鉀等的堿金屬硅酸鹽、堿金屬氫氧化物、堿金屬磷酸鹽、堿金屬碳酸鹽、銨磷酸鹽、銨碳酸鹽等的無機(jī)堿性化合物；單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甲基胺、二甲基胺、乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、環(huán)己胺、四甲基氫氧化銨(TMAH)、四乙基氫氧化銨、三甲基-2-羥乙基氫氧化銨(膽堿，Choline)等的有機(jī)堿性化合物。這些堿性化合物既可以單獨(dú)使用，也可以作為混合物使用。在作為薄膜化處理液I的媒體的水中，可以使用自來水、工業(yè)用水、純水等，但特別優(yōu)選的是使用純水。
[0073]堿性化合物的含有量能夠在0.1質(zhì)量％以上50質(zhì)量％以下地使用。此外，為了令抗蝕劑層表面更均勻地薄膜化,也可以在薄膜化處理液I中添加硫酸鹽、亞硫酸鹽。作為硫酸鹽或亞硫酸鹽，可以舉出鋰、鈉或者鉀等的堿金屬硫酸鹽或亞硫酸鹽、鎂、鈣等的堿土類金屬硫酸鹽或者亞硫酸鹽。
[0074]作為薄膜化處理液I的堿性化合物，在這些之中，特別優(yōu)選的是使用含有從堿金屬碳酸鹽、堿金屬磷酸鹽、堿金屬氫氧化物、堿金屬硅酸鹽中選擇的無機(jī)堿性化合物、從TMAH、膽堿中選擇的有機(jī)堿性化合物。這些堿性化合物既可以單獨(dú)使用，也可以作為混合物使用。此外，堿性化合物的含有量是5?25質(zhì)量％的堿性水溶液由于能夠使表面更均勻地薄膜化，所以能夠優(yōu)選地使用。在堿性化合物的含有量不到5質(zhì)量％時(shí)，薄膜化的處理中有時(shí)會(huì)容易發(fā)生不均。此外，如果超過25質(zhì)量％，則容易引起堿性化合物的析出，有時(shí)液體的經(jīng)時(shí)穩(wěn)定性、作業(yè)性變差。更優(yōu)選堿性化合物的含有量為7?17質(zhì)量％，更加優(yōu)選為8?13質(zhì)量％。作為薄膜化處理液I使用的堿性水溶液的pH優(yōu)選的是10以上。此外，也可以適當(dāng)添加界面活性劑、消泡劑、溶劑等。
[0075]作為薄膜化處理液I使用的堿性水溶液的溫度優(yōu)選的是15?35°C，更優(yōu)選的是20?30°C。如果溫度過低，則有堿性化合物向抗蝕劑層的滲透速度變慢的情況，需要長(zhǎng)時(shí)間才能薄膜化出希望的厚度。另一方面，如果溫度過高，則由于在堿性化合物向抗蝕劑層的滲透的同時(shí)進(jìn)行溶解擴(kuò)散，有容易在面內(nèi)發(fā)生膜厚不均的情況。
[0076]在膠束除去處理單元12中，在薄膜化處理單元11中將使抗蝕劑層對(duì)于薄膜化處理液I不溶化的基板3通過運(yùn)送輥對(duì)4運(yùn)送。對(duì)于運(yùn)送來的基板3，通過膠束除去液噴霧22供給膠束除去液10，將膠束一下子溶解除去。
[0077]膠束除去液10是用膠束除去液供給用泵(未圖示)從膠束除去液貯藏容器18中的膠束除去液吸入口 19將膠束除去液10吸入，經(jīng)過膠束除去液供給管20從膠束除去液用噴嘴21作為膠束除去液噴霧22噴射。膠束除去液噴霧22在從基板3上流下后，由膠束除去液貯藏容器18回收。這樣，膠束除去液10在膠束除去處理單元12內(nèi)循環(huán)。從膠束除去液排放管23將剩余量的膠束除去液10排出。
[0078]作為膠束除去液10，也可以使用水，但優(yōu)選的是使用比薄膜化處理液I稀的含有堿性化合物的PH5?10的水溶液。通過膠束除去液10，將由薄膜化處理液不溶化的抗蝕劑層的成分的膠束再分散而除去。作為在膠束除去液10中使用的水,可以使用自來水、工業(yè)用水、純水等，但特別優(yōu)選的是使用純水。在膠束除去液10的pH不到5的情況下，有抗蝕劑層的成分凝聚而成為不溶性的淤渣、附著在薄膜化后的抗蝕劑層表面上的情況。另一方面，在膠束除去液10的pH超過10的情況下，有抗蝕劑層過度地溶解擴(kuò)散、在面內(nèi)薄膜化的抗蝕劑層的厚度變得不均勻而形成處理不均的情況。此外，膠束除去液10可以使用硫酸、磷酸、鹽酸等調(diào)整pH。
[0079]膠束除去處理中的膠束除去液噴霧22的條件(溫度、噴霧壓、供給流量)可以匹配于薄膜化處理的抗蝕劑層的溶解速度而適當(dāng)調(diào)整。具體而言，處理溫度優(yōu)選的是10?500C，更優(yōu)選的是15?35°C。此外，噴霧壓優(yōu)選的是設(shè)為0.01?0.5MPa，更優(yōu)選的是0.1?
0.3MPa。膠束除去液10的供給流量?jī)?yōu)選的是每抗蝕劑層Icm2為0.030?1.0L/min,更優(yōu)選的是0.050?1.0L/min，更加優(yōu)選的是0.10?1.0L/min。如果供給流量是該范圍，則在薄膜化后的抗蝕劑層表面上不會(huì)殘留不溶解成分，容易將面內(nèi)大致均勻地不溶化的抗蝕劑層的成分的膠束除去。當(dāng)抗蝕劑層的每Icm2的供給流量不到0.030L/min時(shí)，有發(fā)生不溶化的抗蝕劑層的成分的溶解不良的情況。另一方面，如果供給流量超過1.0L/min，則為了供給而需要的泵等的部件變得巨大，有需要龐大的裝置的情況。進(jìn)而，在超過1.0L/min的供給量下，有帶來抗蝕劑層的成分的溶解擴(kuò)散的效果不再變化的情況。噴霧的方向?yàn)榱嗽诳刮g劑層表面上效率良好地形成液流，優(yōu)選的是從相對(duì)于與抗蝕劑層表面垂直的方向傾斜的方向噴射。
[0080]在圖1的抗蝕劑層的薄膜化裝置中，其特征在于，膠束除去液倒流抑制機(jī)構(gòu)是設(shè)置在薄膜化處理單元11與膠束除去處理單元12的邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6上的膠束除去液截?cái)嗾?7。在圖2的抗蝕劑層的薄膜化裝置中，其特征在于，在設(shè)置在邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6的下側(cè)輥上的膠束除去液截?cái)嗾?7上設(shè)有開口 28。
[0081]在圖3的抗蝕劑層的薄膜化裝置中，其特征在于，膠束除去液倒流抑制機(jī)構(gòu)是設(shè)置在膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9上的膠束除去液截?cái)嗾?7。在圖4的抗蝕劑層的薄膜化裝置中，其特征在于，在設(shè)置在膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的下側(cè)輥上的膠束除去液截?cái)嗾?7上設(shè)有開口 28。
[0082]所謂邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6是指設(shè)置在薄膜化處理單元11與膠束除去處理單元12的邊界部附近的運(yùn)送輥對(duì)。所謂邊界部附近，是指夾著薄膜化處理單元11與膠束除去處理單元12的邊界線、從浸潰槽終端部到膠束除去處理單元的第一膠束除去液噴霧22的范圍。由此，圖3及圖4的膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9是邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6的一例。
[0083]對(duì)設(shè)置在薄膜化處理單元11與膠束除去處理單元12的邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6上的膠束除去液截?cái)嗾?7及設(shè)置在膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9上的膠束除去液截?cái)嗾?7進(jìn)行說明。膠束除去液截?cái)嗾?7設(shè)置在邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6或膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的上下。由此，邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6或膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9不會(huì)暴露在膠束除去液噴霧22中，能夠防止膠束除去液10附著到被膠束除去處理前的基板3上的抗蝕劑層上。
[0084]作為薄膜化處理液1，為了使抗蝕劑層的成分膠束化、使表面更均勻地薄膜化，優(yōu)選的是使用堿性化合物的濃度是5?25質(zhì)量％的高濃度的堿性水溶液。如果堿性化合物的濃度較低，則在抗蝕劑層的成分的膠束化的同時(shí)發(fā)生溶解擴(kuò)散，有在面內(nèi)在薄膜化處理量上發(fā)生離差的情況。如果膠束除去液10附著的邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6或膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9接觸在基板3的抗蝕劑層表面上，則在該部分，堿性化合物濃度下降，薄膜化處理量變得不均勻。通過膠束除去液截?cái)嗾?7，防止膠束除去液10附著在邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6或膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9上、抗蝕劑層表面的堿性化合物濃度下降，由此能夠得到基板3的面內(nèi)的抗蝕劑層的薄膜化處理量變得均勻的效果。
[0085]膠束除去液截?cái)嗾?7的形狀只要是除了用來運(yùn)送基板3的開口部以外、將邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6或膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9完全覆蓋的形狀就可以，能夠自由地決定。此外，也可以在膠束除去液截?cái)嗾?7上設(shè)置當(dāng)膠束除去液10從基板端部與薄膜化裝置側(cè)壁的間隙等侵入到膠束除去液截?cái)嗾?7內(nèi)部時(shí)用來將膠束除去液10排出的開口。進(jìn)而，通過在用來運(yùn)送基板3的開口部的外側(cè)上部以垂下的形態(tài)固定柔軟的材料，能夠不妨礙基板3的運(yùn)送，而防止膠束除去液10從用來運(yùn)送基板3的開口部侵入、附著到邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6或膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9上、接觸到與膠束除去液噴霧22接觸之前的基板3上，所以是優(yōu)選的。作為柔軟的材料，可以使用聚乙烯、聚丙烯的薄膜或片狀的橡膠。[0086]圖5是基板運(yùn)送時(shí)的、包括設(shè)置有膠束除去液截?cái)嗾值妮亴?duì)(圖1及圖2:邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6，圖3及4:膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9)和膠束除去液截?cái)嗾?7的部分的放大概略剖視圖的一例。圖5是在膠束除去處理單元12內(nèi)、從基板運(yùn)送方向的下游側(cè)觀察設(shè)置有膠束除去液截?cái)嗾值妮亴?duì)的圖?；?在被設(shè)置有膠束除去液截?cái)嗾值妮亴?duì)夾著的狀態(tài)下運(yùn)送，在上側(cè)輥與下側(cè)輥之間形成間隙24。為了防止膠束除去液10附著，膠束除去液截?cái)嗾?7將膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9覆蓋。
[0087]作為膠束除去液截?cái)嗾?7的材質(zhì)，可以使用具有對(duì)于作為高濃度的堿性水溶液的薄膜化處理液I的耐藥性的各種材料。具體而言，可以使用聚乙烯、聚丙烯、硬質(zhì)聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、丙烯樹脂(PMMA)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂(ABS樹脂)、特氟龍(注冊(cè)商標(biāo))等的合成樹脂、玻璃纖維強(qiáng)化聚丙烯、玻璃纖維強(qiáng)化環(huán)氧樹脂等的纖維強(qiáng)化塑料、鈦、哈司特鎳合金(HASTELL0Y，注冊(cè)商標(biāo))等的耐腐蝕性金屬材料等。在它們之中，由于加工較容易，所以優(yōu)選的是使用硬質(zhì)聚氯乙烯、丙烯樹脂(PMMA)。
[0088]接著，對(duì)設(shè)置在邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6或膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的下側(cè)輥上的膠束除去液截?cái)嗾值拈_口 28進(jìn)行說明。當(dāng)基板3穿過邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6或膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9時(shí)，上側(cè)輥被抬起基板3的厚度量，在與下側(cè)輥之間形成間隙24。如果將膠束除去液噴霧22供給到基板3上的抗蝕劑層表面，則膠束除去液10經(jīng)過在該上側(cè)輥與下側(cè)輥之間形成的間隙24向薄膜化處理單元11側(cè)倒流。如果膠束除去液10向薄膜化處理單元11倒流，則薄膜化處理液I的堿性化合物濃度下降，成為薄膜化處理量變得不均勻的原因。進(jìn)而，基板3上的抗蝕劑層表面的膠束除去液10被邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6或膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9攔住，向設(shè)置在邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6或膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的下側(cè)輥上的膠束除去液截?cái)嗾?7內(nèi)流下。所以，通過在設(shè)置于下側(cè)輥上的膠束除去液截?cái)嗾?7上設(shè)置開口 28，流下到膠束除去液截?cái)嗾?7內(nèi)的膠束除去液10被向膠束除去液貯藏容器18回收，所以能夠防止膠束除去液10向薄膜化處理單元11內(nèi)的倒流。并且，能夠防止薄膜化處理液I的堿性化合物濃度的下降，能夠得到基板3的面內(nèi)的抗蝕劑層的薄膜化處理量變均勻的效果。
[0089]膠束除去液截?cái)嗾值拈_口 28只要能夠?qū)⒘飨碌侥z束除去液截?cái)嗾?7內(nèi)的膠束除去液10回收到膠束除去液貯藏容器18中就可以，其形狀及尺寸、配置及數(shù)量能夠自由決定。從膠束除去液10的回收效率這一點(diǎn)來講，膠束除去液截?cái)嗾值拈_口 28可以是圓形而尺寸更大的形狀，優(yōu)選的是在邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6或膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的寬度方向上均等地配置多個(gè)。
[0090]將表示設(shè)置在下側(cè)輥上的膠束除去液截?cái)嗾值拈_口 28的一例的放大概略圖的一例表示在圖6中。圖6是在膠束除去處理單元12內(nèi)相對(duì)于基板運(yùn)送方向從下側(cè)觀察設(shè)置在下側(cè)輥上的膠束除去液截?cái)嗾?7的圖，在膠束除去液截?cái)嗾?7上以等間隔配置有圓形的開口 28。另外，圖5、圖6及圖14中記載的黑色的粗棒是輥的軸柄。
[0091]在圖7的抗蝕劑層的薄膜化裝置中，其特征在于，薄膜化處理液帶出抑制機(jī)構(gòu)是設(shè)置在薄膜化處理單元11內(nèi)部的浸潰槽的出口輥對(duì)5與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9之間的斷液輥對(duì)8。
[0092]對(duì)設(shè)置在薄膜化處理單元11內(nèi)部的浸潰槽的出口輥對(duì)5與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9之間的斷液輥對(duì)8進(jìn)行說明。在穿過浸潰槽2的出口輥對(duì)5后的基板3中，抗蝕劑層表面被從浸潰槽2帶出的薄膜化處理液I的液膜覆蓋。通過斷液輥對(duì)8將薄膜化處理液I的液膜刮掉，并且使該液膜的厚度均勻地一致。將薄膜化處理液I的液膜均勻地一致的基板3向膠束除去處理單元12的入口輥對(duì)9運(yùn)送。
[0093]這里，對(duì)由薄膜化處理液I帶來的抗蝕劑層的成分的膠束化速度進(jìn)行說明。如果比較浸潰在浸潰槽2中的薄膜化處理液I中的狀態(tài)、和在穿過浸潰槽2的出口輥對(duì)5后抗蝕劑層表面被薄膜化處理液I的液膜覆蓋的狀態(tài)，則后者的膠束化速度變慢。進(jìn)而，根據(jù)薄膜化處理液I的液膜的厚度而膠束化速度不同，液膜更厚者膠束化速度更快。即，通過由斷液輥對(duì)8使薄膜化處理液I的液膜的厚度均勻地一致，基板3的面內(nèi)的抗蝕劑層的成分的膠束化速度的速度差成為最小限度，薄膜化處理量變均勻。此外，通過由斷液輥對(duì)8將不需要的薄膜化處理液I刮掉，抑制薄膜化處理液I向膠束除去處理單元12帶入，抑制膠束除去性能的離差，抗蝕劑層的薄膜化處理量變均勻。
[0094]重要的是斷液輥對(duì)8密接在抗蝕劑層表面上。因此，作為斷液輥，優(yōu)選的是使用在表面上沒有凹凸的筆直型。作為斷液輥的種類，可以舉出橡膠輥、海綿輥、金屬輥、樹脂輥等。其中，優(yōu)選具有良好的橡膠彈性(密封性、恢復(fù)性)、比重較小、輕量、是低硬度到中硬度、因向抗蝕劑層的接觸帶來的沖擊較小、對(duì)作為高濃度的堿性水溶液的薄膜化處理液I的耐藥性也良好的烯烴系熱塑性彈性體的輥。作為烯烴系熱塑性彈性體，可以舉出THERM0RUN(注冊(cè)商標(biāo))。
[0095]斷液輥對(duì)8即使是I對(duì)也有效果，但通過用多個(gè)輥對(duì)連續(xù)地進(jìn)行斷液，能夠得到更大的效果。具體而言，斷液輥對(duì)8進(jìn)行的斷液的次數(shù)越多，抗蝕劑層上的薄膜化處理液I的液膜的厚度的均勻性越高。在圖7中，在浸潰槽2的出口輥對(duì)5與膠束除去處理單元12的入口輥對(duì)9之間有3對(duì)斷液輥對(duì)8，但是使斷液輥對(duì)8的數(shù)量為多少對(duì)是根據(jù)薄膜化處理量適當(dāng)調(diào)整的，并不限定于該數(shù)量。
[0096]浸潰槽的出口輥對(duì)5、斷液輥對(duì)8、膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的各自的間隔L優(yōu)選的是相對(duì)于各輥的直徑D為超過I倍且在3倍以下(D〈Lf 3D)。在間隔L是直徑D的I倍以下的情況下，有筆直型的斷液輥對(duì)彼此接觸、根據(jù)輥的材質(zhì)而顯著地發(fā)生輥的磨損的情況。另一方面，如果間隔L變得比直徑D的3倍大，則在抗蝕劑層的表層容易發(fā)生薄膜化處理液I的液膜的流動(dòng)，有難以使覆蓋量變均勻的情況。
[0097]圖8是在圖7的抗蝕劑層的薄膜化裝置中、包括浸潰槽的出口輥對(duì)5、斷液輥對(duì)8及膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的部分的放大概略剖視圖。Dl是浸潰槽的出口輥的直徑。D2是斷液輥的直徑，數(shù)字”表示從上游側(cè)起的順序。D3是膠束除去處理單元的入口輥的直徑。LI是從浸潰槽的出口輥對(duì)5到最初的斷液輥對(duì)8的間隔。L2是斷液輥對(duì)間的間隔，數(shù)字”表示從上游側(cè)起的順序。L3是從最后的斷液輥對(duì)8到膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的間隔。
[0098]D1、D2、D3既可以是相同的值，也可以不同。在斷液輥對(duì)有3對(duì)以上的情況下，各D2既可以是相同的值，也可以不同。例如，圖8的D2-1?D2-3既可以是相同的值，也可以不同。此外，L1、L2、L3既可以是相同的值，也可以不同。在斷液輥對(duì)有3對(duì)以上的情況下，各L2既可以是相同的值，也可以不同。例如，圖8的L2-1和L2-2既可以是相同的值，也可以不同。
[0099]“浸潰槽的出口輥對(duì)5、斷液輥對(duì)8、膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的各自的間隔L是相對(duì)于各輥的直徑D為超過I倍且在3倍以下(D〈L ^ 3D)”，只要在構(gòu)成間隔L的輥的直徑D與間隔L之間成立就可以。即，只要在間隔LI中相對(duì)于Dl和D2-1為超過I倍且在3倍以下就可以，相對(duì)于D2-2、D2-3及D3，該關(guān)系也可以不成立。
[0100][LI]
[0101]DKLl ( 3D I
[0102]D2-1〈L1 ≤ 3 (D2-1)
[0103]關(guān)于其他間隔也是同樣的。
[0104][L2-1]
[0105]D2-1〈L2-1 ≤ 3 (D2-1)
[0106]D2-2〈L2_1 ( 3 (D2—2)。
[0107][L2-2]
[0108]D2-2〈L2_2 ( 3 (D2-2)
[0109]D2-3〈L2_2 ( 3 (D2-3)。
[0110][L3]
[0111]D2_3〈L3 ≤ 3 (D2-3)
[0112]D3〈L3 ≤ 3D3。
[0113]在圖9的抗蝕劑層的薄膜化裝置中，其特征在于，膠束除去液倒流抑制機(jī)構(gòu)是設(shè)置在薄膜化處理單元11內(nèi)部的浸潰槽的出口輥對(duì)5與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9之間的防液壁25。膠束除去液10向薄膜化處理單元11倒流，但由于通過防液壁25抑制膠束除去液10倒流到與薄膜化處理液I混合的區(qū)域，所以能夠防止通過膠束除去液10使薄膜化處理液I的濃度下降。
[0114]作為薄膜化處理液1，為了使抗蝕劑層的成分膠束化、使表面更均勻地薄膜化，優(yōu)選地使用堿性化合物的濃度是5~25質(zhì)量％的高濃度的堿性水溶液。如果堿性化合物的濃度較低，則有在抗蝕劑層的成分的膠束化的同時(shí)發(fā)生溶解擴(kuò)散、在面內(nèi)在薄膜化處理量上發(fā)生離差的情況。通過用防液壁25防止因膠束除去液10的倒流造成的薄膜化處理液I的堿性化合物濃度的下降，能夠使基板3的面內(nèi)的抗蝕劑層的薄膜化處理量變均勻。
[0115]防液壁25只要能夠?qū)⒐┙o到浸潰槽2中的薄膜化處理液I與經(jīng)過在膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9中形成的間隙24倒流到薄膜化處理單元11內(nèi)的膠束除去液10分隔，其形狀、厚度及高度能夠自由地決定。防液壁25設(shè)置在浸潰槽的出口輥對(duì)5與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9之間，但優(yōu)選的是設(shè)置在輥對(duì)彼此的中間位置附近。
[0116]被防液壁25隔開的浸潰槽2側(cè)的薄膜化處理液I經(jīng)過薄膜化處理液回收管16由薄膜化處理液貯藏容器13回收。此外，由防液壁25隔開的膠束除去處理單元側(cè)的膠束除去液10經(jīng)過膠束除去液回收口 26由膠束除去液貯藏容器18回收。
[0117]在防液壁25的材料中可以使用對(duì)于堿性水溶液有耐受性的各種材料。具體而言，可以使用聚乙烯、聚丙烯、硬質(zhì)聚氯乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)樹脂、聚苯乙烯樹脂等的合成樹脂、玻璃纖維強(qiáng)化聚丙烯、玻璃纖維強(qiáng)化環(huán)氧樹脂等的纖維強(qiáng)化塑料、鈦、哈司特鎳合金(HASTELL0Y、注冊(cè)商標(biāo))等的耐腐蝕性金屬材料等的材料。在它們之中，由于加工較容易，所以優(yōu)選的是使用硬質(zhì)聚氯乙烯。
[0118]接著，使用圖10對(duì)圖9的抗蝕劑層的薄膜化裝置的更優(yōu)選的形態(tài)詳細(xì)地說明。圖10的抗蝕劑層的薄膜化裝置在浸潰槽的出口輥對(duì)5與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9之間設(shè)置有防液壁25及斷液輥對(duì)8。如在圖7中說明那樣，通過用斷液輥對(duì)8使抗蝕劑層表面的薄膜化處理液I的液膜的厚度均勻地一致，基板3的面內(nèi)的抗蝕劑層的成分的膠束化速度的速度差成為最小限度，薄膜化處理量變均勻。此外，通過斷液輥對(duì)8將不需要的薄膜化處理液I刮掉。被刮掉的薄膜化處理液I向薄膜化處理單元11內(nèi)流下，但由于向由防液壁25隔開的浸潰槽2側(cè)流下，所以薄膜化處理液I向膠束除去處理單元12的帶入被抑制，膠束除去性能的離差被抑制，抗蝕劑層的薄膜化處理量變得均勻。
[0119]此外，通過斷液輥對(duì)8，當(dāng)基板3穿過膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9時(shí)，能夠?qū)⒔?jīng)過形成在該入口輥對(duì)9上的間隙24向薄膜化處理單元內(nèi)倒流的膠束除去液10擋住。被擋住的膠束除去液10向薄膜化處理單元11內(nèi)流下，但由于向被防液壁25隔開的膠束除去處理單元12側(cè)流下，所以與薄膜化處理液I的混合被抑制在最小限度。因此，在連續(xù)薄膜化處理中也能夠進(jìn)行均勻的抗蝕劑層的薄膜化處理。
[0120]對(duì)于斷液輥對(duì)8，如在圖7中也說明那樣，重要的是密接在抗蝕劑層表面上。斷液輥優(yōu)選的是使用在表面上沒有凹凸的筆直型。作為斷液輥的種類，可以舉出橡膠輥、海綿輥、金屬輥、樹脂輥等。其中，優(yōu)選具有良好的橡膠彈性(密封性、恢復(fù)性)、比重較小、輕量、是低硬度到中硬度、因向抗蝕劑層的接觸帶來的沖擊較小、對(duì)作為高濃度的堿性水溶液的薄膜化處理液I的耐藥性也良好的烯烴系熱塑性彈性體的輥。作為烯烴系熱塑性彈性體，可以舉出THERM0RUN (注冊(cè)商標(biāo))。
[0121]此外，如在圖7中也說明那樣，斷液輥對(duì)8即使是I對(duì)也有效果，但通過用多個(gè)輥對(duì)連續(xù)地進(jìn)行薄膜化處理液I的斷液及膠束除去液10的擋住，能夠得到更大的效果。具體而言，由斷液輥對(duì)8進(jìn)行斷液及擋住的次數(shù)越多，薄膜化處理液I和膠束除去液10的混合越被抑制，基板3的面內(nèi)的抗蝕劑層的薄膜化處理量越均勻。圖11所示的薄膜化裝置在浸潰槽2的出口輥對(duì)5與膠束除去處理單元12的入口輥對(duì)9之間有3對(duì)斷液輥對(duì)8，在第2對(duì)的斷液輥對(duì)的正下方設(shè)置有防液壁25。對(duì)斷液輥對(duì)8與防液壁25的位置關(guān)系進(jìn)行說明。防液壁25既可以處于斷液輥對(duì)8的下方，也可以處于各輥對(duì)彼此之間，但優(yōu)選的是處于斷液輥對(duì)8的正下方。使斷液輥對(duì)8的數(shù)量為幾對(duì)是根據(jù)薄膜化處理?xiàng)l件適當(dāng)調(diào)整的，并沒有被限定。
[0122]在圖12的抗蝕劑層的薄膜化裝置中，其特征在于，具有運(yùn)送在表面上形成有抗蝕劑層的基板3的運(yùn)送輥，膠束除去處理單元12具有用來供給膠束除去液10的膠束除去液供給噴霧22，在薄膜化處理單元的出口輥對(duì)29和膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的兩者上設(shè)置有膠束除去液截?cái)嗾?7。此外，其特征在于，在設(shè)置在膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的下側(cè)輥上的膠束除去液截?cái)嗾?7上設(shè)有開口 28。進(jìn)而，其特征在于，在薄膜化處理單元11內(nèi)部的浸潰槽的出口輥對(duì)5與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9之間設(shè)置有斷液輥對(duì)8及防液壁25。另外，由防液壁25隔開的膠束除去處理單元側(cè)的膠束除去液10經(jīng)過膠束除去液回收口 26由膠束除去液貯藏容器18回收。
[0123]運(yùn)送輥對(duì)4除了能夠運(yùn)送基板3以外，還優(yōu)選的是密接在抗蝕劑層表面上。運(yùn)送輥優(yōu)選的是使用在表面上沒有凹凸的筆直型。作為運(yùn)送輥的種類，可以舉出橡膠輥、海綿輥、金屬輥、樹脂輥等。其中，優(yōu)選具有良好的橡膠彈性(密封性、恢復(fù)性)、比重較小、輕量、是低硬度到中硬度、因向抗蝕劑層的接觸帶來的沖擊較小、對(duì)作為高濃度的堿性水溶液的薄膜化處理液I的耐藥性也良好的烯烴系熱塑性彈性體的輥。作為烯烴系熱塑性彈性體，可以舉出THERMORUN (注冊(cè)商標(biāo))。此外，運(yùn)送輥的設(shè)置位置及個(gè)數(shù)，只要能夠運(yùn)送基板3就可以，并不特別限定于圖1?圖4、圖7?圖12所示的設(shè)置位置及個(gè)數(shù)。
[0124]浸潰槽的出口輥對(duì)5、邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6、膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9也適合使用與運(yùn)送輥對(duì)4相同的種類、功能、物性的輥對(duì)。特別是，浸潰槽的出口輥對(duì)5為了浸潰槽2中的薄膜化處理液I的液面維持及將覆蓋在抗蝕劑層表面上的薄膜化處理液I的液膜刮掉的斷液而使用。此外，邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6為了抑制薄膜化處理液I向膠束除去處理單元12的帶入和膠束除去液10向薄膜化處理單元11的倒流而使用。膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9主要為了將向薄膜化處理單元內(nèi)倒流來的膠束除去液10擋住而使用。
[0125][實(shí)施例]
[0126]以下根據(jù)實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)說明本實(shí)用新型，但本實(shí)用新型不限定于該實(shí)施例。
[0127](實(shí)施例1)
[0128]在玻璃基材環(huán)氧樹脂基板(面積5IOmmX 340mm，銅箔厚度12 μ m，基材厚度0.2mm,三菱瓦斯化學(xué)社(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.)制，商品名:CCL_E170)上，使用干膜抗蝕劑用層壓裝置而熱壓接干膜抗蝕劑(日立化成工業(yè)社(Hitachi Chemical C0.,Ltd.)制，商品名:RY3625，厚度25 μ m)，形成抗蝕劑層。
[0129]接著，在將干膜抗蝕劑的載體膜剝離后，通過具有具備浸潰槽2的薄膜化處理單元11、和用膠束除去液10將膠束除去的膠束除去處理單元12的抗蝕劑層的薄膜化裝置(圖1 )，使抗蝕劑層薄膜化。
[0130]在抗蝕劑層的薄膜化裝置中，在薄膜化處理單元11和膠束除去處理單元12的邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6 (直徑40mm)上，設(shè)置有膠束除去液截?cái)嗾?7 (厚度5mm的透明丙烯樹脂制，寬度650mmX高度50mmX進(jìn)深25mm的L字型，設(shè)置在薄膜化處理單元11側(cè)和膠束除去處理單元12側(cè)的兩側(cè))。作為薄膜化處理液I (堿性水溶液)而使用10質(zhì)量％的碳酸鈉水溶液(液溫度25°C)，以浸潰槽2中的浸潰處理時(shí)間為30秒、行進(jìn)從浸潰槽的出口輥對(duì)5到邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6的距離(90mm)的時(shí)間為4秒的方式進(jìn)行薄膜化處理。然后，在膠束除去處理單元12中，將不溶化的膠束除去，使抗蝕劑層薄膜化。
[0131]在水洗處理及干燥處理后，將抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是13.0 μ m，最小值是11.0ym,平均厚度是12.0μπι。此外，利用光學(xué)顯微鏡觀察薄膜化后的抗蝕劑層的表面，確認(rèn)是沒有處理不均的平滑的薄膜化處理面。
[0132](實(shí)施例2)
[0133]在膠束除去液截?cái)嗾?7 (厚度5mm的透明丙烯樹脂制，寬度650mmX高度50mmX進(jìn)深25mm的L字型，設(shè)置在薄膜化處理單元11側(cè)和膠束除去處理單元12側(cè)的兩側(cè))中，在設(shè)置在下側(cè)輥的膠束除去處理單元12側(cè)的膠束除去液截?cái)嗾?7中，使用相對(duì)于寬度方向以55mm間隔直線狀配置有直徑25mm的開口 28的抗蝕劑層的薄膜化裝置(圖2)，除了這一點(diǎn)以外，與實(shí)施例1同樣，使抗蝕劑層薄膜化。
[0134]在水洗處理及干燥處理后，將抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是13.0 μ m，最小值是11.0ym,平均厚度是12.0μπι。此外，利用光學(xué)顯微鏡觀察薄膜化后的抗蝕劑層的表面，確認(rèn)是沒有處理不均的平滑的薄膜化處理面。
[0135](比較例I)[0136]在玻璃基材環(huán)氧樹脂基板(面積5IOmmX 340mm，銅箔厚度12 μ m，基材厚度0.2mm,三菱瓦斯化學(xué)社(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.)制，商品名:CCL_E170)上，使用干膜抗蝕劑用層壓裝置而熱壓接干膜抗蝕劑(日立化成工業(yè)社(Hitachi Chemical C0.,Ltd.)制，商品名:RY3625，厚度25 μ m)，形成抗蝕劑層。
[0137]接著，在將干膜抗蝕劑的載體膜剝離后，通過具有具備浸潰槽2的薄膜化處理單元11、和用膠束除去液10將膠束除去的膠束除去處理單元12的抗蝕劑層的薄膜化裝置(圖13),使抗蝕劑層薄膜化。
[0138]在抗蝕劑層的薄膜化裝置中，在薄膜化處理單元11與膠束除去處理單元12的邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6 (直徑40mm)上沒有設(shè)置膠束除去液截?cái)嗾?7。作為薄膜化處理液I (堿性水溶液)而使用10質(zhì)量％的碳酸鈉水溶液(液溫度25°C),以浸潰槽2中的浸潰處理時(shí)間為30秒、行進(jìn)從浸潰槽的出口輥對(duì)5到邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6的距離(90mm)的時(shí)間為4秒的方式進(jìn)行薄膜化處理。然后，在膠束除去處理單元12中，將不溶化的膠束除去，將抗蝕劑層薄膜化。在薄膜化中途的邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6上附著有膠束除去液10，進(jìn)而，越過邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6后的膠束除去液10接觸在比邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6靠上游的基板3上。
[0139]在水洗處理及干燥處理后，將抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是13.0 μ m,最小值是6.0 μ m,平均厚度是10.0 μ m。此外,利用光學(xué)顯微鏡觀察薄膜化后的抗蝕劑層的表面，在比邊界部的運(yùn)送輥對(duì)6靠上游，基板3上發(fā)生起因于膠束除去液10接觸的薄膜化處理的不均。
[0140](實(shí)施例3)
[0141]在玻璃基材環(huán)氧樹脂基板(面積510mmX 340mm，銅箔厚度12 μ m，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化學(xué)社(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.)制，商品名:CCL_E170)上，使用干膜抗蝕劑用層壓裝置而熱壓接干膜抗蝕劑(日立化成工業(yè)社(Hitachi Chemical C0.,Ltd.)制，商品名:RY3625，厚度25 μ m)，形成抗蝕劑層。
[0142]接著，在將干膜抗蝕劑的載體膜剝離后，通過具有具備浸潰槽2的薄膜化處理單元11、和用膠束除去液10將膠束除去的膠束除去處理單元12的抗蝕劑層的薄膜化裝置(圖3),使抗蝕劑層薄膜化。
[0143]在抗蝕劑層的薄膜化裝置中，在膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9 (直徑40mm)上設(shè)置有膠束除去液截?cái)嗾?7 (厚度5mm的透明丙烯樹脂制，寬度650mmX高度50mmX進(jìn)深50mm的L字型)。作為薄膜化處理液I (堿性水溶液)而使用10質(zhì)量％的碳酸鈉水溶液(液溫度25°C )，以浸潰槽2中的浸潰處理時(shí)間為20秒、行進(jìn)從浸潰槽的出口輥對(duì)5到膠束除去處理單元12的入口輥對(duì)9的距離(90mm)的時(shí)間為4秒的方式進(jìn)行薄膜化處理。然后，在膠束除去處理單元12中，將不溶化的膠束除去，將抗蝕劑層薄膜化。
[0144]在水洗處理及干燥處理后，將抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是
10.0 μ m,最小值是6.5 μ m,平均厚度是8.5 μ m。此外,利用光學(xué)顯微鏡觀察薄膜化后的抗蝕劑層的表面，確認(rèn)沒有處理不均，是平滑的面。
[0145]接著，在與第I片的薄膜化處理相同的條件下，連續(xù)20片將抗蝕劑層薄膜化。在水洗處理及干燥處理后，將第20片基板的抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是11.0 μ m，最小值是6.5 μ m，平均厚度是9.0 μ m，確認(rèn)了在連續(xù)處理中薄膜化處理量也穩(wěn)定。[0146](實(shí)施例4)
[0147]在膠束除去液截?cái)嗾?7 (厚度5mm的透明丙烯樹脂制，寬度650mmX高度50mmX進(jìn)深50mm的L字型)中，在設(shè)置在入口輥對(duì)9的下側(cè)輥上的膠束除去液截?cái)嗾?7中，使用在下側(cè)輥的正下方的位置上相對(duì)于寬度方向以55mm間隔直線狀配置有直徑25mm的開口 28的抗蝕劑層的薄膜化裝置(圖4)，除了這一點(diǎn)以外，與實(shí)施例3同樣，將抗蝕劑層薄膜化。
[0148]在水洗處理及干燥處理后，將抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是
10.0 μ m,最小值是6.5 μ m,平均厚度是8.5 μ m。此外,利用光學(xué)顯微鏡觀察薄膜化后的抗蝕劑層的表面，確認(rèn)沒有處理不均，是平滑的面。
[0149]接著，在與第I片的薄膜化處理相同的條件下，連續(xù)20片將抗蝕劑層薄膜化。在水洗處理及干燥處理后，將第20片基板的抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是10.5 μ m，最小值是6.5 μ m，平均厚度是8.5 μ m，確認(rèn)了在連續(xù)處理中薄膜化處理量也穩(wěn)定。此外，與在膠束除去液截?cái)嗾?7上不存在開口的實(shí)施例3比較，確認(rèn)了連續(xù)處理中的薄膜化處理量更穩(wěn)定。
[0150](比較例2)
[0151]在玻璃基材環(huán)氧樹脂基板(面積510_X340mm，銅箔厚度12 μ m，基材厚度0.2_，三菱瓦斯化學(xué)社(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.)制，商品名:CCL_E170)上，使用干膜抗蝕劑用層壓裝置而熱壓接干膜抗蝕劑(日立化成工業(yè)社(Hitachi Chemical C0.,Ltd.)制，商品名:RY3625，厚度25 μ m)，形成抗蝕劑層。
[0152]接著，在將干膜抗蝕劑的載體膜剝離后，通過具有具備浸潰槽2的薄膜化處理單元11、和用膠束除去液10將膠束除去的膠束除去處理單元12的抗蝕劑層的薄膜化裝置，使抗蝕劑層薄膜化。
[0153]在抗蝕劑層的薄膜化裝置中，在膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9 (直徑40mm)上沒有設(shè)置膠束除去液截?cái)嗾?7。作為薄膜化處理液I (堿性水溶液)而使用10質(zhì)量％的碳酸鈉水溶液(液溫度25°C)，以浸潰槽2中的浸潰處理時(shí)間為20秒、行進(jìn)從浸潰槽的出口輥對(duì)5到膠束除去處理單元12的入口輥對(duì)9的距離(90mm)的時(shí)間為4秒的方式進(jìn)行了薄膜化處理。然后，在膠束除去處理單元12中，將不溶化的膠束除去，將抗蝕劑層薄膜化。
[0154]在薄膜化中途，在膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9上附著有膠束除去液10，確認(rèn)了在穿過膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9前，膠束除去液10接觸在基板3上的抗蝕劑層上。
[0155]在水洗處理及干燥處理后，將抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是
9.0 μ m,最小值是5.5 μ m,平均厚度是7.5 μ m。此外,利用光學(xué)顯微鏡觀察薄膜化后的抗蝕劑層的表面，在比入口輥對(duì)9靠上游，在基板3上發(fā)生了起因于膠束除去液10接觸的薄膜化處理的不均。
[0156]接著，在與第I片的薄膜化處理相同的條件下，連續(xù)20片將抗蝕劑層薄膜化。在水洗處理及干燥處理后，將第20片基板的抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是10.5 μ m，最小值是4.5 μ m，平均厚度是8.0 μ m。確認(rèn)了在薄膜化處理結(jié)束后、因膠束除去液10倒流到薄膜化處理單元11內(nèi)造成的薄膜化處理液I的液量的增加，除了起因于上述膠束除去液10接觸的薄膜化處理的不均以外，還發(fā)生了被認(rèn)為起因于薄膜化處理液I的濃度下降的薄膜化處理的不均。[0157](實(shí)施例5)
[0158]在玻璃基材環(huán)氧樹脂基板(面積510_X340mm，銅箔厚度12 μ m，基材厚度0.2mm,三菱瓦斯化學(xué)社(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.)制，商品名:CCL_E170)上，使用干膜抗蝕劑用層壓裝置而熱壓接干膜抗蝕劑(日立化成工業(yè)社(Hitachi Chemical C0.,Ltd.)制，商品名:RY3625，厚度25 μ m)，形成抗蝕劑層。
[0159]接著，在將干膜抗蝕劑的載體膜剝離后，通過具有具備浸潰槽2的薄膜化處理單元11、和用膠束除去液10將膠束除去的膠束除去處理單元12的抗蝕劑層的薄膜化裝置，使抗蝕劑層薄膜化。
[0160]在抗蝕劑層的薄膜化裝置中，在浸潰槽的出口輥對(duì)5 (直徑Dl:40mm)與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9 (直徑D3:40mm)之間，設(shè)置有4對(duì)斷液輥對(duì)8 (直徑D2:40mm)，各輥對(duì)彼此的間隔L全部是45mm。作為薄膜化處理液I (堿性水溶液)而使用10質(zhì)量％的碳酸鈉水溶液(液溫度25°C)，以浸潰槽2中的浸潰處理時(shí)間為20秒、從浸潰槽的出口輥對(duì)5穿過4對(duì)斷液輥、行進(jìn)到膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的距離(45mmX5=225mm)的時(shí)間為10秒的方式進(jìn)行了薄膜化處理。然后，在膠束除去處理單元12中，將不溶化的膠束除去，將抗蝕劑層薄膜化。
[0161]在水洗處理及干燥處理后，將抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是
11.0 μ m,最小值是9.0 μ m,平均厚度是10.0 μ m。此外,利用光學(xué)顯微鏡觀察薄膜化后的抗蝕劑層的表面，確認(rèn)沒有處理不均，是平滑的面。
[0162](實(shí)施例6)
[0163]在浸潰槽的出口輥對(duì)5 (直徑Dl:40mm)與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9 (直徑:D3:40mm)之間，設(shè)置有3對(duì)斷液輥對(duì)8 (直徑D2:40mm)，使用各輥對(duì)彼此的間隔L全部是56.25mm的抗蝕劑層的薄膜化裝置(圖7)，除此以外，通過與實(shí)施例5相同的方法，將抗蝕劑
層薄膜化。
[0164]在水洗處理及干燥處理后，將抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是
11.5 μ m,最小值是9.0 μ m,平均厚度是10.0 μ m。此外,利用光學(xué)顯微鏡觀察薄膜化后的抗蝕劑層的表面，確認(rèn)沒有處理不均，是平滑的面。
[0165](實(shí)施例7)
[0166]在浸潰槽的出口輥對(duì)5 (直徑Dl:40mm)與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9 (直徑:D3:40mm)之間，設(shè)置有2對(duì)斷液輥對(duì)(直徑D2:40mm)，使用各輥對(duì)彼此的間隔L全部是75mm的抗蝕劑層的薄膜化裝置，除此以外，通過與實(shí)施例5相同的方法，將抗蝕劑層薄膜化。
[0167]在水洗處理及干燥處理后，將抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是
12.0ym,最小值是8.5 μ m，平均厚度是10.5 μ m。此外，利用光學(xué)顯微鏡觀察薄膜化后的抗蝕劑層的表面，確認(rèn)沒有處理不均，是平滑的面。
[0168](實(shí)施例8)
[0169]在浸潰槽的出口輥對(duì)5 (直徑Dl:40mm)與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9 (直徑D3:40mm)之間，設(shè)置有I對(duì)斷液輥對(duì)8 (直徑D2:40mm)，使用各輥對(duì)彼此的間隔L全部是112.5mm的抗蝕劑層的薄膜化裝置，除此以外，通過與實(shí)施例5相同的方法，將抗蝕劑層薄膜化。
[0170]在水洗處理及干燥處理后，將抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是12.5 μ m，最小值是8.0 μ m，平均厚度是11.0 μ m。此外，利用光學(xué)顯微鏡觀察薄膜化后的抗蝕劑層的表面，確認(rèn)沒有處理不均，是平滑的面。
[0171](實(shí)施例9)
[0172]在浸潰槽的出口輥對(duì)5 (直徑Dl:40mm)與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9 (直徑D3:40mm)之間，設(shè)置有2對(duì)斷液輥對(duì)8 (直徑D2:40mm)，使用浸潰槽的出口輥對(duì)5與最初的斷液輥對(duì)8的間隔LI是135mm、2對(duì)斷液輥對(duì)8彼此的間隔L2是45mm、斷液輥對(duì)8與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的間隔L3是45mm的抗蝕劑層的薄膜化裝置，除此以外，通過與實(shí)施例5相同的方法，將抗蝕劑層薄膜化。
[0173]在水洗處理及干燥處理后，將抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是
13.0ym,最小值是7.5 μ m，平均厚度是11.5 μ m。此外，利用光學(xué)顯微鏡觀察薄膜化后的抗蝕劑層的表面，確認(rèn)沒有處理不均，是平滑的面。
[0174]比較實(shí)施例5~9可知，在浸潰槽的出口輥對(duì)5、斷液輥對(duì)8、膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的各自的間隔L相對(duì)于各輥的直徑D為超過I倍且在3倍以下(D〈L ^ 3D)的實(shí)施例5~8中，抗蝕劑層的薄膜化處理量更均勻。
[0175](比較例3)
[0176]在玻璃基材環(huán)氧樹脂基板(面積510mmX 340mm，銅箔厚度12 μ m，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化學(xué)社(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.)制，商品名:CCL_E170)上，使用干膜抗蝕劑用層壓裝置而熱壓接干膜抗蝕劑(日立化成工業(yè)社(Hitachi Chemical C0.,Ltd.)制，商品名:RY3625，厚度25 μ m)，形成抗蝕劑層。
[0177]接著，在將干膜抗蝕劑的載體膜剝離后，通過具有具備浸潰槽2的薄膜化處理單元11、和用膠束除去液10將膠`束除去的膠束除去處理單元12的抗蝕劑層的薄膜化裝置，使抗蝕劑層薄膜化。
[0178]在抗蝕劑層的薄膜化裝置中，在浸潰槽的出口輥對(duì)5 (直徑Dl:40mm)與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9 (直徑D3:40mm)之間沒有斷液輥對(duì)8，各輥對(duì)彼此的間隔L是45mm。作為薄膜化處理液I (堿性水溶液)而使用10質(zhì)量％的碳酸鈉水溶液(液溫度25 V )，以浸潰槽2中的浸潰處理時(shí)間是20秒、行進(jìn)從浸潰槽的出口輥對(duì)5到膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的距離(45mm)的時(shí)間為2秒的方式進(jìn)行薄膜化處理。然后，通過膠束除去處理單元12將不溶化膠束除去，將抗蝕劑層薄膜化。
[0179]在水洗處理及干燥處理后，將抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是
9.0ym,最小值是6.5 μ m，平均厚度是8.0 μ m。但是，在薄膜化處理結(jié)束后，確認(rèn)了從浸潰槽2帶出的薄膜化處理液I被大量帶入到膠束除去處理單元12中，膠束除去液10的pH急劇上升。在此狀態(tài)下，將下個(gè)基板3投入，膠束除去液10的pH較高，除此以外，通過與上述相同的方法，將抗蝕劑層薄膜化。在水洗處理及干燥處理后，將抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是10.5 μ m,最小值是4.0 μ m，平均厚度是7.5 μ m，發(fā)生了被認(rèn)為起因于高PH的膠束除去液接觸的處理不均。此外，在薄膜化處理結(jié)束后，膠束除去液10的pH比第I片的基板處理后進(jìn)一步上升。
[0180](比較例4)
[0181]沒有斷液輥對(duì)8，輥對(duì)彼此的間隔L是135mm，以行進(jìn)從浸潰槽的出口輥對(duì)5到膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的距離(135mm)的時(shí)間為6秒的方式進(jìn)行薄膜化處理，除此以外，通過與比較例3相同的方法將抗蝕劑層薄膜化。
[0182]在水洗處理及干燥處理后，將抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是
11.5 μ m，最小值是6.0 μ m，平均厚度是9.5 μ m。但是，在薄膜化處理結(jié)束后，確認(rèn)了從浸潰槽2帶出的薄膜化處理液I被大量帶入到膠束除去處理單元12中，膠束除去液10的pH急劇上升。在此狀態(tài)下，將下個(gè)基板3投入，膠束除去液10的pH較高，除此以外，通過與上述相同的方法，將抗蝕劑層薄膜化。在水洗處理及干燥處理后，將抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是11.0 μ m，最小值是5.0 μ m，平均厚度是8.5 μ m，除了發(fā)生了起因于高PH的膠束除去液接觸的處理不均，還發(fā)生了被認(rèn)為起因于薄膜化處理液流動(dòng)的處理不均。此外，在薄膜化處理結(jié)束后，膠束除去液10的pH比第I片的基板處理后進(jìn)一步上升。
[0183](實(shí)施例10)
[0184]在玻璃基材環(huán)氧樹脂基板(面積5IOmmX 340mm，銅箔厚度12 μ m，基材厚度1.6mm,三菱瓦斯化學(xué)社(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.)制，商品名:CCL_E170)上，使用干膜抗蝕劑用層壓裝置而熱壓接干膜抗蝕劑(日立化成工業(yè)社(Hitachi Chemical C0.,Ltd.)制，商品名:RY3625，厚度25 μ m)，形成抗蝕劑層。
[0185]接著，在將干膜抗蝕劑的載體膜剝離后，通過具有具備浸潰槽2的薄膜化處理單元11、和用膠束除去液10將膠束除去的膠束除去處理單元12的抗蝕劑層的薄膜化裝置(圖9),使抗蝕劑層薄膜化。
[0186]在抗蝕劑層的薄膜化裝置中，在浸潰槽的出口輥對(duì)5 (直徑40mm)與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9 (直徑40mm)之間，設(shè)置有高度IOOmm的防液壁25。浸潰槽的出口輥對(duì)5與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的間隔是90mm，防液壁25設(shè)置在輥對(duì)彼此的中間(45mm位置)。輥對(duì)相對(duì)于高度IOOmm的防液壁25設(shè)置成到下側(cè)輥的軸中心的高度為125mm。作為薄膜化處理液I (堿性水溶液)而使用10質(zhì)量％的碳酸鈉水溶液(液溫度25°C )，以浸潰槽2中的浸潰處理時(shí)間為20秒、行進(jìn)從浸潰槽的出口輥對(duì)5到膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的距離(90mm)的時(shí)間為4秒的方式進(jìn)行薄膜化處理。然后，在膠束除去處理單元12中，將不溶化的膠束除去，將抗蝕劑層薄膜化。
[0187]在水洗處理及干燥處理后，將抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是
10.0 μ m,最小值是6.5 μ m,平均厚度是8.5 μ m。此外,利用光學(xué)顯微鏡觀察薄膜化后的抗蝕劑層的表面，確認(rèn)沒有處理不均，是平滑的面。
[0188]接著，在與第I片的薄膜化處理相同的條件下，連續(xù)20片將抗蝕劑層薄膜化。在水洗處理及干燥處理后，將第20片基板的抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是10.5 μ m，最小值是6.5 μ m，平均厚度是8.5 μ m，確認(rèn)了在連續(xù)處理中薄膜化處理量也穩(wěn)定。
[0189](實(shí)施例11)
[0190]除了使用在浸潰槽的出口輥對(duì)5與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9之間，以輥對(duì)彼此的間隔45mm設(shè)置有I對(duì)斷液輥對(duì)8 (直徑40mm)的抗蝕劑層的薄膜化裝置(圖10)以夕卜，通過與實(shí)施例10相同的方法，將抗蝕劑層薄膜化。
[0191]在水洗處理及干燥處理后，將抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是
9.0 μ m,最小值是7.0 μ m,平均厚度是8.0 μ m。此外,利用光學(xué)顯微鏡觀察薄膜化后的抗蝕劑層的表面，確認(rèn)沒有處理不均，是平滑的面。[0192]接著，在與第I片的薄膜化處理相同的條件下，連續(xù)20片將抗蝕劑層薄膜化。在水洗處理及干燥處理后，將第20片基板的抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是9.0 μ m，最小值是7.0 μ m，平均厚度是8.0 μ m，確認(rèn)了在連續(xù)處理中薄膜化處理量也穩(wěn)定。
[0193](實(shí)施例12)
[0194]通過在浸潰槽的出口輥對(duì)5與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9之間，以輥對(duì)彼此的間隔45mm設(shè)置有3對(duì)斷液輥對(duì)8 (直徑40mm)的抗蝕劑層的薄膜化裝置(圖11)，將抗蝕劑層薄膜化。浸潰槽的出口輥對(duì)5與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的間隔是180_，防液壁25設(shè)置在第2對(duì)斷液輥對(duì)8的正下方(90mm位置)。行進(jìn)從浸潰槽的出口輥對(duì)5到膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的距離(180mm)的時(shí)間為8秒，除此以外，通過與實(shí)施例10相同的方法，將抗蝕劑層薄膜化。
[0195]在水洗處理及干燥處理后，將抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是
10.5 μ m,最小值是8.5 μ m,平均厚度是9.5 μ m。此外,利用光學(xué)顯微鏡觀察薄膜化后的抗蝕劑層的表面，確認(rèn)沒有處理不均，是平滑的面。
[0196]接著，在與第I片的薄膜化處理相同的條件下，連續(xù)20片將抗蝕劑層薄膜化。在水洗處理及干燥處理后，將第20片基板的抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是10.5 μ m，最小值是8.5 μ m，平均厚度是9.5 μ m，確認(rèn)了在連續(xù)處理中薄膜化處理量也穩(wěn)定。
[0197](實(shí)施例13)
[0198]通過在浸潰槽的出口輥對(duì)5與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9之間，以輥對(duì)彼此的間隔45mm設(shè)置有3對(duì)斷液輥對(duì)8 (直徑40mm)的抗蝕劑層的薄膜化裝置，將抗蝕劑層薄膜化。浸潰槽的出口輥對(duì)5與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的間隔是180mm，防液壁25設(shè)置在第I對(duì)與第2對(duì)斷液輥對(duì)8的中間(距浸潰槽的出口輥對(duì)5為67.5mm的位置)，除此以外，通過與實(shí)施例12相同的方法，將抗蝕劑層薄膜化。
[0199]在水洗處理及干燥處理后，將抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是
10.5 μ m,最小值是8.5 μ m,平均厚度是9.5 μ m。此外,利用光學(xué)顯微鏡觀察薄膜化后的抗蝕劑層的表面，確認(rèn)沒有處理不均，是平滑的面。
[0200]接著，在與第I片的薄膜化處理相同的條件下，連續(xù)20片將抗蝕劑層薄膜化。在水洗處理及干燥處理后，將第20片基板的抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是10.5 μ m，最小值是8.5 μ m，平均厚度是9.5 μ m，確認(rèn)了在連續(xù)處理中薄膜化處理量也穩(wěn)定。
[0201](比較例5)
[0202]在玻璃基材環(huán)氧樹脂基板(面積5IOmmX 340mm，銅箔厚度12 μ m，基材厚度1.6mm,三菱瓦斯化學(xué)社(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.)制，商品名:CCL_E170)上，使用干膜抗蝕劑用層壓裝置而熱壓接干膜抗蝕劑(日立化成工業(yè)社(Hitachi Chemical C0.,Ltd.)制，商品名:RY3625，厚度25 μ m)，形成抗蝕劑層。
[0203]接著，在將干膜抗蝕劑的載體膜剝離后，通過具有具備浸潰槽2的薄膜化處理單元11、和用膠束除去液10將膠束除去的膠束除去處理單元12的抗蝕劑層的薄膜化裝置，使抗蝕劑層薄膜化。[0204]在抗蝕劑層的薄膜化裝置中，在浸潰槽的出口輥對(duì)5 (直徑40mm)與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9 (直徑40mm)之間沒有防液壁25，浸潰槽的出口輥對(duì)5與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的間隔是90mm。作為薄膜化處理液I (堿性水溶液)而使用10質(zhì)量％的碳酸鈉水溶液(液溫度25°C)，以浸潰槽2中的浸潰處理時(shí)間為20秒、行進(jìn)從浸潰槽的出口輥對(duì)5到膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的距離(90mm)的時(shí)間為4秒的方式進(jìn)行薄膜化處理。然后，在膠束除去處理單元12中，將不溶化的膠束除去，將抗蝕劑層薄膜化。
[0205]在水洗處理及干燥處理后，將抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是
9.0 μ m,最小值是5.5 μ m,平均厚度是7.5 μ m。此外,利用光學(xué)顯微鏡觀察薄膜化后的抗蝕劑層的表面，確認(rèn)沒有處理不均，是平滑的面。
[0206]接著，在與第I片的薄膜化處理相同的條件下，連續(xù)20片將抗蝕劑層薄膜化。在水洗處理及干燥處理后，將第20片基板的抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是10.5 μ m,最小值是4.5 μ m，平均厚度是8.0 μ m。此外，確認(rèn)了在薄膜化處理結(jié)束后、因膠束除去液10倒流到薄膜化處理單元11內(nèi)造成的薄膜化處理液I的液量的增加、因從浸潰槽2帶出的薄膜化處理液I被帶入到膠束除去處理單元12中造成的膠束除去液的pH的上升。因此，在抗蝕劑層中，除了發(fā)生了被認(rèn)為起因于薄膜化處理液I的濃度下降的處理不均以外，還發(fā)生了被認(rèn)為起因于高pH的膠束除去液10接觸的處理不均。
[0207](實(shí)施例14)
[0208]在玻璃基材環(huán)氧樹脂基板(面積5IOmmX 340mm，銅箔厚度12 μ m，基材厚度1.6mm,三菱瓦斯化學(xué)社(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.)制，商品名:CCL_E170)上，使用干膜抗蝕劑用層壓裝置而熱壓接干膜抗蝕劑(日立化成工業(yè)社(Hitachi Chemical C0.,Ltd.)制，商品名:RY3625，厚度25 μ m)，形成抗蝕劑層。
[0209]接著，在將干膜抗蝕劑的載體膜剝離后，通過具有具備浸潰槽2的薄膜化處理單元11、和用膠束除去液10將膠束除去的膠束除去處理單元12的抗蝕劑層的薄膜化裝置(圖12),使抗蝕劑層薄膜化。
[0210]在抗蝕劑層的薄膜化裝置中，在薄膜化處理單元的出口輥對(duì)29 (直徑40mm)與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9 (直徑40mm)的兩者上設(shè)置膠束除去液截?cái)嗾?7 (厚度5mm的透明丙烯樹脂制，寬度650mmX高度50mmX進(jìn)深50mm的L字型)，在設(shè)置在膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的下側(cè)輥上的膠束除去液截?cái)嗾?7上，在下側(cè)輥的正下方的位置上，相對(duì)于寬度方向以55mm間隔直線狀配置有直徑25mm的開口 28。
[0211]此外，在浸潰槽的出口輥對(duì)5 (直徑40mm)與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9之間，以輥對(duì)彼此的間隔45mm設(shè)置有2對(duì)斷液輥對(duì)8 (直徑40mm)。浸潰槽的出口輥對(duì)5與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的間隔是180mm，防液壁25設(shè)置在第2對(duì)的斷液輥對(duì)8的正下方(90mm位置)。輥對(duì)相對(duì)于高度IOOmm的防液壁25設(shè)置成到下側(cè)輥的軸中心的高度為 125mm。
[0212]通過這樣的抗蝕劑層的薄膜化裝置，作為薄膜化處理液I (堿性水溶液)而使用10質(zhì)量％的碳酸鈉水溶液(液溫度25°C)，以浸潰槽2中的浸潰處理時(shí)間為20秒、從浸潰槽的出口輥對(duì)5穿過3對(duì)斷液輥、行進(jìn)到膠束除去處理單元的入口輥對(duì)9的距離(180mm)的時(shí)間為8秒的方式進(jìn)行薄膜化處理。然后，在膠束除去處理單元12中，將不溶化的膠束除去，將抗蝕劑層薄膜化。[0213]在水洗處理及干燥處理后，將抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是
10.0 μ m,最小值是8.5 μ m,平均厚度是9.5 μ m。此外,利用光學(xué)顯微鏡觀察薄膜化后的抗蝕劑層的表面，確認(rèn)沒有處理不均，是平滑的面。
[0214]接著，在與第I片的薄膜化處理相同的條件下，連續(xù)20片將抗蝕劑層薄膜化。在水洗處理及干燥處理后，將第20片基板的抗蝕劑層的薄膜化部的厚度測(cè)量10個(gè)點(diǎn)，最大值是10.0 μ m，最小值是8.5 μ m，平均厚度是9.5 μ m，確認(rèn)了在連續(xù)處理中薄膜化處理量也穩(wěn)定。
[0215]本實(shí)用新型的抗蝕劑層的薄膜化裝置能夠用于印刷配線板及引線框的回路基板的制作、或具備倒裝片連接用的連接焊盤的組裝基板的制作中形成抗蝕劑圖案的用途。
【權(quán)利要求】
1.一種抗蝕劑層的薄膜化裝置， 具備通過薄膜化處理液使抗蝕劑層中的成分膠束化的薄膜化處理單元，和通過膠束除去液將膠束除去的膠束除去處理單元， 具有運(yùn)送在表面上形成有抗蝕劑層的基板的運(yùn)送輥， 薄膜化處理單元具有裝入薄膜化處理液的浸潰槽， 膠束除去處理單元具有用來供給膠束除去液的膠束除去液供給噴霧， 其特征在于， 設(shè)置有從膠束除去液倒流抑制機(jī)構(gòu)及薄膜化處理液帶出抑制機(jī)構(gòu)選擇的至少一種機(jī)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置，其特征在于， 膠束除去液倒流抑制機(jī)構(gòu)是設(shè)置在薄膜化處理單元和膠束除去處理單元的邊界部的運(yùn)送輥對(duì)上的膠束除去液截?cái)嗾帧?br> 3.如權(quán)利要求2所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置，其特征在于， 在設(shè)置在薄膜化處理單元和膠束除去處理單元的邊界部的運(yùn)送輥對(duì)的下側(cè)輥上的膠束除去液截?cái)嗾稚显O(shè)有開口。
4.如權(quán)利要求1所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置，其特征在于， 膠束除去液倒流抑制機(jī)構(gòu)是設(shè)置在膠束除去處理單元的入口輥對(duì)上的膠束除去液截?cái)嗾帧?br> 5.如權(quán)利要求1所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置，其特征在于， 薄膜化處理液帶出抑制機(jī)構(gòu)是設(shè)置在浸潰槽的出口輥對(duì)與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)之間的斷液輥對(duì)。
6.如權(quán)利要求1所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置，其特征在于， 膠束除去液倒流抑制機(jī)構(gòu)是設(shè)置在該浸潰槽的出口輥對(duì)與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)之間的防液壁。
7.如權(quán)利要求6所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置，其特征在于， 在浸潰槽的出口輥對(duì)與膠束除去處理單元的入口輥對(duì)之間設(shè)置有斷液輥對(duì)。
8.如權(quán)利要求7所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置，其特征在于， 在膠束除去處理單元的入口輥對(duì)上設(shè)置有膠束除去液截?cái)嗾帧?br> 9.如權(quán)利要求4或8所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置，其特征在于， 在設(shè)置在膠束除去處理單元的入口輥對(duì)的下側(cè)輥上的膠束除去液截?cái)嗾稚显O(shè)有開口。
10.如權(quán)利要求5、7、8的任一項(xiàng)所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置，其特征在于， 浸潰槽的出口輥對(duì)、斷液輥對(duì)、膠束除去處理單元的入口輥對(duì)的各自的間隔L相對(duì)于各輥的直徑D為超過I倍且在3倍以下、即D〈L含3D。
【文檔編號(hào)】G03F7/30GK203587965SQ201320593542
【公開日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2013年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月25日
【發(fā)明者】豐田裕二, 后閑寬彥, 川合宣行, 中川邦弘 申請(qǐng)人:三菱制紙株式會(huì)社